JP2884774B2 - 情報記憶装置及びその製法 - Google Patents

情報記憶装置及びその製法

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JP2884774B2 JP2400092A JP40009290A JP2884774B2 JP 2884774 B2 JP2884774 B2 JP 2884774B2 JP 2400092 A JP2400092 A JP 2400092A JP 40009290 A JP40009290 A JP 40009290A JP 2884774 B2 JP2884774 B2 JP 2884774B2
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    • G11B5/4826—Mounting, aligning or attachment of the transducer head relative to the arm assembly, e.g. slider holding members, gimbals, adhesive
    • G11B5/483—Piezo-electric devices between head and arm, e.g. for fine adjustment

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は情報記憶装置とその製法
に係り、特にコンピュータやワードプロセッサなどの情
報処理機器の外部メモリ装置として有用な情報記憶装置
とその製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスクや光ディスクに代表される
情報記憶装置はコンピュータやワードプロセッサ、デー
タファイリングシステムなどの情報処理機器の外部メモ
リ装置として用いられており、情報処理機器の処理速度
の高速化に伴い、情報記憶容量の増大とアクセス速度の
高速化が望まれている。
【０００３】情報記憶容量を大きくするためには、情報
記録媒体と情報記録検出ヘッド（情報記録媒体に情報を
記録し、または情報記録媒体から情報を検出するヘッド
のこと。以下、単にヘッドという。）の間隔とその変動
の低減が必要である。
【０００４】一般に普及している情報記憶装置において
は、ディスク形状を有する情報記録媒体を回転させ、そ
の近傍にヘッドを装着した空気軸受構造体（以下、スラ
イダということもある。）を接近させる。その結果生じ
る情報記録媒体とスライダとの間の空気流による浮力
と、スライダを支持する片持ちはり状のロードアームの
押しつけ力の均衡により、前記間隔（以下、浮上量とい
う。）が適宜決定され、情報の記録及び検出が行われ
る。
【０００５】浮上量を安定に維持する為に各種の方式が
提案されている。例えば、特開昭６３−９９４７９号公
報に記載のように浮上量測定器で浮上量を検出し、適正
値からの変動をロードアームに装着された圧電素子など
のアクチュエータにより補正する方式がある。また特開
昭６２−１６７６８１号公報に記載のように、大小２個
のスライダをアクチュエータで接続し、小さい方のスラ
イダにヘッドを装着する方式がある。
【０００６】以上の例はスライダに情報記録媒体から離
れる方向の力（以下、正の浮力という。）のみが働くい
わゆる正圧スライダに関するものであったが、その反対
方向の力（以下、負の浮力という。）も同時に働くいわ
ゆる負圧スライダが提案されている。
【０００７】負圧スライダは記憶容量の増加に伴って必
要性が増大するもので、正圧を発生させる一対のフラッ
トレール部と空気流の上流側を塞ぐクロスレール部とで
三方を囲まれた負圧ポケットにおいて発生する空気流の
膨張により若干空気圧が下がる現象（即ち負圧の発生）
を利用して、自分自身に対し情報記録媒体に近づく方向
の力（即ち負の浮力）を作用させるスライダである。
【０００８】そして情報記録媒体が停止しているときは
スライダが接続しているいわゆる接触起動方式において
は、スライダに情報記録媒体の方向への力が働くために
ロードアームの押しつけ力を小さくでき、その結果とし
て情報記録媒体及びスライダの摺動寿命が改善されると
いう利点がある。また非接触状態においても負圧スライ
ダのセルフローディング特性が向上するという効果があ
る。
【０００９】負圧スライダの浮上量とその変動を低減す
る方法として特公昭６３−２１２７２号公報に記載のよ
うに、正圧を発生させるテーパ部及びフラットレール
部、負圧を発生させる負圧ポケット、情報記録媒体に対
する面と反対側の面（以下、大気側という。）と負圧ポ
ケットを結ぶ通気孔、大気側に設置された通気孔を塞ぐ
カンチレバー、並びにヘッドから構成される負圧スライ
ダが提案されている。この方式なら、負圧スライダにバ
ルブを設けることにより浮力の調節が可能となり起動直
後の浮上量の変動を少なくすることができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】正圧スライダの従来例
として挙げた浮上量測定器で浮上量を検出し、適正値か
らの変動をロードアームに装着された圧電素子などのア
クチュエータにより補正する方式によると、浮上量の閉
ループ制御が可能になるが、スライダとロードアーム全
体をアクチュエータで変位させる為に浮上量の変動に対
する応答性が必ずしも充分とはいえない。また、大小２
個のスライダをアクチュエータで接続し、小さい方のス
ライダにヘッドを装着する方式では浮上量を適正値に固
定することが難しい。
【００１１】一方、負圧スライダの従来技術はいずれも
製法上の配慮がなされておらず、圧電素子の接着方法な
どの点で実現性が乏しい。また、通気孔の開閉のみの制
御であるため、浮力の調節範囲に限界があった。
【００１２】本発明の目的は、浮上量が低くかつ浮上量
の変動を少なく抑えることのできる負圧スライダを有す
る大容量の情報記憶装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的は浮力調節機構
を単結晶Ｓｉ基板などの半導体基板上に微細加工技術に
より微小構造体として集積化し、負圧スライダに基板ご
と接着することにより達成される。またその微小構造体
の形状が外部からの印加電圧の制御により大きく変化す
るよう構成することにより達成される。
【００１４】本発明の情報記憶装置は、相対的に移動す
る情報記録媒体と、この情報記録媒体に隣接するヘッド
と、このヘッドと前記情報記録媒体との間隔すなわち浮
上量の測定器と、この浮上量を一定に維持する制御手段
を有する空気軸受構造体（スライダ）とを具備するもの
である。ここでヘッドは情報記録媒体に情報を記録し或
いは情報記録媒体から情報を検出する部品である。
【００１５】本発明の情報記憶装置は、空気軸受構造体
が負の浮力を発生させる負圧ポケットと負の浮力を調節
する手段とを形成した半導体基板を具備してなることを
特徴とする。尚、この情報記憶装置はヘッドと情報記録
媒体との間隔（すなわち浮上量）が０．１μｍ以下に制
御され、情報記録密度が５×１０5ｂｉｔ／ｍｍ2以上で
あることが望ましい。ここで、負の浮力を調節する手段
はマイクロバルブか可動フラッタであることが好まし
い。
【００１６】その代案としての情報記憶装置は、空気軸
受構造体が負の浮力を発生させる負圧ポケットと正の浮
力を調節する手段とを形成した半導体基板を具備してな
ることを特徴とする。尚、この情報記憶装置においても
ヘッドと情報記録媒体との間隔（浮上量）が０．１μｍ
以下に制御され、情報記録密度が５×１０5ｂｉｔ／ｍ
ｍ2以上であることが望ましい。ここで、正の浮力を調
節する手段は可動フラッタであることが好ましい。
【００１７】マイクロバルブは、負圧ポケットの底面か
ら空気軸受構造体の大気側に貫通する通気孔と、この通
気孔を塞ぐように負圧ポケットの底面に位置しその中を
流れる空気の量を調節する部材からなることが好まし
い。この空気の量を調節する部材は可動ブリッジまたは
可動カンチレバーであることが好ましい。
【００１８】浮力調節手段に用いる可動フラッタは負の
浮力調節用の場合、負圧ポケットの負の浮力が作用する
段差部に位置する可動カンチレバーであることが好まし
い。
【００１９】いずれにせよ可動カンチレバーや可動ブリ
ッジは、圧電ユニモルフ、圧電バイモルフ及び静電アク
チュエータから選ばれるものであることが望ましい。
【００２０】また本発明の情報記憶装置は空気軸受構造
体が負の浮力を発生させる負圧ポケットを半導体基板に
形成してなり、かつヘッドと情報記録媒体との距離は
０．１μｍ以下に制御され、情報記録密度が５×１０5
ｂｉｔ／ｍｍ2以上であることを特徴とする。
【００２１】尚、半導体基板はＳｉ基板または感光性ガ
ラス基板であることが望ましい。
【００２２】本発明の情報記憶装置の製法は、空気軸受
構造体の材料からなる基板上にヘッドを形成する工程
と、この基板を分割して前記空気軸受構造体を機械加工
にて成型する工程と、半導体材料からなる基板上に負圧
ポケット並びにマイクロバルブ或いは可動フラッタを形
成する工程と、この基板を分割して空気軸受構造体の情
報記録媒体に隣接する面に接合する工程とを有すること
を特徴とする。
【００２３】半導体材料からなる基板上に負圧ポケット
並びにマイクロバルブ或いは可動フラッタを形成する工
程は、少なくとも薄膜形成工程、微細パターンの露光工
程、並びに異方性及び等方性エッチング技術による成形
工程を有することが実用的である。また接合工程は接合
温度を２５０℃以下とし、無機材料或いは金属によるろ
う付け或いは陽極接合であることが好ましい。
【００２４】
【作用】負圧ポケットを半導体基板のエッチングにより
形成すると、従来のように難削材であるスライダ材（Ｚ
ｒＯ2など）を複雑な形状に研削する必要がなくなるの
で、低コストで容易に負圧スライダを得ることができ
る。
【００２５】また浮力調節機構を負圧ポケットと同じ基
板の上に形成したので、従来のように非常に微小な可動
機構をスライダに接着する必要がなくなり、従来よりも
大きな部品を接着することにより、組み立てしやすくな
る。
【００２６】
【実施例】以下、本発明の実施例につき図面に従って説
明する。
【００２７】図１は本発明の実施例装置の側面図であ
る。負圧スライダ１がロードアーム５によって支持され
る。磁気ディスクや光ディスクなどの情報記録媒体７が
回転軸８の回りで回転する際、空気の流れにより負圧ス
ライダ１に正の浮力が働き、ロードアーム５の押し付け
力との均衡により負圧スライダ１と情報記録媒体７の間
に適宜間隔が発生する。この間隔を浮上量という。
【００２８】負圧スライダ１の情報記録媒体７の径方向
に対する位置決めは、例えばボイスコイルモータや圧電
素子などのアクチュエータ６により行われる。
【００２９】図２は図１の負圧スライダ１のＡ−Ａ′断
面図である。負圧スライダ１の一側面に情報記録検出ヘ
ッド４が設置されていて、適宜決定される浮上量の距離
を置いて情報記録媒体７の表面に磁気的或いは光学的な
情報を記録し、また逆に情報を検出するように動作す
る。
【００３０】浮上量は負圧スライダ１の形状、ロードア
ーム５の押し付け力や情報記録媒体７の回転数等によ
り、受動的（パッシブ）に決定されるが、本発明では更
に積極的（アクティブ）に制御する負圧スライダが対象
である。
【００３１】図１において、負圧スライダ１の一側面に
浮上量制御手段の一部をなす浮上量測定器３が設置され
ていて、常時浮上量を検出している。浮上量測定器３の
具体例としては、例えば容量検出方式、光学方式や超音
波方式などの方式が考えられるが、本発明の場合には半
導体製造技術による超小形の集積型検出器が特に有効で
ある。
【００３２】更に負圧スライダ１の情報記録媒体７に向
い合う面（以下、浮動面という。）に浮上量制御手段の
中枢部である浮力調節機構２が設置されている。
【００３３】本実施例によれば、負圧スライダ１のロー
ドアーム（ジンバル）５との連結部や各側面の構造に大
きな変更を伴わずに実施可能である。
【００３４】図３〜図５に浮力調節機構の一実施例を示
す。図３は負圧スライダを浮動面側からみた斜視図であ
る。本実施例では浮力調節機構は単結晶Ｓｉ基板２０上
に形成された負圧ポケット２１とマイクロバルブ２２か
らなる。負圧ポケット２１はＫＯＨ（水酸化カリウム）
水溶液による単結晶Ｓｉの異方性エッチング技術を用い
て、数μｍから数十μｍの深さに形成した。この方法に
よると、従来の研削などの機械加工法による場合に比べ
て、短時間に精度良くしかも微小なクラックの発生もな
い加工形状が得られる。マイクロバルブ２２の駆動方式
としては、静電引力を用いる場合と圧電歪を用いる場合
がある。負圧スライダ１の側面には浮上量測定器３が設
置されている。
【００３５】図４は静電引力を駆動源とするマイクロバ
ルブ２２で図３に示した平面ＢＣＤによる縦断面図であ
る。
【００３６】単結晶Ｓｉ基板２０上には４つの層からな
る可動ブリッジ２２が形成されている。このうち最上層
は可動電極２２１、上から２番目の層は絶縁層２２２、
三番目の層は空隙２２３、最下層は固定電極２２４であ
る。それぞれの厚さは１μｍ〜１０μｍが望ましい。可
動電極２２１及び固定電極２２４の材料としては例えば
Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ，ＴｉやＳｉなどの導電性を有する金
属や半導体薄膜が好適である。絶縁層２２２の材料とし
ては例えばＳｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4やＡｌ2Ｏ3などのセラミ
クスか或いはポリイミド等のプラスチックが好適であ
る。
【００３７】これらの薄膜は例えばスパッタリング，蒸
着，化学的気相成長（ＣＶＤ）やメッキ等の薄膜形成技
術により形成される。そしてこれらは露光技術及びエッ
チング成形技術により微細なパターンに成形される。以
上の技術を微細加工技術と総称する。
【００３８】更に、固定電極２２４から異方性エッチン
グにより単結晶Ｓｉ基板２０に、そして機械加工により
負圧スライダ１に通気孔９が設けられている。
【００３９】この構成において可動電極２２１と固定電
極２２４にそれぞれリード線を周知のハンダ付けやさら
に好適には超音波ボンディングにより接続し、そのリー
ド線を外部固定台に設置された直流電源に接続する。そ
してこの両電極間に直流電圧を印加すると、可動電極２
２１が静電引力によりたわみ変形を起こし、通気孔９が
閉塞されて、結果として負の浮力が大きくなる。ここで
直流電圧の高低を調節することにより、通気孔９の空気
流のコンダクタンスが変化し、負の浮力の大きさを調節
することができる。
【００４０】次に浮力の調節方法を説明する。浮上量測
定器３（図１参照）により常時検出している浮上量が予
め情報記録検出に最適な浮上量（例えば０．１μｍ）に
比べて高い場合は、両者の差に応じた電圧値だけ直流電
圧を下げることにより、可動電極２２１のたわみ変形が
小さくなり、通気孔９の空気流のコンダクタンスが小さ
くなる。その結果、負圧が高くなり負圧スライダ１が情
報記録媒体７（図１参照）に接近する方向に浮上量が調
節される。もちろんこの逆も成り立つ。この一連の動作
は、直流電源に接続された制御回路によって行われ、浮
上量の閉ループ制御を実現する。
【００４１】図５は圧電歪を駆動源とするマイクロバル
ブ２２の縦断面図である。単結晶Ｓｉ基板２０の上に微
細加工技術により３つの層からなる可動ブリッジ２２が
形成されている。このうち最上層と最下層はそれぞれ可
動電極２２１、２２３で中間層は圧電材料からなる歪発
生層２２２である。この可動ブリッジ２２の下には空隙
２２４が設けられている。更に単結晶Ｓｉ基板２０とス
ライダ１には通気孔９が設けられている。
【００４２】この構成において可動電極２２１、２２３
にそれぞれリード線を周知のハンダ付けやさらに好適に
は超音波ボンディングにより接続し、そのリード線を外
部固定台に設置された直流電源に接続する。そしてこの
両電極間に直流電圧を印加すると歪発生層２２２が横方
向に伸びるために、ブリッジ全体としてはたわみ変形を
起こし、結果として通気孔９の空気流のコンダクタンス
が変化し、負の浮力の大きさを調節することができる。
この調節方法は図４の場合と同様である。
【００４３】次に浮力調節機構の他の実施例を図６から
図８を用いて説明する。図６は負圧スライダであり図３
に示した平面ＢＣＤで切断したものの斜視図である。本
実施例においてはマイクロバルブ２２の他の構成として
可動カンチレバーが用いられている。
【００４４】図７は静電引力を駆動源とするマイクロバ
ルブ２２の縦断面図である。単結晶Ｓｉ基板２０の上に
微細加工技術により４つの層からなる可動カンチレバー
が形成されている。この層構造は図４の可動ブリッジの
ものと同じである。ただ、可動部品の支持点が一ヶ所で
あるという点で可動ブリッジとは異なる。この場合両端
が固定された可動ブリッジに比較して一定の印加電圧に
よるたわみ変化量が大きくなるので、浮力の調節範囲が
広くなるという効果がある。なお、電圧の印加方法は図
４の場合と同様である。
【００４５】図８は圧電歪を駆動源とするマイクロバル
ブ２２の縦断面図である。この場合の層構造は図５の可
動ブリッジのものと同じである。そして電圧の印加方法
も図５の場合と同様である。
【００４６】次に、浮力調節機構の他の実施例を図９か
ら図１１を用いて説明する。図９は図６と同じ表示法に
よる負圧スライダである。本実施例では浮力調節機構は
微細加工技術により単結晶Ｓｉ基板２０の上に形成され
た可動フラッタ２３である。図１０及び図１１はそれぞ
れ静電引力及び圧電歪を駆動源とする可動フラッタ２３
の縦断面図である。それぞれ図７及び図８と同じ層構造
及び圧電印加手段を有する可動カンチレバーで、その先
端部２４が図９における負圧ポケット２１を形成する段
差部として作用する。すなわち電気的入力によりカンチ
レバーが上下に動くと負圧ポケット２１の深さが変化し
たことになる。そして負の浮力は負圧ポケット２１が深
いほど大きく浅いほど小さくなる。本構造においてはマ
イクロバルブは不必要であるので負圧スライダ１に通気
孔を穿孔する必要がなく、製作工程が極めて簡単であ
る。
【００４７】次に、浮力調節機構の更に他の実施例を図
１２を用いて説明する。単結晶Ｓｉ基板２０の上に微細
加工技術により負圧ポケット２１と負圧スライダ１の情
報記録検出ヘッド４が設置されている側面に、その先端
が位置するように配置された可動フラッタ２３とが形成
されている。可動フラッタ２３の構造は図７及び図８と
全く同じでカンチレバーである。また電圧の印加方法は
図７及び図８の場合と同じである。この構造により負圧
ポケットにおいてその深さに対応した一定の負の浮力が
発生し、更に印加電圧を変化させて可動フラッタ２３を
上下運動させることにより、負圧スライダ１のヘッド４
が設置されている側面と浮動面とでできる角の部分に働
く正圧すなわち正の浮力を調節することができる。この
場合は可動フラッタ２３の先端が負圧スライダ１から離
れるほど正の浮力が大きくなる。
【００４８】次に、負圧スライダ全体の製法の実施例を
以下に示す。 （１）ＺｒＯ2やＴｉＯ2を主成分とするセラミックスか
らなるスライダ材の基板上に情報記録検出ヘッドを形成
する。 （２）長さ約２〜４ｍｍ、幅約１．５〜３ｍｍ、厚さ約
０．５〜１ｍｍのスライダの形状に機械加工により成形
する。 （３）Ｓｉ，感光性ガラスなどの半導体材料からなる基
板上にスパッタリング、蒸着、化学的気相成長（ＣＶ
Ｄ）やメッキなどの薄膜形成技術と微細パターンの露光
技術と異方性及び等方性エッチング技術による成形技術
からなる微細加工技術を用いて、負圧ポケット、マイク
ロバルブや可動フラッタ、通気孔などで構成される浮力
調節機構を形成する。 （４）長さ約２〜４ｍｍ、幅約１〜２ｍｍのチップに割
断する。 （５）スライダと浮力調節機構を接合により組み立て
る。
【００４９】上記製法の内、半導体基板として感光性ガ
ラスを用いる場合、異方性エッチングは次のように行わ
れる。すなわち感光性ガラスに後の工程で除去したい微
細パターンの箇所に紫外線を露光して相変化を発生させ
たあと、ウエットエッチングを行うことにより露光した
部分のみが除去される。
【００５０】次に、接合による組み立て例について述べ
る。スライダと浮力調節機構の間にＩｎＳｎ合金をはさ
み接合温度２５０℃以下で加圧力０．１ｋｇｆ／ｍｍ2
程度で加圧することによりろう付けを行う。或いは軟化
点２５０℃程度の低融点ガラスにより接着する。或いは
また、スライダ側の接合面に金属を成膜したあと、浮力
調節機構を加圧しながら２５０℃程度に加熱した状態
で、金属と半導体基板の間に数十Ｖから数百Ｖの電圧を
印加することにより、陽極接合を行う。この接合技術は
電圧印加接合とも呼ばれイオン導電性を有する部材同士
或いは金属を静電力を利用して接合するものである。
【００５１】
【発明の効果】本発明によれば、スライダに浮力調節機
構を容易に組み込めるので、浮上量の制御が可能なスラ
イダの製造が容易である。またスライダの負圧ポケット
とマイクロバルブの通気孔を流れる空気流を大きく変化
させることができるので、浮力の調節範囲が広がる。
【００５２】以上のように、スライダの浮上量の変動を
少なく抑えることができるので、浮上量の低減が可能と
なり、大容量の情報記憶装置が実現できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係る情報記憶装置の側面図
である。
【図２】図１のＡ−Ａ′線断面図である。
【図３】本発明の実施例に用いる負圧スライダを浮動面
側から見た斜視図である。
【図４】図３の負圧スライダのマイクロバルブの一例の
縦断面図である。
【図５】図３の負圧スライダのマイクロバルブの他の例
の縦断面図である。
【図６】本発明の第２実施例で図３に示した平面ＢＣＤ
で切断した斜視図である。
【図７】図６の負圧スライダのマイクロバルブの一例の
縦断面図である。
【図８】図６の負圧スライダのマイクロバルブの他の例
の縦断面図である。
【図９】本発明の第３実施例で図３に示した平面ＢＣＤ
で切断した斜視図である。
【図１０】図９の負圧スライダの可動フラッタの一例の
縦断面図である。
【図１１】図９の負圧スライダの可動フラッタの他の例
の縦断面図である。
【図１２】本発明の第４実施例で図３に示した平面ＢＣ
Ｄで切断した斜視図である。
【符号の説明】
１…負圧スライダ、２…浮力調節機構、３…浮上量測定
器、４…情報記録検出ヘッド、５…ロードアーム、６…
アクチュエータ、７…情報記録媒体、９…通気孔、２１
…負圧ポケット、２２…マイクロバルブ、２３…可動フ
ラッタ。
フロントページの続き (72)発明者 河野 顕臣 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社 日立製作所機械研究所内 (72)発明者 森 健次 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社 日立製作所機械研究所内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 21/21 G11B 21/21 101

Claims (18)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】相対的に移動する情報記録媒体と、該情報
    記録媒体に隣接する情報記録検出用ヘッドと、該ヘッド
    と前記情報記録媒体との間隔を測定する浮上量測定器
    と、該浮上量を一定に維持する制御手段とを有する空気
    軸受構造体を具備する情報記憶装置において、前記空気
    軸受構造体は負の浮力を発生させる負圧ポケットと負の
    浮力を調節する手段とを形成した半導体基板を前記情報
    記憶媒体と向かいあう面に具備してなることを特徴とす
    る情報記憶装置。
  2. 【請求項２】相対的に移動する情報記録媒体と、該情報
    記録媒体に隣接する情報記録検出用ヘッドと、該ヘッド
    と前記情報記録媒体との間隔を測定する浮上量測定器
    と、該浮上量を一定に維持する制御手段を有する空気軸
    受構造体とを具備する情報記憶装置において、前記空気
    軸受構造体は負の浮力を発生させる負圧ポケットと負の
    浮力を調節する手段とを形成した半導体基板を前記情報
    記録媒体と向かいあう面に具備してなり、かつ前記浮上
    量は０．１μｍ以下に制御され、情報記録密度が５×１
    ０5ｂｉｔ／ｍｍ2以上であることを特徴とする情報記憶
    装置。
  3. 【請求項３】請求項１または２において、前記負の浮力
    を調節する手段はマイクロバルブであることを特徴とす
    る情報記憶装置。
  4. 【請求項４】請求項１または２において、前記負の浮力
    を調節する手段は可動フラッタであることを特徴とする
    情報記憶装置。
  5. 【請求項５】請求項４において、前記可動フラッタは前
    記負圧ポケットの負の浮力が作用する段差部に位置する
    可動カンチレバーであることを特徴とする情報記憶装
    置。
  6. 【請求項６】相対的に移動する情報記録媒体と、該情報
    記録媒体に隣接する情報記録検出用ヘッドと、該ヘッド
    と前記情報記録媒体との間隔を測定する浮上量測定器
    と、該浮上量を一定に維持する制御手段を有する空気軸
    受構造体とを具備する情報記憶装置において、前記空気
    軸受構造体は負の浮力を発生させる負圧ポケットと正の
    浮力を調節する手段とを形成した半導体基板を前記情報
    記録媒体と向かいあう面に具備してなることを特徴とす
    る情報記憶装置。
  7. 【請求項７】相対的に移動する情報記録媒体と、該情報
    記録媒体に隣接する情報記録検出用ヘッドと、該ヘッド
    と前記情報記録媒体との間隔を測定する浮上量測定器
    と、該浮上量を一定に維持する制御手段を有する空気軸
    受構造体とを具備する情報記憶装置において、前記空気
    軸受構造体は負の浮力を発生させる負圧ポゲットと正の
    浮力を調節する手段とを形成した半導体基板を前記情報
    記録媒体と向かいあう面に具備してなり、かつ前記浮上
    量は０．１μｍ以下に制御され、情報記録密度が５×１
    ０5ｂｉｔ／ｍｍ2以上であることを特徴とする情報記憶
    装置。
  8. 【請求項８】請求項６または７において、前記正の浮力
    を調節する手段は可動フラッタであることを特徴とする
    情報記憶装置。
  9. 【請求項９】請求項３において、前記マイクロバルブは
    前記負圧ポケットの底面から前記空気軸受構造体の大気
    側に貫通する通気孔と該通気孔を塞ぐように該負圧ポケ
    ットの底面に位置しその中を流れる空気の量を調節する
    部材からなることを特徴とする情報記憶装置。
  10. 【請求項１０】請求項９において、前記空気量を調節す
    る部材は可動ブリッジであることを特徴とする情報記憶
    装置。
  11. 【請求項１１】請求項９において、前記空気量を調節す
    る部材は可動カンチレバーであることを特徴とする情報
    記憶装置。
  12. 【請求項１２】請求項５または１１において、前記可動
    カンチレバーは、圧電ユニモルフ、圧電バイモルフ並び
    に静電アクチュエータから選ばれるものであることを特
    徴とする情報記憶装置。
  13. 【請求項１３】請求項１０において、前記可動ブリッジ
    は、圧電ユニモルフ、圧電バイモルフ並びに静電アクチ
    ュエータから選ばれるものであることを特徴とする情報
    記憶装置。
  14. 【請求項１４】相対的に移動する情報記録媒体と、該情
    報記録媒体に隣接する情報記録検出用ヘッドと、該ヘッ
    ドと前記情報記録媒体との間隔を測定する浮上量測定器
    と、該浮上量を一定に維持する制御手段を有する空気軸
    受構造体とを具備する情報記憶装置において、前記空気
    軸受構造体は負の浮力を発生させる負圧ポケットを形成
    した半導体基板を前記情報記録媒体と向かいあう面に具
    備してなり、かつ前記浮上量は０．１μｍ以下に制御さ
    れ、情報記録密度が５×１０5ｂｉｔ／ｍｍ2以上である
    ことを特徴とする情報記憶装置。
  15. 【請求項１５】請求項１、２、６または７において、前
    記半導体基板はＳｉ基板または感光性ガラス基板である
    ことを特徴とする情報記憶装置。
  16. 【請求項１６】空気軸受構造体の材料からなる基板上に
    ヘッドを検出する工程と、該基板を分割して前記空気軸
    受構造体を機械加工にて成型する工程と、半導体材料か
    らなる基板上に負圧ポケット並びにマイクロバルブ或い
    は可動フラッタを形成する工程と、該基板を分割して空
    気軸受構造体の情報記録媒体に隣接する面に接合する工
    程とを有することを特徴とする情報記憶装置の製法。
  17. 【請求項１７】請求項１６において、前記半導体材料か
    らなる基板上に負圧ポケット並びにマイクロバルブ或い
    は可動フラッタを形成する工程は、少なくとも薄膜形成
    工程、微細パターンの露光工程、並びに異方性及び等方
    性エッチング技術による成形工程を有することを特徴と
    する情報記憶装置の製法。
  18. 【請求項１８】請求項１６において、前記接合工程は接
    合温度を２５０℃以下とし、ろう付け或いは陽極接合で
    あることを特徴とする情報記憶装置の製法。
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