JP2894451B2 - Jet scrubber - Google Patents
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Classifications
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
- B08B3/022—Cleaning travelling work
-
- B08B1/52—
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体チップを製造するための基板、すな
わちウエハをジェット液流（水の噴流）により洗浄する
ジェットスクラバーに関し、特にウエハをチャックで保
持し、そのチャックを回転しかつ噴射ノズルから液体を
ウエハ面へ噴射してそのウエハを洗浄するジェットスク
ラバーに関する。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a jet scrubber for cleaning a substrate for manufacturing semiconductor chips, that is, a wafer by a jet liquid stream (water jet), and in particular, to chuck the wafer with a chuck. The present invention relates to a jet scrubber for holding, rotating a chuck thereof, and ejecting a liquid from an ejection nozzle onto a wafer surface to clean the wafer.
［従来の技術］ この様な従来のジェットスクラバーは、第３図に示す
ように構成されている。[Prior Art] Such a conventional jet scrubber is configured as shown in FIG.
第３図において、被洗浄物であるウエハ（基板）２は
真空作用等によりチャック３上で上向きに保持されてい
る。このチャック３は、直流電動機５により適当な回転
数により回転させられ、且つ上下動機構６により個々の
チャック毎に適時上下動され得る。In FIG. 3, a wafer (substrate) 2 to be cleaned is held upward on a chuck 3 by a vacuum action or the like. The chuck 3 is rotated by a DC motor 5 at an appropriate number of rotations, and can be moved up and down by a vertical movement mechanism 6 for each individual chuck.
ウエハ２の面はノズル１より下方へ噴出する噴流によ
り洗浄され、噴流として噴出する液体は配管９を介して
高圧水としてノズル１に供給される。The surface of the wafer 2 is cleaned by a jet jetting downward from the nozzle 1, and the liquid jetted as a jet is supplied to the nozzle 1 as high-pressure water via a pipe 9.
第３図中、符号４はノズル１を揺動するための揺動機
構を示しており、その揺動機構により、ノズル１から噴
出される液体はウエハ２上の面全体に衝突する。それに
より、ウエハ２の洗浄が行われる。In FIG. 3, reference numeral 4 denotes a swinging mechanism for swinging the nozzle 1, and the liquid ejected from the nozzle 1 collides with the entire surface on the wafer 2 by the swinging mechanism. Thereby, the wafer 2 is cleaned.
なお、上述した機器類は構造体７に収納されている。
また、ノズル１から噴射された液体はウエハ２に衝突し
た後に配管８を通って下流側（符号10で示す）に排出さ
れる。The above-mentioned devices are housed in the structure 7.
The liquid ejected from the nozzle 1 collides with the wafer 2 and is discharged downstream (indicated by reference numeral 10) through the pipe 8.
上述したように、従来のジェットスクラバーでは、ウ
エハの面上に向けてノズルから高圧水噴流を噴出させ、
この噴流の力でウエハ上の汚染物を除去して洗浄してい
た。しかし、噴流の力で除去された汚染物がウエハの面
上から外部に飛び出さずに該ウエハ上で残留した場合に
は、該ウエハの面上へ再度付着してしまう、という問題
がある。As described above, in a conventional jet scrubber, a high-pressure water jet is ejected from a nozzle toward the surface of a wafer,
Cleaning is performed by removing contaminants on the wafer by the force of the jet. However, if contaminants removed by the force of the jet flow remain on the wafer without jumping out from the surface of the wafer, there is a problem that the contaminants adhere to the surface of the wafer again.
また、汚染の種類によっては高圧水噴流を衝突させた
のみでは汚染物質を除去することが困難であり、十分な
洗浄効果が得られない場合が存在するという問題もあっ
た。Further, depending on the type of contamination, it is difficult to remove the contaminant only by colliding the high-pressure water jet, and there is also a problem that a sufficient cleaning effect may not be obtained.
ウエハの下方から噴射ノズルで液を噴射させる技術は
公知であり、例えば実開昭60-16538号公報、実開昭62-1
90339号公報、実開昭60-16537号公報、特開昭60-88944
号公報等に開示されている。しかしながらかかる公知技
術はいずれも単に液体による洗浄を行うものであり、流
量等の制御が行われても汚染物質の除去が不充分であっ
た。Techniques for injecting liquid with an injection nozzle from below the wafer are known, for example, Japanese Utility Model Laid-Open No. 60-16538 and Japanese Utility Model Laid-Open No. 62-1.
No. 90339, Japanese Utility Model Publication No. 60-16537, Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-88944
No. 6,009,036. However, all of these known techniques merely perform cleaning with a liquid, and even if the flow rate or the like is controlled, the removal of contaminants is insufficient.
また、特開昭61-18958号公報には２本のノズルから別
々の液を供給する技術が開示されているが、単に噴射液
の圧力や種類を変えただけでは汚染物質を除去するに十
分ではない。Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-18958 discloses a technique for supplying different liquids from two nozzles. However, simply changing the pressure and type of the jet liquid is not enough to remove contaminants. is not.
さらに、特開昭50-81067号公報にはスリーブ内に滴下
ノズルとキシレンの供給パイプとを挿入したものが開示
されている。しかしながら、かかる公知技術は液体の乾
燥を防止するものであって、洗浄作業に適しない。Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 50-81067 discloses a sleeve in which a drip nozzle and a xylene supply pipe are inserted in a sleeve. However, such a known technique prevents drying of a liquid and is not suitable for a cleaning operation.
また、実開昭62-1764号公報にはワークの洗浄等にお
いて上方から噴射される低速流体のまわりを高速流体で
つつむ技術が開示されている。しかしながら、キャビテ
ーションは低圧水と高圧水との速度差が大きい程発生す
るが、重力の影響で下方に行くほど相対速度が小さくな
り、キャビテーションの発生面積も小さくなる。Japanese Utility Model Application Laid-Open No. Sho 62-1764 discloses a technique in which high-speed fluid wraps a low-speed fluid jetted from above during work washing or the like. However, cavitation is generated as the speed difference between the low-pressure water and the high-pressure water is larger. However, the relative speed decreases as going downward due to the effect of gravity, and the cavitation generation area also decreases.
［発明が解決しようとする課題］ したがって本発明は、キャビテーションが効果的に発
生して汚染の除去が確実であり、しかも一旦除去された
汚染物がウエハ上に再度付着する恐れの無いジェットス
クラバーを提供することを目的としている。[Problems to be Solved by the Invention] Accordingly, the present invention provides a jet scrubber in which cavitation is effectively generated and contamination is surely removed, and there is no possibility that the contaminants once removed adhere to the wafer again. It is intended to provide.
［課題を解決するための手段］ 本発明によれば、ウエハをチャックで保持し、該チャ
ックを回転しかつ噴射ノズルから液体をウエハ面へ噴射
して該ウエハを洗浄するジェットスクラバーにおいて、
前記ウエハの洗浄すべき面は下側に向け、前記噴射ノズ
ルは上方に向けて液体を噴射する様に前記ウエハの下方
に位置しており、低圧水を噴射する低圧水噴射ノズル
と、該低圧水噴射ノズルに低圧水を供給する低圧水用配
管と、前記低圧水より高圧の高圧水を噴射する高圧噴射
ノズルと、該高圧水噴射ノズルに高圧水を供給する高圧
水用配管とを含み、前記高圧水噴射ノズルから噴射され
た高圧水噴流が前記低圧水ノズルから噴射された低圧水
噴流中を通過する際にキャビテーションを形成し、該キ
ャビテーションを含む高圧水噴流と低圧水噴流との混合
流がウエハ面に衝突する様に低圧水噴射ノズル及び高圧
水噴射ノズルを配設している。According to the present invention, there is provided a jet scrubber for holding a wafer with a chuck, rotating the chuck, and jetting a liquid from an ejection nozzle to a wafer surface to wash the wafer.
A low-pressure water jet nozzle for jetting low-pressure water; a low-pressure water jet nozzle for jetting a low-pressure water; A low-pressure water pipe that supplies low-pressure water to the water injection nozzle, a high-pressure injection nozzle that injects high-pressure water higher than the low-pressure water, and a high-pressure water pipe that supplies high-pressure water to the high-pressure water injection nozzle, The high-pressure water jet injected from the high-pressure water injection nozzle forms cavitation when passing through the low-pressure water jet injected from the low-pressure water nozzle, and a mixed flow of the high-pressure water jet including the cavitation and the low-pressure water jet Are provided with a low-pressure water jet nozzle and a high-pressure water jet nozzle.
ここで、低圧水噴射ノズルの出口面は高圧水噴射ノズ
ルの出口面よりもウエハに近い側にあり、低圧水噴射ノ
ズルの出口面とウエハの面との距離は、ウエハが回転し
た時にウエハの面と低圧水噴射ノズルの出口面が接触し
ない限りにおいて出来るだけ小さな距離に設定されてい
るのが好ましい。より好適には、噴流がウエハに到達し
た瞬間にキャビテーション気泡が潰れて破壊してしまう
ように該距離が設定されている。Here, the exit surface of the low-pressure water jet nozzle is closer to the wafer than the exit surface of the high-pressure water jet nozzle, and the distance between the exit surface of the low-pressure water jet nozzle and the surface of the wafer is determined when the wafer rotates. It is preferable that the distance is set as small as possible as long as the surface does not contact the outlet surface of the low-pressure water jet nozzle. More preferably, the distance is set such that the cavitation bubbles are crushed and broken at the moment the jet reaches the wafer.
また、噴射ノズルから噴射される液体はタンクから供
給されて、ポンプにより高圧化され配管を通してノズル
に到達し、或いはタンクより直接ノズルに供給されるよ
うになっており、該タンクは密閉型であり、そのポート
から内部の空気を適時抜くことによりタンクに充填され
た液体の脱気を行うように構成されていることが好まし
い。或いは、タンク内の液体の温度を上昇せしめる手段
を設けるのが好ましい。In addition, the liquid ejected from the ejection nozzle is supplied from a tank, is pressurized by a pump, reaches the nozzle through a pipe, or is supplied directly from the tank to the nozzle, and the tank is a closed type. It is preferable that the liquid filled in the tank is degassed by appropriately removing the internal air from the port. Alternatively, it is preferable to provide a means for increasing the temperature of the liquid in the tank.
［作用効果の説明］ したがって、前記ウエハの洗浄すべき面は下側を向い
ており、前記噴射ノズルは前記ウエハの下方に位置して
いるので、噴射ノズルからの噴流は下方から上方へ噴出
される。そして、この噴流により除去された汚染物は、
噴流（水）と共に重力によりウエハの面から下方に落下
するので、再度ウエハの面に付着することはない。[Explanation of Operation and Effect] Therefore, the surface of the wafer to be cleaned faces downward, and the jet nozzle is located below the wafer, so that the jet from the jet nozzle is jetted upward from below. You. And the contaminants removed by this jet are
Since it falls downward from the surface of the wafer by gravity together with the jet (water), it does not adhere to the surface of the wafer again.
これに加えて本発明によれば、低圧水噴射ノズル及び
高圧水噴射ノズルを組み合わせ、低圧水噴流をウエハ面
上に噴出させると同時に、高圧水噴流を該低圧水噴流の
中を通過させることにより、この２つの噴流の速度差に
よって噴流中に摩擦を起こしてキャビテーション気泡を
発生させることが出来る。そして、キャビテーション気
泡が破壊する時に発生する衝撃圧によって、壊食と同様
の作用によってウエハ面上の汚れを洗浄し除去すること
が可能である。すなわち、静水中に高圧水を噴射して所
定の面にあてると、その面はキャビテーション気泡によ
り壊食が起こることは知られているが、前述したような
構成とすることにより、噴流中にキャビテーション気泡
を発生させてウエハ面に衝突せしめ、壊食と同様の作用
でウエハ面上の汚染を除去するのである。In addition to this, according to the present invention, a low-pressure water jet nozzle and a high-pressure water jet nozzle are combined, and a low-pressure water jet is jetted onto the wafer surface, and at the same time, a high-pressure water jet is passed through the low-pressure water jet. Cavitation bubbles can be generated by causing friction in the jets due to the difference in speed between the two jets. Then, by the impact pressure generated when the cavitation bubbles are broken, it is possible to wash and remove dirt on the wafer surface by the same action as erosion. That is, it is known that when high-pressure water is injected into still water and applied to a predetermined surface, the surface is eroded by cavitation bubbles. Air bubbles are generated to collide with the wafer surface, and the contamination on the wafer surface is removed by the same action as erosion.
ここで、液体の脱気を行うような密閉タンクを装備さ
せれば、キャビテーション気泡を発生しやすくするた
め、洗浄効率が更に向上する。Here, if a closed tank for degassing the liquid is provided, cavitation bubbles are easily generated, so that the cleaning efficiency is further improved.
一般に、キャビテーションは低圧水と高圧水との速度
差が大きいほど発生しやすいことが知られている。そこ
で、上方から下方に噴射すると、高低圧の噴流は重力に
よって加速されるので始めは縮流状態となり、その後
は、ウエハの衝突面に近付くにつれて高圧水により噴流
の断面積が大きくなり、噴流は割れやすくなるので、相
対速度も小さくなる。したがってこの場合はキャビテー
ションが生じにくい。しかしながら、本発明では下方か
ら上方に向けて噴射するので、重力と反対方向に噴射さ
れ、低圧水の流量を小さくして噴射した柱状に保持でき
る。そのために高圧水と低圧水との速度差が大でキャビ
テーションが生じやすい。It is generally known that cavitation is more likely to occur as the speed difference between low-pressure water and high-pressure water increases. Therefore, when the jet is jetted downward from above, the jet of high and low pressure is accelerated by gravity, so that the jet is initially in a contracted state. Thereafter, as the jet approaches the collision surface of the wafer, the cross-sectional area of the jet becomes large due to the high pressure water, and the jet becomes The relative speed is also reduced because it is easily broken. Therefore, in this case, cavitation hardly occurs. However, in the present invention, since the water is jetted upward from below, it is jetted in the direction opposite to the gravity, and the flow rate of the low-pressure water can be reduced to maintain the jetted column shape. Therefore, the speed difference between high-pressure water and low-pressure water is large, and cavitation is likely to occur.
また半導体製造に際し、洗浄水としては不純物の含有
量が極めて少ない純水が慣用されている。この純水は非
電導体であり、他方、ウエハは回路形成面に数ミクロン
以下の薄い酸化膜等の絶縁膜が形成されているので、絶
縁膜と純水との接触によりウエハ表面に静電気が生じ、
電気素子に静電破壊が生じてしまう。しかるに、本発明
では下方からの噴射により、ウエハに衝突した純水は落
下するので、ウエハの表面を流れる量が少なく、またウ
エハと純水との相対速度も小さく、静電気は発生しにく
い。In the manufacture of semiconductors, pure water having a very low impurity content is commonly used as cleaning water. This pure water is a non-conductor, while the wafer has an insulating film such as a thin oxide film of several microns or less formed on the circuit forming surface. Arises
Electrostatic breakdown occurs in the electric element. However, in the present invention, since the pure water colliding with the wafer drops by being sprayed from below, the amount of water flowing on the surface of the wafer is small, the relative speed between the wafer and the pure water is small, and static electricity is not easily generated.
［実施例］ 以下、第１図、第２図を参照して、本発明の実施例を
説明する。なお、第１図、第２図において、第３図でし
めすのと同一の部材には同一の符号が付されている。Embodiment An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 and 2. In FIGS. 1 and 2, the same members as those shown in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals.
第１図において、ウエハ２はチャック３上に真空によ
る吸着力等によって下向きに保持されており、ここでチ
ャック３を回転させたり或いは上下動させたりする機構
は、第３図に示す従来技術のものと略々同一であるが、
ウエハ２の上方に位置している点が異なっている。In FIG. 1, a wafer 2 is held downward on a chuck 3 by a suction force of vacuum or the like. Here, a mechanism for rotating or vertically moving the chuck 3 is a conventional one shown in FIG. Is almost identical to the one
The difference is that it is located above the wafer 2.
ウエハ２の面を洗浄するノズルは全体を符号12で示さ
れており、このノズル12はウエハ２の下方に位置してい
る。なお、第１図Ａで示すように、傾斜したノズル12A
を用いても良い。該ノズル12はウエハ２の中心線上を左
行あるいは右行できる様にスクリューネジ17に組込まれ
ており、該スクリューネジ17はモータ16に接続されてい
る。従って、モータ16を正逆転させることにより、ノズ
ル12をウエハ２の下方で左行或いは右行させることがで
きる。そして、ノズル12が左行或いは右行可能であれ
ば、ウエハが回転することによりノズル12から噴出する
上向きの噴流がウエハ２の下側の面全体に衝突する。な
お、スクリューネジとモータとの組合せ以外にも、噴流
を左行或いは右行させるために種々の方法が考えられ
る。A nozzle for cleaning the surface of the wafer 2 is generally indicated by reference numeral 12, and the nozzle 12 is located below the wafer 2. As shown in FIG. 1A, the inclined nozzle 12A
May be used. The nozzle 12 is incorporated in a screw 17 so that the nozzle 12 can move left or right on the center line of the wafer 2, and the screw 17 is connected to a motor 16. Therefore, by rotating the motor 16 forward and backward, the nozzle 12 can be moved leftward or rightward below the wafer 2. If the nozzle 12 can move leftward or rightward, the upward rotation of the jet from the nozzle 12 collides with the entire lower surface of the wafer 2 as the wafer rotates. In addition to the combination of the screw and the motor, various methods are conceivable to make the jet flow leftward or rightward.
ノズル12からウエハ２の下面Ｓに向けてジェット噴流
が噴出すると、後述の態様にて該下面Ｓに付着した汚染
物が除去される。この際に、ウエハ２の洗浄された面
（下面）Ｓは下側を向いているので、除去された汚染物
は噴流の水と共に（重力によって）落下する。そのた
め、該汚染物がウエハ２の下面Ｓに付着したまま残留す
ることはない。When the jet stream is jetted from the nozzle 12 toward the lower surface S of the wafer 2, contaminants attached to the lower surface S are removed in a manner described later. At this time, the cleaned surface (lower surface) S of the wafer 2 faces downward, so that the removed contaminants fall (by gravity) together with the jet water. Therefore, the contaminant does not remain while being attached to the lower surface S of the wafer 2.
ノズル12に供給される高圧液体（高圧水）は、タンク
23から供給される途中でポンプ21により加圧され、高圧
水用配管19、15を通ってノズル12の高圧水噴射ノズルＨ
（第２図）に供給される。そして、高圧水噴流29として
高圧水噴射ノズルＨの噴出口26（第２図）から噴射され
る。一方、前記高圧水よりも圧力が低い低圧水は、タン
ク23から低圧水用配管18、14を通ってノズル12の低圧水
噴射ノズルＬ（第２図）に供給される。そして、該ノズ
ルＬの噴出口27（第２図）から低圧水噴流30として噴射
されるのである。The high-pressure liquid (high-pressure water) supplied to the nozzle 12 is supplied to a tank
While being supplied from 23, it is pressurized by a pump 21 and passes through high-pressure water pipes 19 and 15, and the high-pressure water injection nozzle H of the nozzle 12
(FIG. 2). The high-pressure water jet 29 is jetted from the jet port 26 (FIG. 2) of the high-pressure water jet nozzle H. On the other hand, the low-pressure water having a pressure lower than that of the high-pressure water is supplied from the tank 23 to the low-pressure water injection nozzle L of the nozzle 12 through the low-pressure water pipes 18 and 14 (FIG. 2). Then, the low-pressure water jet 30 is jetted from the jet port 27 (FIG. 2) of the nozzle L.
タンク23は密閉構造となっており、その上面の排気口
24は、タンク23内を真空にするための排気口、大気解放
のため図示しないフィルタ等を介して大気圧に開放され
ている孔、及び圧縮空気を導入するための孔、にそれぞ
れバルブを介して接続されている。The tank 23 has a sealed structure, and an exhaust port on the upper surface thereof
Numeral 24 is provided through an exhaust port for evacuating the inside of the tank 23, a hole opened to the atmospheric pressure through a filter (not shown) for opening to the atmosphere, and a hole for introducing compressed air through valves. Connected.
なお、符号13は上部ケーシング、符号20は下部ケーシ
ングを示している。Reference numeral 13 denotes an upper casing, and reference numeral 20 denotes a lower casing.
次に第２図を参照して、ノズル12に入った高圧水及び
低圧水の作用について説明する。Next, the operation of the high-pressure water and the low-pressure water entering the nozzle 12 will be described with reference to FIG.
第２図において、先ず配管14を通って入ってきた低圧
水は噴出口27より低圧水噴流30として上方へ噴出してウ
エハ２の下面Ｓに衝突（流出）する。一方、高圧水用配
管15を介して入ってきた高圧水は噴出口26から高圧水噴
流29として噴出する。この高圧水噴流29は、噴出口27か
ら噴射する低圧水噴流30の中を通過して、ウエハ２の下
面Ｓに衝突する。ここで噴出口26の径は噴出口27の径よ
りも小さくなっている。In FIG. 2, first, low-pressure water that has entered through the pipe 14 is jetted upward as a low-pressure water jet 30 from the jet port 27 and collides (flows) with the lower surface S of the wafer 2. On the other hand, the high-pressure water that has entered through the high-pressure water pipe 15 is jetted from the jet port 26 as a high-pressure water jet 29. The high-pressure water jet 29 passes through the low-pressure water jet 30 jetted from the jet port 27 and collides with the lower surface S of the wafer 2. Here, the diameter of the ejection port 26 is smaller than the diameter of the ejection port 27.
噴出口27より流出する低圧水噴流30と噴出口26より噴
出する高圧水噴流29との間には、高圧と低圧の差にもと
づいた速度差が存在し、この速度差によって低圧水噴流
30の中を高圧水噴流29が通過する際に両噴流の間で摩擦
が起こり、キャビテーション気泡が発生する。一般に、
低圧水圧力をPU、高圧水圧力をPDとすれば、 PU／PD＜0.6 でキャビテーション気泡が発生（初生）する。There is a speed difference between the low-pressure water jet 30 flowing out from the jet port 27 and the high-pressure water jet 29 jetting from the jet port 26, based on the difference between the high pressure and the low pressure.
When the high-pressure water jet 29 passes through 30, friction occurs between the two jets, and cavitation bubbles are generated. In general,
Assuming that the low pressure water pressure is P U and the high pressure water pressure is P D , cavitation bubbles are generated (initial) when P U / P D <0.6.
このキャビテーション気泡は噴出口26から一定の距離
のところでつぶれるが、この時、非常に大きな衝撃圧力
を発生する。従って、キャビテーション気泡が潰れると
ころにウエハ２の下面Ｓを合せておけば、ウエハ上に付
着している除去しにくい汚染物をこの衝撃圧力によって
除去することができる。噴出口26からキャビテーション
気泡が潰れるところまでの距離が、該噴出口26から噴出
口27の出口面28までの距離と等しいものとすれば、ウエ
ハ２の下面をこの位置（噴出口27の出口面28の位置）に
合せれば良い。但し、ウエハ２は回転しているので、ウ
エハ２の下面Ｓをノズル12の面（前記出口面）28に接触
させる事は不都合であるが、面Ｓと面28とは出来る限り
接近するように設定しておく必要がある。ここで、下面
Ｓと面28との間の距離δを、例えば0.1mmから1mmの距離
に設定すれば、衝撃圧力の影響力を充分にウエハ面上に
及ぼすことができる。The cavitation bubbles are crushed at a certain distance from the ejection port 26, and at this time, a very large impact pressure is generated. Therefore, if the lower surface S of the wafer 2 is aligned with the place where the cavitation bubbles are crushed, the hard-to-remove contaminants adhering to the wafer 2 can be removed by the impact pressure. Assuming that the distance from the ejection port 26 to the place where the cavitation bubbles are crushed is equal to the distance from the ejection port 26 to the exit surface 28 of the ejection port 27, the lower surface of the wafer 2 is positioned at this position (the exit surface of the ejection port 27). 28 position). However, since the wafer 2 is rotating, it is inconvenient to bring the lower surface S of the wafer 2 into contact with the surface (the exit surface) 28 of the nozzle 12. Must be set. Here, if the distance δ between the lower surface S and the surface 28 is set to a distance of, for example, 0.1 mm to 1 mm, the influence of the impact pressure can be sufficiently exerted on the wafer surface.
更に、例えば排気孔24より内部空気の排気を行ってタ
ンク23内の液体を必要に応じて脱気することにより、キ
ャビテーション気泡がより一層発生するように構成する
こともできる。或いは、タンク23内の液体の温度を上昇
せしめてキャビテーション気泡が発生しやすくするため
に、タンク内にヒータ25を設置してある。Furthermore, the cavitation bubble may be further generated by, for example, exhausting the internal air from the exhaust hole 24 and degassing the liquid in the tank 23 as necessary. Alternatively, a heater 25 is provided in the tank 23 in order to raise the temperature of the liquid in the tank 23 to easily generate cavitation bubbles.
［発明の効果］ 以上の通り、本発明によれば、下記のすぐれた効果を
奏する。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, the following excellent effects can be obtained.
（ａ） 下方から噴射することにより、重力が下方向に
作用するので、低圧水の流量が少くても噴射流は柱状に
保持でき、高圧水との速度差が大きくなり、キャビテー
ションが発生しやすい。(A) By injecting from below, gravity acts downward, so that even if the flow rate of the low-pressure water is small, the jet flow can be maintained in a columnar shape, the speed difference from the high-pressure water increases, and cavitation is likely to occur. .
（ｂ） 下方から噴射するので、ウエハに衝突した水が
落下するので、除去した汚染物が再びウエハに付着する
ことがなく、かつ静電気を発生しにくいので、ウエハの
電気素子の対する静電破壊が生じない。(B) Since water colliding with the wafer drops because it is jetted from below, the removed contaminants do not adhere to the wafer again and static electricity is unlikely to be generated. Does not occur.
（ｃ） キャビテーション効果が大で洗浄効果が大であ
る。(C) The cavitation effect is large and the cleaning effect is large.
第１図は本発明の１実施例を示す断面正面図、第１図Ａ
は他の実施例の要部の正面図、第２図は第１図の部分拡
大断面図、第３図は従来技術を示す断面正面図である。 １、12……ノズル、２……ウエハ、３……チャック、1
4、18……低圧水用配管、15、19……高圧水用配管、2
6、27……噴出口、29……高圧水噴流、30……低圧水噴
流、Ｈ……高圧水噴射ノズル、Ｌ……低圧水噴射ノズ
ル、Ｓ……ウエハ表面FIG. 1 is a sectional front view showing one embodiment of the present invention, and FIG.
2 is a front view of a main part of another embodiment, FIG. 2 is a partially enlarged cross-sectional view of FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional front view showing a conventional technique. 1, 12, nozzle, 2 wafer, 3 chuck, 1
4,18 …… Pipe for low pressure water, 15, 19 …… Pipe for high pressure water, 2
6, 27 ... jetting outlet, 29 ... high-pressure water jet, 30 ... low-pressure water jet, H ... high-pressure water jet nozzle, L ... low-pressure water jet nozzle, S ... wafer surface
フロントページの続き (72)発明者 南 吉夫 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会 社荏原製作所内 (56)参考文献 特開 昭61−8184（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−105376（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−168554（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−18958（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−1764（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭62−190339（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭54−41001（ＪＰ，Ｂ２)Continuation of the front page (72) Inventor Yoshio Minami 11-1 Haneda Asahimachi, Ota-ku, Tokyo Inside Ebara Works Co., Ltd. (56) References JP-A-61-8184 (JP, A) JP-A-1-105376 (JP, A) JP-A-60-168554 (JP, A) JP-A-61-18958 (JP, A) JP-A 62-1764 (JP, U) JP-A 62-190339 (JP, U) JP 54-41001 (JP, B2)
Claims (1)
回転しかつ噴射ノズルから液体をウエハ面へ噴射して該
ウエハを洗浄するジェットスクラバーにおいて、前記ウ
エハの洗浄すべき面は下側に向け、前記噴射ノズルは上
方に向けて液体を噴射する様に前記ウエハの下方に位置
しており、低圧水を噴射する低圧水噴射ノズルと、該低
圧水噴射ノズルに低圧水を供給する低圧水用配管と、前
記低圧水より高圧の高圧水を噴射する高圧噴射ノズル
と、該高圧水噴射ノズルに高圧水を供給する高圧水用配
管とを含み、前記高圧水噴射ノズルから噴射された高圧
水噴流が前記低圧水ノズルから噴射された低圧水噴流中
を通過する際にキャビテーションを形成し、該キャビテ
ーションを含む高圧水噴流と低圧水噴流との混合流がウ
エハ面に衝突する様に低圧水噴射ノズル及び高圧水噴射
ノズルを配設したことを特徴とするジェットスクラバ
ー。1. A jet scrubber for holding a wafer by a chuck, rotating the chuck and jetting a liquid from a jet nozzle onto the wafer surface to wash the wafer, wherein the surface to be cleaned of the wafer faces downward. A low-pressure water jet nozzle for jetting low-pressure water, and a low-pressure water jet nozzle for jetting low-pressure water to the low-pressure water jet nozzle; A high-pressure water jet injected from the high-pressure water injection nozzle, including a pipe, a high-pressure injection nozzle for injecting high-pressure water higher in pressure than the low-pressure water, and a high-pressure water pipe for supplying high-pressure water to the high-pressure water injection nozzle Forms cavitation when passing through the low-pressure water jet jetted from the low-pressure water nozzle, and the mixed flow of the high-pressure water jet and the low-pressure water jet including the cavitation collides with the wafer surface. Jet scrubber, characterized in that arranged the low-pressure water injection nozzles and high pressure water injection nozzles.
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