JP2862108B2 - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- semiconductor integrated
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- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/73215—Layer and wire connectors
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路に関し、
特に、リードフレームのバスバーにボンディングワイヤ
の接触を防止する絶縁被膜を形成した半導体集積回路の
製造方法に関する。
特に、リードフレームのバスバーにボンディングワイヤ
の接触を防止する絶縁被膜を形成した半導体集積回路の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体集積回路は、例えば、半導
体チップを積載するためのタブ部が形成され、各リード
が接触しないように所定の間隔で配置されたインナーリ
ードと，インナーリードに対して内側に配置される電源
接続用のバスバーが設けられたリードフレームを使用
し、半導体チップのボンディングパッドにインナーリー
ドおよびバスバーをワイヤボンディングした後にリード
フレームおよび半導体チップを封止樹脂によってモール
ド成型して形成されている。
体チップを積載するためのタブ部が形成され、各リード
が接触しないように所定の間隔で配置されたインナーリ
ードと，インナーリードに対して内側に配置される電源
接続用のバスバーが設けられたリードフレームを使用
し、半導体チップのボンディングパッドにインナーリー
ドおよびバスバーをワイヤボンディングした後にリード
フレームおよび半導体チップを封止樹脂によってモール
ド成型して形成されている。
【０００３】半導体集積回路は近年、集積化および高密
度化に伴って半導体チップが大型化する傾向にある。こ
のため、大型化した半導体チップをリードフレームに搭
載するためにタブ部が大きくなり、半導体チップとの間
に所定の間隔を有したインナーリードを有したリードフ
レームを形成することが困難になってきている。
度化に伴って半導体チップが大型化する傾向にある。こ
のため、大型化した半導体チップをリードフレームに搭
載するためにタブ部が大きくなり、半導体チップとの間
に所定の間隔を有したインナーリードを有したリードフ
レームを形成することが困難になってきている。
【０００４】上記した問題を解決するため、図４に示さ
れるようにインナーリード１の内側に配置されたバスバ
ー２と，インナーリード１およびバスバー２に絶縁材３
を介して固定される半導体チップ４と，半導体チップ４
のボンディングパッド５とインナーリード１およびバス
バー２を接続するボンディングワイヤ６を有し、封止樹
脂９によりモールド成形された半導体集積回路が特開昭
５９−９２５５６および特開昭６１−２４１９５９にお
いて提案されている。この半導体集積回路は、図５に示
されるように、インナーリード１およびボンディングパ
ッド５を接続するボンディングワイヤ６がバスバー２上
を通過している。
れるようにインナーリード１の内側に配置されたバスバ
ー２と，インナーリード１およびバスバー２に絶縁材３
を介して固定される半導体チップ４と，半導体チップ４
のボンディングパッド５とインナーリード１およびバス
バー２を接続するボンディングワイヤ６を有し、封止樹
脂９によりモールド成形された半導体集積回路が特開昭
５９−９２５５６および特開昭６１−２４１９５９にお
いて提案されている。この半導体集積回路は、図５に示
されるように、インナーリード１およびボンディングパ
ッド５を接続するボンディングワイヤ６がバスバー２上
を通過している。
【０００５】この半導体集積回路によると、インナーリ
ード１およびバスバー２に半導体チップ４を接着して固
定するのでタブ部を省略できることから、リードフレー
ムと封止樹脂９との接触面積が減少し、その結果、両者
の密着性の低さに基づくクラックの発生を抑え、かつ半
導体チップ４の大型化によるパッケージの大型化を抑制
することができる。
ード１およびバスバー２に半導体チップ４を接着して固
定するのでタブ部を省略できることから、リードフレー
ムと封止樹脂９との接触面積が減少し、その結果、両者
の密着性の低さに基づくクラックの発生を抑え、かつ半
導体チップ４の大型化によるパッケージの大型化を抑制
することができる。
【０００６】また、図６(a),(b) に示されるように、バ
スバー２の上部面に絶縁性接着剤を塗布することによっ
て絶縁被膜７を形成し、ボンディングワイヤ６のバスバ
ー２への接触を防止してボンディングワイヤ６のループ
を低く形成できるようにした半導体集積回路がある。
スバー２の上部面に絶縁性接着剤を塗布することによっ
て絶縁被膜７を形成し、ボンディングワイヤ６のバスバ
ー２への接触を防止してボンディングワイヤ６のループ
を低く形成できるようにした半導体集積回路がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の半導体
集積回路はインナーリードに対してバスバーが内側に形
成されることから半導体チップとインナーリードを結線
するボンディングワイヤがバスバーに接触しないように
ループ状に配線されて形成されるため、ボンディングワ
イヤの長さが増し、さらにボンディングワイヤによる厚
み方向の高さが増すので半導体集積回路のパッケージの
薄型化が困難になるという問題がある。
集積回路はインナーリードに対してバスバーが内側に形
成されることから半導体チップとインナーリードを結線
するボンディングワイヤがバスバーに接触しないように
ループ状に配線されて形成されるため、ボンディングワ
イヤの長さが増し、さらにボンディングワイヤによる厚
み方向の高さが増すので半導体集積回路のパッケージの
薄型化が困難になるという問題がある。
【０００８】また、図６(a) ，(b) のように、ループの
高さを低くした場合、絶縁性接着剤の塗布により形成で
きる絶縁被膜の被膜厚は１０μｍ程度であり、さらに塗
布後の絶縁性接着剤には表面張力が作用することによっ
て形成される絶縁被膜が１０°程度の傾斜角度を成すこ
とから、傾斜部の先端において、即ち、バスバーの角部
では絶縁被膜が薄くなり、その結果、絶縁特性が低下し
てバスバー上をループ状に迂回するボンディングワイヤ
が変形を生じるとバスバーの角部と電気的に接触する可
能性が大になるという問題がある。従って、本発明の目
的はバスバーとボンディングワイヤの電気的な接触を防
止することによってパッケージを薄型化した、より高密
度化された半導体集積回路の製造方法を提供することに
ある。
高さを低くした場合、絶縁性接着剤の塗布により形成で
きる絶縁被膜の被膜厚は１０μｍ程度であり、さらに塗
布後の絶縁性接着剤には表面張力が作用することによっ
て形成される絶縁被膜が１０°程度の傾斜角度を成すこ
とから、傾斜部の先端において、即ち、バスバーの角部
では絶縁被膜が薄くなり、その結果、絶縁特性が低下し
てバスバー上をループ状に迂回するボンディングワイヤ
が変形を生じるとバスバーの角部と電気的に接触する可
能性が大になるという問題がある。従って、本発明の目
的はバスバーとボンディングワイヤの電気的な接触を防
止することによってパッケージを薄型化した、より高密
度化された半導体集積回路の製造方法を提供することに
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明はバスバーとボン
ディングワイヤの電気的な接触を防止することによって
パッケージの薄型化を図り、より高密度化された半導体
集積回路を提供するため、バスバーの表面を、該表面を
重力が作用する方向に向けた状態でその下側から塗布さ
れる接着性絶縁材が固化することによって形成される絶
縁体で被覆し、あるいはバスバーの表面および両側面を
フィルム状の成型絶縁体で被覆する半導体集積回路の製
造方法を提供する。
ディングワイヤの電気的な接触を防止することによって
パッケージの薄型化を図り、より高密度化された半導体
集積回路を提供するため、バスバーの表面を、該表面を
重力が作用する方向に向けた状態でその下側から塗布さ
れる接着性絶縁材が固化することによって形成される絶
縁体で被覆し、あるいはバスバーの表面および両側面を
フィルム状の成型絶縁体で被覆する半導体集積回路の製
造方法を提供する。
【００１０】
【作用】本発明の方法により製造される半導体集積回路
によると、バスバーの表面が、該表面を重力が作用する
方向に向けた状態でその下側から接着性絶縁材を塗布す
ることによって固化形成される絶縁体で被覆され、ある
いはバスバーの表面および両側面がフィルム状の成型絶
縁体で被覆されるので、バスバーを充分に被覆して良好
な絶縁特性が維持される。特に、ボンディングワイヤと
の接触を生じやすいバスバーの角部を有効に被覆する絶
縁被膜が形成されるので、ボンディングワイヤのバスバ
ーとの接触が防止される。
によると、バスバーの表面が、該表面を重力が作用する
方向に向けた状態でその下側から接着性絶縁材を塗布す
ることによって固化形成される絶縁体で被覆され、ある
いはバスバーの表面および両側面がフィルム状の成型絶
縁体で被覆されるので、バスバーを充分に被覆して良好
な絶縁特性が維持される。特に、ボンディングワイヤと
の接触を生じやすいバスバーの角部を有効に被覆する絶
縁被膜が形成されるので、ボンディングワイヤのバスバ
ーとの接触が防止される。
【００１１】
【参考例】最初に、半導体集積回路の参考例を添付図面
に基いて説明する。 図１は半導体集積回路の参考例を示
し、インナーリード１の内側に配置されるバスバー２
と、インナーリード１およびバスバー２に絶縁材３を介
して固定される半導体チップ４と、バスバー２の上部面
をループ状に迂回し、バスバー２の内側に設けられた開
口部を介して半導体チップ４のボンディングパッド５と
インナーリード１を接続するボンディングワイヤ６と、
バスバー２の上部面に塗布される絶縁性接着剤によって
形成される絶縁被膜７、７ａにより構成されている。
に基いて説明する。 図１は半導体集積回路の参考例を示
し、インナーリード１の内側に配置されるバスバー２
と、インナーリード１およびバスバー２に絶縁材３を介
して固定される半導体チップ４と、バスバー２の上部面
をループ状に迂回し、バスバー２の内側に設けられた開
口部を介して半導体チップ４のボンディングパッド５と
インナーリード１を接続するボンディングワイヤ６と、
バスバー２の上部面に塗布される絶縁性接着剤によって
形成される絶縁被膜７、７ａにより構成されている。
【００１２】バスバー２への塗布に使用される絶縁性接
着剤は、例えば、ポリアミドイミドを溶剤で希釈したも
のであり、ディスペンサ（図示せず）によってバスバー
２の上部面に第１回目の絶縁性接着剤の塗布を行った後
に１５０℃で１分の加熱処理を施して乾燥させることに
より溶剤が除去されて絶縁被膜７が形成される。この形
成された絶縁被膜７の上に、更に第２回目の絶縁性接着
剤の塗布を行い、１５０℃で２分の最終加熱処理を施す
ことによって絶縁被膜７ａが絶縁被膜７に積層化されて
形成される。
着剤は、例えば、ポリアミドイミドを溶剤で希釈したも
のであり、ディスペンサ（図示せず）によってバスバー
２の上部面に第１回目の絶縁性接着剤の塗布を行った後
に１５０℃で１分の加熱処理を施して乾燥させることに
より溶剤が除去されて絶縁被膜７が形成される。この形
成された絶縁被膜７の上に、更に第２回目の絶縁性接着
剤の塗布を行い、１５０℃で２分の最終加熱処理を施す
ことによって絶縁被膜７ａが絶縁被膜７に積層化されて
形成される。
【００１３】上記した方法によってバスバー２の表面に
絶縁性接着剤による絶縁被膜７、７ａが積層化されて形
成されることによって、バスバー２の表面に形成される
絶縁性接着剤による被膜厚を２０μｍ以上の厚さで形成
することができ、その結果、バスバー２の角部が絶縁性
接着剤によって充分に被覆されることから、ボンディン
グワイヤ６に変形が生じてもバスバー２の角部へのボン
ディングワイヤ６の接触を防止することができる。しか
し、この構造のものは、上記ディスペンサによる塗布の
際に絶縁性接着剤がバスバー２の裏面に回り込む懸念が
ある。
絶縁性接着剤による絶縁被膜７、７ａが積層化されて形
成されることによって、バスバー２の表面に形成される
絶縁性接着剤による被膜厚を２０μｍ以上の厚さで形成
することができ、その結果、バスバー２の角部が絶縁性
接着剤によって充分に被覆されることから、ボンディン
グワイヤ６に変形が生じてもバスバー２の角部へのボン
ディングワイヤ６の接触を防止することができる。しか
し、この構造のものは、上記ディスペンサによる塗布の
際に絶縁性接着剤がバスバー２の裏面に回り込む懸念が
ある。
【００１４】
【実施例１】図２は本発明の半導体集積回路の製造方法
の一実施例を示し、インナーリード１の内側に形成され
るバスバー２に、バスバー２の下側に位置させたディス
ペンサのニードル８より所定の粘度を有する絶縁性接着
剤を押し出して塗布する。この絶縁性接着剤は、参考例
で使用されている絶縁性接着剤より高い粘度を有する絶
縁性接着剤を使用する。その他の構成は参考例と同一に
つき説明を省略する。
の一実施例を示し、インナーリード１の内側に形成され
るバスバー２に、バスバー２の下側に位置させたディス
ペンサのニードル８より所定の粘度を有する絶縁性接着
剤を押し出して塗布する。この絶縁性接着剤は、参考例
で使用されている絶縁性接着剤より高い粘度を有する絶
縁性接着剤を使用する。その他の構成は参考例と同一に
つき説明を省略する。
【００１５】絶縁性接着剤がバスバー２の下側より塗布
されることによって、バスバー２の下面に絶縁性接着剤
が付着する。塗布された絶縁性接着剤は表面張力および
重力の作用により落下方向に垂れ下がりを生じた形状で
乾燥し、絶縁被膜７０が形成される。よって絶縁性接着
剤の１回の塗布で絶縁被膜７０が厚く形成され、バスバ
ー２の角部においては絶縁被膜７０の傾斜角度が３０°
以上となるので、バスバー２の角部へのボンディングワ
イヤ６の接触を防止することができる。
されることによって、バスバー２の下面に絶縁性接着剤
が付着する。塗布された絶縁性接着剤は表面張力および
重力の作用により落下方向に垂れ下がりを生じた形状で
乾燥し、絶縁被膜７０が形成される。よって絶縁性接着
剤の１回の塗布で絶縁被膜７０が厚く形成され、バスバ
ー２の角部においては絶縁被膜７０の傾斜角度が３０°
以上となるので、バスバー２の角部へのボンディングワ
イヤ６の接触を防止することができる。
【００１６】
【実施例２】図３は本発明の他の実施例に基づいて製造
される半導体集積回路を示し、インナーリード１の内側
に形成されるバスバー２に、バスバー２を包囲して固定
された絶縁部材７１が形成され、封止樹脂９により周囲
をモールド成型している。その他の構成は上記参考例と
同一につき説明を省略する。
される半導体集積回路を示し、インナーリード１の内側
に形成されるバスバー２に、バスバー２を包囲して固定
された絶縁部材７１が形成され、封止樹脂９により周囲
をモールド成型している。その他の構成は上記参考例と
同一につき説明を省略する。
【００１７】絶縁部材７１は、例えば、ポリイミドフィ
ルム等の絶縁フィルムであり、予め断面形状をＵ字型あ
るいはコの字型に形成した絶縁フィルムをバスバー２に
接着して固定する。この絶縁フィルムは表面に接着性あ
るいは粘着性を有するものが望ましい。なお、この絶縁
フィルムの形状はＵ字型およびコの字型に限定されず、
バスバー２の表面全体を被う形状およびバスバー２の側
面全体を被う形状、あるいはバスバー２の上部面全体と
側面の一部を被う形状に形成しても良く、さらにボンデ
ィングワイヤ６が接触しやすいバスバー２のエッジ部分
について絶縁フィルムを接着して固定しても良い。
ルム等の絶縁フィルムであり、予め断面形状をＵ字型あ
るいはコの字型に形成した絶縁フィルムをバスバー２に
接着して固定する。この絶縁フィルムは表面に接着性あ
るいは粘着性を有するものが望ましい。なお、この絶縁
フィルムの形状はＵ字型およびコの字型に限定されず、
バスバー２の表面全体を被う形状およびバスバー２の側
面全体を被う形状、あるいはバスバー２の上部面全体と
側面の一部を被う形状に形成しても良く、さらにボンデ
ィングワイヤ６が接触しやすいバスバー２のエッジ部分
について絶縁フィルムを接着して固定しても良い。
【００１８】また、半導体チップ４とバスバー２のワイ
ヤボンディングを行うための開口部を絶縁フィルム７１
の所定の位置に設けても良い。
ヤボンディングを行うための開口部を絶縁フィルム７１
の所定の位置に設けても良い。
【００１９】上記した絶縁フィルムによる絶縁被膜がバ
スバー２に形成されることによって、ボンディングワイ
ヤ６が接触しやすいバスバー２の上部面および角部に絶
縁部材７１を簡単に形成することができる。また、絶縁
フィルム表面の接着性あるいは粘着性によってボンディ
ングワイヤ６を絶縁フィルム表面に付着させて固定する
ことができるので、ボンディングワイヤ６同士の接触を
防止することができる。
スバー２に形成されることによって、ボンディングワイ
ヤ６が接触しやすいバスバー２の上部面および角部に絶
縁部材７１を簡単に形成することができる。また、絶縁
フィルム表面の接着性あるいは粘着性によってボンディ
ングワイヤ６を絶縁フィルム表面に付着させて固定する
ことができるので、ボンディングワイヤ６同士の接触を
防止することができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の半導体集積
回路の製造方法によると、バスバーの表面が、該表面を
重力が作用する方向に向けた状態でその下側から接着性
絶縁材を塗布することによって固化形成される絶縁体で
被覆され、あるいは、バスバーの表面および両側面がフ
ィルム状の成型絶縁材によって被覆されるようにしたた
め、バスバーとボンディングワイヤの電気的な接触を防
止することによってパッケージの薄型化を図り、より高
密度化された半導体集積回路を提供することができる。
回路の製造方法によると、バスバーの表面が、該表面を
重力が作用する方向に向けた状態でその下側から接着性
絶縁材を塗布することによって固化形成される絶縁体で
被覆され、あるいは、バスバーの表面および両側面がフ
ィルム状の成型絶縁材によって被覆されるようにしたた
め、バスバーとボンディングワイヤの電気的な接触を防
止することによってパッケージの薄型化を図り、より高
密度化された半導体集積回路を提供することができる。
【図１】半導体集積回路の参考例を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施例を示す図である。
【図３】本発明の他の実施例に基づく半導体集積回路の
断面図である。
断面図である。
【図４】従来の半導体集積回路を示す断面図である。
【図５】従来の半導体集積回路を示す説明図である。
【図６】従来の半導体集積回路を示す断面図である。
１ インナーリード ２ バスバー ３ 絶縁材 ４ 半導体チップ ５ ボンディングパッド ６ ボンディングワイヤ ７，７ａ，７０ 絶縁被膜 ８ ニードル ９ 封止樹脂 ７１ 絶縁被膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川村 敏雄 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電 線株式会社 システムマテリアル研究所 内 (72)発明者 宮川 剛 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電 線株式会社 システムマテリアル研究所 内 (56)参考文献 実開 昭63−188942（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/50
Claims (2)
- 【請求項１】リードフレームのインナーリードおよびバ
スバーに絶縁体を介して半導体チップが固定され、前記
インナーリードおよび前記バスバーがボンディングワイ
ヤを介して前記半導体チップに接続され、前記インナー
リードの前記ボンディングワイヤが前記バスバー上を通
過している構成の半導体集積回路の製造方法において、 前記バスバーが、その表面を重力が作用する方向に向け
た状態でその下側から接着性絶縁材を塗布することによ
って固化形成された絶縁体によって、前記表面が被覆さ
れ、前記インナーリードの前記ボンディングワイヤと電
気的に接触しないように構成されていることを特徴とす
る半導体集積回路の製造方法。 - 【請求項２】リードフレームのインナーリードおよびバ
スバーに絶縁体を介して半導体チップが固定され、前記
インナーリードおよび前記バスバーがボンディングワイ
ヤを介して前記半導体チップに接続され、前記インナー
リードの前記ボンディングワイヤが前記バスバー上を通
過している構成の半導体集積回路の製造方法において、 前記バスバーが、表面および両側面をフィルム状の成型
絶縁材によって被覆され、前記インナーリードの前記ボ
ンディングワイヤと電気的に接触しないように構成され
ていることを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4032642A JP2862108B2 (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4032642A JP2862108B2 (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05198728A JPH05198728A (ja) | 1993-08-06 |
| JP2862108B2 true JP2862108B2 (ja) | 1999-02-24 |
Family
ID=12364507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4032642A Expired - Lifetime JP2862108B2 (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2862108B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7199477B1 (en) * | 2000-09-29 | 2007-04-03 | Altera Corporation | Multi-tiered lead package for an integrated circuit |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0525236Y2 (ja) * | 1987-05-28 | 1993-06-25 |
-
1992
- 1992-01-23 JP JP4032642A patent/JP2862108B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05198728A (ja) | 1993-08-06 |
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