JP2909665B2 - 感光体及びその製造方法 - Google Patents

感光体及びその製造方法

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JP2909665B2 JP3761291A JP3761291A JP2909665B2 JP 2909665 B2 JP2909665 B2 JP 2909665B2 JP 3761291 A JP3761291 A JP 3761291A JP 3761291 A JP3761291 A JP 3761291A JP 2909665 B2 JP2909665 B2 JP 2909665B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電子写真に用いられる高
画質、高耐久性の感光体及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来負帯電性の感光体において、表面層
を形成する電荷輸送層中にシリコーンオイルを含有せし
めて塗布加工性を改善し、塗布加工に基因して発生する
感光体の画像欠陥を改善する技術は、例えば特公平2-46
938号に提案されている。即ち該公報においては、フィ
ルム状支持体上に電荷発生層を設け、該層上にシリコー
ンオイルを固形分に対して0.001〜0.5wt%(10〜5000pp
m)含有する電荷輸送層を設けた感光体が記載されてい
る。なお前記公報の具体的実施例中には、前記電荷輸送
層用塗布液をスリットコータにより電荷発生層上に塗布
加工することが記載されている。
【0003】
【発明が解決しようとする問題点】ところで前記公報記
載の感光体は、電荷発生層を下層とし、電荷輸送層を上
層とした負帯電性の感光体であり、像形成時コロナ放電
器により負の帯電を付与する際オゾンが多量に発生して
環境を悪化せしめるという問題があり、電荷輸送層を下
層とし、電荷発生層を上層とした感光体であって、帯電
時オゾンの発生が少ない正帯電用感光体の開発が望まれ
る。
【0004】通常、電荷発生層のような薄膜を支持体上
に形成する場合は、シリコーンオイル等の表面平滑剤を
用いる必要がないとされている。即ち電荷発生層は通常
1μm以下の薄層とされるため塗布液を塗布した後、乾
燥過程で対流現象等に基づく表面性悪化を生ずる暇もな
く乾燥が終了する。このため特に前記表面性の悪化を防
止するための例えばシリコーンオイル等の表面平滑剤を
用いる必要がない。
【0005】他方電荷輸送層のような厚膜を支持体上に
形成する場合、特に前記特公平2-46938号の場合のよう
に良好な表面性が要請される表面層として電荷輸送層を
形成する場合は、シリコーンオイル等の表面平滑剤の使
用が必要とされる。即ち電荷輸送層は通常10〜30μmの
層厚が必要であって、塗布後の乾燥が長引き、乾燥の過
程で塗膜中に対流現象を生じて感光層の表面性を悪化さ
せるので、該対流現象を阻止して平滑な表面層の形成に
寄与するシリコーンオイル等の表面平滑剤の使用が必要
となる。
【0006】そこで前記公報記載の感光体の場合のよう
に下層の電荷発生層にはシリコーンオイルを含ませず、
上層の電荷輸送層にシリコーンオイルを含有させること
により、前記下層の電荷発生層も上層の電荷輸送層も共
に良好な塗膜が得られ、電子写真特性に優れた感光体が
得られる。しかしながら本発明者等の実験によれば、前
記オゾン対策として下層に電荷輸送層を設け、上層に電
荷発生層を設けて正帯電用感光体をうる場合は全く状況
が異なってくる。即ち下層のシリコーンオイルを含む電
荷輸送層上に電荷発生用の塗布液を塗布する場合、その
ままでは、塗布液の濡れが悪く、はじきを生じて良好な
電荷発生層の形成が困難であった。
【0007】本発明の目的は前記の問題を排除して、高
画質、高耐久性が付与された感光体及び塗布加工性、生
産性にすぐれた前記感光体の製造方法を提供することに
ある。
【0008】
【問題点を解決するための手段】本発明者等はこの問題
につき鋭意検討を加えた結果、前記はじきの原因が下層
としての電荷輸送層の表面と、上層として塗布する電荷
輸送層用塗布液との相互関係にあることに気付き、本発
明を完成したのである。
【0009】即ち前記本発明の目的は;導電性支持体上
に、電荷輸送層及び電荷発生層をこの順に積層して成る
感光層を有する電子写真感光体において、前記電荷輸送
層及び電荷発生層の各層がシリコーンオイルを含有し、
該各層のシリコーンオイルの濃度(ppm)が下記式−
(1)及び式−(2)を満足することを特徴とする感光
体、及び前記感光体の製造方法として、円筒状導電性支
持体上に設ける前記電荷発生層用及び電荷輸送層用の夫
々の塗布液が、形成された両層において夫々下記式−
(1)及び−(2)に規定する濃度(ppm)のシリコー
ンオイルを含有し、かつ少なくとも電荷発生層の塗布加
工を、前記円筒状導電性支持体に塗布液が囲繞、接触す
る円筒体塗布機を用いて行うことを特徴とする感光体の
製造方法によって達成される。
【0010】式−(1):〔Q〕≧〔P〕+1000 式−(2):〔Q〕≦10000 但し〔Q〕は電荷発生層中のシリコーンオイルの濃度
(ppm)、〔P〕は輸送層中のシリコーンオイルの濃度
(ppm)を表す。
【0011】なお、本発明実施態様においては、前記シ
リコーンオイルとしては、メチルフェニルシリコーンオ
イルが好ましい。
【0012】即ち本発明の感光体においては、導電性支
持体上に下層としてシリコーンオイルを含有させた電荷
輸送層を設け、この上に上層として前記電荷輸送層のシ
リコーンオイルより高濃度にシリコーンオイルを含有さ
せた電荷発生層を設けて高画質、高耐久性を与えるもの
である。
【0013】又、本発明の感光体の製造方法としては、
円筒状導電性支持体に前記に規定した、シリコーンオイ
ルの含有関係の電荷輸送層用及び電荷発生層用の塗布液
を用い少なくとも上層となる電荷発生層の塗布加工には
円形スライドホッパ塗布機、円形押出し塗布機又は円形
少量デイップ塗布機等の塗布加工精度及び加工能率に優
れた円筒体塗布機を用いる。
【0014】本発明に係る前記電荷輸送層及び電荷発生
層に含有されるシリコーンオイルとしては、例えばアル
キルシリコーンオイル、アリールシリコーンオイル、ア
ルキルアリールシリコーンオイル等から選択され、該シ
リコーンオイルを前記電荷輸送層及び電荷発生層の両層
に含有せしめる。
【0015】一方の層のみに含有せしめた場合は、電荷
輸送層若しくは電荷発生層用塗布液を塗布する際のはじ
き、ゆず肌、塗布むら、塗布筋、ぽち等の塗布欠陥を防
止することができない。
【0016】なお前記塗布欠陥を防止する上でメチルフ
ェニルシリコーンオイルがすぐれており、特にフェニル
基の含有量が10%〜25%のメチルフェニルシリコーンオ
イルがすぐれている。かかるメチルフェニルシリコーン
オイルは既に市販されていて、例えば信越化学工業(株)
社製のKF-50、KF-54、KF-56、トーレシリコーン(株)社
製のTSF431、TSF443、TSF437等が好ましく用いられる。
これらのシリコーンオイルは塗布液中への溶解性がよい
ため、下層としての電荷輸送層中に均一含有されてい
て、この上に同じく前記シリコーンオイルを含有する電
荷発生層塗布液を塗布した際、該塗布液が下層表面全域
に均一に延展して塗布され、はじき、塗布むら、塗布筋
等のない均一な電荷発生層の薄層が形成される。
【0017】ここで前記電荷発生層中のシリコーンオイ
ルの濃度〔Q〕は10000ppm以下、好ましくは1010〜1000
0ppmであり、電荷輸送層中の前記シリコーンオイルの濃
度〔P〕は前記電荷発生層中のシリコーンオイルの濃度
〔Q〕より少なくとも1000ppm少なく、好ましくは10〜9
000ppmの範囲に押えられる。
【0018】前記電荷発生層中のシリコーンオイルの濃
度〔Q〕が10000ppmを上廻ると、液垂れを生じ静電特性
を悪化し、1010ppmを下廻るとはじき、ゆず肌、塗布む
ら、塗布筋等の塗布欠陥を発生する。又電荷輸送層中の
シリコーンオイル濃度〔P〕が9000ppmを越えると液垂
れを生じ、静電特性も悪化し、10ppmを下廻るとゆず
肌、塗布むら、塗布筋等の塗布欠陥を発生する。
【0019】なお、電荷発生層中のシリコーンオイル濃
度〔Q〕が電荷輸送層中のシリコーンオイル濃度〔P〕
より1000ppm以上多くないとはじきを生じて良好な塗膜
の形成が困難となる。
【0020】又前記感光体の製造に際しては、前記シリ
コーンオイル、好ましくはメチルフェニルシリコーンオ
イルを電荷発生層用塗布液及び電荷輸送層用塗布液中
に、塗布・乾燥後前記の量関係となるように溶解して含
有せしめる。次いで円筒状支持体上に必要により中間層
を形成した後、前記電荷輸送層用塗布液を浸漬塗布、ス
プレー塗布、ビーム塗布、スパイラル塗布、円形スライ
ドホッパ塗布、円形押出し塗布若しくは円形少量デイッ
プ塗布等の円筒体塗布機のいずれかにより塗布して電荷
輸送層を形成し、この上に前記円筒体塗布機を用いて前
記電荷発生層用塗布液を塗布して電荷発生層が形成され
る。
【0021】ここで前記円筒体塗布機は下層を溶解する
暇がない程高速で均一塗布が可能であり、中でも電荷発
生層のように分散液を薄層に塗布する場合、特に該電荷
発生層を表面層として形成する場合に適している。
【0022】本発明に係る前記電荷輸送層中に含有され
る電荷輸送物質としては、例えばオキサゾール誘導体、
オキサジアゾール誘導体、チアゾール誘導体、チアジア
ゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導
体、イミダゾロン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ビス
イミダゾリン誘導体、スチリル化合物、ヒドラゾン化合
物、ピラゾリン誘導体、オキサゾロン誘導体、ベンゾチ
アゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、キナゾリ
ン誘導体、ベンゾフラン誘導体、アフリジン誘導体、フ
ェナジン誘導体、アミノスチルベン誘導体、ポリ-N-ビ
ニルカルバゾール、ポリ-1-ビニルピレン、ポリ9-ビニ
ルアントラセン等を挙げることができる。
【0023】前記電荷輸送物質のうち特に好ましいもの
として、一般式(1)のカルバゾール誘導体、一般式
(2)〜(5)のヒドラゾン化合物、一般式(6)のピ
ラゾリン誘導体、一般式(7)のスチリル化合物及び一
般式(8)のアミン誘導体がある。
【0024】
【化1】
【0025】前記一般式(1)中、R1は置換若しくは
無置換のアリール基、R2は水素原子、ハロゲン原子、
置換若しくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、アミ
ノ基、水酸基、置換アミノ基、R3は置換若しくは無置
換のアリール基、置換若しくは無置換の複素環基を表
す。
【0026】
【化2】
【0027】前記一般式(2)中、R4、R5はそれぞ
れ、水素原子又はハロゲン原子、R6、R7はそれぞれ、
置換若しくは無置換のアリール基、Ar1は置換若しくは
無置換のアリーレン基を表す。
【0028】前記一般式(3)中、R8は置換若しくは
無置換のアリール基又は置換若しくは無置換の複素環
基、R9は水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基
又は、置換若しくは無置換のアリール基、Qは水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、置換アミノ基、アルコ
キシ基又はシアノ基、pは0又は1の整数を表す。
【0029】前記一般式(4)中、R10は置換若しくは
無置換のアリール基又は置換若しくは無置換の複素環
基、R11は水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基
又は置換若しくは無置換のアリール基、Xは水素原子、
ハロゲン原子、アルキル基、置換アミノ基、アルコキシ
基又はシアノ基、qは0又は1の整数を表す。
【0030】
【化3】
【0031】前記一般式(5)中、Dは、置換若しくは
無置換のフェニル基、置換若しくは無置換のカルバゾリ
ル基を表す。
【0032】具体的には前記の基が挙げられる。
【0033】R12、R13は置換若しくは無置換のアルキ
ル基、置換若しくは無置換のアラルキル基、又は置換若
しくは無置換のアリール基を表す。
【0034】アルキル基としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基等が挙げられ、アラルキル基
としてはベンジル基、フェネチル基等が挙げられ、アリ
ール基としてはフェニル基、α-ナフチル基、β-ナフチ
ル基等が挙げられる。置換基としては、ハロゲン原子、
アルキル基、アルコキシ基、置換アミノ基(ジメチルア
ミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジベ
ンジルアミノ基)等が例示される。
【0035】R14、R15、R21はR12、R13と同様のも
のを表す。R16、R17、R18、R19、R20、R22はアル
キル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等を表す。
【0036】
【化4】
【0037】前記一般式(6)中、lは0又は1の整
数、R23、R24、R25は置換若しくは無置換のアリール
基、R26、R27は水素原子、炭素原子数1〜4のアルキ
ル基、又は置換若しくは無置換のアリール基若しくはア
ラルキル基(但、R26及びR27は共に水素原子であるこ
とはなく、lが0のときはR26は水素原子ではない。)
である。
【0038】前記一般式(7)中、R28、R29は置換若
しくは無置換のアルキル基、フェニル基を表し、置換基
としてはアルキル基、アルコキシ基、フェニル基を用い
る。R30は置換若しくは無置換のフェニル基、ナフチル
基、アントリル基、フルオレニル基又は複素環基を表
し、置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲ
ン原子、水酸基、フェニル基を用いる。R31は水素原
子、置換若しくは無置換のアルキル基、フェニル基を表
す。R32、R33、R34、R35は水素原子、ハロゲン原
子、アルキル基、アルコキシ基又はアルキルアミノ基を
表す。
【0039】前記一般式(8)中、Ar2、Ar3は置換若し
くは無置換のフェニル基を表し、置換基としてはハロゲ
ン原子、アルキル基、ニトロ基、アルコキシ基を用い
る。
【0040】Ar4は置換若しくは無置換のフェニル基、
ナフチル基、アントリル基、フルオレニル基、複素環基
を表し、置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、ハ
ロゲン原子、水酸基、アリールオキシ基、アリール基、
アミノ基、ニトロ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ナ
フチル基、アンスリル基及び置換アミノ基を用いる。但
し、置換アミノ基の置換基としてアシル基、アルキル
基、アリール基、アラルキル基を用いる。
【0041】前記一般式(1)〜一般式(8)に含まれ
る具体的化合物例は例えば特開昭60-172044号第6頁下
右欄2行目〜第21頁上右欄20行目に記載されている。
【0042】次に本発明の電荷発生層中に含有される電
荷発生物質としては; (1)モノアゾ顔料、ポリアゾ顔料、金属錯塩アゾ顔
料、ピラゾロンアゾ顔料、スチルベンアゾ顔料及びチア
ゾールアゾ顔料等のアゾ系顔料 (2)ペリレン酸無水物及びペリレン酸イミド等のペリ
レン系顔料 (3)アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導
体、ジベンズピレンキノン誘導体、ピラントロン誘導
体、ビオラントロン誘導体及びイソビオラントロン誘導
体等のアントラキノン系又は多環キノン系顔料 (4)インジゴ誘導体及びチオインジゴ誘導体等のイン
ジゴイド系顔料 (5)金属フタロシアニン及び無金属フタロシアニン等
のフタロシアニン系顔料 (6)ジフェニルメタン系顔料、トリフェニルメタン顔
料、キサンテン顔料及びアクリジン顔料等のカルボニウ
ム系顔料 (7)アジン顔料、オキサジン顔料及びチアジン顔料等
のキノンイミン系顔料 (8)シアニン顔料及びアゾメチン顔料等のメチン系顔
料 (9)キノリン系顔料 (10)ニトロ系顔料 (11)ニトロソ系顔料 (12)ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料 (13)ナフタルイミド系顔料 (14)ビスベンズイミダゾール誘導体等のペリノン系顔
料等がある。前記各種顔料のうち特に好ましい電荷発生
物質として下記一般式(9)〜一般式(11)の多環キノ
ン顔料がある。
【0043】
【化5】
【0044】前記各一般式中、Xはハロゲン原子、ニト
ロ基、シアノ基、アシル基又はカルボキシル基を表し、
nは0〜4の整数、mは0〜6の整数を表す。
【0045】又、使用可能な電荷発生物質として下記一
般式(12)〜一般式(14)のビスアゾ化合物を用いるこ
とができる。
【0046】
【化6】
【0047】前記一般式(12)中、Ar5、Ar6はそれぞれ
置換若しくは無置換の炭素環式芳香族環基、又は置換若
しくは無置換の複素環式芳香族環基、R36、R37はそれ
ぞれ電子吸引性基又は水素原子(但、R36、R37の少な
くとも1つは−CN、−Cl等のハロゲン、−NO2等の電子
吸引性基)を表す。
【0048】AにおいてXは、−OH基、−N(R39)-R40
は−NHSO2R41(R39及びR40はそれぞれ、水素原子、置
換若しくは無置換のアルキル基、R41は置換若しくは無
置換のアルキル基又は置換若しくは無置換のアリール
基)、Yは、水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無
置換のアルキル基、アルコキシ基、カルボキシル基、ス
ルホ基、置換若しくは無置換のカルバモイル基又は置換
若しくは無置換のスルファモイル基(但、mが2以上の
ときは、互いに異なる基であってもよい。)、Zは、置
換若しくは無置換の炭素環式芳香族環基又は置換若しく
は無置換の複素環式芳香族環基を構成するに必要な原子
群、R38は、水素原子、置換若しくは無置換のアミノ
基、置換若しくは無置換のカルバモイル基、カルボキシ
ル基又はそのエステル基、Bは、置換若しくは無置換の
アリール基、nは、1又は2の整数、mは、0〜4の整
数である。
【0049】前記一般式(12)のうち特に好ましい電荷
発生物質が下記一般式(12a)に示される。
【0050】
【化7】
【0051】(但、Ar7、Ar8及びAは一般式(12)にお
いて定義されたものと同じである。)更に好ましいもの
は、特に一般式(12a)におけるAr7、Ar8が置換若しく
は無置換のフェニル基を表し、置換基としては、メチル
基、エチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基
等のアルコキシ基、塩素原子、臭素原子などのハロゲン
原子、水酸基及びシアノ基から選択された化合物であ
る。
【0052】本発明に係る電荷発生層中の好ましい電荷
発生物質が下記一般式(13)に示される。
【0053】
【化8】
【0054】Aにおいて、Zは置換若しくは無置換の芳
香族炭素環又は置換若しくは無置換の芳香族複素環を構
成するに必要な原子群、Yは水素原子、ヒドロキシル
基、カルボキシル基若しくはそのエステル基、スルホ
基、置換若しくは無置換のカルバモイル基、又は置換若
しくは無置換のスルファモイル基、R42は水素原子、置
換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換の
アミノ基、置換若しくは無置換のカルバモイル基、カル
ボキシル基若しくはそのエステル基、又はシアノ基、Ar
9は置換若しくは無置換のアリール基、R43は置換若し
くは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアラル
キル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。
【0055】前記一般式(13)のうち下記一般式(13
a)のカルバゾール基を有するビスアゾ化合物が特に好
ましい。
【0056】
【化9】
【0057】但、この一般式(13a)中、R44、R45
アルキル基、アルコキシ基又はアリール基、R46
47、R48、R49、R50、R51は水素原子、ハロゲン原
子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基、ア
リール基である。
【0058】又、本発明に係る電荷発生層中の好ましい
電荷発生物質が下記一般式(14)に示される。
【0059】
【化10】
【0060】前記一般式(14)においてX1及びX2は、
それぞれ、ハロゲン原子、置換若しくは無置換のアルキ
ル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、ニトロ基、
シアノ基、ヒドロキシ基又は置換若しくは無置換のアミ
ノ基を表し、X1及びX2のうち少なくとも1つはハロゲ
ン原子である。
【0061】p及びqはそれぞれ0、1又は2の整数を
表し、p及びqは同時に0となることはなく、且つ、p
が2のときはX1は互いに同一の又は異なる基であって
よく、qが2のときはX2は互いに同一の又は異なる基
であってよい。
【0062】またAにおいて、Ar10は少なくとも弗素化
炭化水素基を有する芳香族炭素環基又は芳香族複素環基
を表す。Zは置換若しくは無置換の芳香族炭素環又は置
換若しくは無置換の芳香族複素環を形成するのに必要な
非金属原子群を表す。
【0063】m及びnはそれぞれ0、1又は2の整数を
表す。但し、m及びnが同時に0となることはない。
【0064】一般式(14)のX1及びX2により表される
ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、弗素原
子、沃素原子を挙げることができる。X1及びX2のう
ち、少なくとも一方がハロゲン原子を有している。
【0065】X1及びX2で表されるアルキル基としては
炭素原子数1ないし4個の置換若しくは無置換のアルキ
ル基が好ましく、このようなアルキル基の例としては、
例えばメチル基、エチル基、β-シアノエチル基、iso-
プロピル基、トリフルオロメチル基、t-ブチル基等が挙
げられる。
【0066】またX1及びX2で表されるアルコキシ基
は、炭素原子数が1ないし4個の置換若しくは未置換の
アルコキシ基が好ましく、このようなアルコキシ基の例
としては、メトキシ基、エトキシ基、β-クロルエトキ
シ基、sec-ブトキシ基等が挙げられる。
【0067】更にまた、X1及びX2で表される置換若し
くは無置換のアミノ基としては、例えばアルキル基、ア
リール基(好ましくはフェニル基)等で置換されたも
の、例えばN-メチルアミノ基、N-エチルアミノ基、N,N-
ジメチルアミノ基、N,N-ジエチルアミノ基、N-フェニル
アミノ基、N,N-ジフェニルアミノ基や、更にはアシル基
で置換されたアセチルアミノ基、p-クロルベンゾイルア
ミノ基等が挙げられる。前記一般式(14)においてp及
びqは、それぞれ、0、1又は2を表すが、p及びqは
同時に0となることはなく、好ましくはp=1、q=0
又はp=1、q=1の場合である。
【0068】更にまたp又はqが2のときは、X1又は
2は、それぞれ同一又は異なる基をとることができ
る。
【0069】前記一般式(14)で表されるビスアゾ化合
物は、好ましくは下記一般式(14b)、(14c)、(14
d)、(14e)で表される。
【0070】
【化11】
【0071】
【化12】
【0072】式中、X1a、X1b、X2a及びX2bは、それ
ぞれ水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換のア
ルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、ニトロ
基、シアノ基、ヒドロキシ基又は置換若しくは無置換の
アミノ基を表し、X1a、X1b、X2a及びX2bのうち、少
なくとも1つはハロゲン原子である。X1a及びX1b、並
びにX2a及びX2bは、それぞれ互いに同一又は異なる基
であってもよい。
【0073】Ar11は前記一般式(14)におけるAr10と同
義である。
【0074】Yは前記一般式(14)におけるZの置換基
と同義である。
【0075】前記一般式(14)で表されるビスアゾ化合
物は、公知の方法により容易に合成することができる。
【0076】尚、前記一般式(9)〜一般式(14)の具
体的化合物例は、例えば特開昭60-172044号第23頁下右
欄1行目〜第46頁上右欄8行目に記載されている。
【0077】又前記フタロシアニン系顔料のうち本発明
に好ましく用いられる顔料としては、例えば銅、コバル
ト、鉛、亜鉛等を中心原子とする金属フタロシアニンと
これらを含まない無金属フタロシアニンとがあり、結晶
型としてα型、β型、γ型、X型、τ型、τ′型、η
型、η′型等が好ましく用いられる。かかるフタロシア
ニン系顔料の更に詳細な説明は特開昭62-79470号、特開
昭62-47054号に記載されている。
【0078】さらに特に好ましいフタロシアニン顔料と
して、CuKα特性X線回折スペクトルのブラック角2θ
が少くとも9.6±0.2°及び27.2±0.2°において夫々X
線強度のピークを示す結晶状態のチタニルフタロシアニ
ン顔料がある。
【0079】第1図〜第3図には、本発明の感光体の層
構成が示され、1は導電性支持体、2は電荷輸送層、3
は電荷発生層、4及び5は必要にして設けられる中間層
及び保護層である。前記層構成を有するドラム状感光体
を製造するには、まずアルミニウム、ステンレス、スチ
ール、銅、真鍮、亜鉛等の金属円筒又はプラスチック円
筒に金属を蒸気若しくはラミネートして導電層を形成し
て成る円筒状支持体1上に必要により0.01〜2μm厚の
中間層4が設けられる。
【0080】前記中間層4は、例えばポリアミド樹脂、
アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸
ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノ
ール樹脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、シリコーン樹脂、メラミン樹脂、塩化
ビニル-酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビニル-酢酸ビニ
ル-無水マレイン酸共重合体樹脂、セルロース樹脂、ポ
リビニルアルコール樹脂、カゼイン等の樹脂を例えばブ
チルアミン、ジエチルアミン、エチレンジアミン、イソ
プロパノールアミン、モノエタノールアミン、トリエタ
ノールアミン、トリエチレンジアミン、N,N-ジメチルホ
ルムアミド、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘ
キサノン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホル
ム、1,2-ジクロロエタン、ジクロロメタン、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン、メタノール、エタノール、イソ
プロパノール、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジメチルスル
ホキシド等の有機溶媒等に溶解し、得られた樹脂溶液
を、例えばブレード塗布、ロール塗布、ディップ塗布、
スプレー塗布、円形スライドホッパ塗布、円形押出し塗
布、円形少量ディップ塗布等の塗布方法により塗布して
形成される。
【0081】前記中間層4は支持体1の表面欠陥の遮
蔽、感光層との接着、支持体1からの電荷注入阻止、感
光層の画質調整等を目的として設けられ、前記膜厚0.01
μmを下廻ると前記目的が達成されず、2μmを上廻ると
感光層上への像露光時残留電荷が大となりかぶりを発生
し、繰返し像形成の過程で、電子写真性能が劣化してく
る。
【0082】又、必要にして設けられる前記保護層5は
前記中間層用樹脂、例えばポリカーボネート、スチレン
樹脂、アクリル樹脂等を用いた0.01〜3μm厚の樹脂層
であり、感光層表面の光電現象、環境雰囲気の作用等を
防護し、機械的耐摩耗性を改良する目的で設けられる。
【0083】次に前記中間層4上に電荷輸送層2が設け
られる。
【0084】前記電荷輸送層2を形成するには、例え
ば、ポリエステル、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポ
リ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポ
リビニルアセテート、メラミン樹脂、ポリウレタン、ス
チレン-アクリル共重合体、スチレン-ブタジエン共重合
体、塩化ビニリデン-アクリロニトリル共重合体、塩化
ビニル-酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル-酢酸ビニル-
無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、スチレン-
アルキッド樹脂、ポリビニルカルバゾール、ポリビニル
ブチラール、その他特開昭60-172044号、同60-172045
号、同63-65444号、同63-148263号、特開平1-269942
号、同1-269942号等に記載のポリカーボネート等の樹脂
が前記中間層用溶剤から選択された溶剤1000重量部に対
し5〜300重量部混合溶解され、かつ全固形分に対して1
0〜9000ppmのシリコーンオイル、好ましくはメチルフェ
ニルシリコーンオイルが溶解される。次いで、得られた
溶液に前記電荷輸送物質をバインダ樹脂100重量部当た
り30重量部以上、好ましくは30〜300重量部混合溶解
し、得られた溶液を前記中間層4上に前記中間層塗布方
法のいずれかの方法により塗布加工して5〜50μm厚、
好ましくは10〜40μm厚の電荷輸送層2が形成される。
【0085】次いで前記電荷輸送層形成の際用いられた
溶剤及びバインダ樹脂群から選択された溶剤及びバイン
ダ樹脂を用い、溶剤1000重量部に対してバインダ樹脂1
〜100重量部を混合溶解し、得られた溶液に前記電荷発
生物質をバインダ樹脂100重量部当たり10〜1000重量
部、好ましくは20〜500重量部混合、分散し、かつ全固
形分に対して1010〜10000ppmのシリコーンオイル、好ま
しくはメチルフェニルシリコーンオイルが溶解される。
【0086】得られた分散液が円形スライドホッパ塗布
機、円形押出し塗布機又は円形少量塗布機等の特に選択
された塗布機により高能率高精度で塗布加工され、0.05
〜20μm厚の電荷発生層3が形成され、本発明の感光体
が得られる。
【0087】ここで前記電荷輸送層2の層厚が5μmを
下廻ると電位低下を招き、かつ電荷輸送能が不足して感
度低下を招き、50μmを越えると電荷輸送のパスが過大
となり、矢張り感度不足を生ずる。またバインダ樹脂に
対する電荷輸送物質の量が30重量部を下廻ると電荷輸送
能が不足して感度不足を生じ、300重量部を越えると、
感光層の暗抵抗が低下し、電位低下を招く。
【0088】次に前記電荷発生層3の層厚が0.05μmを
下廻ると、均一な塗布層が得られず、かつ像露光により
十分な電荷の発生が得られず、感度不足となる。また20
μmを越えると像露光光が到達しない領域が多くなり、
表面で発生した電荷をトラップして残留電荷が大とな
り、繰返し像形成を行ったとき、疲労劣化を生ずる。ま
たバインダ樹脂に対する電荷発生物質の量が10重量部を
下廻ると感度不足、残留電荷の増大を招き、1000重量部
を越えると受容電位が低下し、帯電不良となる。ここで
前記電荷発生層3は感光体の表面層を形成するもので電
子写真性能の外に耐摩耗性、耐環境性等にすぐれてい
て、特に均一な塗布加工が要請される。
【0089】そこで前記電荷発生層3中には下層の電荷
輸送層より多く十分な量のシリコーンオイルが含有され
ているため、前記耐摩耗性、耐環境性等にすぐれていて
高耐久性が発揮される。更にまたシリコーンオイルが適
量含有された下層の電荷輸送層上に十分な量のシリコー
ンオイルを含有した電荷発生層用塗布液が塗布されるた
め濡れがよく延展塗布されて均一な塗膜が容易に得られ
る。また特に電荷発生層用塗布液を塗布する際、下層を
溶解することなく高速で均一塗布が可能な第4図〜第6
図の円筒体塗布機が用いられるため、前記シリコーンオ
イルの作用との相乗作用により良好な電荷発生層が形成
され、結果的に好ましい感光体が得られる。
【0090】前記第4図の(a)は円筒状支持体10を含
む塗布機11の断面図、第4図の(b)はその一部破断斜
視図であり、図中10はA方向に搬送される円筒状支持
体、11は円形スライドホッパ塗布機で、12は該装置11の
塗布液分配室、13は塗布液分配スリット、14は塗布液供
給パイプ、15は液受け、16はホッパエッジ、17は塗布液
スライド面、18は塗布層である。
【0091】塗布時塗布液Sがポンプ等により、塗布液
供給パイプ14へと必要量供給され、塗布液分配室12によ
って円周方向へと均一に分配され、分配スリット13を通
過し、スライド面17を円周方向に均一に流下する。しか
る後、塗布液Sはホッパエッジ16と支持体10外周面との
間にビードが形成される。このビードと支持体10外周面
とを接触せしめた状態で支持体10が矢印A方向へと搬送
され、表面に塗布層18が形成される。かかる塗布機によ
れば、塗布層18から速やかに溶剤が蒸発するので簡単な
乾燥装置を設けることにより容易に乾燥塗膜が得られ
る。又塗布液Sは必要量だけ送られるので塗布液の無駄
がなく、材料のコスト低減が計られる。又円周同時接触
塗布であるため継目のない均一塗布が可能であり、塗布
膜が液供給量、粘度、支持体10の移動速度で決まり、塗
布厚の制御が容易であり、又塗布中ビードの作用で塗布
厚の変動が少なく高品質、高生産性の塗布が可能とな
る。前記円形スライドホッパ塗布機11において、スライ
ド面終端部の径と被塗布体(円筒状)の外径との間隙は
0.05〜1mmが好ましく、0.1〜0.6mmがより好ましい。ス
ライド面の傾斜角は水平に対して10°〜70°が好まし
く、20°〜45°が更に好ましい。
【0092】塗布液の粘度は0.5〜700Cpの範囲内がよ
く、1〜500Cpが更によい。
【0093】尚、塗布液が塗布液分配スリットから円周
方向に均一に流出するようにするためには、スライドホ
ッパ塗布機にあっては、分配室抵抗(Pc)と塗布液分配
スリットを流れるときのスリット抵抗(Ps)とがPs/Pc
≧80で、より好ましくは100〜100,000の範囲とするのが
好ましい。
【0094】次に第5図は円形押出し塗布機11’の断面
図であり、第4図と同一機能部には同一符号が付され
る。円形押出し塗布装置11’においては、ポンプ等によ
り塗布に必要な量の塗布液Sが塗布液供給パイプ14へと
供給され、塗布液分配室12によって円周方向へと均一に
分配され、分配スリット13内を押し出され、ホッパエッ
ジ16より均一かつ連続的に流出して支持体外周面との間
に塗布液ビードを形成し、これにより塗布層18が塗布さ
れる。
【0095】ホッパエッジ16の長さは0.1〜10mm、好ま
しくは0.5〜4mmがよい。ホッパエッジの傾斜角は鉛直
下方から30°迄の範囲内がよく、鉛直下方から20°迄の
範囲内とするのが更によい。ホッパエッジの傾斜角が30
°を超えると塗布液の架橋が短くなり、良好な塗膜を得
にくくなる。
【0096】又押し出し塗布機11’にあっては、分配室
抵抗(Pc)と、塗布液分配スリットを流れる際のスリッ
ト抵抗(Ps)とがPs/Pc≧40、より好ましくは40〜1000
00の範囲内の関係に保たれることにより、塗布液を安定
且つ均一に塗布することが可能である。
【0097】これら分配室抵抗(Pc)、スリット抵抗
(Ps)は、塗布液供給速度、粘度、供給圧に応じて決定
すればよい。更に押し出し塗布機11’においては、ホッ
パエッジは被塗布体外径より0.05〜1mm大きく、より好
ましくは塗布膜厚をho mmとすると2ho mmから4ho mm
までの範囲であり、塗布方向長さ0.1〜10mm、より好ま
しくは0.5〜4mmを有するものであるのが望ましい。
【0098】第6図は円形少量ディップ塗布機11”の断
面図であり、図中底板21が積載板20に固定され、液止め
用ブレード23が前記底板21の上面と押圧板22とにより狭
着保持されている。塗布液Sは液槽24に収容され、該液
槽24に塗布液Sを補給するための液補給板25が液槽24の
上面に設けられ、該液補給板25に一対の液供給口26が設
けられている。
【0099】塗布機11”全体は円筒状に形成されてい
る。前記液止め用ブレード23は可撓性ゴム、合成樹脂等
により形成され、支持体10を狭着保持できるように構成
されている。
【0100】底板21、押圧板22、液槽24には孔部27a、
27a’、27a”が貫設されると共に前記液補給板25には
孔部27a、27a’、27a”よりも小径の孔部27bが貫設
され、かつ前記ブレード23には孔部27bより小径の孔部
27cが貫設されている。
【0101】又ブレード23の孔部27c周縁が支持体10の
外周面に密着されていると共に液補給板25の孔部27b周
縁が支持体外周面に極めて僅かな間隙を形成して対面さ
れているため塗布時の溶剤の蒸発が抑制され、塗布直後
の塗膜の急激な乾燥が防止される。
【0102】液槽24において、その下半部に液収容室28
が設けられ、上半部には液溜部29が設けられ、該液溜部
29中の塗布液Sを流すための複数の連通孔30が周方向に
配設され、かつ収容部28の外周壁にはオーバフロー用の
還流孔31が設けられていて、液面を常に一定に保つよう
に設計されている。又収容部28の内周壁には周方向に複
数の空気孔33が設けられ、孔部27bを介して外気と連通
されている。
【0103】以上本発明の感光体の製造方法に用いられ
る円形スライドホッパ塗布機11、円形押出し塗布機11’
及び円形少量ディップ塗布機11”の代表例を説明した
が、これらの塗布機のいずれもが円筒状支持体に塗布液
を塗布するに適合していて、特に感光体の表面層を形成
する場合、下層の溶解、浸蝕を伴うことが少なく、高速
で均一塗布が可能であり、感光体の高品質、高生産性を
達成することができる。尚、前記円筒状支持体の塗布に
は、例えば第7図の如き支持体搬送機構を有する塗布装
置45が用いられる。図中、40a、40b、40cは円筒状支
持体10a、10b(10c)等を交互に嵌合、連結するスペ
ーサであり、前記被塗布体と一体的に垂直方向に搬送さ
れ、前記円形スライドホッパ塗布機、円形押出し塗布機
又は円形少量ディップ塗布機等の円筒体塗布機41により
連続塗布される。前記支持体の搬送は、支持体10bの上
下に嵌着されたスペーサ40b、40cを把持して支持体10
bを上方に搬送する上下1対の把持部42a、42bを有す
る把持具43A及び支持体10aの上下に嵌着されたスペー
サ40a、40bを把持して支持体10aを上方に搬送する上
下1対の把持部42c、42dを有する把持具43Bにより遂
行される。前記把持具43A及び43Bは装置本体45に支持
され、図示しない駆動源により回転駆動されるボールネ
ジ44A、44Bに螺合された昇降部材46A、46Bと緩衝部
材であるコイルスプリング47A、47Bを介して結合され
ており、前記ボールネジ44A、44Bの回転に連動する昇
降部材46A、46Bの昇降に伴って上下動される。なお前
記昇降部材46A、46Bは所定のプログラム信号に基い
て、上下動され、一方の昇降部材がスペーサを把持して
被塗布体を上方に搬送中、他方の昇降部材は互に衝突す
ることなく把持を解除した状態で下降され、次の支持体
を搬送するため下方のスペーサを把持するようになる。
【0104】また49は支持体供給用ハンドであり、これ
に例えばロボット等により円筒状支持体をタイミングに
合せて連続してセットしてやれば、該ハンドの所定位置
迄の上昇運動と、前記把持具43A又は43Bの上方への搬
送動作との協動により支持体は塗布機41へと連続して送
られ、塗布加工され、塗布機41のすぐ上のエアジェット
乾燥器により乾燥されてドラム状感光体が形成される。
この感光体は搬出用ハンド48により装置外に吸着搬送、
搬出される。
【0105】前記搬送塗布装置45の外、例えば特開昭56
-101149号に記載されるように多数の弾性グリッパを設
けた左右一対のチェンベルトにより円筒状支持体を連続
して垂直上方に搬送して塗布するようにしてもよい。
【0106】
【実施例】以下本発明を実施例により具体的に説明する
が、本発明の実施の態様がこれにより限定されるもので
はない。なお以降の電荷発生物質、電荷輸送物質、電荷
発生層及び電荷輸送層をCGM、CTM、CGL及びCTLと略称す
る。
【0107】(円筒状支持体の調製)長さ355.5mm、外
径80mmのアルミ管体を用意し、これらの管体のそれぞれ
に塩化ビニル-酢酸ビニル-無水マレイン酸共重合体(積
水化学社製、エスレックMF-10)10重量部を1000重量部
のメチルエチルケトンに溶解し、得られた溶液を通常の
浸漬塗布法により塗布、乾燥して乾燥膜厚0.1μmの中間
層を形成し、15本のテスト用支持体を調製した。
【0108】(本発明テスト用感光体の調製) (1)テストNo.1〜No.3感光体の調製:前記支持体の
うちの3本の支持体に下記処方のCTL用基本処方(1)
の固形分に対するシリコーン含有量をppmで表し、該ppm
の量Xを表1−1の如く50ppm、100ppm、200ppmに変化
してCTL用の3種類の塗布液を作成し、スライドホッパ
塗布機11が組込まれた塗布装置45により塗布し乾燥膜厚
が20μm、20μm、21μmの3種類のCTLを形成した。
【0109】 CTL基本処方(1) ポリカーボネート(三菱瓦斯化学社製 PCZ-200) 100重量部 下記構造のCTM(1) 90重量部 シリコーンオイル(信越化学社製 KF-54) Xppm (処方全固形分について) 1,2-ジクロルメタン 1000重量部 次いで下記処方のCGL用基本処方(1)の固形分に対す
るシリコーンオイルの含有量をppmで表し、該ppmの量X
を1500ppmとしてCGL用塗布液を作成し、これを3分割し
てCTLの場合と同様の円形スライドホッパ塗布機11を組
込んだ塗布装置45を用いて前記の支持体のCTL上に塗布
し、それぞれ乾燥膜厚が6μm、8μm、4μmのCGLを形
成し、本発明テスト用感光体No.1〜No.3を得た。
【0110】 CGL基本処方(1): ポリカーボネート(PCZ-200) 10重量部 下記構造のCGM(1) 40重量部 シリコーンオイルKF-54(処方全固形分について) 1500ppm テトラハイドロフラン 1000重量部
【0111】
【化13】
【0112】(2)テストNo.4〜No.6感光体の調製:
下記のCTL用基本処方(2)の固形分に対するシリコー
ンオイル含有量をppmで表し、該ppmの量を表1−1の如
く10ppm、20ppm、100ppmに変化して3種類のCTL用塗布
液を作成し、これらを前記支持体のうちの3本の支持体
に通常の浸漬塗布機を用いてそれぞれ塗布し乾燥膜厚が
19μm、20μm、20μmのCTLを形成した。
【0113】 CTL用基本処方(2) ポリカーボネート(PCZ-200) 100重量部 下記構造のCTM(2) 90重量部 シリコーンオイル(トーレシリコン社製 SH510) (処方全固形分について) Xppm 1,2-ジクロルメタン 1000重量部 次いで下記処方のCGL用基本処方(2)の固形分に対す
るシリコーンオイルの含有量をppmで表し、該ppmの量X
を表1−1の如く1100ppm、1100ppm、1200ppmに変化し
て3種類のCGL用塗布液を作成し、これらを前記支持体
のCTL上に円形押出し塗布機11’を組込んだ塗布装置45
を用いて塗布し、それぞれ乾燥膜厚が5μm、5μm、6
μmのCGLを形成し、本発明テスト用感光体No.4〜No.6
を得た。
【0114】 CGL用基本処方(2) ポリカーボネート(PCZ-200) 10重量部 下記構造のCGM(2) 40重量部 シリコーンオイル SH510(処方全固形分について) Xppm テトラハイドロフラン 1000重量部
【0115】
【化14】
【0116】(3)テストNo.7〜No.10感光体の調製:
下記処方のCTL用基本処方(3)の固形分に対するシリ
コーンオイルの含有量をppmで表し、該ppmの量Xを1000
ppm、5000ppm、8000ppmに変化して3種類のCTL用塗布液
を作成し、これらを前記支持体のうちの3本の支持体上
に通常の浸漬塗布機により塗布し、それぞれ乾燥膜厚が
21μm、21μm、20μmのCTLを形成した。 CTL用基本処方(3): ポリカーボネート(PCZ-200) 100重量部 下記構造のCTM(3) 90重量部 シリコーンオイル(東芝シリコン社製 TSF431) (処方全固形分について) Xppm 1,2-ジクロルメタン 1000重量部 次いで下記処方のCGL用基本処方(3)の固形分に対す
るシリコーンオイルの含有量をppmで表し、該ppmの量X
を表1−1の如く、4000ppm、6000ppm、9000ppmに変化
して3種類のCGL用塗布液を作成し、これらを円形少量
ディップ塗布機11”が組込まれた塗布装置45を用いて前
記支持体のCTL上に塗布し、それぞれ乾燥膜厚が表1−
1の如く4μm、5μm、4μmのCGLを形成し、本発明テ
スト用感光体No.7〜No.9を得た。
【0117】 CGL用基本処方(3) ポリカーボネート(PCZ-200) 10重量部 下記構造のCGM(3) 40重量部 シリコーンオイル(TSF431)(処方全固形分について) Xppm テトラハイドロフラン 1000重量部 又、別に前記支持体のうちの1本の支持体上にCTL用基
本処方(3)のシリコーンオイルTSF431に代えてジメチ
ルシリコーンオイルを用い、該シリコーンオイルを処方
固形分に対して10ppm含有せしめたCTL用塗布液を通常の
浸漬塗布機により塗布し、乾燥膜厚が20μmのCTLを形成
した。該CTL上にCGL用基本処方(3)のシリコーンオイ
ルTSF431に代えてジメチルシリコーンオイルを用い、該
シリコーンオイルを処方固形分に対して1100ppmとしたC
GL用塗布液を円形少量ディップ塗布機11”が組込まれた
前記塗布装置45により塗布し、乾燥膜厚が6μmのCGLを
形成し、本発明テスト用感光体No.10を得た。
【0118】
【化15】
【0119】(比較テスト用感光体の調製) (4)テストNo.11及び12の感光体の調製:CTL用基本処
方(1)のシリコーンオイルの量Xppmを表1−1の如
く0及び1000ppmに変化して2種類のCTL用塗布液を作成
し、それらを前記支持体のうちの2本の支持体上に円形
スライドホッパ塗布機11が組込まれた塗布装置45を用い
て塗布し、乾燥膜厚が18μmの2種類のCTLを形成した。
【0120】次にCTL用基本処方(1)のシリコーンオ
イルの量Xppmを表1−1の如く2000ppm及び0ppmに変
化して2種類のCGL用塗布液を作成し、前記スライドホ
ッパ塗布機11が組込まれた塗布装置45を用いて前記2種
類のCTL上にそれぞれ塗布し、乾燥膜厚が表1−1の如
く7μm及び6μmの2種類のCGLを形成し、比較テスト
用感光体No.11及び12を得た。
【0121】(5)テストNo.13の感光体の調製:CTL用
基本処方(1)のシリコーンオイルの量Xppmを50ppmと
してCTL用塗布液を作成し、これを前記支持体のうちの
1本の支持体上に通常の浸漬塗布機を用いて塗布し、乾
燥膜厚が19μmのCTLを形成した。
【0122】次にCGL用基本処方(1)のシリコーンオ
イルの量Xppmを500ppmとしてCGL用塗布液を作成し、こ
れを前記CTL上に円形押出し塗布機11'が装着された塗布
装置45を用いて塗布し、乾燥膜厚が5μmのCGLを形成
し、比較テスト用感光体No.13を得た。
【0123】(6)テストNo.14及びNo.15の調製:CTL
用基本処方(1)のシリコーンオイルの量Xppmを表1
−1の如く20000ppm及び50ppmに変化して2種類のCTL用
塗布液を作成し、これらを前記支持体のうちの残りの2
本の支持体上に、通常の浸漬塗布機を用いて塗布し、乾
燥膜厚が表1−1の如く20μm及び21μmの2種類のCTL
を形成した。
【0124】次にCGL用基本処方(1)のシリコーンオ
イル量Xppmを表1−1の如く25000ppm及び12000ppmに
変化して2種類のCGL用塗布液を作成し、それらを前記
2種類のCTL上に円形スライドホッパ塗布機11が組込ま
れた塗布装置45を用いて塗布し、乾燥膜厚5μmの2種
類のCGLを形成し、比較テスト用感光体No.14及びNo.15
を得た。
【0125】なお前記15種類の感光体を塗布加工するに
際して下層のCTLの塗布状況及び上層のCGLの塗布状況を
その都度観察し、その結果を表1−2に示した。
【0126】又、前記15種類の感光体をコニカ社製U-Bi
x3035の改造機(帯電特性を正に改造)に装着し、相対
湿度−60%、温度20℃の雰囲気下で各テスト共10000回
の実写テストを行い、画質を観察しその結果を表1−2
に示した。
【0127】又、前記10000回目の繰返し実写テストの
前後における感光体の黒紙電位(VB)及び白紙電位
(VW)を測定し、その結果を表1−2に示した。
【0128】尚表1−2の黒紙電位(VB)は反射濃度
1.3の原稿に対する感光体の表面電位、白紙電位(VW
は反射濃度「0」の原稿に対する感光体の表面電位であ
って、いづれも実写前後に現像器の位置に電位計のブロ
ーブを配置して測定された。又露光用光源が3000°Kの
ハロゲンランプが用いられているため、カラーバランス
を考慮して、カット波長13.0nmのIRカットフィルタを光
路中に設置してテストを行った。
【0129】
【表1】
【0130】尚表中の塗布の欄において、 P1…浸漬塗布 P2…円形スライドホッパ塗布 P3…円形押出し塗布 P4…円形少量ディップ塗布
【0131】
【表2】
【0132】表1−1及び表1−2より本発明の製造方
法により得られた感光体は比較感光体に比して塗布加工
がすぐれていて塗布欠陥及び画像欠陥を生じていない
が、比較感光体ではゆず肌、はじき、液垂れ等の塗布欠
陥が観察され、その結果画像むら、黒ぽち、かぶり等の
画像欠陥を生ずることが理解される。
【0133】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明の
感光体の製造方法によれば、塗布加工性及び生産性にす
ぐれていて、得られる感光体は、像形成に供したとき、
画像むら、筋、ぽち等を生ぜず、かつ、電子写真性能及
び繰返し使用時の耐久性にすぐれている等の効果を示
す。
【図面の簡単な説明】
【図1】 (1)(3)は本発明の感光体の層構成を示
した各断面図である。
【図2】 (a) 及び(b)は本発明に用いられる円形ス
ライドホッパ塗布機の断面図及び1部破断斜視図であ
る。
【図3】 (a) 及び(b)は本発明に用いられる円形押
出し塗布機及び円形少量ディップ塗布機の各断面図であ
る。
【図4】 本発明に用いられる塗布装置の断面図である。
【符号の説明】
導電性支持体 2 電荷発生層 3 電荷輸送層 10 円筒状支持体 11 円形スライドホッパ塗布機 11円形押出し塗布機 11円形少量ディップ塗布機 12 塗布液分配室 13 分配スリット 16 ホッパエッジ 23 液止め用ブレード 24 液槽 28 液収容部 40a,b及びc スペーサ 41 塗布機 42a,b,c及びd 把持部 45 塗布装置
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G03G 5/00 - 5/16

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 導電性支持体上に、電荷輸送層及び電荷
    発生層をこの順に積層して成る感光層を有する電子写真
    感光体において、前記電荷輸送層及び電荷発生層の各層
    がシリコーンオイルを含有し、該各層のシリコーンオイ
    ルの濃度(ppm)が下記式−(1)及び式−(2)を満
    足することを特徴とする感光体。 式−(1):〔Q〕≧〔P〕+1000 式−(2):〔Q〕≦10000 〔但し式中、〔Q〕は電荷発生層中のシリコーンオイル
    の濃度(ppm)、〔P〕は電荷輸送層中のシリコーンオイ
    ルの濃度(ppm)を表す〕
  2. 【請求項2】 前記シリコーンオイルがメチルフェニル
    シリコーンオイルである請求項1に記載の感光体。
  3. 【請求項3】 円筒状導電性支持体に、支持体面から少
    なくとも電荷輸送層とその上に電荷発生層をこの順に積
    層塗布する感光体の製造方法において、前記電荷発生層
    用及び電荷輸送層用の夫々の塗布液が、形成された両層
    において夫々下記式−(1)及び−(2)に規定する濃
    度(ppm)のシリコーンオイルを含有し、かつ少なくと
    も電荷発生層の塗布加工を、前記円筒状導電性支持体に
    塗布液が囲繞、接触する円筒体塗布機を用いて行うこと
    を特徴とする感光体の製造方法。 式−(1):〔Q〕≧〔P〕+1000 式−(2):〔Q〕≦10000 〔但し〔Q〕は電荷発生層中のシリコーンオイルの濃度
    (ppm)、〔P〕は輸送層中のシリコーンオイルの濃度
    (ppm)を表す。〕
  4. 【請求項4】 前記シリコーンオイルがメチルフェニル
    シリコーンオイルである請求項3に記載の感光体の製造
    方法。
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