JP2906156B2 - シリコンウエハーの洗浄装置 - Google Patents

シリコンウエハーの洗浄装置

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体基板の製造に利用する。
本発明はシリコンウエハーの洗浄装置の改良にに関す
る。
〔概要〕
本発明はキャリアに保持されて洗浄工程に到達するシ
リコンウエハーの洗浄装置において、 シリコンウエハーの表面に洗浄液を噴射するシャワー
手段を設けることにより、 洗浄液の消費量を経済化するとともに洗浄品質を均一
化するものである。
〔従来の技術〕 従来の装置では、複数枚(例えば25枚)の被洗浄ウエ
ハーを1基のキャリアに保持し、このキャリアを自動搬
送機により酸またはアリカリの洗浄液が貯えられている
洗浄槽に浸したのち、さらに純水を貯えた水洗槽に浸す
構造になっている。
この構造では、1基のキャリアに多数個のウエハーを
保持すると、キャリアの形状が大きくなり、これを収容
する洗浄槽や水洗槽の形状が大きくなる。また、この構
造で例え1枚のウエハーを洗浄するときにも、この大形
のキャリア1基を稼動させねばならない。さらに、ウエ
ハーの大口径化がすすみ、現在では直径が150ないし200
mmのものが主流となってきている。直径が200mm位のウ
エハーなどを使用する場合、1枚のウエハーに対する洗
浄の重要性は非常に大きい。このため、1基のキャリア
に1枚または少数枚(例えば4枚)のウエハーを重力方
向に平行に保持する改良が行われた。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、前述の装置では、キャリアはウエハーととも
に洗浄槽や水洗槽に浸漬されるから、キャリアに付着し
た汚損物質により槽内に貯えられた洗浄液の汚損が早め
られる。このため真に必要なウエハーの洗浄量以上の洗
浄液や純水の量が消費される。また洗浄液を加温するた
めのエネルギも真にウエハーの洗浄に必要とする以上の
熱量が費やされる。汚損された洗浄液や水洗水の量が増
加すれば、これを廃棄するための処理費用も増加する。
さらに、この従来装置では各槽内の各液の汚損濃度が
許容濃度となるまで、複数基のキャリア分のウエハーを
同一の液で洗浄する。したがって、最初の新鮮な各液と
前記許容濃度の限界にある各液との汚損度は異なるの
で、被洗浄ウエハーの洗浄度は均一でなくなる。
本発明は、これらの欠点を解決するもので、洗浄液や
水洗水の消費量が小さく、これらの加温に必要な熱エネ
ルギも小さくとれ、かつウエハーの洗浄度が均一である
シリコンウエハーの洗浄装置を提供することを目的とす
る。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、一枚若しくは少数枚の被洗浄ウエハーのフ
ラット面が重力方向に平行となるように保持するキャリ
アと、このキャリアに保持された被洗浄ウエハーのフラ
ット面に対して平行な側板と直角な仕切り板とにより形
成された複数の洗浄槽およびこの洗浄槽の後段に配置さ
れた水洗槽と、前記キャリアを上下方向に駆動するとと
もに前記複数の洗浄層の端部から順次前記水洗槽側に搬
送する自動搬送機と、この自動搬送機を制御するプログ
ラム制御回路と、前記キャリアの上下動を検出するセン
サと、前記洗浄水を加温する加温手段と、前記側板側か
ら前記被洗浄ウエハのフラット面に向けて洗浄水を噴射
する複数のシャワー手段とからなり、前記制御回路は前
記センサが検知したキャリアの上下動に基づいて前記シ
ャワー手段を駆動し、前記洗浄槽を選択的に使用する場
合は前記加温手段の電源をオフとなるように制御するこ
とを特徴とする。
〔作用〕
重力方向に平行に保持された1枚または少数枚の被洗
浄ウエハーの洗浄すべき表面には、常に新鮮な洗浄液お
よび水洗水がシャワー手段により噴射されるので、被洗
浄ウエハーは均一な洗浄度で洗浄される。
シャワー手段は、自動搬送機の動作に同期してキャリ
アが洗浄槽および水洗槽のそれぞれ定位置で噴射するよ
うプログラム制御回路で制御されるので、各液の無効噴
射量が非常に小さくできる。
また加温手段は噴射する液量に対応する能力を備えて
いればよいので、熱エネルギを小さくできる。
シャワー手段が、シリコンウエハー1枚(ほぼ100mm
径の円板状のもの)に対して、片側面より2または3個
のノズルを含むものである場合は、最も少ない液の噴射
量で最大の洗浄効果をあげることができる。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図は、本発明一実施例の全体構成の模式図であ
り、第2図は同実施例のキャリアの構造図である。本実
施例では、第2図に示すようにキャリア2は1枚の被洗
浄ウエハー1を重力方向と平行に保持する。また第1図
に示すように、被洗浄ウエハー1が保持されたキャリア
2を収容する酸またはアルカリ溶液の洗浄槽3では、そ
れぞれ貯蔵槽4A、4B、4Cに貯えられた薬剤A、B、Cを
単独にそれぞれ所定の濃度で含む洗浄液によって洗浄さ
る。また被洗浄ウエハー1が保持された前記キャリア2
を収容し、純水タンク6の加温された純水で水洗される
水洗槽5を備える。この洗浄槽3および水洗槽5は図示
のように被洗浄ウエハー1のフラット面に対して平行な
側板と直角な仕切り板で形成されている。さらにこの装
置は、被洗浄ウエハー1を載荷したのち洗浄槽3、水洗
槽5の順に搬送し、最後に脱荷するようにキャリア2を
搬送する自動搬送機7を備える。さらに、この自動搬送
機7を制御するプログラム制御回路を含む制御器8を備
えている。
本実施例で、自動搬送機7はトロリイコンベアであっ
て、第1図に示すように駆動部7Aにより2点鎖線のよう
に大略水平方向に移動しながら、符号31から38に示す破
線の楕円位置で一旦停止して、キャリア2を鉛直方向に
昇降する。符号31から38の各位置は、順に着荷位置、薬
剤A洗浄位置、第一水洗位置、薬剤B洗浄位置、第二水
洗位置、薬剤C洗浄位置、仕上げ水洗位置および脱荷位
置である。また前記各位置のうち、薬剤A洗浄位置32か
ら薬剤C洗浄位置36は前記洗浄槽3に収容され、仕上げ
水洗位置37は水洗槽5に収容される。また符号9Aおよび
9Bはそれぞれキャリア2に被洗浄ウエハー1の着荷およ
び脱荷を行うローダおよびアンローダである。
ここに本発明の特徴とするところは、キャリアを被洗
浄ウエハーのフラット面を重力方向に平行となるように
保持し、洗浄槽が被洗浄ウエハーのフラット面に対して
平行な側板と直角な仕切り板で形成したので、キャリア
の幅はウエハーが載置できる程度に小さくすることがで
き、洗浄槽の横幅を(縦長に)小さく形成することが可
能でありまた、洗浄槽3および水洗槽5は、それぞれ被
洗浄ウエハー1の洗浄すべき表面に向けて、洗浄液を噴
射するシャワー手段として、その表面に対してそれぞれ
5個ずつのノズル10を備えたところにある。さらに、制
御器8に内蔵されるプログラム制御回路8A(第4図参
照)が自動搬送機7の前記の各位置において、キャリア
2が鉛直に降下されたときにこのシャワー手段を制御す
るように構成されたところにある。すなわち、第3図に
示すようにキャリア2の下端に設けられた被検知体2A
を、洗浄槽3または水洗槽5の上部に設けられたセンサ
11により検知し、キャリアの下昇および上昇速度を参照
して、被洗浄ウエハー1が洗浄槽3または水洗槽5の定
位置にあるタイミングでノズル10より、それぞれ単独に
薬液A、B、Cを所定の濃度に溶解した洗浄液または水
洗水を、それぞれ電磁弁12を制御して噴射を開始し、ま
たは停止させる。
また前記薬液槽4A、4B、4Cに貯えられた各薬液を前記
電磁弁12にそれぞれ送出するポンプ13A、13B、13Cと、
この各ポンプに供給される各薬液を適当な処理温度に加
温するためそれぞれ電源15(第4図参照)を含む加温槽
14A、14B、14Cと、前記各ポンプの送出する各薬液を所
定の濃度の各洗浄液にするため前記純水タンク6からポ
ンプ13Dを介して送出された加温された純水を混入する
ミキサ16A、16B、16Cとを備える。符号13Eは前記の第一
水洗位置33、第二水洗位置35および仕上げ水洗位置37に
おける各ノズルに純水を送出するポンプである。
第2図において、本実施例では前述のように、キャリ
ア2に重力方向と平行となるように保持された1枚の被
洗浄ウエハー1(その直径は例えば100mmである)の両
面にそれぞれ上段に3個下段に2個の5個ずつ計10個の
ノズル10が設けられる。ノズル10はその最下段のもに示
すように、支持具10Aに回転軸10Bおよび首振り腕10Cを
介して保持される。回転軸10Bと首振り腕10Cとはそれぞ
れねじ10D、10Eをゆるめて適宜変位することにより、被
洗浄ウエハー1に対するノズル10の仰角および首振り角
を調整できる。このようにして、各ノズル10は被洗浄ウ
エハー1の洗浄すべき表面に十分に洗浄液または純水を
ふりかけることができる。また各ノズルの後端には耐蝕
性のあるスパイラルチューブ10Fで図外の電磁弁からの
固定配管に接続されている。したがって、前記のノズル
10の調整の範囲は大きくできる。
自動搬送機7は、前記の各位置、とくに符号32ないし
37の各位置において、キャリア2の昇降速度とその昇降
ストロークはほぼ一定である。したがって、第3図に示
すようにセンサ11は、キャリア2が洗浄槽3または水洗
槽5の屋根部3Rまたは5Rにそれぞれ設けられた開口部3H
または5Hから進入しようとする時刻を検知してから、前
記制御器8のプログラム制御回路8Aは、被洗浄ウエハー
1の洗浄すべき表面に対して、ノズル10から洗浄液また
は純水をそのタイミングをあらかじめ設定されたプログ
ラムに従って噴射の開始および終了を前記各電磁弁12を
それぞれ制御することによって行う。
このプログラムは、その被洗浄ウエハーの生産ロット
に対応して、洗浄職場の作業員が適宜入力する指令デー
タが加味される。
例えば、ある被洗浄ウエハーは薬液Bによる処理のみ
でよい場合は、作業員は位置34および37のみ有効となる
ようにプログラムに入力する。この場合は、自動搬送機
は、位置32、33、35、36では通過する。すなわち被洗浄
ウエハーは位置34で薬液Bを含む洗浄液で洗浄され、水
洗槽5で仕上げ水洗が行われる。位置32ないし37におい
て、原則的には各ノズルが、キャリアの下降時と上昇時
との2回にわたりそれぞれ噴射するようになっている
が、とくに再加工されたウエハーなど汚損の程度が小さ
いものでは、下降時または上昇時のいずれか一方とする
ことができる。
第4図は、本実施例の制御系のブロック構成図であ
る。本図において、符号15および17はそれぞれ加温槽の
電源および制御バスである。
前述のように、被洗浄ウエハーには各洗浄液および純
水が十分に噴射されるが、ノズルの取付状態やその噴射
の開始および終了のタイミングがそれぞれ適当になされ
るので、洗浄および水洗の効果がよくても、その噴射量
は可及的小さくなるように制御される。したがって生産
単位あたりに消費される各液の消費量が小さい。このた
め各液の加温量は小さい。また例えば薬剤Bを含む洗浄
液が長時間使用されない場合は、その加温槽14Bの電源1
5は停止状態にあるように前記プログラム制御回路8Aが
制御する。したがって洗浄液の加温に要する熱エネルギ
が小さくてすむ。
また被洗浄ウエハーには、常に新鮮な洗浄水および純
水が噴射されるので、洗浄効果は均一になる。
本実施例では、キャリアに1枚のウエハーを保持する
例であったが、被洗浄ウエハーの数は2以上の少数枚
(2〜4程度)であっても同様に実施できる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、被洗浄ウエハ
ーのフラット面が重力方向に平行となるように保持する
キャリアと、このキャリアに保持された被洗浄ウエハー
のフラット面に対して平行な側板と直角な仕切り板とに
より形成したので、洗浄槽の横幅を(縦長に)小さく形
成することができ、従って装置の設置面積を小さくする
ことができる。
また、制御回路はセンサが検知したキャリアの上下動
に基づいてシャワー手段を駆動し、洗浄槽を選択的に使
用する場合には加温手段の電源をオフとなるように制御
することにより洗浄液の消費量が小さく、かつ、加温の
ための熱エネルギーが小さくてすみ、各ウエハーごとの
洗浄品質が均一になる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明一実施例の全体構成を示す模式図。 第2図は同実施例のキャリアの構造図。 第3図は同実施例の動作説明図。 第4図は同実施例のブロック構成図。 1……被洗浄ウエハー、2……キャリア、2A……被検知
体、3……洗浄槽、3H、5H……洗浄槽または水洗槽の屋
根の開口部、3R、5R……屋根部、4A、4B、4C……それぞ
れ薬剤A、B、Cの貯蔵槽、5……水洗槽、6……加温
される純水を貯える純水タンク、7……自動搬送機、7A
……駆動部、8……制御器、8A……プログラム制御回
路、9A、9B……それぞれローダおよびアンローダ、10…
…ノズル、10A……支持具、10B……回転軸、10C……首
振り腕、10D、10E……ねじ、10F……スパイラルチュー
ブ、11……センサ、12……電磁弁、13A〜13E……ポン
プ、14A、14B、14C……加温槽、15……電源、16A、16
B、16C……ミキサ、17……制御バス、31〜38……それぞ
れ着荷位置、薬剤A洗浄位置、第一水洗位置、薬剤B洗
浄位置、第二水洗位置、薬剤C洗浄位置、仕上げ水洗位
置、脱荷位置。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一枚若しくは少数枚の被洗浄ウエハのフラ
    ット面が重力方向に平行となるように保持するキャリア
    と、このキャリアに保持された被洗浄ウエハーのフラッ
    ト面に対して平行な側板と直角な仕切り板とにより形成
    された複数の洗浄槽およびこの洗浄槽の後段に配置され
    た水洗槽と、前記キャリアを上下方向に駆動するととも
    に前記複数の洗浄層の端部から順次前記水洗槽側に搬送
    する自動搬送機と、この自動搬送機を制御するプログラ
    ム制御回路と、前記キャリアの上下動を検出するセンサ
    と、前記洗浄水を加温する加温手段と、前記側板側から
    前記被洗浄ウエハのフラット面に向けて洗浄水を噴射す
    る複数のシャワー手段とからなり、前記制御回路は前記
    センサが検知したキャリアの上下動に基づいて前記シャ
    ワー手段を駆動し、前記洗浄槽を選択的に使用する場合
    は前記加温手段の電源をオフとなるように制御すること
    を特徴とするシリコンウエハーの洗浄装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100529389B1 (ko) * 1999-06-22 2005-11-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체 제조를 위한 세정장비 운용 방법
CN101876811B (zh) * 2009-04-28 2015-05-20 无锡华润上华半导体有限公司 定时控制装置
CN102626696A (zh) * 2012-05-07 2012-08-08 江苏合海机械制造有限公司 一种挂式清洗机
CN103769380A (zh) * 2014-02-13 2014-05-07 江苏博众汽车部件有限公司 铝合金多效清洗机
CN107900022A (zh) * 2017-11-27 2018-04-13 珠海东锦石英科技有限公司 石英晶片研磨清洗机及其研磨清洗工艺
CN114769164B (zh) * 2022-04-14 2023-06-09 深圳可孚生物科技有限公司 一种自动化传感器筛选检测设备
CN117259313A (zh) * 2022-06-14 2023-12-22 天津市环欧新能源技术有限公司 一种储液槽及设有该储液槽的清洗机
CN116078733A (zh) * 2023-02-10 2023-05-09 中环领先半导体材料有限公司 一种新型的防止硅片烧结的喷淋装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2230420B3 (ja) * 1973-05-21 1977-03-18 Allied Chem
JPS5947457B2 (ja) * 1982-11-15 1984-11-19 株式会社東芝 半導体ウェファ−の洗浄方法

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