JP2894474B2 - ヒューズ - Google Patents

ヒューズ

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JP2894474B2
JP2894474B2 JP5268943A JP26894393A JP2894474B2 JP 2894474 B2 JP2894474 B2 JP 2894474B2 JP 5268943 A JP5268943 A JP 5268943A JP 26894393 A JP26894393 A JP 26894393A JP 2894474 B2 JP2894474 B2 JP 2894474B2
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fusing
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光彦 戸塚
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    • H01H85/00Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
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    • H01H85/04Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges
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    • H01H85/055Fusible members
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    • H01H85/0415Miniature fuses cartridge type
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、溶断特性の異なるヒュ
ーズを組み合わせたヒューズに関する。
【0002】
【従来の技術】溶断特性の改良を図ったヒューズとして
は、図3に示すヒューズ(実公昭59−41563号公
報参照),或いは図4に示すヒューズ(実公平3−13
960号公報参照)などがある。
【0003】図3の分解斜視図に示されるヒューズA
は、多重に折曲されたエレメント1aと、エレメント1
aより断面積が小さく形成された溶断部1bとを有し、
両端には雌端子2,3が形成されるヒューズエレメント
1と、吸熱体4とにより構成され、吸熱体4は、耐熱
性,熱伝導性に優れたセラミックから成り、エレメント
1aに対応した溝部4aを有し、溝部4aに挿入された
エレメント1aが接着剤で封入,固定される。
【0004】そして、雌端子2,3を介してヒューズエ
レメント1に過電流が流れると、断面積の小さい溶断部
1bが温度上昇し、溶断部1bで発生する熱の一部がエ
レメント1aを介して吸熱体4に吸収されるので、溶断
部1bの温度上昇が遅くなり、ヒューズエレメント1の
溶断時期が遅延する。従って、通電開始時期に定格電流
の数倍の過電流が流れても回路が遮断されない。
【0005】図4の斜視図に示すヒューズBは、帯板状
の可溶導体本体5の中間部に凹状の受け座と受け座の側
面より突出する突片が設けられ、受け座に嵌め込まれた
低融点金属の吸熱体6が突片の折り曲げ加工により加締
められる。可溶導体本体5の両端部は、雌型の端子金具
7,8に接合される。可溶導体本体5の中間部には吸熱
体6が固定されているので、例えば、モータ起動時に回
路に過電流が流れても、可溶導体本体5の発熱が吸熱体
6に吸収されるので、溶断しない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】セラミック付加型のヒ
ューズAは、大電流域(デッドショート域)では吸熱さ
れる前に溶断するため即断性はあるが、小電流域(レア
ショート域)では発熱量が融点に達しないので溶断しな
くなる特徴がある。低融点金属の吸熱体を付加した型式
のヒューズBは、金属どうしの拡散なども相まって融点
が低下するために、レアショート域の即断性は優れてい
るが、デッドショート域では、吸熱効果が大きくて即断
性に劣っていた。本発明はかかる課題を解決することを
目的としており、両ヒューズA,Bを並列回路に配列し
て、互いの長所を生かしながら、短所を補わせる理想的
な溶断特性のあるヒューズを構成するものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、低融点金属より成る吸熱体を中間部に付
加し、小電流領域の溶断特性に優れた第1ヒューズと
セラミック基板に固着され、大電流領域の溶断特性に優
れた第2ヒューズとを、セラミック基板の一側に並列に
配列し、第1および第2ヒューズの両端部を、前記セラ
ミック基板の他側に設けられた端子金具に接合してヒュ
ーズを構成した。記第1ヒューズは、バイメタルより
成る可溶導体本体と、低融点金属より成り前記可溶導体
本体の中間部に固定される吸熱体とにより構成される低
融点金属付加ヒューズにするとよい。又、記第2ヒュ
ーズは、前記端子金具の上方部を被覆するセラミツク基
板の上面に印刷され、中央部に低融点部が形成されるプ
リント配線より成るセラミック付加ヒューズとするとよ
い。
【0008】
【作用】上記のように構成されたヒューズは、回路に流
れる電流は第1ヒューズと第2ヒューズとに分流する。
第1ヒューズと第2ヒューズに流れる電流の量は、それ
ぞれの抵抗値のバランスにより決まり、それぞれの電流
の量により溶断時間が支配される。定格を僅かに越える
小電流領域では、第1ヒューズが先に溶断し、全電流が
第2ヒューズに流れるので、第2ヒューズが溶断する。
【0009】大電流領域では、第2ヒューズが先に溶断
し、全電流が第1ヒューズに流れるので、第1ヒューズ
が溶断する。従って、ヒューズの溶断特性は、小電流領
域では第1ヒューズの溶断特性と同様になり、大電流領
域では第2ヒューズの溶断特性と同様になるので第1ヒ
ューズおよび第2ヒューズの欠点を解消した新たな溶断
特性となる。 又、第1および第2ヒューズから発生した
熱および溶断部分の滴下は、セラミック基板に遮断さ
れ、端子金具が保護される。
【0010】
【実施例】本発明の実施例について図面を参照して説明
すると、図1は本発明のヒューズCの斜視図であり、四
角板形状のセラミック基板10の両端部に貫通孔11が
設けられ、セラミック基板10の上には、従来例のヒュ
ーズBと同様の第1ヒューズBと、従来例のヒューズA
と類似する溶断特性を有する第2ヒューズA′が取り付
けられる。
【0011】第1ヒューズBは、バイメタルより成り、
コの字状に屈曲された帯板状の可溶導体本体5の中間部
5aに、両側面から突出する加締部12が設けられ、中
間部5aに載置された低融点金属の吸熱体6が加締部1
2により圧着加工される。そして、可溶導体本体5の両
端部は貫通孔11を経由して雌型の端子金具7,8にそ
れぞれ接合される。
【0012】第2ヒューズA′は、セラミック基板10
の上面に印刷され、中央部に断面積の小さい低融点部1
3aが形成されるプリント配線13で、その両端部は貫
通孔11内の接合金属14により半田接合されて、雌型
の端子金具7,8に接続される。この接合金属14は吸
熱体6よりも高融点であることが望ましい。従って、第
1ヒューズBと第2ヒューズA′は並列回路に配列され
て雌型の端子金具7,8に接続する。
【0013】以上のように構成されたヒューズの作用を
説明すると、回路に流れる電流は第1ヒューズBと第2
ヒューズA′とに分流し、第1ヒューズBと第2ヒュー
ズA′に流れる電流の量は、それぞれの抵抗値のバラン
スにより決まり、それぞれの電流の量により溶断時間が
支配される。
【0014】図2は第1ヒューズBと第2ヒューズA′
の溶断特性を示す図であり、定格を僅かに越える小電流
領域Dでは、第1ヒューズBが先に溶断し、全電流が第
2ヒューズA′に流れるので、第2ヒューズA′が溶断
する。
【0015】大電流領域Eでは、第2ヒューズA′が先
に溶断し、全電流が第1ヒューズBに流れるので、第1
ヒューズBが溶断する。従って、第1ヒューズBと第2
ヒューズA′とを複合したヒューズCの溶断特性は、図
2に点線で示すように、小電流領域では第1ヒューズB
の影響を受けて第1ヒューズBの溶断特性と同様にな
り、大電流領域では第2ヒューズA′の溶断特性の影響
を受けて第2ヒューズA′の溶断特性と同様になる。
【0016】セラミック基板10は、上方のヒューズC
と下方の電気配線器具を隔絶する仕切り板の機能があ
り、発熱するヒューズCの熱が下方の電気配線器具に伝
わらないように遮熱すると共に、溶断した吸熱体6が下
方の電気配線器具に滴下するのを防止する効果がある。
【0017】
【発明の効果】本発明は以上のように構成されているの
で、第1ヒューズや第2ヒューズの溶断特性の欠点を補
った新たな溶断特性が生じる。従って、定格を超過する
小電流が長時間にわたって流れるときも溶断し、大電流
が流れた場合には短時間に溶断する効果を奏する。又、
セラミック基板は、発生した熱および溶断部分の滴下を
遮断するので端子金具を保護する効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のヒューズの斜視図である。
【図2】本発明のヒューズの溶断特性曲線を示す図面で
ある。
【図3】ヒューズの従来例を示す分解斜視図である。
【図4】ヒューズの他の従来例を示す分解斜視図であ
る。
【符号の説明】
C ヒューズ B 第1ヒューズ A′ 第2ヒューズ 5 可溶導体本体 5a 中間部 6 吸熱体 7,8 端子金具 10 セラミック基板 13 プリント配線 13a 低融点部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭53−115053(JP,A) 実開 昭59−66844(JP,U) 実開 昭56−143758(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01H 85/12 H01H 85/00 H01H 85/08

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 低融点金属より成る吸熱体を中間部に付
    加し、小電流領域の溶断特性に優れた第1ヒューズと
    セラミック基板に固着され、大電流領域の溶断特性に優
    れた第2ヒューズとを、セラミック基板の一側に並列に
    配列し、第1および第2ヒューズの両端部を、前記セラ
    ミック基板の他側に設けられた端子金具に接合して成る
    ヒューズ。
  2. 【請求項2】 記第1ヒューズは、バイメタルより成
    る可溶導体本体と、低融点金属より成り前記可溶導体本
    体の中間部に固定される吸熱体とにより構成される低融
    点金属付加ヒューズであることを特徴とする請求項1記
    載のヒューズ。
  3. 【請求項3】 記第2ヒューズは、前記端子金具の上
    方部を被覆するセラミック基板の上面に印刷され、中央
    部に低融点部が形成されるプリント配線より成るセラミ
    ック付加ヒューズであることを特徴とする請求項1記載
    のヒューズ。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE2645809A1 (de) * 1976-10-11 1978-04-13 Wickmann Werke Ag Traege schmelzsicherung
JPS56143758U (ja) * 1980-03-31 1981-10-29
JPS5966844U (ja) * 1982-10-27 1984-05-04 矢崎総業株式会社 ヒユ−ジブルリンク用可溶導体

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