JPH03139832A - Jet scrubber - Google Patents

Jet scrubber

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Publication number
JPH03139832A
JPH03139832A JP27613089A JP27613089A JPH03139832A JP H03139832 A JPH03139832 A JP H03139832A JP 27613089 A JP27613089 A JP 27613089A JP 27613089 A JP27613089 A JP 27613089A JP H03139832 A JPH03139832 A JP H03139832A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
water
nozzle
chuck
exit
Prior art date
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Pending
Application number
JP27613089A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shosuke Takao
高尾 尚補
Keiji Yokoi
横井 啓二
Yoshio Minami
吉夫 南
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
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Publication date
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  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Separation Of Solids By Using Liquids Or Pneumatic Power (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

PURPOSE:To exhibit sufficient cleaning capability regardless of the type of contaminant by watertightly forming a structure for containing a wafer, a chuck and a nozzle, incorporating water inside it, and mounting the wafer, the chuck for hooding the wafer, and the exit of the nozzle for injecting high pressure water under the water level. CONSTITUTION:High pressure water to be injected from the exit O of a nozzle 1 is fed to the surface of a wafer 2 through the wafer W in a structure 7, and cavitation bubbles are generated by friction with static water W therebetween. The bubbles are ruptured when they reach the surface of the wafer 3 separated by a predetermined distance from the exit O of the nozzle 1 to generate a large impact pressure. Various contaminants on the wafer are removed by the impact pressure. In this case, in order to easily generate the bubbles, the water W is degassed, or the water is heated. Thus, the structure 7 is formed with a cover 14 in a sealing construction, the inside is evacuated, or a heater 26 is installed therein.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、基板即ちウェハをジェット水流により洗浄す
るジェットスクラバーに関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a jet scrubber that cleans a substrate or wafer with a jet of water.

[従来の技術] この様な従来のジェットスクラバーが第2図に示されて
いる。第2図において、被洗浄体である基板(ウェハ)
2は真空作用等によりチャック3上に保持されている。
[Prior Art] Such a conventional jet scrubber is shown in FIG. In Figure 2, the substrate (wafer) that is the object to be cleaned
2 is held on the chuck 3 by vacuum action or the like.

このチャック3は直流電動機5により適当な回転数によ
り回転させられ、かつ上下動機構6により個々のチャッ
ク毎に上下動され得る様になっている。
This chuck 3 is rotated by a DC motor 5 at an appropriate rotational speed, and can be moved up and down by a vertical movement mechanism 6 for each chuck.

ノズル1はそこから噴出する高圧水噴流によりウェハ2
上の面を洗浄するためもので、この高圧水は配管9より
ノズル1へ供給される。また符号4はノズルを揺動する
ための揺動機構を示し、該揺動機構によりノズルから噴
出される高圧水噴流がウェハの面全体に万遍無く衝突す
るようになっている。そして、噴流はウェハ2の面に衝
突した後、配管8を通って下流側(符号10で示す)に
排出される。尚、上述の各種機器類は、構造体7内に収
容されている。
The nozzle 1 releases the wafer 2 by the high-pressure water jet ejected from the nozzle 1.
This high-pressure water is used to clean the upper surface, and is supplied to the nozzle 1 from a pipe 9. Reference numeral 4 indicates a swinging mechanism for swinging the nozzle, and the swinging mechanism allows the high-pressure water jet ejected from the nozzle to evenly impinge on the entire surface of the wafer. After colliding with the surface of the wafer 2, the jet stream passes through the pipe 8 and is discharged downstream (indicated by reference numeral 10). Note that the various devices described above are housed within the structure 7.

[発明が解決しようとする課題] 上記したように、従来のジェットスクラバーではノズル
1から高圧ジェット水流(高圧水噴流)をウェハ2の面
上に噴出させて、この噴流が衝突する力で該ウェハの洗
浄を行っていたが、汚染の種類によっては十分な洗浄効
果が得られないという問題点があった。
[Problems to be Solved by the Invention] As described above, in the conventional jet scrubber, a high-pressure jet water stream (high-pressure water jet) is ejected from the nozzle 1 onto the surface of the wafer 2, and the impact force of this jet stream causes the wafer to be However, depending on the type of contamination, a sufficient cleaning effect may not be obtained.

本発明は上記したような従来技術の問題点に鑑みて提案
されたものであり、汚染の種類がどの様なものであって
も十分な洗浄能力を発揮することが出来るジェットスク
ラバーの提供を目的としている。
The present invention was proposed in view of the problems of the prior art as described above, and the purpose of the present invention is to provide a jet scrubber that can exhibit sufficient cleaning performance regardless of the type of contamination. It is said that

[課題を解決するための手段] 一般に水中において高圧ジェット噴流を対象物の面にあ
てると、キャビテーション気泡により、該面のジェット
噴流があたる部分に壊食が生ずることは良く知られてい
る。本発明は、この壊食効果を洗浄に利用しようとする
ものである。
[Means for Solving the Problem] Generally, it is well known that when a high-pressure jet is applied to the surface of an object underwater, erosion occurs in the portion of the surface that is hit by the jet due to cavitation bubbles. The present invention attempts to utilize this erosion effect for cleaning.

本発明のジェットスクラバーは、ウェハをチャックの上
に保持し、該チャックを回転し且つノズルから前記ウェ
ハ上に高圧水を噴射してウェハの面を洗浄するジェット
スクラバーにおいて、前記ウェハ、チャック、ノズルを
収容する構造体を水密に構成してその内側に水を内蔵し
、前記ウェハとそれを保持するチャックと高圧水を噴射
するノズルの出口とを水面より下側に設置している。
The jet scrubber of the present invention is a jet scrubber that cleans the surface of the wafer by holding a wafer on a chuck, rotating the chuck, and jetting high-pressure water onto the wafer from a nozzle. The structure for accommodating the wafer is configured to be watertight and contains water therein, and the wafer, the chuck that holds it, and the outlet of the nozzle that sprays high-pressure water are installed below the water surface.

本発明の実施に際し、ウェハ面で前記ノズルを横行させ
るような手段を有するのが好ましい。
In carrying out the present invention, it is preferable to have means for moving the nozzle across the wafer surface.

また、前記構造体をカバーで覆い、排気口より排気を行
うことにより、随時このカバー内を真空にすることがで
きるように構成することが好ましい。
Further, it is preferable that the structure is covered with a cover and the inside of the cover can be evacuated at any time by exhausting air from an exhaust port.

さらに、前記構造体の内部に内蔵した水の水温を上昇せ
しめる手段を設けるのが好ましい。
Furthermore, it is preferable to provide means for raising the temperature of the water contained inside the structure.

[作用] 上記のような構成を有する本発明によれば、ノズルから
噴射される高圧水は静水中を通ってウェハ面に到達する
が、この間に高圧水噴流と静水の間で摩擦が起こり、キ
ャビテーション気泡が発生する。このキャビテーション
気泡はウェハ面に達すると破壊して大きな衝撃圧を発生
し、この衝撃圧によってウェハ面上の汚れが除去される
[Function] According to the present invention having the above-described configuration, the high-pressure water jetted from the nozzle passes through still water and reaches the wafer surface, but during this time friction occurs between the high-pressure water jet and the still water. Cavitation bubbles are generated. When the cavitation bubbles reach the wafer surface, they are destroyed and generate a large impact pressure, which removes dirt on the wafer surface.

ここで、前記構造体をカバーで覆い、排気口より排気を
行うことにより、随時このカバー内を真空にすることが
できるように構成し、或いは、前記構造体の内部に内蔵
した水の水温を上昇せしめる手段を設けることにより、
更にキャビテーション気泡を発生しやすくして、キャビ
テーション気泡の破壊による衝撃圧が生じ昌くすること
が可能である。
Here, by covering the structure with a cover and evacuating from the exhaust port, the inside of the cover can be made into a vacuum at any time, or the temperature of the water built inside the structure can be changed. By providing a means to raise the
Furthermore, cavitation bubbles can be easily generated, and impact pressure can be generated by the destruction of the cavitation bubbles.

[実施例コ 以下、第1図を参照して本発明の1実施例について説明
する。なお、第2図の従来技術の構成要素と同一の部材
については同一の符号を付して説明する。
[Example 1] An example of the present invention will be described below with reference to FIG. Note that the same members as those of the prior art shown in FIG. 2 will be described with the same reference numerals.

第1図において、ウェハ2を載置(保持)したチャック
3が設けられている。ここで、ウェハ2を保持するチャ
ック3は水密性のあるシール24を貫通する軸27によ
って、直流電動機5により回転させられ、父上下動機構
6により上下動させられる。
In FIG. 1, a chuck 3 on which a wafer 2 is placed (held) is provided. Here, the chuck 3 holding the wafer 2 is rotated by a DC motor 5 through a shaft 27 passing through a watertight seal 24, and is moved up and down by a father vertical movement mechanism 6.

ウェハ2、チャック3及び後述のノズル1等を収容する
構造体7は水密に構成されており、その内部には水Wが
内蔵されている。そして、ウェハ2、チャック3及びウ
ェハを洗浄するノズル1の出口0は水面下に設置されて
いる。このノズル1をウェハ2の面上の中心線上を右行
或いは左行するために、横行機構11がノズル1に接続
されている。
A structure 7 that houses the wafer 2, the chuck 3, the nozzle 1, etc. described below, is configured to be watertight, and contains water W therein. The wafer 2, the chuck 3, and the outlet 0 of the nozzle 1 for cleaning the wafer are installed below the water surface. A traverse mechanism 11 is connected to the nozzle 1 in order to move the nozzle 1 to the right or left on the center line on the surface of the wafer 2.

この横行機構11は、スクリュウネジ12及びこれを回
転させるモータ13により右行、左行するように構成さ
れている。但し、この横行機構はあくまで一例であり、
他の手段を用いてノズル1を横行させることが可能であ
る。例えば第2図のような揺動機構4を用いても良い。
This transverse mechanism 11 is configured to move rightward and leftward by a screw 12 and a motor 13 that rotates it. However, this traverse mechanism is just an example;
It is possible to traverse the nozzle 1 using other means. For example, a swinging mechanism 4 as shown in FIG. 2 may be used.

ノズル1に供給される高圧水はタンク20から供給され
ポンプ19により高圧化されて、配管18及びフレキシ
ブルホー16を介してノズル1の出口Oから噴出される
High-pressure water supplied to the nozzle 1 is supplied from a tank 20, is increased in pressure by a pump 19, and is ejected from an outlet O of the nozzle 1 via a pipe 18 and a flexible hole 16.

ウェハ2、チャック3及びノズル1等を収容する構造体
7はカバー14によって覆われており、従って水面17
、横行機構11等も該カバー14で覆われていて、この
部分は密閉構造となっている。そして、排気口21を介
して図示しないポンプにより、カバー14で覆われた空
間Sを排気して真空状態とし、構造体7内部の水Wの脱
気を行うことができる。なお、脱気完了後の大気圧開放
は、排気口21より下流側にある図示しない機構によっ
て行われる。
The structure 7 that houses the wafer 2, chuck 3, nozzle 1, etc. is covered by a cover 14, so that the water surface 17
, the traversing mechanism 11, etc. are also covered with the cover 14, and this part has a sealed structure. Then, the space S covered by the cover 14 is evacuated to a vacuum state by a pump (not shown) through the exhaust port 21, and the water W inside the structure 7 can be degassed. Note that the release of atmospheric pressure after the completion of deaeration is performed by a mechanism (not shown) located downstream of the exhaust port 21.

空間Sを排気して真空状態とする機構に加えて、第1図
の実施例では、構造体7内部の水Wの水温をヒータ26
により上昇させることもできるように構成されている。
In addition to the mechanism for evacuating the space S to create a vacuum state, in the embodiment shown in FIG.
It is also configured so that it can be raised by

この水の供給は給水口22を介して行われ、排水は排水
口23を介して行なわれる。
This water is supplied through the water supply port 22 and drained through the drain port 23.

次に第1図の実施例の作用について説明する。Next, the operation of the embodiment shown in FIG. 1 will be explained.

ノズル1の出口Oより噴出される高圧水は構造体7内部
の水Wの中を通ってウェハ2の面に達するが、この間に
静水Wとの摩擦によりキャビテーション気泡を生成する
。このキャビテーション気泡はノズル1の出口Oより一
定の距離をもったウェハ2の面に達した時に破壊して大
きな衝撃圧を発生する。この衝撃圧により、ウェハ面上
に存在する各種汚染が除去されるのである。
The high-pressure water ejected from the outlet O of the nozzle 1 passes through the water W inside the structure 7 and reaches the surface of the wafer 2, but during this time, cavitation bubbles are generated due to friction with the static water W. When the cavitation bubbles reach the surface of the wafer 2 at a certain distance from the outlet O of the nozzle 1, they are destroyed and generate a large impact pressure. This impact pressure removes various contaminants present on the wafer surface.

この際にキャビテーション気泡を発生しやすくするため
、前述のようにこの静水Wを脱気したり、水温を上昇さ
せたりするため、カバー14によって構造体7を密閉構
造として且つその内部を真空状態とし、或いはヒーター
26を設置しである。
In order to facilitate the generation of cavitation bubbles at this time, the structure 7 is made into a sealed structure with the cover 14 and the inside thereof is kept in a vacuum state in order to deaerate the static water W and increase the water temperature as described above. , or by installing a heater 26.

尚、ウェハ2の洗浄後、該ウェハをチャック3毎に水面
17よりも上昇せしめ、その後にチャック3を高速で回
転させて、除去された汚染物質を遠心力により外部に放
出し、同時にウェハ2の面を乾燥させて洗浄サイクルを
終了させている。
After cleaning the wafer 2, the wafer is raised above the water surface 17 using each chuck 3, and then the chuck 3 is rotated at high speed to release the removed contaminants to the outside by centrifugal force. The cleaning cycle is completed by drying the surface.

[発明の効果] 本発明のジェットスクラバーの効果を以下に列挙する。[Effect of the invention] The effects of the jet scrubber of the present invention are listed below.

(1) 従来のジェットスクラバーでは除去し得なかっ
たような種類の汚染であっても洗浄して除去することが
できる。
(1) Even types of contamination that cannot be removed with conventional jet scrubbers can be cleaned and removed.

(2) 洗浄性能が向上し、洗浄されたウェハより製造
される各種半導体チップの歩留まりが向上する。
(2) Cleaning performance is improved, and the yield of various semiconductor chips manufactured from cleaned wafers is improved.

(3) ウェハ、チエツク、ノズル出口部分を水中に入
れるという簡単な構造なので、製造コスト等が安い。
(3) The manufacturing cost is low because it has a simple structure in which the wafer, check, and nozzle outlet are placed in water.

(4) ウェハ、チャック及びノズル等を収容する構造
体をカバーで覆い、排気口より排気を行うことにより、
随時このカバー内を真空にすることができるように構成
するか、或いは、前記構造体の内部に内蔵した水の水温
を上昇せしめる手段を設けることにより、キャビテーシ
ョン気泡の発生量を向上して、より大きな洗浄効果を得
ることが出来る。
(4) By covering the structure housing the wafer, chuck, nozzle, etc. with a cover and exhausting air from the exhaust port,
By configuring the cover so that it can be evacuated at any time, or by providing a means for increasing the temperature of the water contained inside the structure, the amount of cavitation bubbles generated can be increased. A great cleaning effect can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の1実施例を示す断面正面図、第2図は
従来技術を示す断面正面図である。 1・・・ノズル  2・・・ウェハ  3・・・チャッ
ク7・・・構造体  17・・・水面  W・・・構造
体内部に内蔵された水 第tm
FIG. 1 is a sectional front view showing one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional front view showing a conventional technique. 1... Nozzle 2... Wafer 3... Chuck 7... Structure 17... Water surface W... Water built inside the structure tm

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  ウェハをチャックの上に保持し、該チャックを回転し
且つノズルから前記ウェハ上に高圧水を噴射してウェハ
の面を洗浄するジェットスクラバーにおいて、前記ウェ
ハ、チャック、ノズルを収容する構造体を水密に構成し
てその内側に水を内蔵し、前記ウェハとそれを保持する
チャックと高圧水を噴射するノズルの出口とを水面より
下側に設置したことを特徴とするジェットスクラバー。
In a jet scrubber that holds a wafer on a chuck, rotates the chuck, and sprays high-pressure water onto the wafer from a nozzle to clean the surface of the wafer, the structure housing the wafer, chuck, and nozzle is watertight. What is claimed is: 1. A jet scrubber, characterized in that the wafer, a chuck for holding the wafer, and a nozzle outlet for ejecting high-pressure water are installed below the water surface.
JP27613089A 1989-10-25 1989-10-25 Jet scrubber Pending JPH03139832A (en)

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