JP2875276B2 - 光磁気記録方法及び光磁気記録装置 - Google Patents
光磁気記録方法及び光磁気記録装置Info
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- JP2875276B2 JP2875276B2 JP1063650A JP6365089A JP2875276B2 JP 2875276 B2 JP2875276 B2 JP 2875276B2 JP 1063650 A JP1063650 A JP 1063650A JP 6365089 A JP6365089 A JP 6365089A JP 2875276 B2 JP2875276 B2 JP 2875276B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はレーザ光を用い、外部より磁界を印加して記
録を行なう光磁気記録方法及び光磁気記録装置に関す
る。
録を行なう光磁気記録方法及び光磁気記録装置に関す
る。
垂直磁気異方性を有する磁性膜を用いる光磁気記録媒
体では、磁性膜の磁化の向きを情報の“1",“0"に対応
させるために、記録のみならず消去・再記録が可能であ
る。
体では、磁性膜の磁化の向きを情報の“1",“0"に対応
させるために、記録のみならず消去・再記録が可能であ
る。
光磁気記録媒体に記録を行なう時、レーザ光による熱
エネルギーと磁界とを同時に該光磁気記録媒体に与え
る。磁界としては一般に数百エルステツド必要であり、
電磁コイル，永久磁石が磁界印加手段として用いられ
る。しかしながら、電磁コイルを用いて数百エルステツ
ドの磁界を発生させるためには、コイルの巻数が多くな
つたり大電流を駆動する電源が必要となつたりするた
め、光磁気記録装置が大型化・複雑化する。また、永久
磁石を用いたときには、強力な磁界を得るために高性能
な永久磁石を採用しなければならず、このため価格が高
い永久磁石を使用することになる不利である。
エネルギーと磁界とを同時に該光磁気記録媒体に与え
る。磁界としては一般に数百エルステツド必要であり、
電磁コイル，永久磁石が磁界印加手段として用いられ
る。しかしながら、電磁コイルを用いて数百エルステツ
ドの磁界を発生させるためには、コイルの巻数が多くな
つたり大電流を駆動する電源が必要となつたりするた
め、光磁気記録装置が大型化・複雑化する。また、永久
磁石を用いたときには、強力な磁界を得るために高性能
な永久磁石を採用しなければならず、このため価格が高
い永久磁石を使用することになる不利である。
当然のことながら、前記磁界印加手段を光磁気記録媒
体に近づけることにより、より大きな磁界を得ることが
できる。この種の磁界印加手段としては、たとえば特開
昭63-204532に磁気ヘツドを用いる旨の記載がある。し
かしながら、磁界印加手段を光磁気記録媒体に近づける
ことは、電磁コイルの巻き数や駆動電流を低減し光磁気
記録装置の小型化・単純化を寄与することにはなるが、
光磁気記録媒体と磁界印加手段との接触，摩耗，クラツ
シユ等の新たな問題を生じることになる。
体に近づけることにより、より大きな磁界を得ることが
できる。この種の磁界印加手段としては、たとえば特開
昭63-204532に磁気ヘツドを用いる旨の記載がある。し
かしながら、磁界印加手段を光磁気記録媒体に近づける
ことは、電磁コイルの巻き数や駆動電流を低減し光磁気
記録装置の小型化・単純化を寄与することにはなるが、
光磁気記録媒体と磁界印加手段との接触，摩耗，クラツ
シユ等の新たな問題を生じることになる。
これらの結果から考えると、磁界印加手段を小型化・
単純化し、かつ、磁気ヘツド方式のようにヘツド・媒体
の接触又は近接配置のような制約を受けることのないよ
うにするには、媒体構成に何らかの工夫が必要である。
単純化し、かつ、磁気ヘツド方式のようにヘツド・媒体
の接触又は近接配置のような制約を受けることのないよ
うにするには、媒体構成に何らかの工夫が必要である。
このような観点から、たとえば、特開昭63-152050に
光誘起性磁性膜を設ける旨の記載がある。
光誘起性磁性膜を設ける旨の記載がある。
上記従来技術では、レーザ光が照射された部分で光誘
起性磁性膜が磁化し、磁界発生手段により発生した磁束
がこの部分に集中するとしている。ところがこのような
光誘起性の磁性が発現するのは一般に液体窒素温度以下
の極低温であり、室温近傍で用いる光磁気記録媒体とし
て実際に効力を発揮するものではない。
起性磁性膜が磁化し、磁界発生手段により発生した磁束
がこの部分に集中するとしている。ところがこのような
光誘起性の磁性が発現するのは一般に液体窒素温度以下
の極低温であり、室温近傍で用いる光磁気記録媒体とし
て実際に効力を発揮するものではない。
本発明の目的は、磁界印加手段を小型化・単純化で
き、かつ、磁気ヘツド方式のようにヘツド・媒体の接触
又は近接配置のような制約を受けることがないような光
磁気記録媒体であり、しかも、通常の温度で有効に動作
するような光磁気記録媒体を提供することにある。
き、かつ、磁気ヘツド方式のようにヘツド・媒体の接触
又は近接配置のような制約を受けることがないような光
磁気記録媒体であり、しかも、通常の温度で有効に動作
するような光磁気記録媒体を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明では、透明基板上に
垂直磁気異方性を有する磁性膜と、スピン再配列性膜と
を設けたことを特徴としている。
垂直磁気異方性を有する磁性膜と、スピン再配列性膜と
を設けたことを特徴としている。
上記透明基板としてはガラス，紫外線硬化樹脂，ポリ
カーボネート（PC,ポリメチルメタクリレート（PMM
A）、などが用いられる。
カーボネート（PC,ポリメチルメタクリレート（PMM
A）、などが用いられる。
垂直磁気異方性を有する磁性膜としては、Co-Cr,Fe-C
r,Co-CoOなどの結晶合金や希土類と遷移金属とからなる
非晶質合金を用いる。ここで希土類としてはLa,Ce,Pr,N
d,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Hfの元素であ
り、遷移金属としてはFe,Co,Ni,Se,Ti,V,Cr,Mn,Cu,Y,Z
r,Nb,Mo,Ru,Rh,Pd,Ag,Hf,Ta,W,Re,Os,Ir,Pt,Auそして希
土類と遷移金属とからなる非晶質合金としては、Tb-Fe-
Co,Gd-Tb-Fe,Tb-Dy-Co,Dy-Fe-Co,Nd-Tb-Fe-Co,Pr-Tb-Fe
-Co,Tb-Fe-Co-Nb,Tb-Fe-Co-Cr,Gd-Fe-Co-Ptなどを用い
る。
r,Co-CoOなどの結晶合金や希土類と遷移金属とからなる
非晶質合金を用いる。ここで希土類としてはLa,Ce,Pr,N
d,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Hfの元素であ
り、遷移金属としてはFe,Co,Ni,Se,Ti,V,Cr,Mn,Cu,Y,Z
r,Nb,Mo,Ru,Rh,Pd,Ag,Hf,Ta,W,Re,Os,Ir,Pt,Auそして希
土類と遷移金属とからなる非晶質合金としては、Tb-Fe-
Co,Gd-Tb-Fe,Tb-Dy-Co,Dy-Fe-Co,Nd-Tb-Fe-Co,Pr-Tb-Fe
-Co,Tb-Fe-Co-Nb,Tb-Fe-Co-Cr,Gd-Fe-Co-Ptなどを用い
る。
またスピン再配列性膜としては、鉄ボレートFe3BO6や
希土類オルソフエライトRFeO3あるいは希土類−Co化合
物Ｒ−Coなどが用いられる。ここにＲは前述の希土類元
素群から選ばれた少なくとも一つの希土類元素を表わ
す。
希土類オルソフエライトRFeO3あるいは希土類−Co化合
物Ｒ−Coなどが用いられる。ここにＲは前述の希土類元
素群から選ばれた少なくとも一つの希土類元素を表わ
す。
磁性膜やスピン再配列性膜の作製には、スパツタ法、
蒸着法、CVD（Chemical Vapor Deposition）法，イオン
プレーテイング法などを用いる。
蒸着法、CVD（Chemical Vapor Deposition）法，イオン
プレーテイング法などを用いる。
本発明においては、磁化方向が90°回転するスピン再
配列現象を利用することが好ましい。
配列現象を利用することが好ましい。
垂直磁気異方性を有する磁性膜とスピン再配列性膜と
が設けられた光磁気記録媒体に一定強度のレーザ光ある
いは磁界を印加しつつ、極性が変調された磁界あるいは
強度が変調されたレーザ光を印加することにより記録を
行なう方式が好ましい。
が設けられた光磁気記録媒体に一定強度のレーザ光ある
いは磁界を印加しつつ、極性が変調された磁界あるいは
強度が変調されたレーザ光を印加することにより記録を
行なう方式が好ましい。
スピン再配列とは磁性体の磁気モーメント（スピン）
の配列状態が、温度によつて変化する現象である。本発
明においては、磁化方向が90°回転するスピン再配列現
象を利用することが好ましい。レーザ光が照射されない
か、あるいはレーザ光のパワーが弱いときには、スピン
再配列性膜の磁化は膜面内を向いている。強いレーザ光
が照射され、スピン再配列が生じる温度（スピン再配列
温度）以上に熱せられると磁化は90°回転し膜面に垂直
な方向を向く。このときの磁化は２つの向きを取り得る
が磁界印加手段から発生する磁界方向にならう。しかも
必要な磁界は極く小さい。このスピン再配列性膜の磁化
から発生する磁界と、磁界印加手段から生じる磁界と
が、垂直磁気異方性を有する磁性膜に対するバイアス磁
界として作用する。強いレーザ光の照射により該磁性膜
の保磁力は低下しているから、前記バイアス磁界の方向
にその磁化は向く。
の配列状態が、温度によつて変化する現象である。本発
明においては、磁化方向が90°回転するスピン再配列現
象を利用することが好ましい。レーザ光が照射されない
か、あるいはレーザ光のパワーが弱いときには、スピン
再配列性膜の磁化は膜面内を向いている。強いレーザ光
が照射され、スピン再配列が生じる温度（スピン再配列
温度）以上に熱せられると磁化は90°回転し膜面に垂直
な方向を向く。このときの磁化は２つの向きを取り得る
が磁界印加手段から発生する磁界方向にならう。しかも
必要な磁界は極く小さい。このスピン再配列性膜の磁化
から発生する磁界と、磁界印加手段から生じる磁界と
が、垂直磁気異方性を有する磁性膜に対するバイアス磁
界として作用する。強いレーザ光の照射により該磁性膜
の保磁力は低下しているから、前記バイアス磁界の方向
にその磁化は向く。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
［実施例１］ 第１図は本発明になる光磁気記録媒体６である。ポリ
カーボネート基板１上には、窒化シリコン膜2,Nd-Coス
ピン再配列性膜3,Tb-Fe-Co-Nb磁性膜4,窒化シリコン膜
５がスパツタリングにより積層されている。
カーボネート基板１上には、窒化シリコン膜2,Nd-Coス
ピン再配列性膜3,Tb-Fe-Co-Nb磁性膜4,窒化シリコン膜
５がスパツタリングにより積層されている。
第２図は、第１図の構成になる光磁気記録媒体６の磁
性膜４に情報を記録する方式である。レーザ光源７から
出たレーザ光12はコリメートレンズ８により平行光束と
なり、集光レンズ９を通過した後、光磁気記録媒体６に
入射する。
性膜４に情報を記録する方式である。レーザ光源７から
出たレーザ光12はコリメートレンズ８により平行光束と
なり、集光レンズ９を通過した後、光磁気記録媒体６に
入射する。
入射したレーザ光12はNd-Coスピン再配列性膜３とTb-
Fe-Co-Nb磁性膜４を加熱する。このレーザ光12の強度は
一定に保つたまま、情報信号10で電磁コイル11を励磁
し、変調磁界13を光磁気記録媒体６に印加する。以下に
はこの記録方式による記録原理を述べる。
Fe-Co-Nb磁性膜４を加熱する。このレーザ光12の強度は
一定に保つたまま、情報信号10で電磁コイル11を励磁
し、変調磁界13を光磁気記録媒体６に印加する。以下に
はこの記録方式による記録原理を述べる。
第３図は、レーザ光12により加熱されるNd-Coスピン
再配列性膜３の温度に対する磁化14の膜面に垂直な方向
成分Mcを示したものである。温度が150℃以下では磁化1
4は面内を向いているためMc＝０であるが150℃以上では
磁化14は膜面に垂直方向を向くためMcはある値をもつよ
うになる。つまり、スピン再配列温度は150℃である。
再配列性膜３の温度に対する磁化14の膜面に垂直な方向
成分Mcを示したものである。温度が150℃以下では磁化1
4は面内を向いているためMc＝０であるが150℃以上では
磁化14は膜面に垂直方向を向くためMcはある値をもつよ
うになる。つまり、スピン再配列温度は150℃である。
第４図から第８図は、レーザ光12により加熱されるNd
-Coスピン再配列性膜３の磁化14とTb-Fe-Co-Nb磁性膜４
の磁化15の向きを説明する図である。
-Coスピン再配列性膜３の磁化14とTb-Fe-Co-Nb磁性膜４
の磁化15の向きを説明する図である。
第４図に示すように室温においてはTb-Fe-Co-Nb磁性
膜４は磁化15が下向きになるように着磁されている。Nd
-Coスピン再配列性膜３の磁化14は面内である。第５図
のようにレーザ光12を照射し上向きの変調磁界13が印加
されると、レーザ光12で照射されたスピン再配列性膜３
の領域はスピン再配列温度以上になり、その磁化14は上
を向く。
膜４は磁化15が下向きになるように着磁されている。Nd
-Coスピン再配列性膜３の磁化14は面内である。第５図
のようにレーザ光12を照射し上向きの変調磁界13が印加
されると、レーザ光12で照射されたスピン再配列性膜３
の領域はスピン再配列温度以上になり、その磁化14は上
を向く。
磁性膜４の磁化15は、スピン再配列性膜３の磁化14か
ら受ける静磁界あるいは磁気的交換結合力により、スピ
ン再配列性膜３の磁化14と同じ方向、すなわち上向きと
なる。
ら受ける静磁界あるいは磁気的交換結合力により、スピ
ン再配列性膜３の磁化14と同じ方向、すなわち上向きと
なる。
第６図のようにレーザ光12の照射が終了すると、スピ
ン再配列性膜３はスピン再配列温度以下に冷却し、その
磁化14は再び面内を向く。磁性膜４の保磁力は周囲温度
付近では充分大きいため磁化反転領域16の磁化15は上を
向いたままである。すなわち、磁性膜４の中に磁化反転
領域16が形成される。
ン再配列性膜３はスピン再配列温度以下に冷却し、その
磁化14は再び面内を向く。磁性膜４の保磁力は周囲温度
付近では充分大きいため磁化反転領域16の磁化15は上を
向いたままである。すなわち、磁性膜４の中に磁化反転
領域16が形成される。
第７図のように磁化反転領域16に再びレーザ光12が照
射され、下向きの変調磁界13が印加されると、スピン再
配列性膜３の磁化14は下を向く。磁性膜４の磁化15は前
述した理由により今度は下向きとなる。第８図のように
レーザ光12の照射が終了すると、スピン再配列性膜３の
磁化14は再び面内を向き、磁性膜４の磁化15は全て下向
きとなる。すなわち、磁化反転領域16が消滅したことに
なる。
射され、下向きの変調磁界13が印加されると、スピン再
配列性膜３の磁化14は下を向く。磁性膜４の磁化15は前
述した理由により今度は下向きとなる。第８図のように
レーザ光12の照射が終了すると、スピン再配列性膜３の
磁化14は再び面内を向き、磁性膜４の磁化15は全て下向
きとなる。すなわち、磁化反転領域16が消滅したことに
なる。
なお、電磁コイル11のかわりに、磁気ヘツドや永久磁
石を用いて磁界を印加してもよい。
石を用いて磁界を印加してもよい。
［実施例２］ 第９図は本発明になる他の実施例であり、光磁気記録
媒体27が以下のように構成される。ガラス基板34上に
は、光スポツトの案内溝形成用の紫外線硬化樹脂17が約
30μｍ形成されている。その上には窒化アルミニウム膜
18が800Å、Gd-Tb-Fe-Co磁性膜19が800Å、Fe3BO6スピ
ン再配列性膜20が500Å、窒化アルミニウム膜21が1000
Åだけスパツタリングにより形成されている。
媒体27が以下のように構成される。ガラス基板34上に
は、光スポツトの案内溝形成用の紫外線硬化樹脂17が約
30μｍ形成されている。その上には窒化アルミニウム膜
18が800Å、Gd-Tb-Fe-Co磁性膜19が800Å、Fe3BO6スピ
ン再配列性膜20が500Å、窒化アルミニウム膜21が1000
Åだけスパツタリングにより形成されている。
［実施例３］ 第10図は上記媒体27を用いた情報記録システムの構成
図である。光磁気記録媒体27は、スピンドル31に取付け
られ、モータ30により一定回転数で回転している。半導
体レーザ22から出たレーザ光23は、コリメートレンズ24
により平行光となつた後、偏光ビームスプリツタ25を透
過して絞り込みレンズ26により直径１μｍ程度の大きさ
に絞られて、光磁気記録媒体27に照射される。光磁気記
録媒体27の、レーザ光23が入射する面の反対面側には永
久磁石32が配置されている。光磁気記録媒体27に入射
し、そして反射したレーザ光23は、偏光ビームスプリツ
タ25に入射後横方向にけり出され、検光子28を通つて光
検出子29に入射する。
図である。光磁気記録媒体27は、スピンドル31に取付け
られ、モータ30により一定回転数で回転している。半導
体レーザ22から出たレーザ光23は、コリメートレンズ24
により平行光となつた後、偏光ビームスプリツタ25を透
過して絞り込みレンズ26により直径１μｍ程度の大きさ
に絞られて、光磁気記録媒体27に照射される。光磁気記
録媒体27の、レーザ光23が入射する面の反対面側には永
久磁石32が配置されている。光磁気記録媒体27に入射
し、そして反射したレーザ光23は、偏光ビームスプリツ
タ25に入射後横方向にけり出され、検光子28を通つて光
検出子29に入射する。
磁性膜19は第11図に示すようにフエリ磁性体であり、
GdやTbの希土類の副格子磁化35と、FeやCoの遷移金属の
副格子磁化34とからなる。永久磁石32の光磁気記録媒体
27に近い面はＮ極となつているため、外部磁界33は永久
磁石32から磁性膜19へ向かうように印加されている。
GdやTbの希土類の副格子磁化35と、FeやCoの遷移金属の
副格子磁化34とからなる。永久磁石32の光磁気記録媒体
27に近い面はＮ極となつているため、外部磁界33は永久
磁石32から磁性膜19へ向かうように印加されている。
半導体レーザ22は、記録時に、強パワーレベル37と中
パワーレベル36の２つの強度で発光する。各々の発光強
度に対応してスピン再配列性膜20は第３図中のT1，T2の
温度まで加熱される。いま、中パワーレベル36のレーザ
光23が光磁気記録媒体27に照射されると、第12図のよう
に、その部分の磁性膜19の温度が上昇し、保磁力が低下
するため、外部磁界33の方向に磁性膜の正味の磁化が向
く。したがつて磁化反転領域16が形成される。このと
き、スピン再配列性膜20の温度はT1までしか上昇せず、
磁化は面内を向いたままであるため、磁性膜19とスピン
再配列性膜20との間には磁気的結合力は作用しない。
パワーレベル36の２つの強度で発光する。各々の発光強
度に対応してスピン再配列性膜20は第３図中のT1，T2の
温度まで加熱される。いま、中パワーレベル36のレーザ
光23が光磁気記録媒体27に照射されると、第12図のよう
に、その部分の磁性膜19の温度が上昇し、保磁力が低下
するため、外部磁界33の方向に磁性膜の正味の磁化が向
く。したがつて磁化反転領域16が形成される。このと
き、スピン再配列性膜20の温度はT1までしか上昇せず、
磁化は面内を向いたままであるため、磁性膜19とスピン
再配列性膜20との間には磁気的結合力は作用しない。
一方強パワーレベル37のレーザ光23が光磁気媒体27に
照射されると、第13図のように、その部分のスピン再配
列性膜20はT2の温度まで上昇し、外部磁界33と同じ方向
の磁化を発生する。この磁化はもともとFe原子の磁気モ
ーメントに由来するため、磁性膜19の遷移金属の副格子
磁化34と磁気的に結合する。このため磁性膜19の正味の
磁化は下向きとなり、外部磁界33の方向とは反対方向と
なる。このようにして磁化反転領域16は消滅する。すな
わち、レーザ光23の強度レベルによつて、情報をオーバ
ライトすることができる。
照射されると、第13図のように、その部分のスピン再配
列性膜20はT2の温度まで上昇し、外部磁界33と同じ方向
の磁化を発生する。この磁化はもともとFe原子の磁気モ
ーメントに由来するため、磁性膜19の遷移金属の副格子
磁化34と磁気的に結合する。このため磁性膜19の正味の
磁化は下向きとなり、外部磁界33の方向とは反対方向と
なる。このようにして磁化反転領域16は消滅する。すな
わち、レーザ光23の強度レベルによつて、情報をオーバ
ライトすることができる。
本発明によれば、スピン再配列性膜３が磁性膜４の磁
化反転を助けるため、小さな磁界で情報を記録できる。
すなわち、レーザ光の強度を変調するいわゆる光変調記
録においては、記録や消去時における印加磁界を小さく
できるため、磁界を発生するための電磁コイルの巻き数
や駆動電流を低減したり、安価な永久磁石を使用したり
できるため光磁気記録装置の小型化，単純化，低価格化
に寄与することができる。また磁界強度を変調するいわ
ゆる磁界変調記録においては、変調に要する磁界強度を
小さくすることができるので、磁界印加手段として磁気
ヘツドを用いた場合には、光磁気記録媒体から充分な距
離だけ該磁気ヘツドを離して配置することができるた
め、ヘツドと媒体との接触や衝突等を防ぐことができ
る。
化反転を助けるため、小さな磁界で情報を記録できる。
すなわち、レーザ光の強度を変調するいわゆる光変調記
録においては、記録や消去時における印加磁界を小さく
できるため、磁界を発生するための電磁コイルの巻き数
や駆動電流を低減したり、安価な永久磁石を使用したり
できるため光磁気記録装置の小型化，単純化，低価格化
に寄与することができる。また磁界強度を変調するいわ
ゆる磁界変調記録においては、変調に要する磁界強度を
小さくすることができるので、磁界印加手段として磁気
ヘツドを用いた場合には、光磁気記録媒体から充分な距
離だけ該磁気ヘツドを離して配置することができるた
め、ヘツドと媒体との接触や衝突等を防ぐことができ
る。
第１図，第９図は本発明になる光磁気記録媒体の断面
図、第２図，第10図は、本発明になる光磁気記録媒体に
情報を記録する装置の概略構成を示す模式図、第３図は
スピン再配列性膜の温度，磁化特性の説明図、第４図か
ら第８図までおよび第11図から第13図までは、本発明に
なる光磁気記録媒体の記録，消去動作の説明図である。 1,34……基板、3,20……スピン再配列性膜、4,19……磁
性膜、6,27……光磁気記録媒体、７……レーザ光源、10
……情報信号、11……電磁コイル、13……変調磁界、1
4,15……磁化、16……磁化反転領域、22……半導体レー
ザ、25……偏光ビームスプリツタ、26……絞り込みレン
ズ、32……永久磁石、34……遷移金属の元素、35……希
土類の副格子磁化。
図、第２図，第10図は、本発明になる光磁気記録媒体に
情報を記録する装置の概略構成を示す模式図、第３図は
スピン再配列性膜の温度，磁化特性の説明図、第４図か
ら第８図までおよび第11図から第13図までは、本発明に
なる光磁気記録媒体の記録，消去動作の説明図である。 1,34……基板、3,20……スピン再配列性膜、4,19……磁
性膜、6,27……光磁気記録媒体、７……レーザ光源、10
……情報信号、11……電磁コイル、13……変調磁界、1
4,15……磁化、16……磁化反転領域、22……半導体レー
ザ、25……偏光ビームスプリツタ、26……絞り込みレン
ズ、32……永久磁石、34……遷移金属の元素、35……希
土類の副格子磁化。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 憲雄 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 宮本 治一 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 鈴木 良夫 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 平２−158938（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】垂直磁気異方性を有する第１の磁性膜と所
定の温度を境に低温では面内磁化膜であり高温では垂直
磁化膜となる第２の磁性膜とを具備する光磁気記録媒体
にレーザ光を照射しつつ、極性が変調された磁界を印加
することにより記録を行なうことを特徴とする光磁気記
録方法。 - 【請求項２】上記レーザ光の照射により上記第２の磁性
膜の温度を上記所定の温度以上にすることを特徴とする
請求項１記載の光磁気記録方法。 - 【請求項３】垂直磁気異方性を有する第１の磁性膜と所
定の温度を境に低温では面内磁化膜であり高温では垂直
磁化膜となる第２の磁性膜とを具備する光磁気記録媒体
を用い、レーザ光源と、上記レーザ光源から出たレーザ
光を上記光記録媒体に入射させる手段と、上記光記録媒
体に極性が変調された磁界を印加する手段とを具備する
ことを特徴とする光磁気記録装置。 - 【請求項４】上記レーザ光源及び上記レーザ光源から出
たレーザ光を上記光記録媒体に入射させる手段は、上記
第２の磁性膜の温度を上記所定の温度以上にする手段で
あることを特徴とする請求項３記載の光磁気記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1063650A JP2875276B2 (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | 光磁気記録方法及び光磁気記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1063650A JP2875276B2 (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | 光磁気記録方法及び光磁気記録装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02244441A JPH02244441A (ja) | 1990-09-28 |
| JP2875276B2 true JP2875276B2 (ja) | 1999-03-31 |
Family
ID=13235438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1063650A Expired - Fee Related JP2875276B2 (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | 光磁気記録方法及び光磁気記録装置 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2875276B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1989
- 1989-03-17 JP JP1063650A patent/JP2875276B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH02244441A (ja) | 1990-09-28 |
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