JP2840403B2

JP2840403B2 - 光ビーム記録装置

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Publication number: JP2840403B2
Application number: JP2192272A
Authority: JP
Inventors: 仁司井上
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1990-07-19
Filing date: 1990-07-19
Publication date: 1998-12-24
Anticipated expiration: 2013-12-24
Also published as: JPH0479563A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は半導体レーザ等を用いて多階調のハーフトー
ン画像を出力する光ビーム記録装置に関する。

〔従来の技術〕

デジタルで表現されたハーフトーン画像を感光性の記
録媒体上へ記録する装置として、従来から広く用いられ
ているものに光ビーム記録装置がある。これは画像濃度
に比例して強度変調されたレーザビーム等の光ビームを
光偏向器により偏向し主走査とし、フイルムやドラム等
の記録媒体を主走査方向と垂直に移動させて副走査とし
て、該記録媒体上に画像記録するものである。

上記のレーザビームを発生する手段として、半導体レ
ーザは現在最も安価で小型であり、駆動電流によって直
接強度変調が行なえる特長を持つ。この半導体レーザの
光出力を強度変調する方式としてはアナログ変調、パル
ス幅変調、パルス数変調、およびアナログ変調およびパ
ルス幅／数変調を組み合わせた方式等様々なものが考え
られている。

本願出願人が特願平１−243771号において提案した装
置は、半導体レーザをその光出力が画素内で時間的に漸
次上昇するような波形で駆動し、画素濃度に応じたある
設定値まで光出力を上昇させるか、あるいは画素濃度に
応じた傾きで光出力を上昇させるように制御して変調を
行なうものであり、結果的に１画素内の露光量はいかな
る温度でも等しくなる。この変調方式を以下簡単に説明
する。

第22図のグラフの第Ｉ象限に示されるのは半導体レー
ザの駆動電流−光出力特性の一例である。半導体レーザ
チツプの温度がT₀、T₁、T₂（T₀＜T₁＜T₂）と変化したと
きの特性の変動を示す。特性の傾きであるスロープ効率
ηは温度が変動してもほとんど変化せず、グラフはほぼ
平行移動していることがわかる。第IV象限は縦軸を時間
にとり、駆動電流の時間変化を示している。図に示すよ
うに、駆動電流を半導体レーザの温度T₀におけるレーザ
発振をはじめる最低の電流i₀まで急速に上昇させ、それ
以降は比較的ゆっくりと直線状に上昇させる。第II象限
は横軸に時間をとったもので、第IV象限の様な駆動電流
を与えた場合の光出力の時間変化を示すものとなる。こ
こでこの光出力をモニタしある光出力P₁に達した時点で
駆動電流を遮断もしくはi₀以下に低減させる。このとき
温度T₀の時は第II象限でT₀で示される様な三角形状の光
出力変化になる。温度T₁もしくはT₂（T₁、T₂＞T₀）のと
きは第Ｉ象限のグラフで示されるようにレーザ発振を開
始する電流はi₀より大きいため、第II象限の三角波状の
光出力のグラフは図に示すように時間的には遅れたもの
になる。しかし、前述のように半導体レーザのスロープ
効率ηは温度変動によってもほぼ不変であるため、光出
力も温度変動に対してもほぼ同じ形状になり、ただ時間
的に遅れただけのものになる。従って、感光材料への露
光量である光出力の積分値は温度変動により不変とな
る。露光量を変調する場合はP₁を変化させて行なう。

光出力がP₁に達してから電流を遮断もしくは低減する
場合、急激に電流を遮断しても良いし、直線状に低減し
ても、露光量は温度変動に依存しなくなる。

以上の動作を光ビーム記録装置の１画素を記録する期
間内で行なう。この場合温度変動により１画素内の露光
位置は変化するが記録中に大幅に変動することはなく、
レーザビームのスポツト径の広がりによりカバーされ肉
眼では画素内の移動は認められない。

また半導体レーザの種類によっては温度変動によりス
ロープ効率ηも変化するものがあるが、温度変動が小さ
い場合はほぼ平行に特性が推移するため、その範囲内で
用いれば問題はない。

前述の鋸歯状もしくは三角波状の光出力波形は光ビー
ム記録装置の主走査方向で現われる。そして主走査方向
のレーザビームの点灯時間からみると、１画素内のパル
ス幅を変えていることになり、さらにそのパルス形状は
矩形ではなく、鋸歯状もしくは三角形になっている。通
常はレーザビームはほぼガウス分布形状を成しており、
主走査方向の１画素の露光形状はガウス分布と鋸歯状波
もしくは三角形のコンポリユーシヨン（畳み込み積分）
で与えられるものになる。従って、通常の矩形のパルス
幅で変調したときよりも、その露光形状は尖塔的なもの
になり解像力は一見上昇している形になっている。

さて、一般に情報を何らかのメデイアに記録させ、次
にそのメデイアから記憶されている情報を抽出する手段
を変調・復調と呼んでいる。メデイアにはそれぞれ特有
の形態があり、変調する場合には、入力情報をそのメデ
イアの形態に置換える必要がある。そのメデイアの形態
は情報を運ぶものとしてキヤリアと名付けられる。復調
する場合には、まずメデイアのキヤリアの変動を検出し
た後、キヤリアの分を取り除き、情報を抽出する作業を
行なう。分かり易い例では、音声を電波によって伝達す
る場合、情報は音声、メデイアは空間であり、キヤリア
は電波ということになる。受信機ではまずキヤリアとし
ても電波を受取り、その後キヤリアを取り除いて音声を
抽出する復調を行なう。

アナログ画像をメモリ等に記憶する場合には、サンプ
リングを行ない、数値として記憶しなければならない。
この場合、サンプリング関数がキヤリアであると言え
る。第23図はの様子を分かり易く一次元の情報に置換え
て描いたものである。第23図で、101はアナログの画像
情報を表わす。102がサンプリング関数であり、サンプ
リングピツチをT_sとしている。これは数学的にはデイラ
ツクのデルタ関数列である。変調は画像情報のサンプリ
ング関数の積で表わされ、その結果、103のように画像
情報はT_s毎のみにある値（A/D変換した数値）になりメ
モリに記憶される。101′は101を模式的に周波数領域で
示したものである。102′も同じようキヤリアであるサ
ンプリング関数102をフーリエ変換し、周波数領域で示
したものであり、1/T_s毎のデイラツクのデルタ関数列に
なっている。前記の積は周波数領域では畳み込み積分で
表わされ、103を周波数領域で表わすと103′のようにな
る。この場合、105で示す部分が元の情報の部分であ
る。従って復調する場合には1/2T_s以上の周波数成分を1
03′より空間フイルタによって取り除いて104′のよう
にすれば良く、その結果、104のように元の情報は再現
される。このとき元の情報には1/2T_s以上の周波数成分
は含まれてはならない。以上はいわゆるサンプリングの
定理である。

さて、本方式の様なハーフトーン画像を描き出す光ビ
ーム記録装置の使用目的の主なものは、サンプリングさ
れたアナログ画像（例えばCTスキヤンで得られた医療画
像等）を感光材料上へ復元することにある。この場合、
前述のように感光材料上の空間周期で画素ピツチの２倍
以下の周期成分（1/2T_s以上）を除去する空間フイルタ
リングを行なう必要がある。光ビーム記録装置の場合
は、レーザビームの１画素露光形状によるボケ及びおよ
び人眼の空間フイルタリングの効果により行なわれる。

ところが、前述の鋸歯状もしくは三角形状の露光形態
では主走査方向の解像力が必要以上にあるため、上記の
画素ピツチの２倍以下の周期成分の除去が充分に行なわ
れない。特に画像の空間変調のキヤリア成分である画素
ピツチの周期成分は、画像上で目立つものになりやす
い。そして空間変調のキヤリア成分が目立つと、画素ク
ロツクのジツター（各主走査毎の画素クロツクの微妙な
揺らぎ）がさらに目立つことになる。

第14図は主走査方向のキヤリア成分が目立った画像を
模式的に描いたものである。同図において矢印90の示す
方向が主走査方向である。同図で91で示した部分に、主
走査の始まり位置を１画素の1/3だけずらしたラインを
含ませてある。同図から認識できるように主走査のはじ
まりが少しでもずれたラインは横線として強く残る。こ
のことはキヤリア成分が強く目立っていることから発生
する。画素クロツクのジツターは、主走査に用いられる
鏡の加工精度、レーザビーム位置検出の精度に依存し、
完全に除去することは困難で多大なコストを要する。通
常の精度では感光材料上で数10μｍのジツターが出てし
まう。このことからもキヤリア成分の目立ちを抑え、感
光材料上のハーフトーン画像の画質を向上させる上で何
らかの工夫が望まれる。

〔課題を解決するための手段及び作用〕

そこで本発明では、記録光ビームの主走査方向の有効
ビーム径を画素ピツチよりも大きく設定することにより
キヤリア成分の抑圧を行ない前記課題の解決にあたる。
なお、有効ビーム径とは、レーザ光のガウス強度分布形
状の最大値から1/e²になるまでの距離の２倍と定義し、
以下単にビーム径と称する。

鋸歯状波もしくは三角波状の露光形態は尖塔的である
が故に、主走査方向のレーザビーム径を画素ピツチより
大きくしても画像自身の再現性は損なわれずキヤリア成
分の抑圧が良好に行なえ、クロツクジツターは画像上で
不可視とすることができる。この理由を以下詳細に述べ
る。

今、感光材料上に一様な濃度の画像を描くことを考え
る。第15図はその様子を示したもので主走査方向の露光
形状を示した。同図において92が仮定した露光形状で、
94が主走査方向を示す。93は画素ピツチT_cであり、95が
全体的な露光飽絡形状である。

第16図は主走査方向の１画素の露光形状92の片側振幅
スペクトルを示したもので、横軸に空間角周波数ω［ra
d/mm］をとり、縦軸にω＝０の振幅で正規化した振幅ス
ペクトルをとったものである。第16図のように一様なT_c
の間隔で92の形状をならべてその和をとるということ
は、その和をとった飽絡形状のスペクトルは１画素の振
幅スペクトルをｎω_ｃ、ｎ＝０、１、２…（ω_ｃ＝２π
1/T_c）でサンプルした線スペクトルになることは衆知
のことである。通例、１画素の振幅スペクトルはω２
ω_ｃでほとんど零に収束することから、第15図に示すよ
うにω＝０とω＝ω_ｃの２本の周波数を持つ線スペクト
ル（正弦波）になる。今ω＝ω_ｃの振幅をＡとおき、感
光材料上の飽絡形状Ｈ（ｘ）を余弦関数で表わす。

Ｈ（ｘ）１＋2A cos（ω_cx）（１）第17図に（１）式のＨ（ｘ）を模式的に示す。これか
らＨ（ｘ）によって作られる線幅を求めてみる。

最も露光量の多い点はＸ＝０の点であり、その他任意
の点Ｐ＝Ｈ（x_p）とＨ（０）との露光量のコントラスト
C_pは、 x_pを０から増大させて行き、C_pがある値を越えるとき
が線の境界であり、線幅は＝2x_p求まる。前記C_pの値は
感光材料の特性および人眼の視認限界コントラストの特
性に依存するが、感光材料および、画素ピツチT_cが決ま
るとその限界C_pは定まると考えられる。

（２）式より線幅Ｗを求める。

上式はＡの値が減少するとともにＷが増大することを
示している。

第18図は仮にC_p＝0.05（５％）としてＡの値を変化さ
せたグラフであり、横幅にＡの値、縦軸に線幅Ｗを画素
ピツチT_cの乗数として示す。

グラフを見て認識できる通り、Ａの減少とともに線幅
Ｗは増大しているが、Ａが小さくなると急激にＷが増大
し出すことがわかる。

第19図は線幅Ｗの様子を模式的に示したものであり、
98の矢印を示す方向が主走査の向きである。同図におい
て99で示す部分は画素クロツクのジツターにより△Ｗだ
け位相がずれたラインである。同図においてT_cは画素ピ
ツチ、Ｗは模式的な線幅である。正常なラインとジツタ
ーによりずれたラインの境界部分88では擬似的に線幅が
Ｗ＋△Ｗとなり太くなって見え、先の第14図における91
の様な横線として認識されると考えられる。

正常なラインと境界部分との模式的なコントラストC_j
はＷとＷ＋△Ｗのコントラストで定義できる。

ただしＷ＋△Ｗ＜T_c 第20図は（４）式においてジツターの比率△W/T_c＝1/
3（画素ピツチの1/3だけのジツターがある）とした場合
のグラフであり、横軸に前述のＡの値をとった（C_p＝0.
05）。同図を見て明白なようにＡの減少とともに、コン
トラストC_jは加速度的に小さくなる。第21図は第20図の
微分dC_j/dAをグラフ化したものである。同図において89
で示すあたりから急激にコントラストが変化するのが明
確にわかる。

Ａの値を減少させるためにはビーム径を大きくさせれ
ばよく、ビーム径を徐々に増大させた場合、フラツト画
像の画素コントラストが急激に小さくなり、ジツターに
よるラインのずれが不可視になる所が発見できる。

鋸歯状波もしくは三角波状のパルスにより画素を形成
する場合、露光形状が尖塔的なため、多少ビーム径を大
きくしても、画像の解像力は落ちにくい。

本願出願人は、上記検討の結果、ジツターを不可視に
するビーム径は、画素ピツチよりも大きなところ、好ま
しくは画素ピツチの1.5〜1.75倍にあることを見い出し
た。

〔第１実施例〕以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明す
る。第１図は本発明の実施例の光ビーム記録装置の全体
構成図であり、47はハーフトーンを出すための半導体レ
ーザコントローラである。15及び16は半導体レーザ及び
PINフオトダイオードであり、PINフオトダイオード16
は、ビームスプリツタ54で分光されたレーザビームをモ
ニタしている。46はコリメータレンズを表わし、半導体
レーザからの光を平行光にしている。40は主走査を行な
う回転多面鏡である。70はシリンドリカルレンズであ
り、ｆθレンズ46と共に、回転多面鏡の各面における倒
れを補正している。ｆθレンズ46は主走査方向の走査速
度を一定にするとともに、歪みも減少させている。41は
光ビームを感光材料に垂直な方向に折り曲げる折り返し
鏡である。53は主走査毎の同期をとるために主走査の始
まりを検知（ビーム検知）するフオトダイオードであ
る。レーザビームがフオトダイオード53に入射する際に
は、ビーム検知をより確実にするために、半導体レーザ
コントローラ47によって半導体レーザ15からのレーザビ
ームが一定出力となるように駆動される。44はフイルム
等の未感光の感光材料を収納する収納マガジン、45は感
光済み感光材料を収納する収納マガジンであり、42は副
走査を済うためのモータである。52は感光材料モータ42
に接続され感光材料を誘導するためのローラであり、43
はフイルム等のシート状感光材料である。第１図のおい
て、感光材料43は不図示の搬送手段でローラ52まで送ら
れ、ローラ52によって低速で送られ副走査を行ない、収
納マガジン45に収納される。

次に第２図は第１図での半導体レーザコントローラ47
のブロツク図を示したものであり、15は半導体レーザで
ある。16は半導体レーザ22の光出力をモニタするための
PINフオトダイオードである。

30は半導体レーザ15の発光量に比例させようとするデ
ジタルで表わされる発光量設定値、すなわち画素データ
であり、画素クロツク29に同期して入力される。28は画
素データ30をアナログ値に変換するデジタル／アナログ
変換器である。26は検出された光出力と画素データを比
較する比較器。25はセツト／リセツトを入力の立ち上が
りエツジで行なうフリツプフロツプであり、画素クロツ
ク29でセツトされ比較器26の出力でリセツトされる。20
は画素クロツクに同期した鋸波を出力する鋸波発生回路
である。21は鋸波を半導体レーザ22の駆動電流に変換す
る電圧／電流変換回路、31はフリツプフロツプ25の出力
Ｑによりオンオフされるスイツチ手段を表わす。24はPI
Nフオトダイオード23の検出電流を電圧に変換する電流
／電圧変換器である。

次に以上の構成における動作を第３図に示すタイミン
グチヤートに従って説明する。第３図においてＣは画素
クロツクを表わす。ｅは画素クロツク29に同期して入力
される画素データ30をデジタル／アナログ変換器28で変
換したアナログ値を示す。Ｑはフリツプフロツプ25の出
力でスイツチ31のオフを制御する。V_dは鋸波発生器20の
出力であり、電圧／電流変換器21の入力で、v₀は半導体
レーザをレーザ発振させるための最小電流に対応するオ
フセツトである。I_dは半導体レーザの駆動電流であり、
Ｑがオンの時にはV_dに従った電流が流れ、オフの土岐は
電流が流れない。Ｌは半導体レーザの光出力である。R_s
は比較器26の出力であり、アナログ／デジタル変換器28
の出力ｅが光出力の検出値である電流／電圧変換器24の
出力よりも大きい時ハイレベルになり小さい時ローレベ
ルになる。R_sの立ち上がりエツジでフリツプフロツプ25
の出力Ｑがリセツトされる。

第３図において29の立ち上がりエツジによってフリツ
プフロツプ25の出力Ｑがハイレベルになりスイツチ31が
オンになる。半導体レーザはスイツチ31がオンとなると
同時にレーザ発振を始める。光出力Ｌがアナログ／デジ
タル変換器の出力より大きくなるとR_sがハイレベルにな
り、その立ち上がりエツジ30でフリツプフロツプがリセ
ツトされ光出力を遮断する。この操作により前述の通
り、光出力の露光量は温度変化に依存せず、アナログ／
デジタル変換器の出力ｅのみに依存したものとなる。

以上で、鋸歯状波によりハーフトーン画像を描くこと
ができる。

第４図はビーム径を画素ピツチT_cと同一とした場合の
主走査方向の１画素分の振幅スペクトルであり、横軸は
空間周波数ｆ、縦軸は振幅スペクトルをｆ＝０の値で正
規化したものである。同図にはグラフが10本描いてあ
る。これは同じビーム径でも、画素の変調強度により振
幅スペクトルが異なる為である。即ち、鋸歯状パルスの
パルス幅が振幅スペクトルに影響する。同図ではパルス
幅を感光材料上で0.1T_c、0.2T_c…1.0T_cにそれぞれ相当
する場合の計10本のグラフを描いた。（上から0.1T_c、
0.2T_c…1.0T_c）同図で△印で示した位置の値が画素ピツ
チT_cのキヤリヤ成分の抑圧される度合いを示す。（前項
ではＡという記号で示したものである。）なお上記実験は、感光材料としてガンマが最大約2.5
である銀塩フイルムを用い、画素ピツチ約320〔DP1〕で
描いた画像を使用した。

露光量と感光材料上の濃度の関係は非線形であり、そ
の画質も感光材の露光量−濃度の非線形特性の様子に大
きく依存するため、感光材料上の振幅スペクトル等を解
析的に求めるのは不可能である。そこで本願出願人は実
験的に主走査方向のビーム径を様々に変えて最適なもの
を見い出した。この際、用いた装置では回転多面鏡等の
光学系および電気系の誤差による画素クロツクのジツタ
ーは、１画素ピツチをT_cとすると1/3T_cまであるもので
ある。第４図に描いたような振幅スペクトルをもつ主走
査露光形状で画像を描いた場合には画素クロツクのジツ
ターによるラインのずれを不可視にすることはできなか
った。第５図は主走査方向のビーム径を1.25T_cとした場
合であり、第６図は1.5T_c、第７図は1.75T_cとした場合
である。実験的には1.5T_cで画素クロツクのジツターが
ほぼ不可視になり、1.75T_cでは完全に不可視となった。
本願出願人はこの実験の条件の場合、第４図〜第７図で
△印で示した1/T_cにおける振幅スペクトルの値が約0.05
以下になれば画素クロツクのジツターはほぼ不可視にな
ることを見い出した。主走査方向のビーム径を大きくす
ると当然解像力は落ちる。解像力を示す指針として、振
幅スペクトルの0.5・1/T_cの値をみる。通常の0.4以上で
あれば普通のアナログ濃淡画像は充分に解像できる。第
７図の主走査方向ビーム径が1.75T_cの場合は0.5・1/T_c
の振幅スペクトルの値は0.4以下であり多少解像力は落
ちているが、第６図の1.5T_cの場合はほぼ充分な解像力
を示すと思われる。これは扱うアナログ画像の帯域によ
り適当に定めれば良いと思われる。以上は実験によるも
のであるが、鋸歯状波によりレーザビームを変調する場
合、画素クロツクのジツターによるアーテイフアクトを
不可視にし、充分な解像力を得るレーザビーム径は、少
なくとも画素ピツチT_cより大きな所、より好ましくは1.
5T_c〜1.75T_c程度にあるのが明確になった。

〔第２実施例〕第８図は本発明の第２の実施例のブロツク図であり、
第１図の全体図の中の半導体レーザコントローラ47の構
成を表わす。本実施例ではレーザの駆動電流として上昇
と下降の速度が同じである三角波波形を用いている。

15は半導体レーザである。16は半導体レーザ15の光出
力をモニタするためのPINフオトダイオードであり、第
１図に示したように光学的に結合されている。30は半導
体レーザ15の発光量に比例させようとする発光量設定値
であり、デジタルデータである。28はデジタルの画素デ
ータをアナログ値に変換するデジタル／アナログ変換器
である。26は検出された光出力と画素データを比較する
比較器。25はセツト／リセツト入力の立ち上がりエツジ
で行なうフリツプフロツプであり、画素クロツクでセツ
トされ比較器26の出力でリセツトされる。35はアンドゲ
ートであり、方形波出力V_sのデユーテイを制御するため
に用いる。36は方形波を三角波V_tに成型する積分回路、
37は半導体レーザのレーザ発振を行わせる最小電流を流
すための電圧v₀を出力するために設けられた比較器、38
は三角波V_tとv₀を加算し駆動電圧V_dを出力する加算器で
ある。21は駆動電圧V_dを半導体レーザ22の駆動電流に変
換する電圧／電気変換回路、24はPINフオトダイオード2
3の検出電流を電圧に変換する電流／電圧変換器であ
る。

次に以上の構成における動作を第９図に示すタイミン
グチヤートに従って説明する。第９図においてＣは画素
クロツクをあらわす。ｅは画素クロツクに同期されて入
力される画素データをデジタル／アナログ変換器28で変
換したアナログ値を示す。

V_sはアンドゲート35の出力で、画素クロツクに同期し
フリツプフロツプ25の出力でデユーテイを制御された方
形波である。V_tは積分回路36の出力の三角波である。V_d
は電圧／電気変換器21の入力電圧であり、V_t＞０である
ならv₀を、V_t＝０であるなら０をV_tに加えたものであ
る。この比較器37の出力を加えることにより、三角波の
立ち上がりの最初から半導体レーザ22はレーザ発振す
る。Ｌは半導体レーザの光出力である。R_sは比較器26の
出力であり、アナログ／デジタル変換器28の出力ｅが光
出力の検出値である電流／電圧変換器24の出力よりも大
きい時ハイレベルになり、小さい時ローレベルになる。
R_sの立ち上がりエツジでフリツプフロツプ25の出力Ｑが
リセツトされる。

第９図において29の立ち上がりエツジによってフリツ
プフロツプ25の出力Ｑがハイレベルになり三角波V_tが発
生する。三角波が発生すると比較器37によって、三角波
に電圧v₀を加えてV_dが作られる。V_dに比較した駆動電流
が流れることにより半導体レーザの光出力Ｌが図のよう
に発生する。Ｌを検出し、デジタル／アナログ変換器28
の出力ｅを越えると、比較器26の出力がハイレベルにな
りその立ち上がりエツジによりフリツプフロツプ25がリ
セツトされる。すると積分器36は放電を始め、三角波V_t
が下降を始める。この下降速度は上昇速度を同じであり
光出力も上昇時と対称な形になる。この光出力による露
光量も先の第１の実施例と同ように温度依存性のないも
のである。ここで先の第１実施例と同ように主走査方向
の１画素の露光形状の振幅スペクトルを計算した結果を
第10図〜第13図に示す。

これらのグラフも第４図〜第７図と同ように横軸に空
間周波数ｆをとり、それぞれ第10図がビーム径が1.0
T_c、第11図が1.25T_c、第12図が1.5T_cそして第13図が1.7
5T_cである。それぞれの図で３本ずつのグラフが描かれ
ているが、三角波のパルス幅を感光材料上で換算して上
から0.1T_c、0.5T_c、1.0T_cとしたものである。

なお、ここで用いた実験装置は先の実施例と同様のも
のであり、やはり、主走査方向のビーム径を変化させ、
実験的に画素クロツクのジツターが現像された感光材料
上で不可視になる所を見い出した。

実験的にはビーム径が1.5T_cとなる所までほぼジツタ
ーが不可視になり、第12図を見るとキヤリア成分の位置
である1/T_cの振幅スペクトルがほぼ0.05以下になってい
るビーム径である。この場合、解像力も十分にある。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明の光ビーム記録装置によれ
ば、主走査方向の有効ビーム径を少なくとも画ピツチよ
りも大きく設定することにより、画素クロツクのジツタ
ーを不可視にし、良質な画像が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を実施した光ビーム記録装置の全体構成
図、第２図は半導体レーザコントローラの実施例の構成図、第３図は実施例のタイミングチヤート図、第４図はビーム径1.0T_c（T_cは画素ピツチ）のときの主
走査方向の露光形状の振幅スペクトル図、第５図〜第７図はそれぞれビーム径を1.25T_c、1.5T_c、
1.75T_cとしたときの主走査方向の振幅スペクトル図、第８図は半導体レーザコントローラの第２実施例の構成
図、第９図は第２実施例のタイミングチヤート図、第10図は、第２実施例においてビーム径1.0T_c（T_cは画
素ピツチ）のときの主走査方向の露光形状の振幅スペク
トル図、第11図〜第13図は、第２実施例においてそれぞれビーム
径を1.25T_c、1.5T_c、1.75T_cとしたときの第２実施例の
主走査方向の振幅スペクトル図、第14図は画素クロツクのジツターが見えることを説明す
るための図、第15図は一様な濃度に露光しようとしたときの露光形状
を説明する図、第16図は第15図の振幅スペクトルを説明する図、第17図は線幅を説明する図、第18図はビーム径を変えた場合の線幅を計算したグラフ
図、第19図は画素クロツクのジツターが可視となる理由を説
明する図、第20図は画素クロツクのジツターのコントラストを計算
したグラフ図、第21図は第20図の微分を計算したグラフ図、第22図は描画時の半導体レーザ駆動を説明する図、第23図はサンプリング定理の説明図、であり、図中の主な符号は、 15……半導体レーザ、 16……PINフオトダイオード、 40……回転多面鏡、 46……コリメータレンズ、 47……半導体レーザコントローラ、 54……ビームスプリツタ、 70……シリンドリカルレンズ、

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】光ビームを発生する光ビーム発生手段と、
各画素において前記光ビームの光出力を時間と共に漸次
上昇させると共に、光出力が各画素の記録画素濃度に対
応した状態に達する時点で漸次上昇を終了させるように
光ビーム制御を実行する光ビーム制御手段と、前記光ビ
ーム発生手段からの光ビームを記録媒体上に走査して画
像を記録する手段と、を有し、記録媒体上に照射される
光ビームの主走査方向の有効ビーム径を、画素ピッチよ
りも大きく設定したことを特徴とする光ビーム記録装
置。
【請求項２】前記有効ビーム径は画素ピッチの1.5倍以
上である請求項（１）記載の光ビーム記録装置。
【請求項３】前記有効ビーム径は画素ピッチの1.75倍以
下である請求項（１）又は（２）記載の光ビーム記録装
置。