JP2852971B2 - Ｔｔｌからｅｃｌ／ｃｍｌへの変換回路 - Google Patents
Ｔｔｌからｅｃｌ／ｃｍｌへの変換回路Info
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、エミッタ結合論理（ECL）集積回路によっ
て処理するために入力端におけるTTL論理高及び低電位
信号を出力端において電流モード論理信号へ変換するた
めの新規なトランジスタ−トランシスタ−論理（TTL）
からエミッタ結合論理乃至は電流モード論理（ECL/CM
L）入力バッファへの変換（翻訳）回路に関するもので
ある。本発明は、特に、集積回路の内部ECLゲートに対
して温度補償した電圧供給源を発生するオンチップ型の
バンドギャップバイアス発生器を具備する単一の＋5.0V
レールECL集積回路に適用可能なものである。本発明
は、変換回路のECLゲートへ温度補償した入力及びスレ
ッシュホールド信号電圧レベルを供給し、変換回路の動
作を改善するものである。
て処理するために入力端におけるTTL論理高及び低電位
信号を出力端において電流モード論理信号へ変換するた
めの新規なトランジスタ−トランシスタ−論理（TTL）
からエミッタ結合論理乃至は電流モード論理（ECL/CM
L）入力バッファへの変換（翻訳）回路に関するもので
ある。本発明は、特に、集積回路の内部ECLゲートに対
して温度補償した電圧供給源を発生するオンチップ型の
バンドギャップバイアス発生器を具備する単一の＋5.0V
レールECL集積回路に適用可能なものである。本発明
は、変換回路のECLゲートへ温度補償した入力及びスレ
ッシュホールド信号電圧レベルを供給し、変換回路の動
作を改善するものである。
従来技術 従来のTTLからECL/CML入力バッファへの変換回路を第
１図に示してある。この変換回路は、本明細書において
はECLベース差動ゲートとも呼称されるECLゲートを組込
んでおり、それは、高電位電力レールVCCと低電位電力
レールVEEとの間に結合されている。この例において
は、高電位電力レールVCCは、例えば4.5又は5.0Vとする
ことが可能であり、一方低電位電力レールVEEは0V乃至
は接地電位（GND）とすることが可能である。
１図に示してある。この変換回路は、本明細書において
はECLベース差動ゲートとも呼称されるECLゲートを組込
んでおり、それは、高電位電力レールVCCと低電位電力
レールVEEとの間に結合されている。この例において
は、高電位電力レールVCCは、例えば4.5又は5.0Vとする
ことが可能であり、一方低電位電力レールVEEは0V乃至
は接地電位（GND）とすることが可能である。
このECLゲートは、ベース差動ゲートであり、そのベ
ースノードにおいて論理高及び低電位レベルの入力信号
を受取るための入力トランジスタQ4及び基準トランジス
タ要素Q5を具備している。論理高多び低電位入力信号レ
ベルの間のスレッシュホールド信号電圧レベルが、基準
トランジスタ要素Q5のベースノードへ印加される。ECL
ゲートトランジスタQ4及びQ5のエミッタ端子が、共通エ
ミッタノード結合において共通結合されている。エミッ
タホロワ電流源トランジスタ要素Q6及びエミッタ乃至は
テール抵抗R6によって与えられる電流シンクは、ECLゲ
ートトランジスタQ4及びQ5の共通エミッタノード結合と
低電位パワーレールVEEとの間に結合されている。電流
源電圧VCSが電流源トランジスタ要素Q6のベースノード
へ印加されると、電流シンクは、ECLゲートトランジス
タ要素Q4及びQ5によって与えられる代替的な電流経路の
何れか一方を介してシンク電流乃至はテール電流を発生
する。図示していないが、より大型のECL集積回路の一
部として得ることが可能なバンドギャップバイアス発生
器が、温度補償した電流源電圧レベルVCSを発生する。
ースノードにおいて論理高及び低電位レベルの入力信号
を受取るための入力トランジスタQ4及び基準トランジス
タ要素Q5を具備している。論理高多び低電位入力信号レ
ベルの間のスレッシュホールド信号電圧レベルが、基準
トランジスタ要素Q5のベースノードへ印加される。ECL
ゲートトランジスタQ4及びQ5のエミッタ端子が、共通エ
ミッタノード結合において共通結合されている。エミッ
タホロワ電流源トランジスタ要素Q6及びエミッタ乃至は
テール抵抗R6によって与えられる電流シンクは、ECLゲ
ートトランジスタQ4及びQ5の共通エミッタノード結合と
低電位パワーレールVEEとの間に結合されている。電流
源電圧VCSが電流源トランジスタ要素Q6のベースノード
へ印加されると、電流シンクは、ECLゲートトランジス
タ要素Q4及びQ5によって与えられる代替的な電流経路の
何れか一方を介してシンク電流乃至はテール電流を発生
する。図示していないが、より大型のECL集積回路の一
部として得ることが可能なバンドギャップバイアス発生
器が、温度補償した電流源電圧レベルVCSを発生する。
入力トランジスタ要素Q4のベースノードは、本例にお
いてはショットキーダイオードである入力ダイオードSD
1を介して、TTL入力端TTL INへ結合されている。このTT
L入力端は、例えば、＋5.0Vの高と0V又は接地電位の低
との間の典型的なTTL論理高及び低電位レベルのTTL信号
を受取る。入力クランプ回路は、入力トランジスタ要素
Q4のベースノードにおいて、制御した論力高及び低信号
電位レベルVIH,VILを印加する。
いてはショットキーダイオードである入力ダイオードSD
1を介して、TTL入力端TTL INへ結合されている。このTT
L入力端は、例えば、＋5.0Vの高と0V又は接地電位の低
との間の典型的なTTL論理高及び低電位レベルのTTL信号
を受取る。入力クランプ回路は、入力トランジスタ要素
Q4のベースノードにおいて、制御した論力高及び低信号
電位レベルVIH,VILを印加する。
入力クランプ回路は、入力トランジスタ要素Q4のベー
スノードと低電位パワーレールVEEとの間に直列的に結
合されているベースコレクタ短絡型（BCS）トランジス
タ要素Q1,Q2,Q3によって与えられるダイオードスタック
である。コレクタ抵抗R2は、バイアス抵抗乃至は電流源
抵抗であって、それは、R2,Q2,Q3を介してVCCからVEEへ
通過する電流でBCSトランジスタ要素ダイオードQ2及びQ
3を順方向バイアスする。TTL入力端に例えば4.5又は5.0
VのTTL論理高電位レベル信号が存在すると、電流源抵抗
要素R1を介してVCCから電流が流れ、且つダイオードス
タックの上部におけるBCSトランジスタ要素ダイオードQ
1を順方向バイアスする。従って、入力クランプ回路ダ
イオードスタックは、入力トランジスタ要素Q4のベース
ノードにおいて例えば、約2.2V乃至2.4Vの範囲内の選択
した論力高信号電位レベルVIHを印加すべく動作可能と
なる。例えば0V乃至は接地電位VEEのTTL論理低電位レベ
ルがTTL入力端に印加されると、電流源抵抗要素R1を介
してのVCCからの電流は、入力ダイオードSD1介して接地
電位へ逸らされる。入力ダイオードSD1は、入力トラン
ジスタ要素Q4のベースノードにおいて、例えば、0.6V乃
至0.8Vの範囲内において、選択した論理低信号電位レベ
ルVILを印加するか乃至はクランプする。
スノードと低電位パワーレールVEEとの間に直列的に結
合されているベースコレクタ短絡型（BCS）トランジス
タ要素Q1,Q2,Q3によって与えられるダイオードスタック
である。コレクタ抵抗R2は、バイアス抵抗乃至は電流源
抵抗であって、それは、R2,Q2,Q3を介してVCCからVEEへ
通過する電流でBCSトランジスタ要素ダイオードQ2及びQ
3を順方向バイアスする。TTL入力端に例えば4.5又は5.0
VのTTL論理高電位レベル信号が存在すると、電流源抵抗
要素R1を介してVCCから電流が流れ、且つダイオードス
タックの上部におけるBCSトランジスタ要素ダイオードQ
1を順方向バイアスする。従って、入力クランプ回路ダ
イオードスタックは、入力トランジスタ要素Q4のベース
ノードにおいて例えば、約2.2V乃至2.4Vの範囲内の選択
した論力高信号電位レベルVIHを印加すべく動作可能と
なる。例えば0V乃至は接地電位VEEのTTL論理低電位レベ
ルがTTL入力端に印加されると、電流源抵抗要素R1を介
してのVCCからの電流は、入力ダイオードSD1介して接地
電位へ逸らされる。入力ダイオードSD1は、入力トラン
ジスタ要素Q4のベースノードにおいて、例えば、0.6V乃
至0.8Vの範囲内において、選択した論理低信号電位レベ
ルVILを印加するか乃至はクランプする。
入力トランジスタ要素Q4のベースノードにおいて交互
の論理高及び低信号レベルVIH,VILが印加されると、単
一基準電圧乃至はスレッシュホールド電圧VTHが、基準
トランジスタ要素Q5のベースノードに印加される。第１
図の従来のTTLからECL/CMLへの変換回路において、しば
しばVIN REFとも呼称されるスレシュホールド電圧V
THが、典型的にはタイオードスタックであるスレッシュ
ホールドクランプ回路によって確立される。本例におけ
るダイオードスタックは、BCSトランジスタ要素ダイオ
ードQ8及びQ7、及び基準トランジスタ要素Q5のベースノ
ードと低電位パワーレールVEEとの間に直列結合されて
いるダイオードSD2によって与えられている。この例に
おいて、ダイオードSD2は、入力ダイオードSD1の特性と
マッチし且つオフセットすることを意図したショートキ
ーダイオードである。
の論理高及び低信号レベルVIH,VILが印加されると、単
一基準電圧乃至はスレッシュホールド電圧VTHが、基準
トランジスタ要素Q5のベースノードに印加される。第１
図の従来のTTLからECL/CMLへの変換回路において、しば
しばVIN REFとも呼称されるスレシュホールド電圧V
THが、典型的にはタイオードスタックであるスレッシュ
ホールドクランプ回路によって確立される。本例におけ
るダイオードスタックは、BCSトランジスタ要素ダイオ
ードQ8及びQ7、及び基準トランジスタ要素Q5のベースノ
ードと低電位パワーレールVEEとの間に直列結合されて
いるダイオードSD2によって与えられている。この例に
おいて、ダイオードSD2は、入力ダイオードSD1の特性と
マッチし且つオフセットすることを意図したショートキ
ーダイオードである。
ダイオードスタックSD2,Q7,Q8は、基準トランジスタ
要素Q5のベースノードと高電位電力レールVCCとの間に
結合されているバイアス抵抗乃至は電流源抵抗R5からダ
イオードを介して通過する電流によって順方向バイアス
される。入力トランジスタ要素Q4のベースノードにおい
て印加される論理高及び低信号レベルVIH,VILの実質的
に中間である例えば1.4V又は1.5Vのスレッシュホールド
電圧レベルVTHを基準トランジスタ要素Q5のベースノー
ドに印加すべく選択されている。
要素Q5のベースノードと高電位電力レールVCCとの間に
結合されているバイアス抵抗乃至は電流源抵抗R5からダ
イオードを介して通過する電流によって順方向バイアス
される。入力トランジスタ要素Q4のベースノードにおい
て印加される論理高及び低信号レベルVIH,VILの実質的
に中間である例えば1.4V又は1.5Vのスレッシュホールド
電圧レベルVTHを基準トランジスタ要素Q5のベースノー
ドに印加すべく選択されている。
ECL差動ゲートトランジスタ要素Q4及びQ5は、高殿域
電力レールVCCへ結合されているそれぞれのコレクター
経路スイング電圧抵抗要素R3及びR4を介して別個の電流
経路を与えている。典型的に、このスイング電圧抵抗要
素R3及びR4は、実質的に同一の抵抗値を有している。電
流源トランジスタ要素Q6及びテール抵抗R6によって与え
られる電流シンクは、入力トランジスタ要素Q4のベース
ノードにおける論理高又は低信号電位レベルVIH,VILに
従って、スイング抵抗要素R3又はR4の何れか一方を介し
て別個の電流経路の一方の中にECLゲート電流を発生す
る。
電力レールVCCへ結合されているそれぞれのコレクター
経路スイング電圧抵抗要素R3及びR4を介して別個の電流
経路を与えている。典型的に、このスイング電圧抵抗要
素R3及びR4は、実質的に同一の抵抗値を有している。電
流源トランジスタ要素Q6及びテール抵抗R6によって与え
られる電流シンクは、入力トランジスタ要素Q4のベース
ノードにおける論理高又は低信号電位レベルVIH,VILに
従って、スイング抵抗要素R3又はR4の何れか一方を介し
て別個の電流経路の一方の中にECLゲート電流を発生す
る。
ECLベース差動ゲート出力信号は、ECLゲートトランジ
スタ要素Q4及びQ5のコレクタノードからとられる。Q4及
びQ5のコレクタノードは、出力スイッチングノードであ
って、それらは、ECL出力端ECL OUTへのそれぞれの出力
バッファエミッタホロワトランジスタ要素Q9及びQ10を
介して高及び低電位の電流モード論理出力信号を供給す
る。ECL出力端において、二組の相補的出力が与えられ
る。第一組の相補的出力OB（０）（偽又は反転）,O
B（１）（真又は非反転）は、それぞれ、エミッタホロ
ワ出力バッファトランジスタ要素Q9及びQ10のエミッタ
ノードからとられる。第二組の相補的出力は、エミッタ
ホロワ出力バッファトランジスタ要素Q9及びQ10のエミ
ッタノードへそれぞれ直列的に結合されている一組のBC
Sトランジスタ要素ダイオードQ11及びQ12によって下方
へレベルシフトされている。この第二組の相補的出力OC
（０）,OC（１）は、BCSトランジスタ要素Q11及びQ12の
エミッタノードからとられる。
スタ要素Q4及びQ5のコレクタノードからとられる。Q4及
びQ5のコレクタノードは、出力スイッチングノードであ
って、それらは、ECL出力端ECL OUTへのそれぞれの出力
バッファエミッタホロワトランジスタ要素Q9及びQ10を
介して高及び低電位の電流モード論理出力信号を供給す
る。ECL出力端において、二組の相補的出力が与えられ
る。第一組の相補的出力OB（０）（偽又は反転）,O
B（１）（真又は非反転）は、それぞれ、エミッタホロ
ワ出力バッファトランジスタ要素Q9及びQ10のエミッタ
ノードからとられる。第二組の相補的出力は、エミッタ
ホロワ出力バッファトランジスタ要素Q9及びQ10のエミ
ッタノードへそれぞれ直列的に結合されている一組のBC
Sトランジスタ要素ダイオードQ11及びQ12によって下方
へレベルシフトされている。この第二組の相補的出力OC
（０）,OC（１）は、BCSトランジスタ要素Q11及びQ12の
エミッタノードからとられる。
電流源トランジスタ要素Q13,Q14及び共通エミッタノ
ードテール抵抗R7によって与えられる二重電流シンク
は、エミッタホロワ出力バッファトランジスタ要素Q9及
びQ10及びレベルシフトダイオードQ11及びQ12をそれぞ
れ順方向バイアスし、ECL出力信号を供給する。オンチ
ップ型のバンドギャップバイアス発生器によって発生さ
れる温度補償した電流源電圧レベルVCSは、電流源トラ
ンジスタ要素Q13及びQ14のベースノードに印加され、そ
れぞれの出力トランジスタ要素を介してシンク電流乃至
はテール電流を発生する。
ードテール抵抗R7によって与えられる二重電流シンク
は、エミッタホロワ出力バッファトランジスタ要素Q9及
びQ10及びレベルシフトダイオードQ11及びQ12をそれぞ
れ順方向バイアスし、ECL出力信号を供給する。オンチ
ップ型のバンドギャップバイアス発生器によって発生さ
れる温度補償した電流源電圧レベルVCSは、電流源トラ
ンジスタ要素Q13及びQ14のベースノードに印加され、そ
れぞれの出力トランジスタ要素を介してシンク電流乃至
はテール電流を発生する。
安定なECLゲート動作の特性は、ECL差動ゲートトラン
ジスタ要素のベースノードにおける電圧レベル乃至は電
位が同一の電力レールへ参照即ち基準としている場合で
ある。従来のECL集積回路においては、ECL論理高及び低
電位レベルは、高電位パワーレールを参照即ち基準とす
るものである。内部ECLゲートトランジスタ要素のベー
スノードにおける電圧レベル乃至は電位レベルは、従っ
て、高電位パワーレールを参照即ち基準とすることとな
る。
ジスタ要素のベースノードにおける電圧レベル乃至は電
位が同一の電力レールへ参照即ち基準としている場合で
ある。従来のECL集積回路においては、ECL論理高及び低
電位レベルは、高電位パワーレールを参照即ち基準とす
るものである。内部ECLゲートトランジスタ要素のベー
スノードにおける電圧レベル乃至は電位レベルは、従っ
て、高電位パワーレールを参照即ち基準とすることとな
る。
しかしながら、TTL論理高及び低電位レベルは、低電
位電力レール乃至は接地レールを参照即ち基準としてい
る。TTLからECL/CMLへの変換回路の場合、トランジスタ
回路ECLゲートの入力トランジスタ要素へのTTL入力信号
は、低電位電力レールを参照即ち基準としている。BCS
トランジスタ要素Q1,Q2,Q3及び入力ダイオードSD1によ
って与えられる入力クランプ回路は、接地レールVEEを
参照して、論理高及び低信号電位レベルVIH,DVILの電圧
レベルを設定する。従って、スレッシュホールドクラン
プ回路ダイオードスタックSD2,Q7,Q8は、接地レールVEE
を参照して中間基準電圧レベル乃至はスレッシュホール
ド電圧レベルVTHを設定する。
位電力レール乃至は接地レールを参照即ち基準としてい
る。TTLからECL/CMLへの変換回路の場合、トランジスタ
回路ECLゲートの入力トランジスタ要素へのTTL入力信号
は、低電位電力レールを参照即ち基準としている。BCS
トランジスタ要素Q1,Q2,Q3及び入力ダイオードSD1によ
って与えられる入力クランプ回路は、接地レールVEEを
参照して、論理高及び低信号電位レベルVIH,DVILの電圧
レベルを設定する。従って、スレッシュホールドクラン
プ回路ダイオードスタックSD2,Q7,Q8は、接地レールVEE
を参照して中間基準電圧レベル乃至はスレッシュホール
ド電圧レベルVTHを設定する。
従来のECL集積回路においては、バンドギャップバイ
アス発生器が、内部ECLゲート用の基準電圧レベルを発
生する。従って、内部ECL回路の電流源トランジスタ要
素及び電流シンクを動作させるために温度補償した電流
源電圧レベルVCSを供給することに加えて、内部ECLゲー
トの各々の基準（参照）トランジスタ要素のベースノー
ドへ印加される通常VBBとして示されるスレッシュホー
ルド電圧レベルも発生する。しかしながら、バンドギャ
ップバイアス発生器によって発生される基準電圧レベル
乃至はスレッシュホールド電圧レベルVBBは、高電位電
力レールを参照即ち基準として確立されるものであり、
従って、変換回路ECLゲートの基準トランジスタ要素の
ベースノードへ印加することはできない。このために、
低電位乃至は接地電位電力レールを参照即ち基準とする
スレッシュホールド電圧レベルVTHを確立するために、
第１図に示した如く、別個のスレッシュホールドクラン
プ回路が設けられている。このように、変換回路ECLゲ
ートの入力及び基準トランジスタ要素のベースノードに
おける電圧レベルは、接地電位電力レールVEEにおける
変動に従って互いに追従することが可能である。
アス発生器が、内部ECLゲート用の基準電圧レベルを発
生する。従って、内部ECL回路の電流源トランジスタ要
素及び電流シンクを動作させるために温度補償した電流
源電圧レベルVCSを供給することに加えて、内部ECLゲー
トの各々の基準（参照）トランジスタ要素のベースノー
ドへ印加される通常VBBとして示されるスレッシュホー
ルド電圧レベルも発生する。しかしながら、バンドギャ
ップバイアス発生器によって発生される基準電圧レベル
乃至はスレッシュホールド電圧レベルVBBは、高電位電
力レールを参照即ち基準として確立されるものであり、
従って、変換回路ECLゲートの基準トランジスタ要素の
ベースノードへ印加することはできない。このために、
低電位乃至は接地電位電力レールを参照即ち基準とする
スレッシュホールド電圧レベルVTHを確立するために、
第１図に示した如く、別個のスレッシュホールドクラン
プ回路が設けられている。このように、変換回路ECLゲ
ートの入力及び基準トランジスタ要素のベースノードに
おける電圧レベルは、接地電位電力レールVEEにおける
変動に従って互いに追従することが可能である。
しかしながら、この従来のTTLからECL/CMLへの変換回
路によって提起されている問題は、スレッシュホールド
電圧レベルVTH乃至はVIN REFはもはや温度補償それたも
のではないということである。従って、回路は、動作温
度における変動、処理変動及びVCC電力レール変動が存
在する場合に基準トランジスタ要素のベースノードに印
加されるスレッシュホールド電圧レベル値における変動
によって悪影響を受けることとなる。
路によって提起されている問題は、スレッシュホールド
電圧レベルVTH乃至はVIN REFはもはや温度補償それたも
のではないということである。従って、回路は、動作温
度における変動、処理変動及びVCC電力レール変動が存
在する場合に基準トランジスタ要素のベースノードに印
加されるスレッシュホールド電圧レベル値における変動
によって悪影響を受けることとなる。
第１図に示した従来のスレッシュホールドクランプ回
路ダイオードスタックの結果としてスレッシュホールド
電圧レベルVTHにおける変動は以下の如くに解析するこ
とが可能である。バイポーラトランジスタ要素のベース
−エミッタ接合を横断してしばしばφとして示される電
圧降下VBEは、約0.7V又は0.8Vであり、−1.6mV/℃の負
の温度係数即ちtempcoを有している。この負の温度係数
の結果として、BCSトランジスタ要素ダイオードQ7及びQ
8のベース対エミッタ接合を横断しての電圧降下は温度
が増加すると共に減少する。ショットキーダイオードSD
2を横断しての典型的な電圧降下は、0.6Vであり、−1.4
mV/℃の温度係数即ちtempcoを有している。この場合に
も、負の温度係数であるために、ショットキーダイオー
ドを横断しての電圧降下は、温度が上昇すると共に減少
する。温度に関してのスレッシュホールドクランプ回路
の累積的変動の結果として、室温における1.4Vの値を有
するスレッシュホールド電圧レベルVTHは、−55℃から1
25℃の温度動作範囲に亘って0.9Vから1.9Vの間で変動す
ることが可能である。この様な広範囲のスレッシュホー
ルド電圧の変動があると、少なくとも三つの欠点が発生
する。
路ダイオードスタックの結果としてスレッシュホールド
電圧レベルVTHにおける変動は以下の如くに解析するこ
とが可能である。バイポーラトランジスタ要素のベース
−エミッタ接合を横断してしばしばφとして示される電
圧降下VBEは、約0.7V又は0.8Vであり、−1.6mV/℃の負
の温度係数即ちtempcoを有している。この負の温度係数
の結果として、BCSトランジスタ要素ダイオードQ7及びQ
8のベース対エミッタ接合を横断しての電圧降下は温度
が増加すると共に減少する。ショットキーダイオードSD
2を横断しての典型的な電圧降下は、0.6Vであり、−1.4
mV/℃の温度係数即ちtempcoを有している。この場合に
も、負の温度係数であるために、ショットキーダイオー
ドを横断しての電圧降下は、温度が上昇すると共に減少
する。温度に関してのスレッシュホールドクランプ回路
の累積的変動の結果として、室温における1.4Vの値を有
するスレッシュホールド電圧レベルVTHは、−55℃から1
25℃の温度動作範囲に亘って0.9Vから1.9Vの間で変動す
ることが可能である。この様な広範囲のスレッシュホー
ルド電圧の変動があると、少なくとも三つの欠点が発生
する。
第一に、第２図に示した如く、スレッシュホールド電
圧において広範囲な変動があると、入力トランジスタ要
素のベースノードにおける論理高及び低信号電位レベル
VIH,VIHにおける可能な変動に対し例えば300mV乃至500m
Vの範囲内の狭い雑音余裕しか得ることができない。こ
の狭い雑音余裕を超える入力信号の変動は、本変換回路
ECLゲートの誤ったスイッチング動作を引起こし、且つE
CL出力端において誤った信号を発生する可能性がある。
圧において広範囲な変動があると、入力トランジスタ要
素のベースノードにおける論理高及び低信号電位レベル
VIH,VIHにおける可能な変動に対し例えば300mV乃至500m
Vの範囲内の狭い雑音余裕しか得ることができない。こ
の狭い雑音余裕を超える入力信号の変動は、本変換回路
ECLゲートの誤ったスイッチング動作を引起こし、且つE
CL出力端において誤った信号を発生する可能性がある。
第二に、スレッシュホールド電圧に広範囲の変動があ
ると、高及び低電位レベルの間における変換回路の遷移
速度において変動を発生し且つ一貫性を欠如する。特
に、高から低への伝搬時間tpHLと低から高への遷移に対
する伝搬時間tpLHとの間における伝搬時間乃至は伝搬遅
延におけるスキュー即ちヒステリシスが増加される。不
所望のスキューは、tpLHとtpHLとの間の時間差である。
伝搬時間は、例えば、1.5Vの交差点において測定され、
且つ変換回路ECLゲートの入力トランジスタ要素のベー
スノードにおける1.5Vの交差点とECL出力端ECL OUTにお
ける1.5V交差点との間の遅延時間である。TTLからECL/C
MLへの変換回路の場合、この交差点は、スレッシュホー
ルド電圧レベルにとられるべきものであり、従って、ス
レッシュホールド電圧レベル変動は、伝搬遅延における
変動に変換されスキューが増加される。
ると、高及び低電位レベルの間における変換回路の遷移
速度において変動を発生し且つ一貫性を欠如する。特
に、高から低への伝搬時間tpHLと低から高への遷移に対
する伝搬時間tpLHとの間における伝搬時間乃至は伝搬遅
延におけるスキュー即ちヒステリシスが増加される。不
所望のスキューは、tpLHとtpHLとの間の時間差である。
伝搬時間は、例えば、1.5Vの交差点において測定され、
且つ変換回路ECLゲートの入力トランジスタ要素のベー
スノードにおける1.5Vの交差点とECL出力端ECL OUTにお
ける1.5V交差点との間の遅延時間である。TTLからECL/C
MLへの変換回路の場合、この交差点は、スレッシュホー
ルド電圧レベルにとられるべきものであり、従って、ス
レッシュホールド電圧レベル変動は、伝搬遅延における
変動に変換されスキューが増加される。
最後に、スレッシュホールド電圧レベルにおける変動
は、内部接地バウンス（跳返り）に対する感度を増加さ
せる。雑音余裕が小さいので、比較的小さな不の内部接
地バウンスであっても、誤ったデータ信号を発生させ、
誤ったクロック動作を行なう可能性があり、又その他の
グリッチを発生する可能性がある。
は、内部接地バウンス（跳返り）に対する感度を増加さ
せる。雑音余裕が小さいので、比較的小さな不の内部接
地バウンスであっても、誤ったデータ信号を発生させ、
誤ったクロック動作を行なう可能性があり、又その他の
グリッチを発生する可能性がある。
目 的 本発明は、以上の点に鑑みなされたものであって、上
述した如き従来技術の欠点を解消し、変換回路ECLゲー
トの基準トランジスタ要素のベースノードへ印加される
基準電圧乃至はスレッシュホールド電圧レベルが所望の
動作温度範囲に亘って実質的に一定であり固定されてい
る改良型のTTLからECL/CMLへの変換回路を提供すること
を目的とする。特に、本発明は、低電位電力レールを参
照即ち基準とする温度補償したスレッシュホールド電圧
レベルを提供すること目的とする。
述した如き従来技術の欠点を解消し、変換回路ECLゲー
トの基準トランジスタ要素のベースノードへ印加される
基準電圧乃至はスレッシュホールド電圧レベルが所望の
動作温度範囲に亘って実質的に一定であり固定されてい
る改良型のTTLからECL/CMLへの変換回路を提供すること
を目的とする。特に、本発明は、低電位電力レールを参
照即ち基準とする温度補償したスレッシュホールド電圧
レベルを提供すること目的とする。
本発明の別の目的とするところは、例えばオンチップ
型バンドギャップバイアス発生器から得られる温度補償
した電流源電圧供給源を参照乃至は基準とし、その温度
補償した電圧供給源が低電位電力レールに対して参照乃
至は基準とするスレッシュホールド電圧クランプ回路を
提供することである。
型バンドギャップバイアス発生器から得られる温度補償
した電流源電圧供給源を参照乃至は基準とし、その温度
補償した電圧供給源が低電位電力レールに対して参照乃
至は基準とするスレッシュホールド電圧クランプ回路を
提供することである。
本発明の更に別の目的とするところは、誤った信号を
発生することなくより大きな雑音振幅によって影響を受
けることのない論理高及び低信号入力電位レベルVIH,V
ILにおいて改良した雑音余裕を具備しており、動作温度
範囲に亘ってtpHLとtpLHのより大きな一貫性を与えるた
めに伝搬時間乃至は伝搬遅延の間のスキュー乃至はヒス
テリシスを減少し、且つデータピン又はクロックピン上
にクリッチを発生することなく接地バウンスに対する許
容性を増大し且つ接地バウンスに対する感度を減少させ
た新規なTTLからECL/CMLへの変換回路を提供することで
ある。本発明によってスキューが減少されるので、動作
温度範囲及びVCC範囲に亘って40％の全体的な速度の改
善を達成することが可能である。
発生することなくより大きな雑音振幅によって影響を受
けることのない論理高及び低信号入力電位レベルVIH,V
ILにおいて改良した雑音余裕を具備しており、動作温度
範囲に亘ってtpHLとtpLHのより大きな一貫性を与えるた
めに伝搬時間乃至は伝搬遅延の間のスキュー乃至はヒス
テリシスを減少し、且つデータピン又はクロックピン上
にクリッチを発生することなく接地バウンスに対する許
容性を増大し且つ接地バウンスに対する感度を減少させ
た新規なTTLからECL/CMLへの変換回路を提供することで
ある。本発明によってスキューが減少されるので、動作
温度範囲及びVCC範囲に亘って40％の全体的な速度の改
善を達成することが可能である。
構 成 本発明によれば、オンチップ型バンドギャップバイア
ス発生器と変換回路ECLゲートの基準トランジスタ要素
のベースノードとの間に動作結合されたスレッシュホー
ルドクランプ回路が提供される。このスレッシュホール
ドクランプ回路は、基準トランジスタ要素のベースノー
ドにおいて、バイアス発生器からの温度補償した電流源
電圧レベルVCSを参照即ち基準とした温度補償したスレ
ッシュホールド信号電圧レベルVTHを印加すべく構成さ
れている。
ス発生器と変換回路ECLゲートの基準トランジスタ要素
のベースノードとの間に動作結合されたスレッシュホー
ルドクランプ回路が提供される。このスレッシュホール
ドクランプ回路は、基準トランジスタ要素のベースノー
ドにおいて、バイアス発生器からの温度補償した電流源
電圧レベルVCSを参照即ち基準とした温度補償したスレ
ッシュホールド信号電圧レベルVTHを印加すべく構成さ
れている。
この構成の特徴及び利点は、バンドギャップバイアス
発生器によって発生される温度補償した電流源電圧レベ
ルVCSは、低電位電力レールVEEを参照即ち基準としてい
る点である。その結果、変換回路ECLゲートの入力及び
基準トランジスタ要素のそれぞれのベースノードにおい
て印加される電圧レベルは、両方とも、同一の低電位電
力レール即ち接地電位を参照即ち基準することとなる。
発生器によって発生される温度補償した電流源電圧レベ
ルVCSは、低電位電力レールVEEを参照即ち基準としてい
る点である。その結果、変換回路ECLゲートの入力及び
基準トランジスタ要素のそれぞれのベースノードにおい
て印加される電圧レベルは、両方とも、同一の低電位電
力レール即ち接地電位を参照即ち基準することとなる。
より一般的に言えば、本発明は、第一電流源トランジ
スタ要素と、第一テール抵抗要素と、低電位電力レール
VEEを参照即ち基準とした温度補償した電流源電圧レベ
ルVCSを供給する温度補償した電流源電圧供給源とを具
備する少なくとも１個の電流シンクを持った変換回路を
提供している。この温度補償した電流源電圧レベルVCS
は、第一電流源トランジスタ要素のベースノードへ供給
される。
スタ要素と、第一テール抵抗要素と、低電位電力レール
VEEを参照即ち基準とした温度補償した電流源電圧レベ
ルVCSを供給する温度補償した電流源電圧供給源とを具
備する少なくとも１個の電流シンクを持った変換回路を
提供している。この温度補償した電流源電圧レベルVCS
は、第一電流源トランジスタ要素のベースノードへ供給
される。
本発明によれば、スレッシュホールドクランプ回路
が、エミッタホロワ第二電流源トランジスタ要素と第二
テール抵抗要素とを有している。第二電流源トランジス
タ要素のベースノードは、温度補償した電流源電圧レベ
ルVCSへ結合されている。第一電圧レベルシフト回路
が、第二電流源トランジスタ要素のエミッタノードと基
準トランジスタ要素のベースノードとの間に結合されて
いる。この構成により、スレッシュホールドクランプ回
路は、温度補償した電流源電圧レベルVCSを参照即ち基
準とした温度補償したスレッシュホールド電圧信号レベ
ルVTHを印加するために、温度補償した電流源電圧供給
源と基準トランジスタ要素のベースノードとの間に動作
結合されている。基準トランジスタ要素のベースノード
に印加される温度補償したスレッシュホールド電圧レベ
ルVTHは、究極的に、低電位電力レール乃至は接地レー
ルを参照即ち基準としている。
が、エミッタホロワ第二電流源トランジスタ要素と第二
テール抵抗要素とを有している。第二電流源トランジス
タ要素のベースノードは、温度補償した電流源電圧レベ
ルVCSへ結合されている。第一電圧レベルシフト回路
が、第二電流源トランジスタ要素のエミッタノードと基
準トランジスタ要素のベースノードとの間に結合されて
いる。この構成により、スレッシュホールドクランプ回
路は、温度補償した電流源電圧レベルVCSを参照即ち基
準とした温度補償したスレッシュホールド電圧信号レベ
ルVTHを印加するために、温度補償した電流源電圧供給
源と基準トランジスタ要素のベースノードとの間に動作
結合されている。基準トランジスタ要素のベースノード
に印加される温度補償したスレッシュホールド電圧レベ
ルVTHは、究極的に、低電位電力レール乃至は接地レー
ルを参照即ち基準としている。
スレッシュホールドクランプ回路の構成要素は、スレ
ッシュホールド信号電圧レベルVTHが、入力トランジス
タ要素のベースノードにおいて、論理高及び低信号電位
レベルVIH,VILとの実質的に中間であるように選択され
ている。好適実施例においては、スレッシュホールドク
ランプ回路の電圧レベルシフト構成要素は実質的に相殺
し、従って温度補償した電流源電圧レベルVCSは、基準
トランジスタ要素のベースノードにおいて実質的にスレ
ッシュホールド電圧レベルVTHとして印加される。
ッシュホールド信号電圧レベルVTHが、入力トランジス
タ要素のベースノードにおいて、論理高及び低信号電位
レベルVIH,VILとの実質的に中間であるように選択され
ている。好適実施例においては、スレッシュホールドク
ランプ回路の電圧レベルシフト構成要素は実質的に相殺
し、従って温度補償した電流源電圧レベルVCSは、基準
トランジスタ要素のベースノードにおいて実質的にスレ
ッシュホールド電圧レベルVTHとして印加される。
例えば、スレッシュホールドクランプ回路の第一電圧
レベルシフト回路は、選択した動作温度範囲に亘ってEC
Lベース差動ゲートの動作に関してゼロでない温度係数
効果を実質的に補償し且つ相殺するために選択され且つ
配設された構成要素を具備するダイオードスタック回路
とすることが可能である。好適実施例においては、この
ダイオードスタックは、直列的に結合したBCSトランジ
スタ要素とショットキーダイオードトランジスタ要素と
を有している。この構成の利点は、ダイオードスタック
BCSトランジスタ要素ダイオードを横断してのベース対
エミッタ電圧降下＋VBEは、第二電流源トランジスタ要
素を横断しての反対方向に向かったベース対エミッタ接
合電圧降下−VBEを実質的に補償し且つ相殺すべく選択
することが可能である。同様に、第一電圧レベルシフト
回路ダイオードスタックのショットキーダイオードは、
入力トランジスタ要素のベースノードにおいて入力ショ
ットキーダイオードを横断しての電圧降下の効果を実質
的に補償し且つ相殺する。その結果、スレッシュホール
ドトランジスタ要素のベースノードにおいて、温度補償
した電流源電圧レベルVCSが印加される。
レベルシフト回路は、選択した動作温度範囲に亘ってEC
Lベース差動ゲートの動作に関してゼロでない温度係数
効果を実質的に補償し且つ相殺するために選択され且つ
配設された構成要素を具備するダイオードスタック回路
とすることが可能である。好適実施例においては、この
ダイオードスタックは、直列的に結合したBCSトランジ
スタ要素とショットキーダイオードトランジスタ要素と
を有している。この構成の利点は、ダイオードスタック
BCSトランジスタ要素ダイオードを横断してのベース対
エミッタ電圧降下＋VBEは、第二電流源トランジスタ要
素を横断しての反対方向に向かったベース対エミッタ接
合電圧降下−VBEを実質的に補償し且つ相殺すべく選択
することが可能である。同様に、第一電圧レベルシフト
回路ダイオードスタックのショットキーダイオードは、
入力トランジスタ要素のベースノードにおいて入力ショ
ットキーダイオードを横断しての電圧降下の効果を実質
的に補償し且つ相殺する。その結果、スレッシュホール
ドトランジスタ要素のベースノードにおいて、温度補償
した電流源電圧レベルVCSが印加される。
好適実施例において、電流源抵抗要素は、スレッシュ
ホールドクランプ回路及び基準トランジスタ要素のベー
スノードを比較的高電位の電力レールVCCへ結合する。
電流源抵抗要素及びスレッシュホールドクランプ回路の
構成要素は、スレッシュホールドクランプ回路第二電流
源トランジスタ要素のエミッタからの電流が電流源抵抗
要素及びダイオードスタックを介しての電流よりも実質
的に大きいものであるように選択されている。例えば、
スレッシュホールドクランプ回路第二電流源トランジス
タ要素によって発生される電流は、電流源抵抗要素及び
ダイオードスタックを介しての電流よりも10倍の大きさ
に設定することが可能である。この構成の特徴及び利点
は、スレッシュホールドクランプ回路の第二電流源トラ
ンジスタ要素が、VCCにおける変動及びダイオードスタ
ックを介して基準トランジスタ要素のベースノードへ温
度補償した電流源電圧レベルVCSを印加するためにダイ
オードスタックを介しての電流における変動にも拘ら
ず、そのエミッタノードにおいて安定な電圧を維持する
ことが可能であるということである。
ホールドクランプ回路及び基準トランジスタ要素のベー
スノードを比較的高電位の電力レールVCCへ結合する。
電流源抵抗要素及びスレッシュホールドクランプ回路の
構成要素は、スレッシュホールドクランプ回路第二電流
源トランジスタ要素のエミッタからの電流が電流源抵抗
要素及びダイオードスタックを介しての電流よりも実質
的に大きいものであるように選択されている。例えば、
スレッシュホールドクランプ回路第二電流源トランジス
タ要素によって発生される電流は、電流源抵抗要素及び
ダイオードスタックを介しての電流よりも10倍の大きさ
に設定することが可能である。この構成の特徴及び利点
は、スレッシュホールドクランプ回路の第二電流源トラ
ンジスタ要素が、VCCにおける変動及びダイオードスタ
ックを介して基準トランジスタ要素のベースノードへ温
度補償した電流源電圧レベルVCSを印加するためにダイ
オードスタックを介しての電流における変動にも拘ら
ず、そのエミッタノードにおいて安定な電圧を維持する
ことが可能であるということである。
本発明は、又、スレッシュホールドクランプ回路に対
する多数の変形例を包含するものである。例えば、スレ
ッシュホールドクランプ回路のパラメータ乃至は制御可
能な自由度の数を増加させるために、ダイオードスタッ
クと直列に抵抗を付加することが可能である。同様に、
スレッシュホールドクランプ回路第二電流源トランジス
タ要素及びダイオードスタックBCSトランジスタ要素の
エミッタ面積は、回路の適用に従って、スレッシュホー
ルドクランプ回路において選択したゼロでない温度係数
を導入するために選択的に異なったものとすることが可
能である。スレッシュホールドクランプ回路ダイオード
スタックショットキーダイオードのダイオード面積も、
別のゼロでない温度係数効果を導入するために入力ショ
ットキーダイオードとは異なったものとすることが可能
である。例えば、本回路のベースエミッタ接合によって
導入されるより大きな負の温度係数を補償するために多
少正の温度係数を導入することが可能である。一方、温
度補償した電流源電圧レベルVCSがバンドギャップバイ
アス発生器から派生する場合には、変換回路のVBEの負
の温度係数を更に補償するために、多少正の温度係数を
持ったVCSを供給すべくバイアス発生器を構成すること
も可能である。
する多数の変形例を包含するものである。例えば、スレ
ッシュホールドクランプ回路のパラメータ乃至は制御可
能な自由度の数を増加させるために、ダイオードスタッ
クと直列に抵抗を付加することが可能である。同様に、
スレッシュホールドクランプ回路第二電流源トランジス
タ要素及びダイオードスタックBCSトランジスタ要素の
エミッタ面積は、回路の適用に従って、スレッシュホー
ルドクランプ回路において選択したゼロでない温度係数
を導入するために選択的に異なったものとすることが可
能である。スレッシュホールドクランプ回路ダイオード
スタックショットキーダイオードのダイオード面積も、
別のゼロでない温度係数効果を導入するために入力ショ
ットキーダイオードとは異なったものとすることが可能
である。例えば、本回路のベースエミッタ接合によって
導入されるより大きな負の温度係数を補償するために多
少正の温度係数を導入することが可能である。一方、温
度補償した電流源電圧レベルVCSがバンドギャップバイ
アス発生器から派生する場合には、変換回路のVBEの負
の温度係数を更に補償するために、多少正の温度係数を
持ったVCSを供給すべくバイアス発生器を構成すること
も可能である。
スレッシュホールドクランプ回路の特性を［追跡」即
ち追従する入力クランプ回路を与えるために、本発明
は、温度補償した電流源電圧供給源と入力トランジスタ
要素のベースノードとの間に動作結合した入力クランプ
回路を提供している。この入力クランプ回路は、入力ト
ランジスタ要素のベースノードにおいて、温度補償した
電流源電圧レベルVCSを参照即ち基準とした温度補償し
た論理信号電位レベルVIHを印加する。この入力クラン
プ回路は、低電位電力レールVEEへ結合した第三テール
抵抗要素及び第三電流源トランジスタ要素を有してい
る。第三電流源トランジスタ要素のベースノードは、温
度補償した電流源電圧レベルVCSへ結合されている。こ
の入力クランプ回路は、第三電流源トランジスタ要素の
エミッタノードと入力トランジスタ要素のベースノード
との間に結合した第二電圧レベルシフト回路を有してい
る。
ち追従する入力クランプ回路を与えるために、本発明
は、温度補償した電流源電圧供給源と入力トランジスタ
要素のベースノードとの間に動作結合した入力クランプ
回路を提供している。この入力クランプ回路は、入力ト
ランジスタ要素のベースノードにおいて、温度補償した
電流源電圧レベルVCSを参照即ち基準とした温度補償し
た論理信号電位レベルVIHを印加する。この入力クラン
プ回路は、低電位電力レールVEEへ結合した第三テール
抵抗要素及び第三電流源トランジスタ要素を有してい
る。第三電流源トランジスタ要素のベースノードは、温
度補償した電流源電圧レベルVCSへ結合されている。こ
の入力クランプ回路は、第三電流源トランジスタ要素の
エミッタノードと入力トランジスタ要素のベースノード
との間に結合した第二電圧レベルシフト回路を有してい
る。
この入力クランプ回路の第二電圧レベルシフト回路
は、例えば、同様に、電圧レベルシフト構成要素を具備
しており且つゼロでない温度係数効果を実質的に補償し
且つ相殺するべく配設されたダイオードスタックであ
る。例えば、入力クランプ回路の第二電圧レベルシフト
回路ダイオードスタックは、第三電流源トランジスタ要
素のエミッタノードと入力トランジスタ要素のベースノ
ードとの間に直列結合した一対のBCSトランジスタ要素
ダイオードを有することが可能である。
は、例えば、同様に、電圧レベルシフト構成要素を具備
しており且つゼロでない温度係数効果を実質的に補償し
且つ相殺するべく配設されたダイオードスタックであ
る。例えば、入力クランプ回路の第二電圧レベルシフト
回路ダイオードスタックは、第三電流源トランジスタ要
素のエミッタノードと入力トランジスタ要素のベースノ
ードとの間に直列結合した一対のBCSトランジスタ要素
ダイオードを有することが可能である。
好適実施例によれば、スレッシュホールド及び入力ク
ランプ回路のそれぞれの第一及び第二レベルシフト回路
は、論理高信号電位レベルVIHが入力トランジスタ要素
のベースノードへ印加されている場合に、入力及び基準
トランジスタ要素のベースノード間に実質的に一定のベ
ースノード電圧差VIH−VTHを維持すべく選択され且つ配
設された構成要素を有している。このベース電圧差VIH
−VTHは、好適には、半導体物質のバンドギャップ電圧V
Tの少なくとも約３倍であり、且つ動作温度範囲に亘っ
て維持される。バンドギャップ電圧VTは以下の如く定義
される。
ランプ回路のそれぞれの第一及び第二レベルシフト回路
は、論理高信号電位レベルVIHが入力トランジスタ要素
のベースノードへ印加されている場合に、入力及び基準
トランジスタ要素のベースノード間に実質的に一定のベ
ースノード電圧差VIH−VTHを維持すべく選択され且つ配
設された構成要素を有している。このベース電圧差VIH
−VTHは、好適には、半導体物質のバンドギャップ電圧V
Tの少なくとも約３倍であり、且つ動作温度範囲に亘っ
て維持される。バンドギャップ電圧VTは以下の如く定義
される。
VT＝kT/Q 尚、Ｑは電子電荷であり、Ｔは温度であり、且つｋはボ
ルツマン定数である。例えば、シリコンに対する室温で
のバンドギャップ電圧は約26mVである。入力及びスレッ
シュホールドクランプ回路のそれぞれのダイオードスタ
ック回路の構成要素も、選択した動作温度範囲に亘って
変換回路ECLゲートの動作に関しそれぞれの構成要素に
よって導入されるゼロでない温度係数効果を実質的に補
償し且つ相殺するように選択され且つ配設される。
ルツマン定数である。例えば、シリコンに対する室温で
のバンドギャップ電圧は約26mVである。入力及びスレッ
シュホールドクランプ回路のそれぞれのダイオードスタ
ック回路の構成要素も、選択した動作温度範囲に亘って
変換回路ECLゲートの動作に関しそれぞれの構成要素に
よって導入されるゼロでない温度係数効果を実質的に補
償し且つ相殺するように選択され且つ配設される。
別の実施例においては、スレッシュホールドクランプ
回路が、出力バッファエミッタホロワトランジスタ要素
と低電位電力レールとの間に結合した出力電流シンクの
エミッタホロワ電流源トランジスタ要素を使用してい
る。第一レベルシフト回路、例えばダイオードスタック
が、出力電流源トランジスタ要素のエミッタノードとス
レッシュホールドトランジスタ要素のベースノードとの
間に結合されている。付加的な電流源トランジスタ要
素、即ち第二電流源トランジスタ要素は必要ではない。
回路が、出力バッファエミッタホロワトランジスタ要素
と低電位電力レールとの間に結合した出力電流シンクの
エミッタホロワ電流源トランジスタ要素を使用してい
る。第一レベルシフト回路、例えばダイオードスタック
が、出力電流源トランジスタ要素のエミッタノードとス
レッシュホールドトランジスタ要素のベースノードとの
間に結合されている。付加的な電流源トランジスタ要
素、即ち第二電流源トランジスタ要素は必要ではない。
実施例 以下、添付の図面を参考に、本発明の具体的実施の態
様について詳細に説明する。
様について詳細に説明する。
本発明の一実施例に基づいて構成したTTLからECL/CML
への変換回路を第３図に示してある。第１図に示したも
のと同一又は同様の機能を構成する構成要素は、第３図
において同一の参照番号によって表示してある。しかし
ながら、第１図の従来のスレッシュホールドクランプ回
路10は、第３図の温度補償型スレッシュホールドクラン
プ回路20によって置換されている。
への変換回路を第３図に示してある。第１図に示したも
のと同一又は同様の機能を構成する構成要素は、第３図
において同一の参照番号によって表示してある。しかし
ながら、第１図の従来のスレッシュホールドクランプ回
路10は、第３図の温度補償型スレッシュホールドクラン
プ回路20によって置換されている。
第３図の温度補償型スレッシュホールドクランプ回路
20は、高及び低電位電力レールVCC及びVEEとの間に結合
されている第二電流源トランジスタ要素Q61及び第二テ
ール抵抗要素R61を有している。スレッシュホールドク
ランプ回路20の第二電流源トランジスタ要素Q61は、エ
ミッタホロワ電流源トランジスタ要素である。第二電流
源トランジスタ要素Q61のベースノードは、スレッシュ
ホールドクランプ回路20に対して基準付けを行なうため
の第一電流源トランジスタ要素Q6のベースノードと並列
的に、温度補償した電流源電圧レベルVCSへ結合されて
いる。温度補償した電流源電圧レベルVCSは、第二電流
源トランジスタ要素Q61のベース対エミッタ接合を介し
且つトランジスタ要素Q61のエミッタノードとトランジ
スタ要素Q5のベースノードとの間に結合されている第一
レベルシフト即ちレベルアップシフト回路を介して基準
トランジスタ要素Q5のベースノードへ印加される。
20は、高及び低電位電力レールVCC及びVEEとの間に結合
されている第二電流源トランジスタ要素Q61及び第二テ
ール抵抗要素R61を有している。スレッシュホールドク
ランプ回路20の第二電流源トランジスタ要素Q61は、エ
ミッタホロワ電流源トランジスタ要素である。第二電流
源トランジスタ要素Q61のベースノードは、スレッシュ
ホールドクランプ回路20に対して基準付けを行なうため
の第一電流源トランジスタ要素Q6のベースノードと並列
的に、温度補償した電流源電圧レベルVCSへ結合されて
いる。温度補償した電流源電圧レベルVCSは、第二電流
源トランジスタ要素Q61のベース対エミッタ接合を介し
且つトランジスタ要素Q61のエミッタノードとトランジ
スタ要素Q5のベースノードとの間に結合されている第一
レベルシフト即ちレベルアップシフト回路を介して基準
トランジスタ要素Q5のベースノードへ印加される。
この実施例における第一レベルアップシフト回路は、
トランジスタ要素Q61のエミッタノードとトランジスタ
要素Q5のベースノードとの間に直列的に結合されている
BCSトランジスタ要素Q7とショットキーダイオードトラ
ンジスタ要素SD2から構成されるダイオードスタックに
よって与えられている。
トランジスタ要素Q61のエミッタノードとトランジスタ
要素Q5のベースノードとの間に直列的に結合されている
BCSトランジスタ要素Q7とショットキーダイオードトラ
ンジスタ要素SD2から構成されるダイオードスタックに
よって与えられている。
温度補償型スレッシュホールドクランプ回路20の構成
要素は、基準トランジスタ要素Q5のベースノードへ印加
されるスレッシュホールドレベル電圧VTHが、実質的に
温度補償した電流源電圧レベルVCSであるように選択さ
れている。入力トランジスタ要素Q4のベースノードにお
いて印加される論理高及び低信号電位レベルVIH,VILと
相対的な基準トランジスタ要素Q5のベースノードにおい
て印加されるスレッシュホールド電圧レベルVTHは、以
下の如くにして、温度補償した電流源電圧レベルVCSに
関して解析することが可能である。
要素は、基準トランジスタ要素Q5のベースノードへ印加
されるスレッシュホールドレベル電圧VTHが、実質的に
温度補償した電流源電圧レベルVCSであるように選択さ
れている。入力トランジスタ要素Q4のベースノードにお
いて印加される論理高及び低信号電位レベルVIH,VILと
相対的な基準トランジスタ要素Q5のベースノードにおい
て印加されるスレッシュホールド電圧レベルVTHは、以
下の如くにして、温度補償した電流源電圧レベルVCSに
関して解析することが可能である。
VTH＝VCS−VBEQ61＋VBEQ7＋VSD2−VSD1 又は、VTH＝VCS＋ΔVBE＋ΔVSD 尚、ΔVBE＝VBEQ7Y−VBEQ61、 ΔVSD＝VSD2−VSD1である。
温度補償型スレッシュホールドクランプ回路20の構成
要素は、別々の構成要素によって個別的に導入されるゼ
ロでない温度係数効果を実質的に補償し且つ相殺すべく
選択され且つ配設されていることが明らかである。第３
図の実施例において、トランジスタ要素Q61及びQ7のエ
ミッタ面積が実質的に同一であり且つショットキーダイ
オードSD1及びSD2の接合ダイオード面積も実質的に同一
であることが意図されている。しかしながら、回路の適
用に従って、選択的にゼロでない温度係数効果を導入す
るために、VBE及び／又はVSDがゼロでないように構成要
素の面積を選択的に設定することが可能である。例え
ば、トランジスタ要素Q61及びQ7のエミッタ面積は、本
回路のベース対エミッタ電圧降下接合VBEによって導入
される多少大きな負の温度係数効果を補償し且つ相殺す
るために、スレッシュホールドクランプ回路内に多少正
の温度係数を導入するために選択的に異なったものとす
ることが可能である。
要素は、別々の構成要素によって個別的に導入されるゼ
ロでない温度係数効果を実質的に補償し且つ相殺すべく
選択され且つ配設されていることが明らかである。第３
図の実施例において、トランジスタ要素Q61及びQ7のエ
ミッタ面積が実質的に同一であり且つショットキーダイ
オードSD1及びSD2の接合ダイオード面積も実質的に同一
であることが意図されている。しかしながら、回路の適
用に従って、選択的にゼロでない温度係数効果を導入す
るために、VBE及び／又はVSDがゼロでないように構成要
素の面積を選択的に設定することが可能である。例え
ば、トランジスタ要素Q61及びQ7のエミッタ面積は、本
回路のベース対エミッタ電圧降下接合VBEによって導入
される多少大きな負の温度係数効果を補償し且つ相殺す
るために、スレッシュホールドクランプ回路内に多少正
の温度係数を導入するために選択的に異なったものとす
ることが可能である。
好適には、温度補償した電流源電圧レベルVCSは、集
積回路の内部ECLゲートへ温度補償した電圧供給源を与
えるために使用されているオンチップ型集積回路バンド
ギャップバイアス発生器から派生する。この構成の特徴
及び利点は、バンドギャップバイアス発生器の電流源電
圧レベルVCSが低電位電力レール乃至は接地レールを参
照即ち基準としているということである。従って、変換
回路ECLゲートの入力及び基準トランジスタ要素の両方
のベースノードにおいて印加される電圧レベルは、両方
とも、低電位電力レールVEEを参照即ち基準とすること
となる。バンドギャップバイアス発生器から派生される
電流源電圧レベルVCSの温度係数は、所望の温度係数tem
pcoを与えるべくプログラムすることが可能である。典
型的に、本発明における適用においては、この温度係数
は０に選択される。しかしながら、スレッシュホールド
電圧レベルVTHの所望の温度補償を達成するために、回
路適用に従って適宜、バンドギャップバイアス発生器電
圧レベルVCSは、多少正のtempcoでプログラム即ち構成
することが可能である。
積回路の内部ECLゲートへ温度補償した電圧供給源を与
えるために使用されているオンチップ型集積回路バンド
ギャップバイアス発生器から派生する。この構成の特徴
及び利点は、バンドギャップバイアス発生器の電流源電
圧レベルVCSが低電位電力レール乃至は接地レールを参
照即ち基準としているということである。従って、変換
回路ECLゲートの入力及び基準トランジスタ要素の両方
のベースノードにおいて印加される電圧レベルは、両方
とも、低電位電力レールVEEを参照即ち基準とすること
となる。バンドギャップバイアス発生器から派生される
電流源電圧レベルVCSの温度係数は、所望の温度係数tem
pcoを与えるべくプログラムすることが可能である。典
型的に、本発明における適用においては、この温度係数
は０に選択される。しかしながら、スレッシュホールド
電圧レベルVTHの所望の温度補償を達成するために、回
路適用に従って適宜、バンドギャップバイアス発生器電
圧レベルVCSは、多少正のtempcoでプログラム即ち構成
することが可能である。
スレッシュホールドクランプ回路20及び基準トランジ
スタ要素Q5のベースノードは、電流源抵抗要素R5を介し
て、高電位電力レールVCCへ結合されている。電流源抵
抗要素R5は大型抵抗であり、テール抵抗R51が例えば2K
Ωの程度であるのと比較して、例えば20KΩの程度であ
る。テール抵抗R51は、テール抵抗要素R61を介してエミ
ッタホロワ電流源トランジスタ要素Q61によって比較的
大きなテール電流を発生するための比較的小型の抵抗で
ある。抵抗要素R5及び基準クランプ回路20のダイオード
スタックを介しての電流IR5は、比較的小さなものであ
り、例えば、第二電流源トランジスタ要素Q61のエミッ
タからのエミッタ電流IQ61よりも約10倍小さなものであ
る。スレッシュホールドクランプ回路20の第二エミッタ
ホロワ電流源トランジスタ要素Q61は、高電位レールVCC
から派生されるダイオードスタック電流IR5における変
動にも拘らず、そのエミッタノードにおいて安定な電圧
レベルを維持するために比較的大きな電流を発生せねば
ならない。従って、ダイオードスタックを介して、基準
トランジスタ要素Q5のベースノードへ安定電圧レベルを
印加することが可能である。この目的のために、ダイオ
ードスタックを介しての電流IR5に対するトランジスタ
要素Q61からのエミッタ電流の比は、約10以上である。
即ち、IQ61/IR6＞10である。
スタ要素Q5のベースノードは、電流源抵抗要素R5を介し
て、高電位電力レールVCCへ結合されている。電流源抵
抗要素R5は大型抵抗であり、テール抵抗R51が例えば2K
Ωの程度であるのと比較して、例えば20KΩの程度であ
る。テール抵抗R51は、テール抵抗要素R61を介してエミ
ッタホロワ電流源トランジスタ要素Q61によって比較的
大きなテール電流を発生するための比較的小型の抵抗で
ある。抵抗要素R5及び基準クランプ回路20のダイオード
スタックを介しての電流IR5は、比較的小さなものであ
り、例えば、第二電流源トランジスタ要素Q61のエミッ
タからのエミッタ電流IQ61よりも約10倍小さなものであ
る。スレッシュホールドクランプ回路20の第二エミッタ
ホロワ電流源トランジスタ要素Q61は、高電位レールVCC
から派生されるダイオードスタック電流IR5における変
動にも拘らず、そのエミッタノードにおいて安定な電圧
レベルを維持するために比較的大きな電流を発生せねば
ならない。従って、ダイオードスタックを介して、基準
トランジスタ要素Q5のベースノードへ安定電圧レベルを
印加することが可能である。この目的のために、ダイオ
ードスタックを介しての電流IR5に対するトランジスタ
要素Q61からのエミッタ電流の比は、約10以上である。
即ち、IQ61/IR6＞10である。
第１図の入力クランプ回路は、入力トランジスタ要素
のデータノードと低電位電力レールVEEとの間に結合さ
れているBCSトランジスタ要素ダイオードスタックQ1,Q
2,Q3によって与えられている。第１図の入力クランプ回
路の代わりに、本発明に基づいて構成される第３図の回
路が、温度補償した電流源電圧レベルVCSを参照即ち基
準とした入力クランプ回路を提供している。この入力ク
ランプ回路は、高及び低電位電力レールVCC及びVEEとの
間に結合されている第三電流源トランジスタ要素Q21と
第三テール抵抗要素R21とを有している。第二電圧レベ
ルシフト回路即ちアップシフト回路が、第三電流源トラ
ンジスタ要素Q21のエミッタノードと入力トランジスタ
要素Q4のベースノードとの間に結合されている。この実
施例における第二電圧レベルシフト回路は、トランジス
タ要素Q21のエミッタノードとトランジスタ要素Q4のベ
ースノードとの間に直列的に結合されているBCSトラン
ジスタ要素ダイオードQ2及びQ3によって与えられるダイ
オードスタックである。
のデータノードと低電位電力レールVEEとの間に結合さ
れているBCSトランジスタ要素ダイオードスタックQ1,Q
2,Q3によって与えられている。第１図の入力クランプ回
路の代わりに、本発明に基づいて構成される第３図の回
路が、温度補償した電流源電圧レベルVCSを参照即ち基
準とした入力クランプ回路を提供している。この入力ク
ランプ回路は、高及び低電位電力レールVCC及びVEEとの
間に結合されている第三電流源トランジスタ要素Q21と
第三テール抵抗要素R21とを有している。第二電圧レベ
ルシフト回路即ちアップシフト回路が、第三電流源トラ
ンジスタ要素Q21のエミッタノードと入力トランジスタ
要素Q4のベースノードとの間に結合されている。この実
施例における第二電圧レベルシフト回路は、トランジス
タ要素Q21のエミッタノードとトランジスタ要素Q4のベ
ースノードとの間に直列的に結合されているBCSトラン
ジスタ要素ダイオードQ2及びQ3によって与えられるダイ
オードスタックである。
入力クランプ回路及びスレッシュホールドクランプ回
路のダイオードスタックによってそれぞれ与えられてい
る第一及び第二レベルシフト回路は、論理高信号電位レ
ベルVIHが入力トランジスタ要素Q4のベースノードにお
いて印加される場合に、入力及び基準トランジスタ要素
のベースノード間にベース電圧差VIH−VTHを維持すべく
選択され且つ配設されている。このベース電圧差VIH−V
THは、好適には、少なくとも約3VTであるように選択さ
れている。尚、VTは、半導体物質のバンドギャップ電圧
であり、室温において約26mVである。典型的なNPNバイ
ポーラトランジスタ要素をスイッチング動作させるため
に約0.1Vの最小電圧差が必要であり、且つ本発明は、約
120mV（0.12V）の最小ベース電圧差を維持することを意
図しており、それは全ての条件に亘って約3VTに等し
い。
路のダイオードスタックによってそれぞれ与えられてい
る第一及び第二レベルシフト回路は、論理高信号電位レ
ベルVIHが入力トランジスタ要素Q4のベースノードにお
いて印加される場合に、入力及び基準トランジスタ要素
のベースノード間にベース電圧差VIH−VTHを維持すべく
選択され且つ配設されている。このベース電圧差VIH−V
THは、好適には、少なくとも約3VTであるように選択さ
れている。尚、VTは、半導体物質のバンドギャップ電圧
であり、室温において約26mVである。典型的なNPNバイ
ポーラトランジスタ要素をスイッチング動作させるため
に約0.1Vの最小電圧差が必要であり、且つ本発明は、約
120mV（0.12V）の最小ベース電圧差を維持することを意
図しており、それは全ての条件に亘って約3VTに等し
い。
本発明に従って電圧レベルを設定し且つ選択する場
合、スレッシュホールド電圧VTHは、好適には、論理高
及び低信号電位レベル7VIH及びVILの間の中心に設定さ
れる。VIH及びVILが例えば約0.8V及び2.0Vである場合、
VTHは約1.4V又は1.5Vに設定される。これは、標準的な
バンドギャップバイアス発生器から得ることの可能な標
準的な温度補償した電流源電圧レベルVCSと同じであ
る。
合、スレッシュホールド電圧VTHは、好適には、論理高
及び低信号電位レベル7VIH及びVILの間の中心に設定さ
れる。VIH及びVILが例えば約0.8V及び2.0Vである場合、
VTHは約1.4V又は1.5Vに設定される。これは、標準的な
バンドギャップバイアス発生器から得ることの可能な標
準的な温度補償した電流源電圧レベルVCSと同じであ
る。
入力及びスレッシュホールドクランプ回路のそれぞれ
において印加される温度補償した電流源電圧レベルVCS
は、変換回路の電流シンクの何れかの電流源トランジス
タ要素又は集積回路のその他の部分から派生することが
可能である。第３図の実施例においては、スレッシュホ
ールドクランプ回路20用の電流源電圧レベルVCSは、ト
ランジスタ要素Q4及びQ5から構成される変換回路ECLゲ
ート用の電流シンクの電流源トランジスタ要素Q6のベー
スノードから派生される。一方、電流源電圧レベルVCS
は、第４図に示した如く、出力バッファエミッタホロワ
トランジスタ要素Q9及びQ10用の二重電流シンクの一部
である出力電流源トランジスタ要素Q13,Q14のベースノ
ードから派生することが可能である。出力電源トランジ
スタ要素Q13及びQ14自身が出力バッファエミッタホロワ
トランジスタ要素Q9及びQ10を介して動作するエミッタ
ホロワであるので、付加的なエミッタホロワ電流シンク
トランジスタ要素は必要ではない。従って、このスレッ
シュホールドクランプ回路は、VCSのベース駆動を具備
するエミッタホロワ電流源トランジスタ要素を必要とす
る。これは、本変換回路において既に与えられているエ
ミッタホロワ電流源トランジスタ要素とすることが可能
であり、又例えばトランジスタ要素Q13又はQ14などのよ
うな隣接する集積回路部分とすることが可能である。第
１図のエミッタホロワ出力電源トランジスタ要素Q13,Q1
4の何れも、第３図の電流源トランジスタ要素Q6及びQ61
の両方の機能を達成する。第３図の実施例において、ト
ランジスタ要素Q13,Q14の何れも、第１図を参照して上
に説明した第一及び第二電流トランジスタ要素の両方の
機能を達成する。同様に、入力クランプ回路において印
加される電流源電圧レベルVCSは、既存の電流シンク電
流源トランジスタ要素のベースノードから派生すること
が可能である。
において印加される温度補償した電流源電圧レベルVCS
は、変換回路の電流シンクの何れかの電流源トランジス
タ要素又は集積回路のその他の部分から派生することが
可能である。第３図の実施例においては、スレッシュホ
ールドクランプ回路20用の電流源電圧レベルVCSは、ト
ランジスタ要素Q4及びQ5から構成される変換回路ECLゲ
ート用の電流シンクの電流源トランジスタ要素Q6のベー
スノードから派生される。一方、電流源電圧レベルVCS
は、第４図に示した如く、出力バッファエミッタホロワ
トランジスタ要素Q9及びQ10用の二重電流シンクの一部
である出力電流源トランジスタ要素Q13,Q14のベースノ
ードから派生することが可能である。出力電源トランジ
スタ要素Q13及びQ14自身が出力バッファエミッタホロワ
トランジスタ要素Q9及びQ10を介して動作するエミッタ
ホロワであるので、付加的なエミッタホロワ電流シンク
トランジスタ要素は必要ではない。従って、このスレッ
シュホールドクランプ回路は、VCSのベース駆動を具備
するエミッタホロワ電流源トランジスタ要素を必要とす
る。これは、本変換回路において既に与えられているエ
ミッタホロワ電流源トランジスタ要素とすることが可能
であり、又例えばトランジスタ要素Q13又はQ14などのよ
うな隣接する集積回路部分とすることが可能である。第
１図のエミッタホロワ出力電源トランジスタ要素Q13,Q1
4の何れも、第３図の電流源トランジスタ要素Q6及びQ61
の両方の機能を達成する。第３図の実施例において、ト
ランジスタ要素Q13,Q14の何れも、第１図を参照して上
に説明した第一及び第二電流トランジスタ要素の両方の
機能を達成する。同様に、入力クランプ回路において印
加される電流源電圧レベルVCSは、既存の電流シンク電
流源トランジスタ要素のベースノードから派生すること
が可能である。
第３図及び第４図の回路によって許容される論理高及
び低入力信号電位レベルVIH,VILに対する改善した雑音
余裕を第５図に示してある。
び低入力信号電位レベルVIH,VILに対する改善した雑音
余裕を第５図に示してある。
以上、本発明の具体的実施の態様について詳細に説明
したが、本発明は、これら具体例のみ決定されるべきも
のではなく、本発明の技術的範囲を逸脱することなしに
種々の変形が可能であることは勿論である。
したが、本発明は、これら具体例のみ決定されるべきも
のではなく、本発明の技術的範囲を逸脱することなしに
種々の変形が可能であることは勿論である。
第１図は従来のTTLからECL/CMLへの変換回路を示した概
略回路図、第２図は第１図の変換回路の狭い雑音余裕特
性を示した説明図、第３図は本発明の一実施例に基づい
て構成されたTTLからECL/CMLへの変換回路を示した概略
回路図、第４図は本発明変換回路の別の実施例を示した
詳細な部分的概略回路図、第５図は本発明の変換回路に
よって許容される改善され且つ拡張された雑音余裕を示
した説明図、である。 （符号の説明） 10:スレッシュホールドクランプ回路 20:温度補償型スレッシュホールドクランプ回路
略回路図、第２図は第１図の変換回路の狭い雑音余裕特
性を示した説明図、第３図は本発明の一実施例に基づい
て構成されたTTLからECL/CMLへの変換回路を示した概略
回路図、第４図は本発明変換回路の別の実施例を示した
詳細な部分的概略回路図、第５図は本発明の変換回路に
よって許容される改善され且つ拡張された雑音余裕を示
した説明図、である。 （符号の説明） 10:スレッシュホールドクランプ回路 20:温度補償型スレッシュホールドクランプ回路
Claims (25)
- 【請求項１】比較的高及び低電位の電力レールVCC,VEE
の間に動作結合されているECLベース差動ゲートを持っ
たTTLからECL/CMLへの変換回路において、TTL入力信号
を受取り且つ入力トランジスタ要素のベースノードにお
いて低電位電力レールVEEを基準とした論理高及び低信
号電位レベルVIH,VILを印加するための入力トランジス
タ要素及び入力クランプ回路が設けられており、基準ト
ランジスタ要素のベースノードにおいて低電位電力レー
ルVEEを基準としたスレッシュホールド信号電圧レベルV
THを印加するための基準トランジスタ要素及びスレッシ
ュホールドクランプ回路が設けられており、低電位レベ
ル電力レールVEEを基準とした温度補償した電流源電圧
レベルVCSを発生するバンドギャップバイアス発生器を
持った集積回路の一部が設けられており、前記スレッシ
ュホールドクランプ回路は、前記バンドギャップバイア
ス発生器と前記基準トランジスタ要素のベースノードと
の間に動作結合されており、前記スレッシュホールドク
ランプ回路が前記基準トランジスタ要素のベースノード
において温度補償した電流源電圧レベルVCSを基準とし
た温度補償したスレッシュホールド信号電圧レベルVTH
を印加すべく構成されていることを特徴とする変換回
路。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項において、前記基準
トランジスタ要素のベースノードにおいて印加される温
度補償したスレッシュホールド信号電圧レベルVTHが、
入力トランジスタ要素のベースノードにおける論理高及
び低信号電位レベルVIH,VILの間の実質的に中間である
ように選択されていることを特徴とする変換回路。 - 【請求項３】特許請求の範囲第２項において、前記入力
トランジスタ要素のベースノードにおいて温度補償した
電流源電圧レベルVCSを基準とした温度補償した論理高
信号電位レベルVIHを印加するために、前記入力クラン
プ回路が前記バンドギャップバイアス発生器と前記入力
トランジスタ要素のベースノードとの間に動作結合され
ていることを特徴とする変換回路。 - 【請求項４】特許請求の範囲第３項において、前記変換
回路が第一電流源トランジスタ要素と同一テール抵抗と
を有しており、前記スレッシュホールドクランプ回路が
第二電流源トランジスタ要素と第二テール抵抗とを有し
ており、前記入力クランプ回路が第三電流源トランジス
タ要素と第三テール抵抗とを有しており、前記それぞれ
の第一、第二及び第三電流源トランジスタ要素のベース
ノードが温度補償した電流源電圧レベルVCSへ結合され
ており、前記スレッシュホールドクランプ回路が前記第
二電流源トランジスタ要素のエミッタノードと前記基準
トランジスタ要素のベースノードとの間に結合されてい
る第一レベルシフト回路手段を有しており、前記入力ク
ランプ回路が前記第三電流源トランジスタ要素のエミッ
タノードと前記入力トランジスタ要素のベースノードと
の間に結合されている第二レベルシフト回路手段を有し
ており、前記第一及び第二レベルシフト回路手段が、前
記入力トランジスタ要素のベースノードに論理高信号電
位レベルVIHが印加された場合に、本変換回路の所望の
動作温度範囲に亘って前記入力及び基準トランジスタ要
素のベースノード間を実質的に同一の電位差VIH−VTHに
維持すべく選択されていることを特徴とする変換回路。 - 【請求項５】特許請求の範囲第３項において、前記スレ
ッシュホールドクランプ回路が、前記基準トランジスタ
要素のベースノードにおいて実質的にスレッシュホール
ド電圧レベルVTH＝VCSとして温度補償した電流源電圧レ
ベルVCSを印加すべく構成されていることを特徴とする
変換回路。 - 【請求項６】特許請求の範囲第４項において、前記スレ
ッシュホールドクランプ回路及び前記基準トランジスタ
要素のベースノードが電流源抵抗要素（R5）を介して高
電位レベル電力レールVCCへ結合されており、前記電流
源抵抗要素（R5）及び前記スレッシュホールドクランプ
回路の構成要素（Q61,Q7,SD2）が、第二電流源トランジ
スタ要素（Q61）のエミッタを介しての電流IQ61が前記
電流源抵抗要素（R5）を介しての電流IR5よりも実質的
に大きいように選択されていることを特徴とする変換回
路。 - 【請求項７】特許請求の範囲第５項において、前記第一
及び第二レベルシフト回路手段が、VTをバンドギャップ
電圧として、少なくとも約3VTの入力及び基準トランジ
スタ要素のベースノード間においてベース電圧差VIH−V
THに維持すべく選択されたそれぞれのダイオードスタッ
ク回路手段を有することを特徴とする変換回路。 - 【請求項８】比較的高及び低電位電力レールVCC,VEEの
間に動作結合されたECLベース差動ゲートを持ったTTLか
らECL/CMLへの変換回路において、TTL入力信号を受取る
と共に入力トランジスタ要素のベースノードにおいて低
電位電力レールVEEを基準とした論理高及び低電位レベ
ルVIH,VILを印加するための入力トランジスタ要素及び
入力クランプ回路が設けられており、基準トランジスタ
要素のベースノードにおいて低電位電力レールVEEを基
準としたスレッシュホールド信号電圧レベルVTHを印加
するための基準トランジスタ要素及びスレッシュホール
ドクランプ回路が設けられており、第一電流源トランジ
スタ要素と第一テール抵抗要素と第一電流源トランジス
タ要素のベースノードへ低電位電力レールVEEを基準と
した温度補償した電流源電圧レベルVCSを供給する温度
補償した電流源電圧供給源を具備する少なくとも１個の
電流シンクが設けられており、前記スレッシュホールド
クランプ回路が、前記基準トランジスタ要素のベースノ
ードにおいて温度補償した電流源電圧レベルVCSを基準
とした温度補償したスレッシュホールド電圧信号レベル
VTHを印加するために温度補償した電流源電圧供給源と
基準トランジスタ要素のベースノードとの間に動作結合
されていることを特徴とする変換回路。 - 【請求項９】特許請求の範囲第８項において、前記スレ
ッシュホールドクランプ回路が、基準トランジスタ要素
のベースノードにおいて実質的にスレッシュホールド電
圧レベルVTH≒VCSとして温度補償した電流源電圧レベル
VCSを印加すべく構成されていることを特徴とする変換
回路。 - 【請求項１０】特許請求の範囲第８項において、前記ス
レッシュホールドクランプ回路が第二電流源トランジス
タ要素と第二テール抵抗要素とを有しており、前記第二
電流源トランジスタ要素が前記温度補償した電流源電圧
レベルVCSへ動作結合されているベースノードを具備す
ると共に前記第二電流源トランジスタ要素のエミッタノ
ードと前記基準トランジスタ要素のベースノードとの間
に結合されている第一電圧レベルシフト回路手段を具備
していることを特徴とする変換回路。 - 【請求項１１】特許請求の範囲第10項において、前記第
一電圧レベルシフト回路手段が、選択した動作温度範囲
に亘ってECLベース差動ゲートの動作に与えるゼロでな
い温度係数効果を実質的に補償し且つ相殺すべく選択さ
れた構成要素を有するダイオードスタック回路手段を有
することを特徴とする変換回路。 - 【請求項１２】特許請求の範囲第11項において、前記ダ
イオードスタック回路手段が、ベースコレクタ短絡型
（BCS）トランジスタ要素及びショットキーダイオード
トランジスタ要素を直列に結合した状態で有しているこ
とを特徴とする変換回路。 - 【請求項１３】特許請求の範囲第10項において、前記第
一及び第二電流源トランジスタ要素がそれぞれの第一及
び第二テール抵抗を介して低電位電力レールVEEへ結合
されており、電流源抵抗要素（R5）がスレッシュホール
ドクランプ回路及び基準トランジスタ要素のベースノー
ドを比較的高電位の基準レベルVCCへ結合しており、且
つ前記電流源抵抗要素（R5）及びスレッシュホールドク
ランプ回路の構成要素（Q61,Q7,SD2）が、第二電流源ト
ランジスタ要素（Q61）のエミッタからの電流IQ61が電
流源抵抗要素（R5）を介しての電流IR5よりも実質的に
大きいものであるように選択されていることを特徴とす
る変換回路。 - 【請求項１４】特許請求の範囲第13項において、IQ61/I
R5≧10であることを特徴とする変換回路。 - 【請求項１５】特許請求の範囲第10項において、前記入
力及び基準トランジスタ要素がエミッタノードを共通エ
ミッタ結合状態に一体的に結合しており、前記第一電流
シンクが前記共通エミッタ結合と低電位パワーレールV
EEとの間に結合されており、前記第一電流シンクが前記
第一電流源トランジスタ要素（Q6）及び第一テール抵抗
要素（R6）を有しており、前記第一電流源トランジスタ
要素がスレッシュホールドクランプ回路の第二電流源ト
ランジスタ要素（Q61）のベースノードへ温度補償した
電流源電圧レベルVCSを印加するために第二電流源トラ
ンジスタ要素のベースノードへ結合したベースノードを
有していることを特徴とする変換回路。 - 【請求項１６】特許請求の範囲第10項において、前記変
換回路ECLベース差動ゲートが、入力及び基準トランジ
スタ要素（Q4,Q5）の一つのコレクタノード出力からと
った少なくとも一つの出力を有すると共に前記コレクタ
ノード出力へ結合した少なくとも１個のエミッタホロワ
出力バッファトランジスタ要素（Q9,Q10）を有してお
り、且つ出力電流シンクがエミッタホロワ出力バッファ
トランジスタ要素（Q9,Q10）と低電位レベル電力レール
VEEとの間に結合されており、前記出力電流シンクが、
出力電流源トランジスタ要素（Q13,Q14）と出力テール
抵抗要素（R7）とを有しており、前記出力電流源トラン
ジスタ要素が、スレッシュホールドクランプ回路へ温度
補償した電流源電圧レベルVCSを印加するために温度補
償した電流源電圧レベルVCSへ結合したベースノードを
有していることを特徴とする変換回路。 - 【請求項１７】特許請求の範囲第８項において、前記入
力クランプ回路が、入力トランジスタ要素のベースノー
ドにおいて温度補償した電流源電圧レベルVCSを基準と
した温度補償した論理高信号電位レベルVIHを印加する
ために、温度補償した電流源電圧供給源と入力トランジ
スタ要素のベースノードとの間に動作結合されているこ
とを特徴とする変換回路。 - 【請求項１８】特許請求の範囲第17項において、前記入
力クランプ回路が第三テール抵抗要素を介して低電位レ
ベル電力レールVEEへ結合した第三電流源トランジスタ
要素を有しており、前記第三電流源トランジスタ要素が
温度補償した電流源電圧レベルVCSへ結合したベースノ
ードを有しており、且つ第三電流源トランジスタ要素の
エミッタノードと入力トランジスタ要素のベースノード
との間に結合されている第二電圧レベルシフト回路手段
を有していることを特徴とする変換回路。 - 【請求項１９】特許請求の範囲第18項において、本変換
回路は半導体物質からなる集積回路の一部であり、且つ
前記第一及び第二レベルシフト回路手段はVTを半導体物
質のバンドギャップ電圧として、論理高信号電位レベル
VIHが少なくとも約3VTの入力トランジスタ要素のベース
ノードに印加された場合に、入力及び基準トランジスタ
要素のベースノード間にベース電圧差VIH−VTHを維持す
るべく選択されている構成要素を有することを特徴とす
る変換回路。 - 【請求項２０】比較的高及び低電位電力レールVCC,VEE
の間に動作結合されているECLベース差動ゲートを持っ
たTTLからECL/CMLへの変換回路において、TTL入力信号
を受取り且つ入力トランジスタ要素のベースノードにお
いて低電位電力レールVEEを基準とした論理高及び低電
位レベルVIH,VILを印加するための入力トランジスタ要
素（Q4）及び入力クランプ回路が設けられており、基準
トランジスタ要素のベースノードにおいて低電位電力レ
ールVEEを基準としたスレッシュホールド信号電圧レベ
ルVTHを印加するための基準トランジスタ要素（Q5）及
びスレッシュホールドクランプ回路が設けられており、
入力及び基準トランジスタ要素（Q4,Q5）の一つコレク
タノード出力からとられた少なくとも一つの出力及びコ
レクタノード出力へ結合されている少なくとも１個のエ
ミッタホロワ出力バッファトランジスタ要素（Q9,Q10）
が設けられており、エミッタホロワ出力バッファトラン
ジスタ要素（Q9,Q10）と低電位レベル電力レールVEEと
の間に結合されている出力電流シンクが設けられてお
り、前記出力電流シンクは出力電流源トランジスタ要素
（Q13,Q14）及び出力テール抵抗要素（R7）を有してお
り、前記出力電流源トランジスタ要素は温度補償した電
圧供給源の温度補償した電流源電圧レベルVCSへ結合し
たベースノードを具備しており、前記スレッシュホール
ドクランプ回路は、基準トランジスタ要素のベースノー
ドにおいて温度補償した電流源電圧レベルVCSを基準と
した温度補償したスレッシュホールド電圧信号レベルV
THを印加するために出力電流源トランジスタ要素のエミ
ッタノードと基準トランジスタ要素のベースノードとの
間に動作結合されていることを特徴とする変換回路。 - 【請求項２１】特許請求の範囲第20項において、前記ス
レッシュホールドクランプ回路及び前記基準トランジス
タ要素のベースノードが電流源抵抗要素（R5）を介して
高電位レベルパワーレールVCCへ結合されており、前記
電流源源抵抗要素（R5）及び前記スレッシュホールドク
ランプ回路が、出力電流源トランジスタ要素（Q13,Q1
4）のエミッタを介しての電流IQ13,Q14が電流抵抗要素
（R5）を介しての電流IR5よりも実質的に大きいもので
あるように選択されている構成要素（Q7,SD2）を有して
いることを特徴とする変換回路。 - 【請求項２２】比較的高及び低電位電力レールVCC,VEE
の間に動作結合されているECLベース差動ゲートを持っ
たTTLからECL/CMLへの変換回路において、TTL入力信号
を受取り且つ入力トランジスタ要素のベースノードにお
いて低電位電力レールVEEを基準とした論理高及び低電
位レベルVIH,VILを印加するための入力トランジスタ要
素及び入力クランプ回路が設けており、基準トランジス
タ要素のベースノードにおいて低電位電力レールVEEを
基準としたスレッシュホールド信号電圧レベルVTHを印
加するための基準トランジスタ要素及びスレッシュホー
ルドクランプ回路が設けられており、第一電流源トラン
ジスタ要素と第一テール抵抗要素と第一電流源トランジ
スタ要素のベースノードへ低電位ワーレールVEEを基準
とした温度補償した電流源電圧レベルVCSを供給する温
度補償した電流源電圧供給源とを具備する少なくとも１
個の電流シンクが設けられており、前記入力クランプ回
路が、入力トランジスタ要素のベースノードにおいて温
度補償した電流源電圧レベルVCSを基準とした温度補償
した論理高信号電位レベルVIHを印加するために温度補
償した電流源電圧供給源と入力トランジスタ要素のベー
スノードとの間に動作結合されていることを特徴とする
変換回路。 - 【請求項２３】特許請求の範囲第22項において、前記ス
レッシュホールドクランプ回路が、基準トランジスタ要
素のベースノードにおいて温度補償した電流源電圧レベ
ルVCSを基準とした温度補償したスレッシュホールド電
圧信号レベルVTHを印加するために温度補償した電流源
電圧供給源と基準トランジスタ要素のベースノードとの
間に動作結合されていることを特徴とする変換回路。 - 【請求項２４】特許請求の範囲第８項において、基準ト
ランジスタ要素のベースノードにおいて印加される温度
補償したスレッシュホールド電圧信号レベルVTHが、雑
音余裕を減少し且つtpLHとtpHLとの間のスイッチングス
キューを減少させるために伝搬遅延tpLHとtpHLの測定の
ために使用される波形測定用交差電圧レベルであるよう
に選択されていることを特徴とする変換回路。 - 【請求項２５】特許請求の範囲第24項において、VTHが
約1.5Vに選択されていることを特徴とする変換回路。
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