JP2847064B2 - 半導体装置製造用パンチ - Google Patents
半導体装置製造用パンチInfo
- Publication number
- JP2847064B2 JP2847064B2 JP13104796A JP13104796A JP2847064B2 JP 2847064 B2 JP2847064 B2 JP 2847064B2 JP 13104796 A JP13104796 A JP 13104796A JP 13104796 A JP13104796 A JP 13104796A JP 2847064 B2 JP2847064 B2 JP 2847064B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- punch
- semiconductor device
- base material
- tip
- sintered body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ，ＬＳＩ，Ｖ
ＬＳＩ等の半導体装置パッケージ製造工程において使用
される各種パンチ、例えば、樹脂封止パッケージに発生
するバリを、打ち抜きによって除去するためのパンチに
関する。
ＬＳＩ等の半導体装置パッケージ製造工程において使用
される各種パンチ、例えば、樹脂封止パッケージに発生
するバリを、打ち抜きによって除去するためのパンチに
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の樹脂封止パッケージは、エ
ッチング又はプレス成形された多連のリードフレームに
半導体素子をマウントし、ワイヤボンディングの後、エ
ポキシ系又はシリコン系樹脂で多数個一度にモールドす
ることにより形成される。
ッチング又はプレス成形された多連のリードフレームに
半導体素子をマウントし、ワイヤボンディングの後、エ
ポキシ系又はシリコン系樹脂で多数個一度にモールドす
ることにより形成される。
【０００３】モールドされた半導体素子は次行程でゲー
トカットによりフレームから切り離され、個々の独立し
た半導体装置となる。
トカットによりフレームから切り離され、個々の独立し
た半導体装置となる。
【０００４】ここで、リードフレームをモールドする
際、リードフレームと金型のわずかな隙間から樹脂が滲
み出したり、またアウタ・リードとダム・バーに囲まれ
た空間にはリードフレームの厚さ分の樹脂が充填され、
これらをバリと称している。
際、リードフレームと金型のわずかな隙間から樹脂が滲
み出したり、またアウタ・リードとダム・バーに囲まれ
た空間にはリードフレームの厚さ分の樹脂が充填され、
これらをバリと称している。
【０００５】図５はこのようなバリの発生状態を示し、
同図において、５０はモールド樹脂、５１はアウタ・リ
ード、５２はダム・バー、５５は滲み出したバリ、５６
はアウタ・リード５１とダム・バー５２の空間に充填さ
れたバリをそれぞれ示す。
同図において、５０はモールド樹脂、５１はアウタ・リ
ード、５２はダム・バー、５５は滲み出したバリ、５６
はアウタ・リード５１とダム・バー５２の空間に充填さ
れたバリをそれぞれ示す。
【０００６】このようなバリは、弱い衝撃でも剥離する
ことがあるが、特に外装処理後にバリが剥離すると、リ
ードフレームの素地が露出してアウタ・リードのはんだ
濡れ性、耐食性を損なうため、外装処理前に充分にバリ
を除去する必要がある。
ことがあるが、特に外装処理後にバリが剥離すると、リ
ードフレームの素地が露出してアウタ・リードのはんだ
濡れ性、耐食性を損なうため、外装処理前に充分にバリ
を除去する必要がある。
【０００７】従来、バリの除去方法として、上記滲み出
したバリ５５の除去には、高圧水法あるいは液体ホーニ
ング法が採用されている。高圧水法は、内径０．２ｍｍ
位のノズルから数百ｋｇ／ｃｍ2 の水をバリに噴射して
除去する。また、液体ホーニング法では、内径８〜１０
ｍｍ位のノズルからメディアを混合した水を数ｋｇ／ｃ
ｍ2 の圧力でバリに吹き付けて除去する。
したバリ５５の除去には、高圧水法あるいは液体ホーニ
ング法が採用されている。高圧水法は、内径０．２ｍｍ
位のノズルから数百ｋｇ／ｃｍ2 の水をバリに噴射して
除去する。また、液体ホーニング法では、内径８〜１０
ｍｍ位のノズルからメディアを混合した水を数ｋｇ／ｃ
ｍ2 の圧力でバリに吹き付けて除去する。
【０００８】一方、アウタ・リード５１とダム・バー５
２の空間に充填されたバリ５６は、特開平３−５０８５
４号公報、特開平２−３０１５２号公報、特開平５−３
２６７９８号公報等に開示され、また図６に示すような
櫛の歯状のパンチを用い、プレスによってダム・バー５
２と共に除去される。
２の空間に充填されたバリ５６は、特開平３−５０８５
４号公報、特開平２−３０１５２号公報、特開平５−３
２６７９８号公報等に開示され、また図６に示すような
櫛の歯状のパンチを用い、プレスによってダム・バー５
２と共に除去される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このパンチは、従来、
比較的耐摩耗性に優れた超硬又は超微粒子超硬によって
形成されている。しかしながら、半導体装置の高集積度
化によるパンチ部材の極細化や、樹脂内にシリカが充填
材として添加されることなどから、近年、特にパンチの
摩耗が激しくなり、通常の使用状態でも３月程度での交
換が必要とされている。
比較的耐摩耗性に優れた超硬又は超微粒子超硬によって
形成されている。しかしながら、半導体装置の高集積度
化によるパンチ部材の極細化や、樹脂内にシリカが充填
材として添加されることなどから、近年、特にパンチの
摩耗が激しくなり、通常の使用状態でも３月程度での交
換が必要とされている。
【００１０】この対策として、耐摩耗性に優れた、ダイ
ヤモンド焼結体層やＣＢＮ焼結体層をパンチ先端部に形
成することが考えられるが、これら焼結体はパンチの母
材である超硬とは直接ロウ付けすることができず、大が
かりな設備を用い、不活性雰囲気中あるいは真空中で、
活性金属を用いた特殊なロウ付け法を用いることが必要
である。このため、耐摩耗性に優れたダイヤモンド焼結
体等のパンチへの適用を困難にしている。
ヤモンド焼結体層やＣＢＮ焼結体層をパンチ先端部に形
成することが考えられるが、これら焼結体はパンチの母
材である超硬とは直接ロウ付けすることができず、大が
かりな設備を用い、不活性雰囲気中あるいは真空中で、
活性金属を用いた特殊なロウ付け法を用いることが必要
である。このため、耐摩耗性に優れたダイヤモンド焼結
体等のパンチへの適用を困難にしている。
【００１１】この他、超硬等からなる母材表面にＣＶＤ
（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）法などを用い、ＴｉＣ膜やダイヤモンド膜等を形成
することも考えられる。しかしながら、この場合に形成
されるＴｉＣ層は、せいぜい数μｍ程度であり、この程
度の厚みでは、繰り返しによる摩耗が激しいパンチの耐
久性を大きく向上させるまでには至らない。
（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）法などを用い、ＴｉＣ膜やダイヤモンド膜等を形成
することも考えられる。しかしながら、この場合に形成
されるＴｉＣ層は、せいぜい数μｍ程度であり、この程
度の厚みでは、繰り返しによる摩耗が激しいパンチの耐
久性を大きく向上させるまでには至らない。
【００１２】また、このような問題は、上記したものの
ほか、樹脂モールドする際の湯口（ゲート）の打ち抜き
用として使用されるゲート（カット）パンチ、アウタ・
リード間に流れ出したバリのみを打ち抜くレジンパン
チ、アウタ・リード間に流れ出したバリとタイバー（ダ
ム・バー）をダイとセットで打ち抜くダイバーカットパ
ンチ、折り曲げダイとセットで使用され、アウタ・リー
ドを所定の長さに切断して折り曲げる切り曲げパンチ、
またリードフレームのみをカットするリードカットパン
チにも同様に生じることである。本発明においてパンチ
とは、上記すべてのパンチを含むものとする。
ほか、樹脂モールドする際の湯口（ゲート）の打ち抜き
用として使用されるゲート（カット）パンチ、アウタ・
リード間に流れ出したバリのみを打ち抜くレジンパン
チ、アウタ・リード間に流れ出したバリとタイバー（ダ
ム・バー）をダイとセットで打ち抜くダイバーカットパ
ンチ、折り曲げダイとセットで使用され、アウタ・リー
ドを所定の長さに切断して折り曲げる切り曲げパンチ、
またリードフレームのみをカットするリードカットパン
チにも同様に生じることである。本発明においてパンチ
とは、上記すべてのパンチを含むものとする。
【００１３】本発明は、半導体装置パッケージ製造工程
で使用される各種パンチにおける上記問題点を解消する
もので、比較的製造が簡単で耐摩耗性に優れ、さらに強
度に優れたパンチを提供し、半導体装置の生産性を向上
させることを目的とする。
で使用される各種パンチにおける上記問題点を解消する
もので、比較的製造が簡単で耐摩耗性に優れ、さらに強
度に優れたパンチを提供し、半導体装置の生産性を向上
させることを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、半導体装置のパッケージ製造工程において
使用される切断又は折り曲げ用のパンチであって、先端
部に、あらかじめ金属部材に超砥粒層を焼き付け成形し
た超硬チップをロウ付け法により固着したことを特徴と
する。
するために、半導体装置のパッケージ製造工程において
使用される切断又は折り曲げ用のパンチであって、先端
部に、あらかじめ金属部材に超砥粒層を焼き付け成形し
た超硬チップをロウ付け法により固着したことを特徴と
する。
【００１５】ダイヤモンド焼結体及びＣＢＮ焼結体は、
従来のパンチ素材である超硬又は超微粒子超硬に比べ遥
かに耐摩耗性に優れる反面、ダイヤモンド焼結体等と超
硬とは大気中でのロウ付けが困難であるなどの問題を有
する。これを、あらかじめ、バッキングとしての金属部
材（超硬部材）に５００μｍ程度上記ダイヤモンド焼結
体層及びＣＢＮ焼結体層を焼き付け成形した超硬チップ
を用いることによって、パンチ母材への接合が大気中の
ロウ付けによって可能となる。
従来のパンチ素材である超硬又は超微粒子超硬に比べ遥
かに耐摩耗性に優れる反面、ダイヤモンド焼結体等と超
硬とは大気中でのロウ付けが困難であるなどの問題を有
する。これを、あらかじめ、バッキングとしての金属部
材（超硬部材）に５００μｍ程度上記ダイヤモンド焼結
体層及びＣＢＮ焼結体層を焼き付け成形した超硬チップ
を用いることによって、パンチ母材への接合が大気中の
ロウ付けによって可能となる。
【００１６】ダイヤモンド焼結体層を備えた超硬チップ
は、カプセル内に母材となる超硬板と、直径数μｍ〜数
十μｍのダイヤモンドパウダ及びＣｏなどの金属媒体を
充填し、ダイヤモンドの生成条件である１４００〜１５
００℃、５万気圧の条件で焼結することによって、母材
の表面に砥粒層を固着成形することができる。
は、カプセル内に母材となる超硬板と、直径数μｍ〜数
十μｍのダイヤモンドパウダ及びＣｏなどの金属媒体を
充填し、ダイヤモンドの生成条件である１４００〜１５
００℃、５万気圧の条件で焼結することによって、母材
の表面に砥粒層を固着成形することができる。
【００１７】超砥粒の粒径としては、特に限定されない
が、ダイヤモンド砥粒の場合、５μｍ以下、８〜１５μ
ｍ、２０〜３０μｍのものを用いることができ、これと
バインダとしての金属（Ｃｏ等）を、体積比で９：１程
度に混合して使用する。
が、ダイヤモンド砥粒の場合、５μｍ以下、８〜１５μ
ｍ、２０〜３０μｍのものを用いることができ、これと
バインダとしての金属（Ｃｏ等）を、体積比で９：１程
度に混合して使用する。
【００１８】また、ＣＢＮ砥粒の場合も特に限定されな
いが、粒径５μｍ以下のものを使用し、バインダとして
Ｃｏ又はセラミックスを用い、これを９：１〜５：５程
度に混合したものを使用することができる。
いが、粒径５μｍ以下のものを使用し、バインダとして
Ｃｏ又はセラミックスを用い、これを９：１〜５：５程
度に混合したものを使用することができる。
【００１９】ここで、超硬チップと母材との接合位置
は、櫛歯深さよりも０．５ｍｍ以上母材側とすることに
よって、接合強度を高め、超硬チップと母材の接合部に
おける剥離を効果的に防ぐことができる。
は、櫛歯深さよりも０．５ｍｍ以上母材側とすることに
よって、接合強度を高め、超硬チップと母材の接合部に
おける剥離を効果的に防ぐことができる。
【００２０】パンチ先端の摩耗による使用限界は一般的
には約８０μｍ程度までであり、超砥粒層の厚みはこれ
以上が望ましく、且つ修正して使用することを考慮すれ
ば、２００μｍ以上が望ましい。
には約８０μｍ程度までであり、超砥粒層の厚みはこれ
以上が望ましく、且つ修正して使用することを考慮すれ
ば、２００μｍ以上が望ましい。
【００２１】このような、パンチ母材である超硬の先端
にダイヤモンド焼結体層を形成した超硬チップを櫛の歯
状に形成するには、ワイヤーカット放電加工法等を用い
ることができる。
にダイヤモンド焼結体層を形成した超硬チップを櫛の歯
状に形成するには、ワイヤーカット放電加工法等を用い
ることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の一実施
の形態を示すバリ打ち抜き用パンチの正面図である。同
図において、１０は超硬からなるパンチ母材、１１はこ
のパンチ母材１０の先端に銀ロウ付けＳにより接合され
た超硬チップである。超硬チップ１１は、先端が分割さ
れた櫛の歯状に形成され、超硬からなるチップ母材１１
ａの先端に、厚さ約５００μｍのダイヤモンド焼結体層
１１ｂが形成されている。
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の一実施
の形態を示すバリ打ち抜き用パンチの正面図である。同
図において、１０は超硬からなるパンチ母材、１１はこ
のパンチ母材１０の先端に銀ロウ付けＳにより接合され
た超硬チップである。超硬チップ１１は、先端が分割さ
れた櫛の歯状に形成され、超硬からなるチップ母材１１
ａの先端に、厚さ約５００μｍのダイヤモンド焼結体層
１１ｂが形成されている。
【００２３】本実施の形態においては、パンチ溝深さｈ
＝１０ｍｍ、ピッチＰ＝１．８ｍｍ、パンチ巾Ｗ＝０．
６ｍｍとし、パンチ母材１０と超硬チップ１１の接合面
Ｓを、溝よりも２ｍｍパンチ母材１０より側としてい
る。
＝１０ｍｍ、ピッチＰ＝１．８ｍｍ、パンチ巾Ｗ＝０．
６ｍｍとし、パンチ母材１０と超硬チップ１１の接合面
Ｓを、溝よりも２ｍｍパンチ母材１０より側としてい
る。
【００２４】次いで上記バリ打ち抜き用パンチの製造方
法について説明する。超砥粒層を有する超硬チップの製
造工程を示す図２を参照して、まず、図２（ａ）に示す
ように、ダイヤモンド砥粒２０ａとバインダ（Ｃｏ）２
０ｂを混合したものと、超硬合金母材２１とを、図２
（ｂ）に示すようにカブセル２２内に充填する。次い
で、これを図２（ｃ）に示すような超高圧装置２３を用
い、５万気圧，１４００℃以上の温度で超高圧焼結す
る。
法について説明する。超砥粒層を有する超硬チップの製
造工程を示す図２を参照して、まず、図２（ａ）に示す
ように、ダイヤモンド砥粒２０ａとバインダ（Ｃｏ）２
０ｂを混合したものと、超硬合金母材２１とを、図２
（ｂ）に示すようにカブセル２２内に充填する。次い
で、これを図２（ｃ）に示すような超高圧装置２３を用
い、５万気圧，１４００℃以上の温度で超高圧焼結す
る。
【００２５】これによって、図２（ｄ）に示すような、
超硬合金母材２１の表面にダイヤモンド焼結体層２４が
固着されたダイヤモンド焼結体コア２５が形成される。
なお、超砥粒としてＣＢＮ砥粒を用いた場合にも同様の
手順により形成することができる。
超硬合金母材２１の表面にダイヤモンド焼結体層２４が
固着されたダイヤモンド焼結体コア２５が形成される。
なお、超砥粒としてＣＢＮ砥粒を用いた場合にも同様の
手順により形成することができる。
【００２６】次いで、これをワイヤーカット放電加工法
などを用い、製品寸法に合わせた任意の大きさのチップ
に切り出す。
などを用い、製品寸法に合わせた任意の大きさのチップ
に切り出す。
【００２７】さらにこれをパンチ母材１０先端部に銀ロ
ウ付けし、ワイヤーカット放電加工法などを用い、所定
の櫛の歯状に加工することによって図１に示すバリ打ち
抜き用パンチが完成する。
ウ付けし、ワイヤーカット放電加工法などを用い、所定
の櫛の歯状に加工することによって図１に示すバリ打ち
抜き用パンチが完成する。
【００２８】このような構造によって、従来の超硬又は
超微粒子超硬製のパンチに比べ、飛躍的に耐久性が向上
し、半導体製造装置におけるパンチの交換頻度が減少
し、生産性を向上させることができる。
超微粒子超硬製のパンチに比べ、飛躍的に耐久性が向上
し、半導体製造装置におけるパンチの交換頻度が減少
し、生産性を向上させることができる。
【００２９】図３は本発明の他の実施の形態を示すパン
チの先端部を示す正面図で、本実施の形態では、超硬チ
ップ１５として、チップ母材１５の作用点側のみにダイ
ヤモンド焼結体層１５ｂを形成している。この超硬チッ
プ１５も上記方法に準じて製造することができる。この
ように、作用点側のみに焼結体層１５ｂを設けることに
よって、高価な焼結体層を経済的に使用することができ
る。
チの先端部を示す正面図で、本実施の形態では、超硬チ
ップ１５として、チップ母材１５の作用点側のみにダイ
ヤモンド焼結体層１５ｂを形成している。この超硬チッ
プ１５も上記方法に準じて製造することができる。この
ように、作用点側のみに焼結体層１５ｂを設けることに
よって、高価な焼結体層を経済的に使用することができ
る。
【００３０】
【実施例】実施例１として上記実施の形態に示すパンチ
を、また実施例２として超硬チップの長さを３ｍｍと
し、接合部分を溝の上部としたパンチを、また比較例と
して、従来の超硬部材からなるパンチを用い、半導体装
置のバリ取りに使用した。
を、また実施例２として超硬チップの長さを３ｍｍと
し、接合部分を溝の上部としたパンチを、また比較例と
して、従来の超硬部材からなるパンチを用い、半導体装
置のバリ取りに使用した。
【００３１】結果は、比較例では３カ月の使用で約８０
μｍの摩耗が見られ、所定の加工精度を維持することが
できなくなり、継続使用が不可能であった。これに対
し、実施例１及び実施例２とも、３カ月の使用では全く
摩耗が見られず、継続使用が可能であった。但し、実施
例２においては、摩耗は見られなかったものの、超硬チ
ップとパンチ母材の接合部に剥離がみられた。
μｍの摩耗が見られ、所定の加工精度を維持することが
できなくなり、継続使用が不可能であった。これに対
し、実施例１及び実施例２とも、３カ月の使用では全く
摩耗が見られず、継続使用が可能であった。但し、実施
例２においては、摩耗は見られなかったものの、超硬チ
ップとパンチ母材の接合部に剥離がみられた。
【００３２】この結果をもとに、超硬チップの長さを少
しずつ変化させ、パンチ母材との接合強度の試験を行っ
たところ、超硬チップの長さがパンチ溝よりも短い場
合、すなわち、パンチの櫛の歯部分で接合した場合に
は、強度的に弱く、溝よりも、０．５ｍｍ以上パンチ母
材側で接合した場合、充分な接合強度を有することが確
認された。
しずつ変化させ、パンチ母材との接合強度の試験を行っ
たところ、超硬チップの長さがパンチ溝よりも短い場
合、すなわち、パンチの櫛の歯部分で接合した場合に
は、強度的に弱く、溝よりも、０．５ｍｍ以上パンチ母
材側で接合した場合、充分な接合強度を有することが確
認された。
【００３３】図４は、超硬チップの長さと強度の関係を
示すグラフで、先端の櫛の歯部で接合した場合、接合面
積が狭いため、接合強度が弱く、溝深さよりも０. ５ｍ
ｍを越えたところから急激に強度が増し、それ以降はほ
ぼ同じ傾向であった。
示すグラフで、先端の櫛の歯部で接合した場合、接合面
積が狭いため、接合強度が弱く、溝深さよりも０. ５ｍ
ｍを越えたところから急激に強度が増し、それ以降はほ
ぼ同じ傾向であった。
【００３４】
【発明の効果】本発明によって以下の効果を奏すること
ができる。
ができる。
【００３５】（１）あらかじめ金属部材にダイヤモンド
焼結体層またはＣＢＮ焼結体層からなる超砥粒層を焼き
付け成形した超硬チップを、パンチ先端にロウ付けによ
り接合したことにより、比較的製造が簡単でありかつ耐
摩耗性に優れたパンチが提供でき、これによって半導体
装置の生産性を向上させることができる。
焼結体層またはＣＢＮ焼結体層からなる超砥粒層を焼き
付け成形した超硬チップを、パンチ先端にロウ付けによ
り接合したことにより、比較的製造が簡単でありかつ耐
摩耗性に優れたパンチが提供でき、これによって半導体
装置の生産性を向上させることができる。
【００３６】（２）砥粒層の厚みを２００μｍ以上とす
ることによって、比較的長期間にわたって製品の品質を
損なわない使用が可能となる。
ることによって、比較的長期間にわたって製品の品質を
損なわない使用が可能となる。
【００３７】（３）超硬チップの接合位置を、櫛歯深さ
よりも０．５ｍｍ以上母材側とすることによって、比較
的小さな超硬チップでも、超硬チップと母材の接合部に
おける剥離を効果的に防ぐことができる。
よりも０．５ｍｍ以上母材側とすることによって、比較
的小さな超硬チップでも、超硬チップと母材の接合部に
おける剥離を効果的に防ぐことができる。
【図１】 本発明のバリ打ち抜き用パンチの正面図であ
る。
る。
【図２】 超砥粒層を有する超硬チップの製造工程を示
す図である。
す図である。
【図３】 他の実施の形態を示すパンチの側面図であ
る。
る。
【図４】 超硬チップの長さと強度の関係を示すグラフ
である。
である。
【図５】 バリの発生状況を示す説明図である。
【図６】 従来のバリ打ち抜き用パンチの正面図であ
る。
る。
１０ パンチ母材 １１，１５ 超硬チップ １１ａ，１５ａ チップ母材 １１ｂ，１５ｂ ダイヤモンド焼結体層 ５０ モールド樹脂 ５１ アウタ・リード ５２ ダム・バー ５５，５６ バリ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 梅野 多加夫 福岡県浮羽郡田主丸町大字竹野210番地 ノリタケダイヤ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−274734（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−81721（ＪＰ，Ｕ)
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体装置のパッケージ製造工程におい
て使用される切断又は折り曲げ用のパンチであって、超
硬からなる金属部材の先端部にあらかじめ超砥粒層を焼
き付け成形した超硬チップを、ロウ付け法によりパンチ
母材に固着したことを特徴とする半導体装置製造用パン
チ。 - 【請求項２】 先端部が櫛の歯状に形成されていること
を特徴とする請求項１記載の半導体装置製造用パンチ。 - 【請求項３】 前記超砥粒層が、ダイヤモンド焼結体層
またはＣＢＮ焼結体層であることを特徴とする請求項１
及び２記載の半導体装置製造用パンチ。 - 【請求項４】 前記砥粒層の厚みが２００μｍ以上であ
ることを特徴とする請求項１〜３記載の半導体装置製造
用パンチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13104796A JP2847064B2 (ja) | 1996-04-27 | 1996-04-27 | 半導体装置製造用パンチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13104796A JP2847064B2 (ja) | 1996-04-27 | 1996-04-27 | 半導体装置製造用パンチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09293741A JPH09293741A (ja) | 1997-11-11 |
| JP2847064B2 true JP2847064B2 (ja) | 1999-01-13 |
Family
ID=15048780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13104796A Expired - Lifetime JP2847064B2 (ja) | 1996-04-27 | 1996-04-27 | 半導体装置製造用パンチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2847064B2 (ja) |
-
1996
- 1996-04-27 JP JP13104796A patent/JP2847064B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09293741A (ja) | 1997-11-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102178587B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 | |
| GB2305001A (en) | Tool for tape automated bonding | |
| JP2013069814A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6571595B2 (en) | Method of forming a package for electronic parts | |
| JP2002246530A (ja) | リードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| KR960003853B1 (ko) | 반도체 장치 및 그의 제조방법 | |
| JPH06291234A (ja) | 半導体装置用リードフレームおよびこれを使用した半導体装置の製造方法 | |
| JP2847064B2 (ja) | 半導体装置製造用パンチ | |
| JP3030715U (ja) | 半導体装置製造用パンチ | |
| JP3054641B2 (ja) | 切断刃 | |
| JP3802821B2 (ja) | 電子部品のリード切断方法 | |
| JPH11254054A (ja) | 半導体装置製造用パンチ | |
| JP2003031749A (ja) | 半導体装置製造用パンチ | |
| JP3601953B2 (ja) | シーマ付コアドリル | |
| JP2001137968A (ja) | 半導体装置製造用ダイ | |
| JP2005129741A (ja) | ダイシングブレード及びダイシング方法 | |
| JP2002282958A (ja) | 半導体リード抜き加工用工具 | |
| JP2002231659A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100376965B1 (ko) | 트림 펀치 | |
| JPH01305542A (ja) | 集積回路用Ａｇろう付きシールリング及びその製造方法 | |
| KR200168394Y1 (ko) | 반도체 패키지의 리드 프레임 | |
| JPH10291119A (ja) | ダムバーカッター | |
| JPS58135646A (ja) | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 | |
| JPH05206346A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPH10202530A (ja) | ダイヤモンドロータリードレッサ及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071030 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081030 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081030 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091030 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091030 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101030 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101030 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111030 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111030 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121030 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131030 Year of fee payment: 15 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |