JP2859957B2 - ジヒドロキシエステルの製造方法 - Google Patents
ジヒドロキシエステルの製造方法Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C67/00—Preparation of carboxylic acid esters
- C07C67/44—Preparation of carboxylic acid esters by oxidation-reduction of aldehydes, e.g. Tishchenko reaction
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、ジヒドロキシエステルを製造するためのヒ
ドロキシアルデヒドの転化に関する。
ドロキシアルデヒドの転化に関する。
背景技術 いわゆるティチェンコ(Tichenko)反応により、ヒド
ロキシピバルデヒド(hydroxypivaldehyde)のヒドロキ
シピバリルヒドロキシピバレートへの二量化を触媒する
ためにマグネシウム含有化合物を使用することは、当該
技術分野でよく知られていることである。例えば、Mona
tsheft Fur Chemie,25巻、865頁(1904年)にFranke及
びKohnによって記述されているように、ヨウ化エチルマ
グネシウム(magnesium ethyliodide)がこの反応を触
媒するために使用されてきた。
ロキシピバルデヒド(hydroxypivaldehyde)のヒドロキ
シピバリルヒドロキシピバレートへの二量化を触媒する
ためにマグネシウム含有化合物を使用することは、当該
技術分野でよく知られていることである。例えば、Mona
tsheft Fur Chemie,25巻、865頁(1904年)にFranke及
びKohnによって記述されているように、ヨウ化エチルマ
グネシウム(magnesium ethyliodide)がこの反応を触
媒するために使用されてきた。
この分野に於ける更に最近の研究の代表的なものは米
国特許第3,862,215号(1975年)であり、それにはヒド
ロキシピバリルヒドロキシピバレートを製造するための
ヒドロキシピバルデヒドの転化用触媒として、水酸化マ
グネシウム及び酸化マグネシウムを使用することが記載
されている。この文献に開示されている酸化物又は水酸
化物触媒は、水の存在下又は不存在下に、全反応混合物
の重量基準で0.1〜20重量%の範囲内の濃度で、好まし
くは1〜5重量%の範囲内の濃度で使用される。次い
で、触媒は、蒸留により生成物を更に精製する前に、濾
過により粗生成物から除去される。
国特許第3,862,215号(1975年)であり、それにはヒド
ロキシピバリルヒドロキシピバレートを製造するための
ヒドロキシピバルデヒドの転化用触媒として、水酸化マ
グネシウム及び酸化マグネシウムを使用することが記載
されている。この文献に開示されている酸化物又は水酸
化物触媒は、水の存在下又は不存在下に、全反応混合物
の重量基準で0.1〜20重量%の範囲内の濃度で、好まし
くは1〜5重量%の範囲内の濃度で使用される。次い
で、触媒は、蒸留により生成物を更に精製する前に、濾
過により粗生成物から除去される。
反応混合物の濾過によりヒドロキシピバリルヒドロキ
シピバレート反応生成物から水酸化マグネシウム又は酸
化マグネシウム触媒を除去する際に遭遇する困難は、米
国特許第3,852,335号(1974年)にMerger及びDeumbgen
により記述されている。この文献は、反応触媒を除去す
るための濾過が、反応混合物をギ酸で中和し、それによ
り透過性の低いペースト状のフィルターケーキが生成す
るのを避けることにより、大きく改良されることを教示
している。
シピバレート反応生成物から水酸化マグネシウム又は酸
化マグネシウム触媒を除去する際に遭遇する困難は、米
国特許第3,852,335号(1974年)にMerger及びDeumbgen
により記述されている。この文献は、反応触媒を除去す
るための濾過が、反応混合物をギ酸で中和し、それによ
り透過性の低いペースト状のフィルターケーキが生成す
るのを避けることにより、大きく改良されることを教示
している。
濾過の問題を取り扱う別の手段は米国特許第4,665,21
9号(1987年)に記載されており、そこではヒドロキシ
ピバリルヒドロキシピバレート含有反応混合物からの触
媒の除去が二工程で行われている。触媒を最初に中和
し、次いで得られる塩を液−液抽出により除去する。0.
02%のように低いレベルまでの、塩基性カルシウム、バ
リウム、ストロンチウム、リチウム、マグネシウム、コ
バルト、ニッケル、鉛、ビスマス、ランタン、セリウム
及び亜鉛の水酸化物、酸化物及び水和酸化物の除去が示
唆されている。
9号(1987年)に記載されており、そこではヒドロキシ
ピバリルヒドロキシピバレート含有反応混合物からの触
媒の除去が二工程で行われている。触媒を最初に中和
し、次いで得られる塩を液−液抽出により除去する。0.
02%のように低いレベルまでの、塩基性カルシウム、バ
リウム、ストロンチウム、リチウム、マグネシウム、コ
バルト、ニッケル、鉛、ビスマス、ランタン、セリウム
及び亜鉛の水酸化物、酸化物及び水和酸化物の除去が示
唆されている。
残留する反応触媒及び/又はその中和塩の存在は、こ
のような金属含有物質が蒸留による精製で遭遇する温度
(典型的には約130〜200℃の範囲内)で所望の生成物の
分解及び不均化を起こす可能性があるので、ヒドロキシ
ピバリルヒドロキシピバレート生成物の更なる精製に於
いて困難を引き起こすおそれがある。このような残留反
応触媒及び/又はその中和塩の存在はまた、蒸留塔基部
の熱交換器又はワイプドフィルムエバポレータ(wiped
film evaporator)の羽根のような処理装置を汚染する
おそれがある。
のような金属含有物質が蒸留による精製で遭遇する温度
(典型的には約130〜200℃の範囲内)で所望の生成物の
分解及び不均化を起こす可能性があるので、ヒドロキシ
ピバリルヒドロキシピバレート生成物の更なる精製に於
いて困難を引き起こすおそれがある。このような残留反
応触媒及び/又はその中和塩の存在はまた、蒸留塔基部
の熱交換器又はワイプドフィルムエバポレータ(wiped
film evaporator)の羽根のような処理装置を汚染する
おそれがある。
ジヒドロキシエステルを製造するためのヒドロキシア
ルデヒドの転化用に有用であることが当該技術分野で知
られているその他の触媒には、アルミニウム、ナトリウ
ム及びチタンの金属アルコキシドが含まれる。例えば、
Journal of the American Chemical Society,74巻、513
3〜5135頁(1952年)参照。
ルデヒドの転化用に有用であることが当該技術分野で知
られているその他の触媒には、アルミニウム、ナトリウ
ム及びチタンの金属アルコキシドが含まれる。例えば、
Journal of the American Chemical Society,74巻、513
3〜5135頁(1952年)参照。
従って、ヒドロキシアルデヒドの触媒反応によるジヒ
ドロキシエステルの製造及び回収のための改良方法が望
まれるであろう。
ドロキシエステルの製造及び回収のための改良方法が望
まれるであろう。
発明の開示 本発明に従えば、ヒドロキシアルデヒドを、少量の少
なくとも一種の選択された元素状の触媒活性金属と接触
させることによる、ヒドロキシアルデヒドからのジヒド
ロキシエステルを製造する方法が提供される。
なくとも一種の選択された元素状の触媒活性金属と接触
させることによる、ヒドロキシアルデヒドからのジヒド
ロキシエステルを製造する方法が提供される。
本発明の反応は、反応混合物の製造工程の一部として
触媒中和工程を必要としない。本発明の反応に必要な触
媒の非常に低いレベルはまた、蒸留装置の汚れの可能性
を最小にし、同様に蒸留の間の生成物分解の可能性を最
小にする。
触媒中和工程を必要としない。本発明の反応に必要な触
媒の非常に低いレベルはまた、蒸留装置の汚れの可能性
を最小にし、同様に蒸留の間の生成物分解の可能性を最
小にする。
発明の詳細な説明 本発明に従えば、ヒドロキシアルデヒドからジヒドロ
キシエステルを製造する方法であって、ジヒドロキシエ
ステルが構造式: (式中、R及びR′は独立にC1〜C4のアルキル基であ
る) を有し、そしてヒドロキシアルデヒドが構造式: を有し、この方法が、ジヒドロキシエステルを形成する
のに適当な条件下に、ヒドロキシアルデヒドを、触媒量
の、元素状マグネシウム、元素状亜鉛、元素状マンガ
ン、元素状アルミニウム、元素状チタン又は元素状カル
シウムから選択された少なくとも一種の触媒活性金属と
接触させることを含んでなる方法が提供される。
キシエステルを製造する方法であって、ジヒドロキシエ
ステルが構造式: (式中、R及びR′は独立にC1〜C4のアルキル基であ
る) を有し、そしてヒドロキシアルデヒドが構造式: を有し、この方法が、ジヒドロキシエステルを形成する
のに適当な条件下に、ヒドロキシアルデヒドを、触媒量
の、元素状マグネシウム、元素状亜鉛、元素状マンガ
ン、元素状アルミニウム、元素状チタン又は元素状カル
シウムから選択された少なくとも一種の触媒活性金属と
接触させることを含んでなる方法が提供される。
本発明の実施に使用することが意図されるヒドロキシ
アルデヒドは、構造式: (式中、R及びR′は独立にC1〜C4のアルキル基であ
る) を有する化合物である。現在好ましい化合物は、式中R
及びR′のそれぞれがメチル基である化合物(即ち、ヒ
ドロキシピバルデヒド)又は式中R及びR′のそれぞれ
がエチル基である化合物(即ち、2,2−ジエチル−3−
ヒドロキシプロパノール)又は式中RがエチルでR′が
ブチルである化合物(即ち、2−ブチル−2−エチル−
3−ヒドロキシプロパノール)である。
アルデヒドは、構造式: (式中、R及びR′は独立にC1〜C4のアルキル基であ
る) を有する化合物である。現在好ましい化合物は、式中R
及びR′のそれぞれがメチル基である化合物(即ち、ヒ
ドロキシピバルデヒド)又は式中R及びR′のそれぞれ
がエチル基である化合物(即ち、2,2−ジエチル−3−
ヒドロキシプロパノール)又は式中RがエチルでR′が
ブチルである化合物(即ち、2−ブチル−2−エチル−
3−ヒドロキシプロパノール)である。
本発明の実施に使用することが意図される触媒には、
元素状マグネシウム、元素状亜鉛、元素状マンガン、元
素状アルミニウム、元素状チタン、元素状カルシウムな
ど並びにこれらの2種またはそれ以上の混合物が含まれ
る。現在好ましい触媒活性金属は元素状マグネシウムで
ある。
元素状マグネシウム、元素状亜鉛、元素状マンガン、元
素状アルミニウム、元素状チタン、元素状カルシウムな
ど並びにこれらの2種またはそれ以上の混合物が含まれ
る。現在好ましい触媒活性金属は元素状マグネシウムで
ある。
本発明の実施に使用される触媒活性金属の量は広範囲
に変えることができる。非常に低いレベルの触媒活性金
属でも本発明の方法を促進するが、所望の縮合反応を一
層促進するためには、より高いレベルが普通望ましい。
典型的には、全反応混合物の重量基準で、少なくとも0.
001重量%の前記少なくとも一種の触媒活性金属が、本
発明の実施のために使用される。好ましくは、約0.005
〜0.02重量%の範囲内の量の触媒活性金属が本発明の実
施に使用される。約0.007〜0.01重量%の範囲内の量の
触媒活性金属が現在最も好ましい。
に変えることができる。非常に低いレベルの触媒活性金
属でも本発明の方法を促進するが、所望の縮合反応を一
層促進するためには、より高いレベルが普通望ましい。
典型的には、全反応混合物の重量基準で、少なくとも0.
001重量%の前記少なくとも一種の触媒活性金属が、本
発明の実施のために使用される。好ましくは、約0.005
〜0.02重量%の範囲内の量の触媒活性金属が本発明の実
施に使用される。約0.007〜0.01重量%の範囲内の量の
触媒活性金属が現在最も好ましい。
本発明の反応は反応温度に比較的鋭敏ではなく、広範
囲の温度で行うことができる。典型的に、約50〜150℃
の範囲内の反応温度が使用され、約80〜120℃の範囲内
の反応温度が現在好ましい。
囲の温度で行うことができる。典型的に、約50〜150℃
の範囲内の反応温度が使用され、約80〜120℃の範囲内
の反応温度が現在好ましい。
本発明の実施に使用することが意図される反応時間も
広範囲に変えることができる。典型的には、反応時間は
約0.5〜15時間の範囲内で、約2〜8時間の範囲内の反
応時間が現在好ましい。
広範囲に変えることができる。典型的には、反応時間は
約0.5〜15時間の範囲内で、約2〜8時間の範囲内の反
応時間が現在好ましい。
本発明の反応は、所望ならば添加された溶剤を使用で
きるが、典型的には夾雑物無しに行われる。溶剤を使用
する場合には、アルコール又はエステルのような溶剤
が、本発明の実施に使用するのに適当である。
きるが、典型的には夾雑物無しに行われる。溶剤を使用
する場合には、アルコール又はエステルのような溶剤
が、本発明の実施に使用するのに適当である。
反応系中の水の量はできるだけ低く維持することが望
ましく、反応系中の水含有量は典型的に約0.3重量%よ
り低く維持される。触媒活性金属とのヒドロキシアルデ
ヒドの接触は、実質的に水の無い反応条件下に行うこと
が好ましい。
ましく、反応系中の水含有量は典型的に約0.3重量%よ
り低く維持される。触媒活性金属とのヒドロキシアルデ
ヒドの接触は、実質的に水の無い反応条件下に行うこと
が好ましい。
本発明の下記の非限定例を参照して更に詳細に記載す
る。
る。
例1 この例は比較の目的のためのものである。本例は乾燥
ヒドロキシピバルデヒドのヒドロキシピバリルヒドロキ
シピバレートの熱反応を記載する。
ヒドロキシピバルデヒドのヒドロキシピバリルヒドロキ
シピバレートの熱反応を記載する。
水中のヒドロキシピバルデヒドの粗混合物を、3重量
%炭酸ナトリウム(70g)を使用する、1,440g(20モ
ル)のイソブチルアルデヒドと910g(13.3モル)の44%
ホルムアルデヒド水溶液との反応により製造した。この
混合物を65℃で2時間撹拌し、1,000mlの蒸留水の2ア
リコートで洗浄し、そして100mmHgで基部温度131℃まで
真空蒸留した。その結果0.1重量%の水及び約90%のヒ
ドロキシピバルデヒドを含有する粗ヒドロキシピバルデ
ヒド供給物を得た。他の成分には、2.5%のネオペンチ
ルグリコールモノイソブチレート(NPG MI)、3%の
ネオペチルグリコール(NPG)及び4.5%のヒドロキシピ
バリルヒドロキシピバレートが含まれていた。
%炭酸ナトリウム(70g)を使用する、1,440g(20モ
ル)のイソブチルアルデヒドと910g(13.3モル)の44%
ホルムアルデヒド水溶液との反応により製造した。この
混合物を65℃で2時間撹拌し、1,000mlの蒸留水の2ア
リコートで洗浄し、そして100mmHgで基部温度131℃まで
真空蒸留した。その結果0.1重量%の水及び約90%のヒ
ドロキシピバルデヒドを含有する粗ヒドロキシピバルデ
ヒド供給物を得た。他の成分には、2.5%のネオペンチ
ルグリコールモノイソブチレート(NPG MI)、3%の
ネオペチルグリコール(NPG)及び4.5%のヒドロキシピ
バリルヒドロキシピバレートが含まれていた。
この供給物の200gアリコートを、撹拌しながら105℃
まで加熱し、ガスクロマトグラフィーによりヒドロキシ
ピバルデヒドのヒドロキシピバリルヒドロキシピバレー
トへの転化について定期的に分析した。ヒドロキシピバ
ルデヒド転化は17時間後に85%であった。粗生成物に
は、78%のヒドロキシピバリルヒドロキシピバレート、
14%のヒドロキシピバルデヒド、3%のNPG MI、4%
のNPG及び0.4%のヒドロキシピバリルヒドロキシピバレ
ートのギ酸エステルが含まれていた。
まで加熱し、ガスクロマトグラフィーによりヒドロキシ
ピバルデヒドのヒドロキシピバリルヒドロキシピバレー
トへの転化について定期的に分析した。ヒドロキシピバ
ルデヒド転化は17時間後に85%であった。粗生成物に
は、78%のヒドロキシピバリルヒドロキシピバレート、
14%のヒドロキシピバルデヒド、3%のNPG MI、4%
のNPG及び0.4%のヒドロキシピバリルヒドロキシピバレ
ートのギ酸エステルが含まれていた。
例2 本例は乾燥ヒドロキシピバルデヒドへマグネシウム金
属を添加する効果を示す。例1に記載したようにして製
造したヒドロキシピバルデヒドの200gアリコートを、0.
02g(100ppm)の粉末マグネシウム(200メッシュ)で処
理した。この混合物を撹拌しながら90℃まで加熱した。
発熱反応が起き、温度を105℃に維持するために外部冷
却が必要であった。ヒドロキシピバルデヒド転化は2時
間後に90%であった。
属を添加する効果を示す。例1に記載したようにして製
造したヒドロキシピバルデヒドの200gアリコートを、0.
02g(100ppm)の粉末マグネシウム(200メッシュ)で処
理した。この混合物を撹拌しながら90℃まで加熱した。
発熱反応が起き、温度を105℃に維持するために外部冷
却が必要であった。ヒドロキシピバルデヒド転化は2時
間後に90%であった。
反応混合物は薄い灰色であった。可溶性マグネシウム
についての分析値は80ppmであった。この生成物のガス
クロマトグラフィー分析値は、82.5%のヒドロキシピバ
リルヒドロキシピバレート、10%のヒドロキシピバルデ
ヒド、3.0%のNPG MI、3.5%のNPG及び0.2%のヒドロ
キシピバリルヒドロキシピバレートのギ酸エステルであ
った。
についての分析値は80ppmであった。この生成物のガス
クロマトグラフィー分析値は、82.5%のヒドロキシピバ
リルヒドロキシピバレート、10%のヒドロキシピバルデ
ヒド、3.0%のNPG MI、3.5%のNPG及び0.2%のヒドロ
キシピバリルヒドロキシピバレートのギ酸エステルであ
った。
例3 本例は100及び1000ppmでCa(OH)2を添加する効果を
示す。例1に記載したようにして製造したヒドロキシピ
バルデヒドのアリコートを、0.02g(100ppm)のCa(O
H)2粉末で処理した。この反応混合物を撹拌しながら1
05℃まで加熱した。ヒドロキシピバルデヒド転化は2時
間後に55%で、5時間後に70%であった。この反応を10
00ppmのCa(OH)2(0.2g)で繰り返した。反応は発熱
であり冷却しなくてはならなかった。ヒドロキシピバル
デヒド転化は0.5時間後に95%であった。
示す。例1に記載したようにして製造したヒドロキシピ
バルデヒドのアリコートを、0.02g(100ppm)のCa(O
H)2粉末で処理した。この反応混合物を撹拌しながら1
05℃まで加熱した。ヒドロキシピバルデヒド転化は2時
間後に55%で、5時間後に70%であった。この反応を10
00ppmのCa(OH)2(0.2g)で繰り返した。反応は発熱
であり冷却しなくてはならなかった。ヒドロキシピバル
デヒド転化は0.5時間後に95%であった。
例4 本例はヒドロキシピバルデヒド供給物へマグネシウム
アルコキシドを添加する効果を示す。例1に記載したよ
うにして製造したヒドロキシピバルデヒドの200gアリコ
ートを、0.03g(150ppm)の粉末マグネシウムエトキシ
ドで処理した。この混合物を105℃まで加熱した。ヒド
ロキシピバルデヒド転化は2時間後に57%であった。
アルコキシドを添加する効果を示す。例1に記載したよ
うにして製造したヒドロキシピバルデヒドの200gアリコ
ートを、0.03g(150ppm)の粉末マグネシウムエトキシ
ドで処理した。この混合物を105℃まで加熱した。ヒド
ロキシピバルデヒド転化は2時間後に57%であった。
例5 本例はヒドロキシピバルデヒド供給物へ酸化マグネシ
ウムを添加する効果を示す。粉末酸化マグネシウム0.4g
(2,000ppm)を、例1に記載したようにして製造したヒ
ドロキシピバルデヒドに添加した。ヒドロキシピバルデ
ヒド転化は2時間後に90%であった。この反応を0.03g
(150ppm)の酸化マグネシウムで繰り返した。転化は4
時間後に45%であり、15時間後に85%であった。
ウムを添加する効果を示す。粉末酸化マグネシウム0.4g
(2,000ppm)を、例1に記載したようにして製造したヒ
ドロキシピバルデヒドに添加した。ヒドロキシピバルデ
ヒド転化は2時間後に90%であった。この反応を0.03g
(150ppm)の酸化マグネシウムで繰り返した。転化は4
時間後に45%であり、15時間後に85%であった。
例6 本例はヒドロキシピバリルヒドロキシピバレートの連
続製造を示す。この供給物には、15%の水、10%のNP
G、3%のNPG MI、70%のヒドロキシピバルデヒド及び
2%のヒドロキシピバリルヒドロキシピバレートが含ま
れていた。乾燥塔、2段撹拌式槽型反応器、フラッシュ
塔及び2個の真空蒸留塔からなる連続系を、(1)マグ
ネシウム粉末、(2)酸化マグネシウム及び(3)水酸
化カルシウムを触媒として使用してヒドロキシピバリル
ヒドロキシピバレートを製造するのに使用した。
続製造を示す。この供給物には、15%の水、10%のNP
G、3%のNPG MI、70%のヒドロキシピバルデヒド及び
2%のヒドロキシピバリルヒドロキシピバレートが含ま
れていた。乾燥塔、2段撹拌式槽型反応器、フラッシュ
塔及び2個の真空蒸留塔からなる連続系を、(1)マグ
ネシウム粉末、(2)酸化マグネシウム及び(3)水酸
化カルシウムを触媒として使用してヒドロキシピバリル
ヒドロキシピバレートを製造するのに使用した。
105℃及び滞留時間4時間で80〜90%のヒドロキシピ
バルデヒド転化を与える最小触媒含有量を測定した。こ
れらの規準を満足するのに必要であると見出された量
は、(1)80ppmのマグネシウム粉末、(2)2,000ppm
のMgO及び(3)2,000ppmのCa(OH)2であった。
バルデヒド転化を与える最小触媒含有量を測定した。こ
れらの規準を満足するのに必要であると見出された量
は、(1)80ppmのマグネシウム粉末、(2)2,000ppm
のMgO及び(3)2,000ppmのCa(OH)2であった。
上記Ca(OH)2含有粗ヒドロキシピバリルヒドロキシ
ピバレートの蒸留を試みたところ、第一塔で多量のポリ
エステルが生成する結果になった。酢酸での中和は、ヒ
ドロキシピバリルヒドロキシピバレートの収率を改良せ
ず、40〜50%に留まった。濾過によりCa(OH)2又はCa
(Ac)2を除去する試みは、米国特許第3,852,335号(1
974年)に記載されているように、フィルターを急速に
詰まらせる結果になった。「ペースト状のフィルターケ
ーキ」が非常に速く生成し、濾液の流れを止めた。
ピバレートの蒸留を試みたところ、第一塔で多量のポリ
エステルが生成する結果になった。酢酸での中和は、ヒ
ドロキシピバリルヒドロキシピバレートの収率を改良せ
ず、40〜50%に留まった。濾過によりCa(OH)2又はCa
(Ac)2を除去する試みは、米国特許第3,852,335号(1
974年)に記載されているように、フィルターを急速に
詰まらせる結果になった。「ペースト状のフィルターケ
ーキ」が非常に速く生成し、濾液の流れを止めた。
マグネシウム粉末生成粗ヒドロキシピバリルヒドロキ
シピバレートの蒸留は円滑に進行した。ポリエステル生
成は最小(5%未満)であり、高品質のヒドロキシピバ
リルヒドロキシピバレート生成物を、消費されたヒドロ
キシピバルデヒド基準で90%の収率で得ることができ
た。高沸点物除去塔の基部には、添加されたマグネシウ
ムの95%である1,600ppmのマグネシウムが含まれてい
た。
シピバレートの蒸留は円滑に進行した。ポリエステル生
成は最小(5%未満)であり、高品質のヒドロキシピバ
リルヒドロキシピバレート生成物を、消費されたヒドロ
キシピバルデヒド基準で90%の収率で得ることができ
た。高沸点物除去塔の基部には、添加されたマグネシウ
ムの95%である1,600ppmのマグネシウムが含まれてい
た。
本発明のその好ましい態様を特に参照して詳細に記載
したが、その変形及び修正が本発明の精神及び範囲内で
有効であることを理解されたい。
したが、その変形及び修正が本発明の精神及び範囲内で
有効であることを理解されたい。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI B01J 23/02 B01J 23/02 X 23/34 23/34 X C07B 61/00 300 C07B 61/00 300 (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C07C 69/675 C07C 67/44 C07B 61/00 B01J 21/02 - 21/10 B01J 23/02 B01J 23/34 WPI/L(QUESTEL) CA(STN) EPAT(QUESTEL)
Claims (12)
- 【請求項1】ヒドロキシアルデヒドからジヒドロキシエ
ステルを製造する方法において、該ジヒドロキシエステ
ルが構造式: (式中、R及びR′は独立にC1〜C4のアルキル基であ
る) を有し、そして該ヒドロキシアルデヒドが構造式: を有し、該方法が、該ジヒドロキシエステルを形成する
のに適当な条件下で、該ヒドロキシアルデヒドを、触媒
量の、元素状マグネシウム、元素状亜鉛、元素状マンガ
ン、元素状アルミニウム、元素状チタン又は元素状カル
シウムから選ばれた少なくとも一種の触媒活性金属と接
触させることを含んでなる方法。 - 【請求項2】少なくとも0.001重量%の、該少なくとも
一種の触媒活性金属を、該接触のために使用する請求の
範囲第1項に記載の方法。 - 【請求項3】該少なくとも一種の触媒活性金属が、0.00
5〜0.02重量%の範囲内の量で存在する請求の範囲第1
項に記載の方法。 - 【請求項4】該少なくとも一種の触媒活性金属が、0.00
7〜0.01重量%の範囲内の量で存在する請求の範囲第1
項に記載の方法。 - 【請求項5】該少なくとも一種の触媒活性金属が元素状
マグネシウムである請求の範囲第1項に記載の方法。 - 【請求項6】該ジヒドロキシエステルを形成するのに適
当な条件が、0.5〜15時間の範囲内の時間で50〜150℃の
範囲内の反応温度からなる請求の範囲第1項に記載の方
法。 - 【請求項7】該ジヒドロキシエステルを形成するのに適
当な条件が、2〜8時間の範囲内の時間で80〜120℃の
範囲内の反応温度からなる請求の範囲第1項に記載の方
法。 - 【請求項8】該接触を実質的に水の無い条件下で行う請
求の範囲第1項に記載の方法。 - 【請求項9】該接触の間0.3重量%未満の水で存在する
請求の範囲第1項に記載の方法。 - 【請求項10】各Rがエチルで、各R′がブチルである
請求の範囲第1項に記載の方法。 - 【請求項11】R=R′=メチルである請求の範囲第1
項に記載の方法。 - 【請求項12】R=R′=エチルである請求の範囲第1
項に記載の方法。
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