JP2877395B2 - sicを用いたトランジスタ - Google Patents
sicを用いたトランジスタInfo
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1608—Silicon carbide
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Description
【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明はSiCを用いたトランジスタに関する。
(ロ)従来の技術 SiCは熱的、化学的に強く、また耐放射線性に富んで
いるので宇宙空間などの苛酷な環境下で使用できる耐環
境デバイスの材料として注目を集めている。耐環境デバ
イスの代表として信号のスイッチングや増幅ができるト
ランジスタが挙げられる。
いるので宇宙空間などの苛酷な環境下で使用できる耐環
境デバイスの材料として注目を集めている。耐環境デバ
イスの代表として信号のスイッチングや増幅ができるト
ランジスタが挙げられる。
SiCを用いたトランジスタについては、例えば、月刊
“Semiconductor Wrold."1986,11.P.40〜P.48に掲載さ
れた「SiCの半導体への応用とその最新動向」と題する
論文に詳しく説明されている。具体的にはバイポーラト
ランジスタが第5図に、ユニポーラトランジスタが第6
図に示されている。
“Semiconductor Wrold."1986,11.P.40〜P.48に掲載さ
れた「SiCの半導体への応用とその最新動向」と題する
論文に詳しく説明されている。具体的にはバイポーラト
ランジスタが第5図に、ユニポーラトランジスタが第6
図に示されている。
第5図に示されたバイポーラトランジスタは、n型の
6H-SiC基板20と、この基板20表面に設けられたp型の6H
-SiC基板21と、このp型層21上に形成されたn型の6H-S
iC基板22と、からなり、n型の4H-SiC基板20の裏面にコ
レクタ電極Cを設け、p型の6H-SiC21に接したベース電
極Bを設け、またn型の6H-SiC22にエミッタ電極Eを設
けて形成されている。
6H-SiC基板20と、この基板20表面に設けられたp型の6H
-SiC基板21と、このp型層21上に形成されたn型の6H-S
iC基板22と、からなり、n型の4H-SiC基板20の裏面にコ
レクタ電極Cを設け、p型の6H-SiC21に接したベース電
極Bを設け、またn型の6H-SiC22にエミッタ電極Eを設
けて形成されている。
また第6図に示されたユニポーラトランジスタは、p
型のSi基板23と、このSi基板23上に設けられたp型の3C
-SiCエピタキシャル層24と、このエピタキシャル層24上
に形成されたn型3C-SiCからなる動作層25と、この動作
層25に対して離間して設けられた多結晶シリコンからな
るソース26、ドレイン27と、このソース26、ドレイン27
との間に酸化シリコン膜28を介して設けられたゲート電
極29と、から構成されている。
型のSi基板23と、このSi基板23上に設けられたp型の3C
-SiCエピタキシャル層24と、このエピタキシャル層24上
に形成されたn型3C-SiCからなる動作層25と、この動作
層25に対して離間して設けられた多結晶シリコンからな
るソース26、ドレイン27と、このソース26、ドレイン27
との間に酸化シリコン膜28を介して設けられたゲート電
極29と、から構成されている。
このようにSiCを主構成要素とする各種のトランジス
タはSiやGaAsを用いたものに比べて禁制帯幅が広く、耐
環境性に優れてはいるものの、6H-SiCを用いたバイポー
ラトランジスタの場合、6H-SiCの電子移動度が330cm2/V
・S程度と低く、高速動作には不適である。また3C-SiC
の電子移動度は1000cm2/V・S程度と大きいが、現在の
ところ、3C-SiCそのもののバルク基板が形成できず、第
6図に示したように単結晶Si基板上にエピタキシャル成
長させる方法しか採用できず、その結果、方法が採られ
ているが、Siの格子定数5.43Åと3C-SiCのそれ4.36Åと
の不整合が問題となり、Si基板表面には表面状態が一定
で結晶性の安定した3C-SiC層を成長させることは極めて
困難とされている。
タはSiやGaAsを用いたものに比べて禁制帯幅が広く、耐
環境性に優れてはいるものの、6H-SiCを用いたバイポー
ラトランジスタの場合、6H-SiCの電子移動度が330cm2/V
・S程度と低く、高速動作には不適である。また3C-SiC
の電子移動度は1000cm2/V・S程度と大きいが、現在の
ところ、3C-SiCそのもののバルク基板が形成できず、第
6図に示したように単結晶Si基板上にエピタキシャル成
長させる方法しか採用できず、その結果、方法が採られ
ているが、Siの格子定数5.43Åと3C-SiCのそれ4.36Åと
の不整合が問題となり、Si基板表面には表面状態が一定
で結晶性の安定した3C-SiC層を成長させることは極めて
困難とされている。
(ハ)発明が解決しようとする課題 本発明は斯点に鑑みて為されたものであって、以上の
問題点を解決し、特性が優れ、かつ耐環境性に富んだSi
Cを用いたトランジスタを得ることを課題としている。
問題点を解決し、特性が優れ、かつ耐環境性に富んだSi
Cを用いたトランジスタを得ることを課題としている。
(ニ)課題を解決するための手段 本発明トランジスタは、一導電型4H-SiC基板と、該基
板表面にエピタキシャル成長された逆導電型4H-SiC層
と、該逆導電型4H-SiC層上にエピタキシャル成長された
一導電型4H-SiC層と、からなり、上記一導電型4H-SiCを
コレクタとし、逆導電型4H-SiC層をベースとし、一導電
型4H-SiC層をエミッタとしており、また本発明トランジ
スタは、一導電型4H-SiC基板と、該基板表面にエピタキ
シャル成長された逆導電型4H-SiC層と、該逆導電型4H-S
iC層上にエピタキシャル成長された一導電型4H-SiC層
と、該一導電型4H-SiC層表面に形成された絶縁膜とから
なり、この絶縁膜の表面の一部に設けられたゲート電極
と、このゲート電極を挟んだ位置に上記一導電型4H-SiC
層に接して設けられたソース、ドレイン電極と、からな
っている。
板表面にエピタキシャル成長された逆導電型4H-SiC層
と、該逆導電型4H-SiC層上にエピタキシャル成長された
一導電型4H-SiC層と、からなり、上記一導電型4H-SiCを
コレクタとし、逆導電型4H-SiC層をベースとし、一導電
型4H-SiC層をエミッタとしており、また本発明トランジ
スタは、一導電型4H-SiC基板と、該基板表面にエピタキ
シャル成長された逆導電型4H-SiC層と、該逆導電型4H-S
iC層上にエピタキシャル成長された一導電型4H-SiC層
と、該一導電型4H-SiC層表面に形成された絶縁膜とから
なり、この絶縁膜の表面の一部に設けられたゲート電極
と、このゲート電極を挟んだ位置に上記一導電型4H-SiC
層に接して設けられたソース、ドレイン電極と、からな
っている。
(ホ)作用 4H-SiCの電子移動度は700cm2/V・S程度で、6H-SiCの
それの2倍以上であるので高速動作が可能となり、また
4H-SiC基板の表面上に4H-SiCエピタキシャル層を成長さ
せているので、格子不整合も解消し、結晶性が安定し
た、特性の優れたSiCトランジスタが得られる。
それの2倍以上であるので高速動作が可能となり、また
4H-SiC基板の表面上に4H-SiCエピタキシャル層を成長さ
せているので、格子不整合も解消し、結晶性が安定し
た、特性の優れたSiCトランジスタが得られる。
(ヘ)実施例 第1図に本発明トランジスタの一実施例を示す。この
図において、1はn型の4H-SiC基板で、約100μmの厚
みを有し、不純物として窒素(N)を5×1018/cm3程
度の濃度で含んでいて、バイポーラトランジスタのコレ
クタ領域を構成している。2はこの4H-SiC基板1表面に
エピタキシャル成長された4H-SiCからなるベース領域
で、5×1018/cm3程度のAlを含んでp型を呈し、その
厚みは約0.1μmである。尚、このベース領域2は1700
℃、3分間のLPE法によって全面成長後、フォトエング
レービング技術、プラズマエッチング技術などにより選
択加工して形成される。3はこのベース領域2上にエピ
タキシャル形成されたエミッタ領域で、4H-SiCからな
り、不純物窒素(N)を1×1018/cm3程度の濃度で含
んでいてn型を呈する。このエミッタ領域3は1700℃、
30分間のLPE法によって約1.0μmの厚みに形成される。
4はコレクタ領域1に接したコレクタ電極、5はベース
領域2に接したベース電極、6はエミッタ領域3に接し
たエミッタ電極で、これらの電極4、5、6を露出した
状態で素子表面を厚さ0.3μmの酸化シリコン(SiC2)
膜7で覆っている。第2図にこのようにして形成された
バイポーラトランジスタの特性図であって、直流電流増
幅率は20以上を示している。
図において、1はn型の4H-SiC基板で、約100μmの厚
みを有し、不純物として窒素(N)を5×1018/cm3程
度の濃度で含んでいて、バイポーラトランジスタのコレ
クタ領域を構成している。2はこの4H-SiC基板1表面に
エピタキシャル成長された4H-SiCからなるベース領域
で、5×1018/cm3程度のAlを含んでp型を呈し、その
厚みは約0.1μmである。尚、このベース領域2は1700
℃、3分間のLPE法によって全面成長後、フォトエング
レービング技術、プラズマエッチング技術などにより選
択加工して形成される。3はこのベース領域2上にエピ
タキシャル形成されたエミッタ領域で、4H-SiCからな
り、不純物窒素(N)を1×1018/cm3程度の濃度で含
んでいてn型を呈する。このエミッタ領域3は1700℃、
30分間のLPE法によって約1.0μmの厚みに形成される。
4はコレクタ領域1に接したコレクタ電極、5はベース
領域2に接したベース電極、6はエミッタ領域3に接し
たエミッタ電極で、これらの電極4、5、6を露出した
状態で素子表面を厚さ0.3μmの酸化シリコン(SiC2)
膜7で覆っている。第2図にこのようにして形成された
バイポーラトランジスタの特性図であって、直流電流増
幅率は20以上を示している。
第3図に本発明をユニポーラトランジスタに適用した
場合の実施例を示す。10は厚さ100μm程度のn型の4H-
SiC基板で、不純物として窒素を約1×1016/cm3含んで
いる。11はこの基板10表面に4H-SiCをエピタキシャル成
長させて形成されたp型のバッファ層で、不純物として
Alを1×1013/cm3程度の濃度で含み、その厚みは約1
μmである。12はこのバッファ層11上にエピタキシャル
法によって形成された4H-SiCの動作層で、厚み約0.1μ
mで窒素を3×1017/cm3程度含んでn型を呈してい
る。13はこの動作層12表面に形成された厚さ0.2μmの
酸化シリコン膜で、ゲート絶縁膜を構成している。14は
このゲート絶縁膜13表面に形成されたAl/Ti系の合金か
らなるゲート電極、15、16はこのゲート電極14を挟んで
上記動作層13に接して形成されたソース、ドレイン電極
で、両電極15、16とも、Au/Ni系合金にて構成されてい
る。このようにして形成されたユニポーラトランジスタ
の動作特性は第4図に示されており、順方向アドミッタ
ンスは約10mSであった。
場合の実施例を示す。10は厚さ100μm程度のn型の4H-
SiC基板で、不純物として窒素を約1×1016/cm3含んで
いる。11はこの基板10表面に4H-SiCをエピタキシャル成
長させて形成されたp型のバッファ層で、不純物として
Alを1×1013/cm3程度の濃度で含み、その厚みは約1
μmである。12はこのバッファ層11上にエピタキシャル
法によって形成された4H-SiCの動作層で、厚み約0.1μ
mで窒素を3×1017/cm3程度含んでn型を呈してい
る。13はこの動作層12表面に形成された厚さ0.2μmの
酸化シリコン膜で、ゲート絶縁膜を構成している。14は
このゲート絶縁膜13表面に形成されたAl/Ti系の合金か
らなるゲート電極、15、16はこのゲート電極14を挟んで
上記動作層13に接して形成されたソース、ドレイン電極
で、両電極15、16とも、Au/Ni系合金にて構成されてい
る。このようにして形成されたユニポーラトランジスタ
の動作特性は第4図に示されており、順方向アドミッタ
ンスは約10mSであった。
(ト)発明の効果 本発明は以上の説明から明らかなように、4H-SiCを用
いてバイポーラトランジスタやユニポーラトランジスタ
を構成しているので、耐環境特性に優れていると共に、
高速動作も可能であり、また基板とその表面上に成長さ
せるエピタキシャル層との整合性にも問題なく、特性の
安定したトランジスタが得られる。
いてバイポーラトランジスタやユニポーラトランジスタ
を構成しているので、耐環境特性に優れていると共に、
高速動作も可能であり、また基板とその表面上に成長さ
せるエピタキシャル層との整合性にも問題なく、特性の
安定したトランジスタが得られる。
第1図は本発明トランジスタの構成を示す断面図、第2
図はその動作特性図、第3図は本発明トランジスタの他
の実施例を示す断面図、第4図はその動作特性図、第5
図、第6図は従来構造を示す断面図である。 1……4H-SiC基板、2……ベース領域、3……エミッタ
領域、7……酸化シリコン膜、10……4H-SiC基板、11…
…バッファ層、12……動作層、13……酸化シリコン膜。
図はその動作特性図、第3図は本発明トランジスタの他
の実施例を示す断面図、第4図はその動作特性図、第5
図、第6図は従来構造を示す断面図である。 1……4H-SiC基板、2……ベース領域、3……エミッタ
領域、7……酸化シリコン膜、10……4H-SiC基板、11…
…バッファ層、12……動作層、13……酸化シリコン膜。
フロントページの続き (72)発明者 古賀 和幸 大阪府守口市京阪本通2丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−204519(JP,A) 特開 昭60−140756(JP,A) 特開 昭62−81765(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 29/68 - 29/737 H01L 21/33 - 21/331 JOIS
Claims (2)
- 【請求項1】一導電型4H-SiC基板と、該基板表面にエピ
タキシャル成長された逆導電性4H-SiC層と、該逆導電型
4H-SiC層上にエピタキシャル成長された一導電型4H-SiC
層と、からなり、上記一導電型4H-SiCをコレクタとし、
逆導電型4H-SiC層をベースとし、一導電型4H-SiC層をエ
ミッタとするSiCを用いたトランジスタ。 - 【請求項2】一導電型4H-SiC基板と、該基板表面にエピ
タキシャル成長された逆導電型4H-SiC層と、該逆導電型
4H-SiC層上にエピタキシャル成長された一導電型4H-SiC
層と、該一導電型4H-SiC層表面に形成された絶縁膜とか
らなり、この絶縁膜の表面の一部に設けられたゲート電
極と、このゲート電極を挟んだ位置に上記一導電型4H-S
iC層に接して設けられたソース、ドレイン電極と、から
なるSiCを用いたトランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1311090A JP2877395B2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | sicを用いたトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1311090A JP2877395B2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | sicを用いたトランジスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03171772A JPH03171772A (ja) | 1991-07-25 |
JP2877395B2 true JP2877395B2 (ja) | 1999-03-31 |
Family
ID=18013013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1311090A Expired - Fee Related JP2877395B2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | sicを用いたトランジスタ |
Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP2877395B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW565630B (en) * | 1999-09-07 | 2003-12-11 | Sixon Inc | SiC wafer, SiC semiconductor device and method for manufacturing SiC wafer |
JP2005167035A (ja) | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 炭化珪素半導体素子およびその製造方法 |
JP4777699B2 (ja) * | 2005-06-13 | 2011-09-21 | 本田技研工業株式会社 | バイポーラ型半導体装置およびその製造方法 |
US7345310B2 (en) * | 2005-12-22 | 2008-03-18 | Cree, Inc. | Silicon carbide bipolar junction transistors having a silicon carbide passivation layer on the base region thereof |
-
1989
- 1989-11-30 JP JP1311090A patent/JP2877395B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03171772A (ja) | 1991-07-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |