JP2874186B2 - 低温処理装置 - Google Patents
低温処理装置Info
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- JP2874186B2 JP2874186B2 JP1129887A JP12988789A JP2874186B2 JP 2874186 B2 JP2874186 B2 JP 2874186B2 JP 1129887 A JP1129887 A JP 1129887A JP 12988789 A JP12988789 A JP 12988789A JP 2874186 B2 JP2874186 B2 JP 2874186B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、低温処理装置に関し、特に、基体支持体に
支持された被処理基体を低温状態で処理する低温処理装
置に関するものである。本発明は例えば電子材料形成の
分野において、半導体基板等の被処理基体に、例えば成
膜を施す場合などに利用することができる。
支持された被処理基体を低温状態で処理する低温処理装
置に関するものである。本発明は例えば電子材料形成の
分野において、半導体基板等の被処理基体に、例えば成
膜を施す場合などに利用することができる。
低温処理装置には、被処理基体を支持する支持体も同
時に冷却されて該支持体にも低温処理が施されてしまう
という問題があるが、本発明は、少なくとも処理時に被
処理基体により基体処理体表面を覆う構成にして低温処
理を行うことにより、支持体に低温処理がなされること
を防止したものである。
時に冷却されて該支持体にも低温処理が施されてしまう
という問題があるが、本発明は、少なくとも処理時に被
処理基体により基体処理体表面を覆う構成にして低温処
理を行うことにより、支持体に低温処理がなされること
を防止したものである。
近年、低温処理装置、例えば、被処理基体を例えば堆
積種の露点以下という低い温度に冷却して基体表面上に
膜を堆積する低温成膜装置等が注目されている。これ
は、次のような背景による。
積種の露点以下という低い温度に冷却して基体表面上に
膜を堆積する低温成膜装置等が注目されている。これ
は、次のような背景による。
即ち、従来、成膜手段特にCVD技術は、特に半導体製
造プロセス等のひとつとして重要な位置を占めてきた
が、最近の加速度的な素子の微細化の傾向に伴い、一層
高アスペクト比の溝や穴を埋め込んだり、また下地に凹
凸がある面に平坦に絶縁膜を形成する技術が求められる
ようになりつつある。このニーズに的確に応えるには、
従来の気相を利用したCVD法では、困難になりつつあ
る。最近では、被処理基体を、例えば０℃以下に冷却し
て堆積種の基板への吸着効率を上げたり、更に堆積種の
露点以下の温度にしてCVDを行う技術が注目を浴びてい
る。堆積種を露点以下にすると、堆積種が液相に変換
し、いわゆる液相でのCVDがなされるものであり、これ
により上記従来のCVDの限界を超えることが可能にな
る。
造プロセス等のひとつとして重要な位置を占めてきた
が、最近の加速度的な素子の微細化の傾向に伴い、一層
高アスペクト比の溝や穴を埋め込んだり、また下地に凹
凸がある面に平坦に絶縁膜を形成する技術が求められる
ようになりつつある。このニーズに的確に応えるには、
従来の気相を利用したCVD法では、困難になりつつあ
る。最近では、被処理基体を、例えば０℃以下に冷却し
て堆積種の基板への吸着効率を上げたり、更に堆積種の
露点以下の温度にしてCVDを行う技術が注目を浴びてい
る。堆積種を露点以下にすると、堆積種が液相に変換
し、いわゆる液相でのCVDがなされるものであり、これ
により上記従来のCVDの限界を超えることが可能にな
る。
このような低温処理、特に低温成膜（低温CVD）技術
については、SSDM1987年予稿集451頁、同1988年予稿集5
49頁、応用物理学会1988年春予稿集525頁などに記載が
ある。
については、SSDM1987年予稿集451頁、同1988年予稿集5
49頁、応用物理学会1988年春予稿集525頁などに記載が
ある。
しかし、従来の低温処理技術にあっては、被処理基体
を支持する基体支持体も同時に冷却され、該支持体に
も、被処理基体に対すると同様な処理が施されることが
ある。例えば、低温成膜装置では、被処理基体であるウ
エハーを載置する支持体であるサセプター周辺も冷却さ
れているため、このまわりにも膜堆積がおこる。このよ
うな不必要な膜堆積に伴い、各種の不都合、例えばメン
テナンス頻度が上がってしまうというような問題が出て
来る。
を支持する基体支持体も同時に冷却され、該支持体に
も、被処理基体に対すると同様な処理が施されることが
ある。例えば、低温成膜装置では、被処理基体であるウ
エハーを載置する支持体であるサセプター周辺も冷却さ
れているため、このまわりにも膜堆積がおこる。このよ
うな不必要な膜堆積に伴い、各種の不都合、例えばメン
テナンス頻度が上がってしまうというような問題が出て
来る。
本発明は上記問題点を解決し、被処理基体を支持体に
より支持して低温処理を行う場合にも、支持体に対して
不必要な処理がなされるなどの不都合が起こらないよう
にした低温処理装置を提供することを目的とする。
より支持して低温処理を行う場合にも、支持体に対して
不必要な処理がなされるなどの不都合が起こらないよう
にした低温処理装置を提供することを目的とする。
本発明は、上記問題点を解決すべく、基体支持体に支
持された被処理基体に成膜処理を行う処理装置におい
て、被処理基体を冷却する手段を備えた基体支持体と、
該被処理基体を覆う反応室と、該反応室へ活性種を輸送
する輸送管とを備え、少なくとも成膜処理時に被処理基
体により基体支持体表面を覆う構成にしたものである。
持された被処理基体に成膜処理を行う処理装置におい
て、被処理基体を冷却する手段を備えた基体支持体と、
該被処理基体を覆う反応室と、該反応室へ活性種を輸送
する輸送管とを備え、少なくとも成膜処理時に被処理基
体により基体支持体表面を覆う構成にしたものである。
本発明においては、低温処理時には、基体支持体表面
が被処理基体に覆われているので、該支持体表面に処理
が施されることがない。例えば、低温成膜装置について
言えば、支持体の表面に成膜されることは確実に防止さ
れる。
が被処理基体に覆われているので、該支持体表面に処理
が施されることがない。例えば、低温成膜装置について
言えば、支持体の表面に成膜されることは確実に防止さ
れる。
以下本発明の一実施例について、第１図を参照して説
明する。なお、当然のことではあるが、本発明は図示の
実施例にのみ限られるものではない。
明する。なお、当然のことではあるが、本発明は図示の
実施例にのみ限られるものではない。
第１図の実施例は、本発明を低温成膜装置に適用した
ものであり、特に、低温CVD装置に適用して、これを半
導体装置の製造プロセスのひとつとしたものである。
ものであり、特に、低温CVD装置に適用して、これを半
導体装置の製造プロセスのひとつとしたものである。
第１図は、装置の構成を略示する、構成的縦断面図で
ある。
ある。
第１図において、符号１はロード室、３はアンロード
室で、各室1,3とそれぞれゲートバルブ10,10′を介して
反応室２が設置されている。反応室２は、図示しない
が、排気系を有している。反応室２内には、支持体８で
あるサセプター上に載置されて被処理基体（ここではウ
エハー）７が支持されており、活性種生成室４から輸送
管５を通して送られる活性種が、ノズル６からこの被処
理基体７であるウエハーに与えられる。
室で、各室1,3とそれぞれゲートバルブ10,10′を介して
反応室２が設置されている。反応室２は、図示しない
が、排気系を有している。反応室２内には、支持体８で
あるサセプター上に載置されて被処理基体（ここではウ
エハー）７が支持されており、活性種生成室４から輸送
管５を通して送られる活性種が、ノズル６からこの被処
理基体７であるウエハーに与えられる。
本発明においては、処理時には、被処理基体７により
基体支持体８の表面は覆われている。
基体支持体８の表面は覆われている。
本実施例では、図示した如く、支持体８であるサセプ
ターは、被処理基体７であるウエハーよりやや小さく作
製されていて、これにより、図の如く被処理基体７が支
持体８を覆うようになっている。支持体８には、図示し
ていないが冷却ヘッドが内蔵されており、基体７を所定
の温度、例えば活性種の露点以下に冷却している。基体
７はロード室１より搬送系（図示せず）にて支持体８上
にロードさせるようにする。（あるいは、ロード室１と
反応室２の間に冷却室を設け、そこで基体を冷却する構
成を採用することもできる）。
ターは、被処理基体７であるウエハーよりやや小さく作
製されていて、これにより、図の如く被処理基体７が支
持体８を覆うようになっている。支持体８には、図示し
ていないが冷却ヘッドが内蔵されており、基体７を所定
の温度、例えば活性種の露点以下に冷却している。基体
７はロード室１より搬送系（図示せず）にて支持体８上
にロードさせるようにする。（あるいは、ロード室１と
反応室２の間に冷却室を設け、そこで基体を冷却する構
成を採用することもできる）。
基体７を冷却後、外部に設けた活性種生成室４（本実
施例では、RFプラズマを設けて活性種を得るようにし
た。なお矢印Ａでガス導入を示す。）で活性種を生成
し、輸送管５を通して、ノズル６より、基体７に吹き付
ける。活性種は基体７上で凝縮し、液相CVDが行われ
る。この時、支持体８は基体７に覆われているので、こ
こに活性種が凝縮することはない。即ち、CVDは支持体
８の表面上では行われず、よって不必要な堆積が防がれ
る。
施例では、RFプラズマを設けて活性種を得るようにし
た。なお矢印Ａでガス導入を示す。）で活性種を生成
し、輸送管５を通して、ノズル６より、基体７に吹き付
ける。活性種は基体７上で凝縮し、液相CVDが行われ
る。この時、支持体８は基体７に覆われているので、こ
こに活性種が凝縮することはない。即ち、CVDは支持体
８の表面上では行われず、よって不必要な堆積が防がれ
る。
なお、本実施例では、この低温CVD処理の際、図示の
ように基体７の裏面を沸点の低いHeやArガスでバックパ
ージする。矢印Ｂで、パージガスの流れを略示する。こ
れは、基体７より支持体８が小さいことで可能となった
ことであるが、このバックパージにより、基体７の裏面
に該低沸点ガスがまわりこんで、基体７の裏に不必要な
膜形成がなされることも防止できる。かつこれにより、
支持体８への膜成長もより一層確実に防がれる。
ように基体７の裏面を沸点の低いHeやArガスでバックパ
ージする。矢印Ｂで、パージガスの流れを略示する。こ
れは、基体７より支持体８が小さいことで可能となった
ことであるが、このバックパージにより、基体７の裏面
に該低沸点ガスがまわりこんで、基体７の裏に不必要な
膜形成がなされることも防止できる。かつこれにより、
支持体８への膜成長もより一層確実に防がれる。
所定の膜成長を終えた後は、基体７であるウエハーは
搬送系（図示せず）によりアンロード室３に移送する。
搬送系（図示せず）によりアンロード室３に移送する。
基体７であるウエハーの位置出しは、膜成長中に基体
７と接触しないようにしたガイドピンを用いてもよい
し、搬送アームの静止終了点を基体７の位置出しに用い
てもよい。
７と接触しないようにしたガイドピンを用いてもよい
し、搬送アームの静止終了点を基体７の位置出しに用い
てもよい。
また、本例における基体７であるウエハーは特に回転
するわけではないので、自重で支持体８たるサセプター
に設置できる。必要とあれば、ベルヌーイチャック等適
宜の手段を用いてもよい。
するわけではないので、自重で支持体８たるサセプター
に設置できる。必要とあれば、ベルヌーイチャック等適
宜の手段を用いてもよい。
上述の如く、この実施例は、本発明を、被処理基体７
であるウエハーを反応種の露点以下に冷却して膜成長を
行う成膜プロセス装置に適用したもので、この場合、基
体支持体８であるサセプターとして、被処理基体７（ウ
エハー）よりやや小さいものを用いることによって、処
理時に基体７により支持体８を覆うようにしたものであ
り、これにより支持体８には不必要な低温処理、ここで
は成膜が施されることが防がれる。
であるウエハーを反応種の露点以下に冷却して膜成長を
行う成膜プロセス装置に適用したもので、この場合、基
体支持体８であるサセプターとして、被処理基体７（ウ
エハー）よりやや小さいものを用いることによって、処
理時に基体７により支持体８を覆うようにしたものであ
り、これにより支持体８には不必要な低温処理、ここで
は成膜が施されることが防がれる。
更に本実施例では、該支持体８（サセプター）の側面
にも、基体７（ウエハー）の裏面を希ガス等でパージで
きる機能を備えたものであるので、上記作用を一層確実
にできるとともに、基体７の裏面に不必要な堆積が起こ
ることを防止できるのである。
にも、基体７（ウエハー）の裏面を希ガス等でパージで
きる機能を備えたものであるので、上記作用を一層確実
にできるとともに、基体７の裏面に不必要な堆積が起こ
ることを防止できるのである。
このように、本実施例によれば、サセプター等の支持
体８への膜堆積がないため、メンテナンス頻度が抑えら
れる。また、ウエハー等の被処理基体７の裏面への膜成
長を防ぐこともできるので、プロセスの信頼性が向上す
る。
体８への膜堆積がないため、メンテナンス頻度が抑えら
れる。また、ウエハー等の被処理基体７の裏面への膜成
長を防ぐこともできるので、プロセスの信頼性が向上す
る。
上述の如く、本発明によれば、被処理基体を支持体に
より支持して低温処理を行う場合にも、支持体に対して
不必要な処理がなされるなどの不都合が起こらないよう
にできるという効果があり、よって、例えば低温成膜装
置に適用すると、支持体に不要な成膜が生じず、メンテ
ナンス等を軽減できるという効果を得ることができる。
より支持して低温処理を行う場合にも、支持体に対して
不必要な処理がなされるなどの不都合が起こらないよう
にできるという効果があり、よって、例えば低温成膜装
置に適用すると、支持体に不要な成膜が生じず、メンテ
ナンス等を軽減できるという効果を得ることができる。
第１図は、本発明の一実施例に係る装置の構成を示す縦
断面略示図である。 １……ロード室、２……アンロード室、３……反応室、
７……被処理基体（ウエハー）、８……基体支持体（サ
セプター）。
断面略示図である。 １……ロード室、２……アンロード室、３……反応室、
７……被処理基体（ウエハー）、８……基体支持体（サ
セプター）。
Claims (1)
- 【請求項１】基体支持体に支持された被処理基体に成膜
処理を行う処理装置において、 被処理基体を冷却する手段を備えた基体支持体と、 該被処理基体を覆う反応室と、 該反応室へ活性種を輸送する輸送管とを備え、 少なくとも成膜処理時に被処理基体により基体支持体表
面を覆う構成にしたことを特徴とする処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1129887A JP2874186B2 (ja) | 1989-05-23 | 1989-05-23 | 低温処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1129887A JP2874186B2 (ja) | 1989-05-23 | 1989-05-23 | 低温処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02308520A JPH02308520A (ja) | 1990-12-21 |
| JP2874186B2 true JP2874186B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=15020800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1129887A Expired - Fee Related JP2874186B2 (ja) | 1989-05-23 | 1989-05-23 | 低温処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2874186B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5133284A (en) * | 1990-07-16 | 1992-07-28 | National Semiconductor Corp. | Gas-based backside protection during substrate processing |
| US5238499A (en) * | 1990-07-16 | 1993-08-24 | Novellus Systems, Inc. | Gas-based substrate protection during processing |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6372877A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-04-02 | Tokuda Seisakusho Ltd | 真空処理装置 |
| JPH01176933U (ja) * | 1988-06-03 | 1989-12-18 | ||
| JPH02135753A (ja) * | 1988-11-16 | 1990-05-24 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 試料保持装置 |
-
1989
- 1989-05-23 JP JP1129887A patent/JP2874186B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02308520A (ja) | 1990-12-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |