JP2867595B2 - ▲ＩＩＩ▼―Ｖ族化合物半導体のｐ層への電極形成方法 - Google Patents

▲ＩＩＩ▼―Ｖ族化合物半導体のｐ層への電極形成方法

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Description

【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は,p形不純物がドーピングされたIII−Ｖ族化
合物半導体層へのオーミック電極形成方法に関し，低抵
抗で，スパイク状に拡散の進むことのない密着性のすぐ
れた電極形成方法に関する。
＜従来の技術＞ 例えばHBT（ヘテロ接合バイポーラトランジスタ）で
はIII−Ｖ族化合物半導体としてAlGaAs系やInGaAs系が
用いられる。この様な化合物半導体のｐ層への電極材料
としてはZn,AuZn,Cr/Au,Pt等が用いられていた。
＜発明が解決しようとする課題＞ しかしながら，上記従来例において各材料をスパッタ
や蒸着等によりＰ層に付着させ300〜400℃でアニールし
た場合,Znのみの場合はｐ層との密着性が極めて悪く，
また，他の材料ではオーミックコンタクトがとれるだけ
のアニールを行うとウエハの中にはスパイク的に拡散が
進む部分ができ使用が難しいという問題があった。
本発明は上記従来技術の問題を解決するために成され
たもので,III−Ｖ族化合物半導体のｐ層に対して良好な
オーミック接合方法を提供することを目的とする。
＜課題を解決するための手段＞ 上記従来技術の問題を解決する為の本発明の電極形成
方法は,p形不純物がドーピングされたIII−Ｖ族化合物
半導体へのオーミック電極形成方法において，電極材料
としてZnSi,WSi,Auを順次積層し，アニールを施したこ
とを特徴とするものである。
＜作用＞ 電極材料に含まれるSiがスパイク的な拡散を防止して
いると考えられる。
＜実施例＞ 本実施例ではBe等のＰ型ドーパントをドーピングした
InGaAs系ｐ層を用い，そのｐ層にZnとSiの容積混合比が
ほぼ1:1のZnSiを50Å程度，次にＷとSiの容積混合比が
1:2のWSiを1000〜3000Å，最後にAu（他の導電体でも良
い）を1000Å以上スパッタにより形成した。
次にその半導体デバイスを炉中に入れ300℃で30分の
アニールを行った。
上記工程によりｐ層の表面の100Å程度の領域でZnの
拡散による合金化が起こり，密着性にすぐれスパイク的
な拡散のない良好なオーミック電極が形成された。
なお，この電極形成方法はIII−Ｖ族化合物半導体を
用いるレーザダイオードやホットエレクトロントランジ
スタ等にも適用可能である。
＜発明の効果＞ 以上実施例とともに具体的に説明した様に本発明によ
れば，電極材料としてZnSi,WSi,Auを順次積層し，アニ
ールを施したので密着性にすぐれスパイク的な拡散のな
い電極を形成することができた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鎌田 浩実 東京都武蔵野市中町２丁目９番32号 横 河電機株式会社内 (72)発明者 岡 貞治 東京都武蔵野市中町２丁目９番32号 横 河電機株式会社内 (72)発明者 三浦 明 東京都武蔵野市中町２丁目９番32号 横 河電機株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/28 - 21/288 H01L 21/44 - 21/445 H01L 29/40 - 29/51 H01L 29/872

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ｐ形不純物がドーピングされたIII−Ｖ族
    化合物半導体へのオーミック電極形成方法において，電
    極材料としてZnSi,WSi,Auを順次積層し，アニールを施
    したことを特徴とするIII−Ｖ族化合物半導体のｐ層へ
    の電極形成方法。
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