JP2868197B2 - 特に人工衛星による電話通信のための改良されたマイクロストリップアンテナデバイス - Google Patents

特に人工衛星による電話通信のための改良されたマイクロストリップアンテナデバイス

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JP2868197B2 JP4322304A JP32230492A JP2868197B2 JP 2868197 B2 JP2868197 B2 JP 2868197B2 JP 4322304 A JP4322304 A JP 4322304A JP 32230492 A JP32230492 A JP 32230492A JP 2868197 B2 JP2868197 B2 JP 2868197B2
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  • Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
  • Details Of Aerials (AREA)
  • Support Of Aerials (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】本発明は、マイクロストリップアンテナデ
バイスに関する。この技術分野において、すでに多くの
アンテナ構造が提案開示されている。最も単純なマイク
ロストリップ放射構造は、一方の側に所与の形状をした
導電パッチを有し他方の側にアース面と呼ばれる導電面
を有する誘電層を備えている。アンテナを構成するに
は、この構造体に超高周波エネルギを給電する給電モー
ドを決定しなければならない。
【０００２】パッチを積み重ねて構成したスタックを用
いるアイデアが、１９７９年３月のアンテナと伝播（An
tennas and Propagation) に関するＩＥＥＥ論文集(IEE
E Transactions) の第ＡＦ２７巻の第２号に掲載の「二
重周波数重層円形ディスクアンテナ（A dual frequency
stacked circular disc antenna）」と題するロングお
よびワルトン（LONG & WALTON)の論文に開示されてい
る。他の提案もその後なされている。
【０００３】重層の二パッチアンテナの給電について
は、給電を上部パッチのレベルで行うか下部パッチ（ア
ース面により近い）のレベルで行うかにしたがって、操
作観点上全く異なる２つの場合を区別しなければならな
い。給電を下部パッチのレベルで行う場合には、下部パ
ッチの周辺に接続を設けるのが最も一般的である。さら
に、この場合には自動的に、上部パッチのサイズを下部
パッチのサイズより大きくする。この点については、１
９９１年３月のアンテナと伝播（Antennas and Propaga
tion) に関するＩＥＥＥ論文集(IEEE Transactions) の
第３９巻の第３号に掲載の「プローブ給電重層円形マイ
クロストリップアンテナの入力インピーダンス（Input
impedance of a probe-fed stacked circular microstr
ip antenna) 」と題するタリントセフ、アリおよびコン
グ（TULINTSEFF, ALI & KONG) の論文を参照することが
できる。
【０００４】当業者は、重層パッチアンテナの改良を扱
うことが極めて困難であることを知っている。その特性
を理論モデル化する試みが多くなされてきた。例えば、
一例として、１９８７年のアンテナ伝播（Antenna Prop
agation)に関するＩＥＥＥシンポジウム(IEEE Symposiu
m)に掲載の「広帯域適用のための静電結合された二層マ
イクロストリップパッイアンテナ素子の設計（Design o
f a two-layer, capacitively coupled, microstrip pa
tch antenna element for broad band applications)」
と題するコックおよびクリストドゥル(COCK & CHRISTOD
OULOU)の論文をあげることができる。このような試みに
もかかわらず、理論モデル化によってその特性を推測
し、二層以上に積み重ねたパッチを含むマイクロストリ
ップ構造の作用を理解することは非常に困難である。
【０００５】本出願人は、航空機のような移動物体との
通信システム（以下、ＳＡＴＣＯＭシステムという）の
ための電子走査に適したアンテナを提供することを課題
としている。このシステムは、ＩＮＭＡＲＳＡＴ機構
（INMARSAT Organisation)によって操縦されている一連
の静止衛星と関連して操作される。少なくとも、航空機
への適用に関するかぎり、提案する通信サービスは、Ａ
ＲＩＮＣ７４１と呼ばれる国際基準によって規制され
る。
【０００６】本発明の目的は技術的には、受信用として
１．５ギガヘルツ（ＧＨｚ）より少し高く送信用として
１．６ギガヘルツより少し高い２つの非常に近接した帯
域において、送信用にも受信用にも操作可能なアンテナ
を提供することにある。ここでは航空機を想定している
が一般の移動物体が運動するため、この種のアンテナに
電子操作機能は必要である。また、ルーフアンテナある
いは両面アンテナ(Two side antenna)を選択する必要が
ある。両面アンテナの場合には、上述のＡＲＩＮＣ７４
１国際基準は、規定のアンテナを固定することのできる
容積を確保することのできる２つの公式許容形状を定め
ている。アンテナはさらに、移動飛行体の正確な壁形状
に適合することができなければならない。アンテナはさ
らに、空力抵抗を最小限にするために十分薄く、また航
空機の構造に要求される所望の機械的特徴を満足するよ
うに設計されなければならない。
【０００７】本発明にかかる研究において、本出願人
は、当業者によって従来受け入れられてきた解決手段に
対して実質的に相反するようなマイクロストリップアン
テナを設計することが可能なことを発見した。かくし
て、本発明は従来のアンテナ素子と基本的に異なるアン
テナ素子を提案する。
【０００８】本発明のアンテナ素子は、一方の側にアー
ス面を他方の側に所与の形状をした第１導電パッチを有
する第１の誘電層と、第１の誘電層の第１のパッチの側
に載置され且つ第１のパッチと反対の側に第２の導電パ
ッチを有する第２の誘電層と、第２の誘電層に載置され
た第３の誘電層と、いずれか一方の導電パッチに超高周
波を給電するための手段とを備えている。本発明によれ
ば、第２の導電パッチは第１の導電パッチのサイズより
小さく、第１の導電パッチの中心と周辺との間で選択的
に位置決めされた少なくとも１つの点において第１の導
電パッチに底面から給電する。上記構成により、第１お
よび第２のパッチの各サイズ、第１および第２の誘電層
の誘電特性、および好ましくは第１および第２の誘電層
の誘電率よりかなり高い誘電率を有する第３の誘電層の
誘電特性にしたがって問題の給電点の位置を選択するこ
とを条件として、操作可能なアンテナを構成することが
可能であることがわかった。
【０００９】本発明の別の態様によれば、第１の導電パ
ッチはトリプレート構造の誘電基板に設けられた給電回
路を接続するアース面のリードインに接続されている。
さらに特定すれば、上記トリプレート構造は上述のアー
ス面と下部アース面との間に設けられた誘電基板層を備
えている。２つのアース面の間にはアンテナ素子の給電
部分に対する周辺シールドを構成する導電リードインが
設けられている。好ましくは、２つの点において下部パ
ッチに給電することのできるウィルキンソンデバイダ(W
ilkinson divider) が設けられ、上記２つの点と下部パ
ッチの中心はほぼ二等辺三角形を構成し、この２つの点
にそれぞれもたらされる信号は直角位相にある。ウィル
キンソンデバイダは、トリプレート構造にしたがって基
板層の中間レベルに設けられている。この中間レベル
は、アンテナ全体のための中央コネクタと、一連のアン
テナ素子配列としての適用においてアンテナ全体を構成
する様々なアンテナ素子との間の給電配電レベルとして
役立つ。
【００１０】より好ましい実施態様によれば、２つのパ
ッチは全体的に円形で、実質的に同軸である。すなわ
ち、誘電層の面に対する同一の垂直線を中心としてい
る。本発明の他の特徴および利点は、以下に述べる詳細
な説明および添付した図面を参照して明らかになるであ
ろう。
【００１１】マイクロストリップデバイスにおいて、形
状が重要であることを当業者は知っている。さらに、マ
イクロストリップデバイスの性質を理解する上におい
て、図面は本質的である。したがって、明細書の理解を
容易にするためばかりでなく、本発明の定義に必要なか
ぎり、明細書中で図面を参照する。
【００１２】図１および図２において、参照番号ＰＭ０
は、航空機の壁に組み込まれるべきシートに絶縁接着剤
によって固着される下部アース面を示している。この下
部アース面の上には、２つの誘電層ＳＤＢおよびＳＤＨ
が形成されている。誘電層ＳＤＨの上にはさらに、別の
アース面ＰＭ１が形成されている。誘電層ＳＤＢと誘電
層ＳＤＨとの間で、さらに正確にはこれら２つの層のい
ずれか一方に、適当なメタライゼーション縞が形成され
た、トリプレート構造を全体として構成している。
【００１３】図１には模式的に図３および図４にはさら
に明確に示すように、これらのメタライゼーション縞は
基本的には給電線路Ｌを備え、この給電線路Ｌはウィル
キンソンデバイダ方式で分岐している。このデバイダ
は、２つの分岐線路ＤＬ１およびＤＬ２を有する。２つ
の分岐線路は最初分岐し、次いで誘電層ＳＤＢの厚さ内
に設けられ下部アース面ＰＭ０には接続されていない抵
抗器ＲＬＬを介して互いに接続されている。次いで、２
つの分岐線路ＤＬ１およびＤＬ２は再び分岐して、それ
ぞれ給電点ＥＬ１およびＥＬ２に接続されている。これ
らの給電点ＥＬ１およびＥＬ２は、リードインＴＲ１お
よびＴＲ２（アース面ＰＭ０には接続されていない）を
介して、アース面ＰＭ１の上方に載置される誘電層Ｄ１
の上方面に形成された下部パッチすなわち制御パッチＰ
１に設けられた給電点ＦＲ１およびＦＲ２に接続されて
いる。
【００１４】図３および図４に見られるように、２つの
分岐線路ＤＬ１およびＤＬ２の最終部分の長さが異な
り、この結果電磁気学的に、給電点ＦＲ１およびＦＲ２
のレベルにおける信号は、ほとんど互いに直角位相にあ
る。パッチＰ１の給電点ＦＲ１およびＦＲ２は、中心と
を結ぶ線が相関的に互いにほぼ直角になるように位置決
めされている。これらの給電点ＦＲ１およびＦＲ２は、
パッチＰ１の中心からＤ１およびＤ２の距離に位置決め
されており、この２つの距離は原則的に等しい。この距
離の選択については後述する。しかしながら、２つの距
離Ｄ１およびＤ２は、原則としてパッチＰ１の半径（図
３においてＤＰ１／２で示される）の５０％乃至１００
％である。
【００１５】パッチＰ１の上に、誘電層Ｄ１と同じ誘電
率を有するが図２に見られるように誘電層Ｄ１より厚さ
の大きい第２の誘電層Ｄ２が設けられている。誘電層Ｄ
２の上部には、原則的に円形でパッチＰ１と同心である
がパッチＰ１の直径より小さな直径を有する第２の導電
パッチ２（結合パッチ）が形成されている。アンテナ素
子はさらにもう１つの誘電層ＤＲによって完成されてい
る。この誘電層ＤＲは、レードームを構成し、原則的に
誘電層Ｄ１およびＤ２の誘電率よりかなり高い誘電率を
有する。
【００１６】図２および図４において、下部アース面Ｐ
Ｍ０の下方にある金属シートの後方に位置決めされた同
軸型の超高周波中央コネクタＣＣＨに向かう通路まで金
属化孔を介して給電線路Ｌが延びているのがわかる。さ
らに、図２および図４を比較すると、この中央コネクタ
には各接触スタッドに対して誘電層ＳＤＢの全体を貫通
するＵ字形の周辺シールドが設けられている。このシー
ルドを連続する導電層によって構成することもできる。
本出願人は、リードインコネクタＣＣＨの位置を包囲す
る横断スタッドを一定数備え、これらのスタッドの間隔
を処理すべき超高周波信号の波長より小さくすれば十分
であることを知得した。
【００１７】同様に、ＢＰ１１、ＢＰ１２およびＢＰ１
３のような周辺スタッドが、隣接するアンテナ素子に対
してまた外部に対して、本アンテナ素子の給電のための
シールドを構成する。しかしながら、アース面ＰＭ１の
上方には、隣接するアンテナ素子に対する本アンテナ素
子の絶縁は全く設けられていないことに注意しなければ
ならない。
【００１８】図５は、設定した課題の条件を満たしなが
ら、電子走査に適合するアンテナを構成するために、２
４個のアンテナ素子をどのように配列するべきかを示し
ている。すでに上述したように、これらのアンテナ素子
は少なくとも２４個のピンによって中央コネクタに接続
されている。このコネクタの上流において、図２に模式
的に示す移相器ＤＰＨによって各アンテナ素子に対する
個別の相互的な移相処理が行われる。アンテナに影響を
及ぼすパラメータは、１）３つの誘電層ＤＲ、Ｄ２およ
びＤ１の高さおよび誘電率と、２）パッチＰ１およびＰ
２の直径と、３）下部パッチＰ１の２つの給電点の半径
ｄ＝ｄ１＝ｄ２である。特に本発明の適用に対して設定
された課題は、単体アンテナ素子から図６に示すような
二重作用を得ることである。すなわち、ａ）２つの周波
数Ｆ１およびＦ２において非常に良好な適応性（─２０
デシベルより良好な）を備えた二重周波数作用と、ｂ）
周波数Ｆ１およびＦ２の周波数間隔を含む周波数Ｆ３と
Ｆ４との間で少なくとも─１０デシベルの適応性を確保
する広帯域特性である。
【００１９】本出願人は、周波数Ｆ１およびＦ２が互い
に遠く離れてすぎていないこと、上述の３つの誘電層の
高さや誘電率のパラメータが一定に固定されていること
を勘案し、設定した課題の条件を満足するには、２つの
パッチの半径およびパッチＰ１における給電半径をパラ
メータとした解決だけが残されていることに着目した。
これらのパラメータのいずれかを変化させると、上記条
件を満足する状態を再発見するのが非常に困難になる。
【００２０】問題の現象は完全には理解されていない
が、一般的な場合、２つのパッチＰ１およびＰ２のうち
いずれか一方だけが操作周波数に共振するようにすべて
の設定が行われると思われる。一方、アンテナを構成す
るためのパラメータの範囲は非常に小さく、２つのパッ
チは所望の典型的な二重周波数作用を示しながら相互作
用をする。そして、アンテナの望ましい操作条件に答え
るようなこの二重周波数作用の最適点を探究することが
必要である。特に、実用的には、上部レードーム層ＤＲ
を備えることなくアンテナ素子を機能させることは非常
に困難であることがわかっている。
【００２１】かくして、本出願人は、次のパラメータを
満足するアンテナを提供することができる。 １）層ＤＲの厚さが１．５乃至２．５mm ２）層ＤＲの相対誘電率が４乃至５ ３）層Ｄ２の厚さが約４．８mm ４）層Ｄ１の厚さが約１．６mm ５）層Ｄ１およびＤ２並びに層ＳＤＢおよびＳＤＨの相
対誘電率が約２ ６）パッチＰ１の直径が約７０mm ７）パッチＰ２の直径が約６０mm ８）給電点ＦＲ１およびＦＲ２の半径がパッチＰ１の半
径の０．５倍乃至０．７倍
【００２２】このようなアンテナは、ＳＡＴＣＯＭの操
作帯域に対して要求される条件を満足することができ
る。すなわち、条件とは次の通りである。 １）受信中心周波数（１．５４５ＧＨｚ）において─２
０ｄＢより良好な反射係数 ２）送信中心周波数（１．６４５ＧＨｚ）において─２
０ｄＢより良好な反射係数 ３）周波数１．５３乃至１．６６ＧＨｚにおいて─１０
ｄＢより良好なレベルの帯域特性
【００２３】次いで、図４および図５に示すような一連
のアンテナ素子の組付けについて説明する。先ず、互い
にほぼ直交する２つの半径上に位置決めされた２つの給
電点において、各下部パッチが給電されることはすでに
述べたとおりである。図示の２４個のアンテナ素子に対
して、２つの給電点を適当に様々な態様で配置させるこ
とが重要である。本出願人は、アンテナが円偏波モード
で且つ電子走査用に操作されることを勘案し、上述のよ
うに分散配置することによりアンテナの楕円率を低減さ
せることができることに想到した。このため、給電点を
ほぼランダムに配置するか、あるいはこの楕円率の観点
から好適な形態を実験的に探究することが可能である
（例えば図５に示すように）。
【００２４】このように構成された電子走査アンテナ
は、十分に低い二次ローブレベルで、等方向性アンテナ
と比較して少なくとも１２デシベルのアンテナ利得をも
って、６０度まで及ぶ照準ずれ角度に対して操作するこ
とができることがわかった。アンテナ利得のロスと二次
ローブレベルとの間の良好な妥協は、僅かに振幅重み付
きの照度法則を適用することによって得られる。これ
は、サーキュラー２０デシベルタイプのテイラー法則で
あるのがよい。この法則は、当業者にとって既知であ
る。各アンテナ素子に伴う移相器は、航空機の内部に収
容されたビームステアリングユニット（ＢＳＵ）に組み
込まれているのがよい。好ましくは、４ビットの二進ワ
ードによって制御されるＰＩＮダイオードによってスイ
ッチオンオフされる線路移相器が使用されるのがよい。
こうして、２２．５度の解像度が得られる。
【００２５】移相器ブロックに組み込まれた配電器によ
って、上述の法則にしたがって振幅の均整が確保され
る。本発明の特に意図する適用において、アンテナは、
比較的近接した周波数において送信モードにも受信モー
ドにも操作されなければならない。電子走査用移相器の
校正については、約８％の帯域に亘って、アンテナ素子
配列を同位相にしなければならない。帯域の中心周波数
において位相コードを計算するよりはむしろ、２つの全
く別個の周波数を使用していることや、移相器（交換回
線）の数量化および性質を考慮に入れるのが好ましいこ
とを本出願人は知得した。この目的のために、以下に説
明する校正手順を用いる。
【００２６】標準的なアンテナ、すなわち非平面型のア
ンテナのアンテナ素子の中心座標をＸｉ、Ｙｉ、Ｚｉと
する。周波数ｆにおいて主ビームをＵ、Ｖの方向に移動
させたいとき、このアンテナ素子Ａｉに理論的移相ＤＰ
ｉを適用しなければならない。理論的移相ＤＰｉは、当
業者に知られているようにｆ、Ｕ、Ｖの関数である。す
なわち、 ＤＰｉ（ｆ，Ｕ，Ｖ） 実際には、校正テーブルＴＣ（ｎ，Ｆ）を使用する。こ
こで、周波数Ｆの個別値に限定されるが、ｎは移相器の
所要の状態を示す整数（または他の個別変数）であっ
て、ｎは０以上且つＮ以下である。実際の値は次式のよ
うに表される。 ＤＱｉ（Ｆ，ｎ）
【００２７】本実施例では、１．５３─１．６６ＧＨｚ
の帯域において１０１の周波数点がとられ、Ｎは１５で
あり、ｎは４ビットで定義される。この方法は単一周波
数に対してアンテナ素子配列を正しく同位相にするだけ
である。ところが、本発明のアンテナは本質的に二重周
波数作用を有する。本出願人は次いで、２つの周波数ｆ
１およびｆ２に対して理論的位相と実際の集計表示位相
との間の距離を設定する。 ＤＤｉ＝ ｜ＤＱｉ（Ｆ１，ｎ）−ＤＰｉ（ｆ１，Ｕ，Ｖ）｜ ＋｜ＤＱｉ（Ｆ２，ｎ）−ＤＰｉ（ｆ２，Ｕ，Ｖ）｜ ここで、｜｜は絶対値を表す。各照準方向および各アン
テナ素子に関して、校正はこの関数ＤＤｉを最小にする
値ｎを求めることにある。移相器の走査は上述のように
行われる。もちろん、こうした校正は記憶される。
【００２８】本発明は、上述の実施例の態様にも本発明
の適用例にもかならずしも限定されない。アンテナ素子
は、その具体的構成を新たにすることによって、他の適
用例に使用されうる。マイクロストリップ素子とトリプ
レートの給電装置（フィーダー）とを同じ誘電スタック
内で組み合わせることも考えられる。本実施例のモード
の円偏波以外の偏波モードでもよい。本発明のもう１つ
の特徴は、誘電層Ｄ１およびＤ２に関するかぎり、誘電
率の低い誘導体、または多孔質の誘電体、気体で構成さ
れる誘電体に頼らなくてもいい点である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のアンテナ素子の全体を模式的に示す分
解透視図である。
【図２】図１のアンテナ素子の破断部分断面図である。
【図３】ウィルキンソンデバイダによる下部パッチの給
電手段への接続部の部分詳細図である。
【図４】２４の素子からなるアンテナのために中央コネ
クタに相互接続される２４のウィルキンソンデバイダの
底面図である。
【図５】図４に正確に対応した２４の下部パッチの上面
図である。
【図６】アンテナの反射係数と周波数との関係を示す図
である。
【符号の説明】
ＰＭ１ アース面 Ｐ１ 第１の導電パッチ Ｄ１ 第１の誘電層 Ｐ２ 第２の導電パッチ Ｄ２ 第２の誘電層 ＤＲ 第３の誘電層 ＳＤＨ 誘電基板 ＳＤＢ 誘電基板 ＤＬ１ 給電回路 ＤＬ２ 給電回路 ＴＲ１ リードイン ＰＭ０ 下部アース面 ＤＰＨ 移相器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−189002（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−715（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−262703（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−53606（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−204204（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−165103（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−53302（ＪＰ，Ａ) 電子情報通信学会春季全国大会（1989 年） Ｂ−117 昭和63年電子情報通信学会春季全国大 会 Ｂ−88 昭和57年電子情報通信学会全国大会 642 電子情報通信学会論文誌 ’85／４ Ｖｏｌ．Ｊ68−Ｂ，Ｎｏ．４．1985，ｐ ｐ．515−522 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01Q 13/08 H01Q 3/30 H01Q 5/00 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ) ＷＰＩ（ＤＩＡＬＯＧ)

Claims (12)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一方の側にアース面（ＰＭ１）を他方の
    側に所与の形状をした第１の導電パッチ（Ｐ１）を有す
    る第１の誘電層（Ｄ１）と、第１の誘電層の第１のパッ
    チの側に載置され且つ第１のパッチと反対の側に第２の
    導電パッチ（Ｐ２）を有する第２の誘電層（Ｄ２）と、
    第２の誘電層に載置された第３の誘電層（ＤＲ）と、い
    ずれか一方の導電パッチに超高周波を給電するための手
    段とを備えた、アンテナデバイスにおいて、 第２の導電パッチ（Ｐ２）のサイズは第１の導電パッチ
    （Ｐ１）のサイズよりも小さく、第１の導電パッチ（Ｐ
    １）だけが超高周波を給電するための手段に物理的に接
    続され、この給電接続は第１の導電パッチ（Ｐ１）の中
    心と周辺との間で選択的に位置決めされた少なくとも１
    つの点（ＦＲ１）においてその底面側から行われている
    ことを特徴とする、アンテナデバイス。
  2. 【請求項２】 第１の導電パッチ（Ｐ１）が、トリプレ
    ート構造の誘電基板（ＳＤＨ、ＳＤＢ）に設置された給
    電回路（ＤＬ１、ＤＬ２）を接続するアース面（ＰＭ
    １）のリードイン（ＴＲ１）に接続されていることを特
    徴とする請求項１に記載のアンテナデバイス。
  3. 【請求項３】 ２つのパッチ（Ｐ１、Ｐ２）が、全体的
    に円形であることを特徴とする請求項２に記載のアンテ
    ナデバイス。
  4. 【請求項４】 ２つのパッチ（Ｐ１、Ｐ２）が、実質的
    に同軸であることを特徴とする請求項３に記載のアンテ
    ナデバイス。
  5. 【請求項５】 第１および第２の誘電層（Ｄ１、Ｄ２）
    および誘電基板（ＳＤＨ、ＳＤＢ）の誘電材料の誘電率
    が約２であり、第１の誘電層（Ｄ１）に対する第２の誘
    電層（Ｄ２）の厚さの比が約３であることを特徴とする
    請求項２乃至４のいずれか１項に記載のアンテナデバイ
    ス。
  6. 【請求項６】 第３の誘電層（ＤＲ）の誘電材料の誘電
    率が約４であることを特徴とする請求項５に記載のアン
    テナデバイス。
  7. 【請求項７】 上記トリプレート構造はアース面（ＰＭ
    １）と下部アース面（ＰＭ０）との間に設けられた誘電
    基板層（ＳＤＨ、ＳＤＢ）と、周辺シールドを構成する
    導電リードイン（ＢＰ１１−ＢＰ１３）と、誘電基板層
    の中間レベルに設けられ且つ２つの点（ＦＲ１、ＦＲ
    ２）において下部パッチ（Ｐ１）に給電することのでき
    るウィルキンソンデバイダ（ＤＬ１、ＤＬ２、ＲＬＬ）
    とを備え、２つの点と下部パッチ（Ｐ１）の中心はほぼ
    二等辺三角形を構成することを特徴とする請求項２乃至
    ６のいずれか１項に記載のアンテナデバイス。
  8. 【請求項８】 誘電基板層（ＳＤＨ、ＳＤＢ）の誘電材
    料は、第１および第２の誘電層（Ｄ１、Ｄ２）の誘電材
    料とほぼ同じ誘電率を有することを特徴とする請求項７
    に記載のアンテナデバイス。
  9. 【請求項９】 同一の１組の第１および第２の誘電層
    （Ｄ１、Ｄ２）に、一連の第１の導電パッチ（Ｐ１）お
    よび第２の導電パッチ（Ｐ２）がそれぞれ設けられてい
    ることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記
    載のアンテナデバイス。
  10. 【請求項１０】 電子走査機能を付与するための制御さ
    れた移相器（ＤＰＨ）を備えていることを特徴とする請
    求項９に記載のアンテナデバイス。
  11. 【請求項１１】 下部パッチ（Ｐ１）の一対の給電点
    （ＦＲ１、ＦＲ２）が、はっきりと照準ずれした際のア
    ンテナの楕円率を改良するために所定の形態にしたがっ
    て配置されていることを特徴とする請求項７、８および
    １０のいずれか１項に記載のアンテナデバイス。
  12. 【請求項１２】 移相器（ＤＰＨ）は、理論値とアンテ
    ナの２つの中心周波数の両方に対する実際値との間の距
    離の関数を基礎にして校正されることを特徴とする請求
    項１０または１１に記載のアンテナデバイス。
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