JP2837329B2 - 光ディスク用受光素子 - Google Patents
光ディスク用受光素子Info
- Publication number
- JP2837329B2 JP2837329B2 JP4347550A JP34755092A JP2837329B2 JP 2837329 B2 JP2837329 B2 JP 2837329B2 JP 4347550 A JP4347550 A JP 4347550A JP 34755092 A JP34755092 A JP 34755092A JP 2837329 B2 JP2837329 B2 JP 2837329B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- optical disk
- light receiving
- optical
- receiving element
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク装置の光学
式ピックアップなどに用いられる受光素子に関するもの
である。
式ピックアップなどに用いられる受光素子に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、光ピックアップ装置としては例え
ば図３や図５のものが知られている。図３の光ピックア
ップ装置１は、ピックアップハウジング２に固定された
半導体レーザチップ３から出射されたレーザ光は３ビー
ム生成用の回折格子４を通りビームスプリッター５を通
った後、コリメータレンズ６により広がったレーザ光を
平行光線に成形し、対物レンズ７により光ディスク８上
に集光される。
ば図３や図５のものが知られている。図３の光ピックア
ップ装置１は、ピックアップハウジング２に固定された
半導体レーザチップ３から出射されたレーザ光は３ビー
ム生成用の回折格子４を通りビームスプリッター５を通
った後、コリメータレンズ６により広がったレーザ光を
平行光線に成形し、対物レンズ７により光ディスク８上
に集光される。
【０００３】光ディスク８上の記録ピットにより反射し
たレーザ光は、前記逆経路を通り、ビームスプリッター
５により反射光の一部をビーム生成用レンズ９へ分光
し、信号読取用受光素子１０に入射し、光ディスク内の
情報を読み取る。
たレーザ光は、前記逆経路を通り、ビームスプリッター
５により反射光の一部をビーム生成用レンズ９へ分光
し、信号読取用受光素子１０に入射し、光ディスク内の
情報を読み取る。
【０００４】図４は信号読取用受光素子１０の受光部の
パターンの一例を示すもので、トラッキング信号はＥ−
Ｆ，フォーカス信号は（Ａ＋Ｃ）−（Ｂ＋Ｄ），再生信
号ＲＦは（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）で得られる。
パターンの一例を示すもので、トラッキング信号はＥ−
Ｆ，フォーカス信号は（Ａ＋Ｃ）−（Ｂ＋Ｄ），再生信
号ＲＦは（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）で得られる。
【０００５】他の実施例としての図５の光ピックアップ
装置１１は、ホログラムレーザユニットを使用したもの
で、レーザチップ１２から出射されたレーザ光は半導体
レーザのパッケージに調整固定されたホログラム素子１
３を通りコリメータレンズ１４，対物レンズ１５を通っ
た後、光ディスク１６上に集光される。
装置１１は、ホログラムレーザユニットを使用したもの
で、レーザチップ１２から出射されたレーザ光は半導体
レーザのパッケージに調整固定されたホログラム素子１
３を通りコリメータレンズ１４，対物レンズ１５を通っ
た後、光ディスク１６上に集光される。
【０００６】光ディスク１６から反射したレーザ光は、
前記の逆経路を通り、回折格子の形成したホログラム素
子１３により半導体レーザのパッケージ内の信号読取用
受光素子１７に入射し、光ディスク１６の情報を読み取
る。
前記の逆経路を通り、回折格子の形成したホログラム素
子１３により半導体レーザのパッケージ内の信号読取用
受光素子１７に入射し、光ディスク１６の情報を読み取
る。
【０００７】信号読取用受光素子１７の受光面は図６の
ように５分割に分けられ、ホログラム素子１３は格子周
囲の異なる二つの領域からなり、主ビームの反射光は、
その一方の領域に入射したものは受光部Ｄ2，Ｄ3の分割
線上に、他の領域に入射したものは受光部Ｄ4上に集光
される。
ように５分割に分けられ、ホログラム素子１３は格子周
囲の異なる二つの領域からなり、主ビームの反射光は、
その一方の領域に入射したものは受光部Ｄ2，Ｄ3の分割
線上に、他の領域に入射したものは受光部Ｄ4上に集光
される。
【０００８】また副ビームの反射光はそれぞれ受光部Ｄ
1，Ｄ5上に集光される。
1，Ｄ5上に集光される。
【０００９】従って５分割信号読取用受光素子１６の各
受光部の出力をＳ1，Ｓ2，Ｓ3，Ｓ4，Ｓ5とすると、フ
ォーカス信号はＳ2−Ｓ3，トラッキング信号はＳ1−
Ｓ5，再生信号ＲＦはＳ2＋Ｓ3＋Ｓ4で得られる。
受光部の出力をＳ1，Ｓ2，Ｓ3，Ｓ4，Ｓ5とすると、フ
ォーカス信号はＳ2−Ｓ3，トラッキング信号はＳ1−
Ｓ5，再生信号ＲＦはＳ2＋Ｓ3＋Ｓ4で得られる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記従来の
光ピックアップ装置では、レンズ等の光学部品やピック
アップのハウジングによるレーザ光の散乱およびホログ
ラムレーザユニットのパッケージ内でのレーザ光の散乱
等があり、信号読取用受光素子には、光ディスクからの
戻り光以外に上記散乱光が入射する。
光ピックアップ装置では、レンズ等の光学部品やピック
アップのハウジングによるレーザ光の散乱およびホログ
ラムレーザユニットのパッケージ内でのレーザ光の散乱
等があり、信号読取用受光素子には、光ディスクからの
戻り光以外に上記散乱光が入射する。
【００１１】この結果、上記散乱光が外乱光として作用
し本来読み取るべきの光ディスクからの情報を劣化させ
ることになる。
し本来読み取るべきの光ディスクからの情報を劣化させ
ることになる。
【００１２】特に、受光部の面積が大きい場所で読み取
るトラッキングサーボ信号については、上記外乱光の影
響を受け易く正確に光ディスクのトラックを追従するこ
とが出来なくなる問題がある。
るトラッキングサーボ信号については、上記外乱光の影
響を受け易く正確に光ディスクのトラックを追従するこ
とが出来なくなる問題がある。
【００１３】そこで本発明は、上記外乱光の影響を除去
し、光ピックアップの性能を向上させることを目的とす
るものである。
し、光ピックアップの性能を向上させることを目的とす
るものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明は、光ディスクの情報を読み
取る光ピックアップ装置内の信号読取用受光素子におい
て、本来の信号を読み取るための受光部の近傍に、ダミ
ーの受光部を設け、そのダミー受光部で光ディスクから
の戻り光以外の外乱光を測定するようにするものであ
る。さらに、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の光ディスク用受光素子において、ダミー受光部の面積
を、その近傍の本来の信号を読み取るための受光部の面
積とほぼ同一面積とするものである。 さらに、請求項３
に記載の発明は、請求項１又は２に記載の光ディスク用
受光素子において、ダミー受光部での外乱光強度と本来
の信号を読み取るための受光部での受光強度との差を光
ディスクからの反射光出力とするものである。
め、請求項１に記載の発明は、光ディスクの情報を読み
取る光ピックアップ装置内の信号読取用受光素子におい
て、本来の信号を読み取るための受光部の近傍に、ダミ
ーの受光部を設け、そのダミー受光部で光ディスクから
の戻り光以外の外乱光を測定するようにするものであ
る。さらに、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の光ディスク用受光素子において、ダミー受光部の面積
を、その近傍の本来の信号を読み取るための受光部の面
積とほぼ同一面積とするものである。 さらに、請求項３
に記載の発明は、請求項１又は２に記載の光ディスク用
受光素子において、ダミー受光部での外乱光強度と本来
の信号を読み取るための受光部での受光強度との差を光
ディスクからの反射光出力とするものである。
【００１５】
【作用】ダミーの受光部で外乱光の強度を測定し、本来
の信号読取受光部による受光強度からダミー部の受光強
度を差し引くことで外乱光の影響を除去することができ
る。
の信号読取受光部による受光強度からダミー部の受光強
度を差し引くことで外乱光の影響を除去することができ
る。
【００１６】
【実施例】図１は本発明の第一実施例の信号読取用受光
素子の受光面のパターン図である。なお、この受光面を
有した光ピックアップ装置は従来の技術で説明した図３
と同じ構造のものであるので構造の詳細な説明は省略す
る。
素子の受光面のパターン図である。なお、この受光面を
有した光ピックアップ装置は従来の技術で説明した図３
と同じ構造のものであるので構造の詳細な説明は省略す
る。
【００１７】本発明の受光面２１には、従来のＡ−Ｆの
分割受光部のうち、外乱光の影響を受け易い受光部Ｅ，
Ｆの周囲に、これらの受光部面積と等しいパターンＧ，
Ｈを形成している。
分割受光部のうち、外乱光の影響を受け易い受光部Ｅ，
Ｆの周囲に、これらの受光部面積と等しいパターンＧ，
Ｈを形成している。
【００１８】そして光ディスク８からの戻り光２２およ
び外乱光が、受光部Ｅ，Ｆに入射する。また受光部Ｇ，
Ｈには光ディスク８からの戻り光以外の外乱光が入射す
るため、Ｅ−Ｇの演算により外乱光の影響を除去したＥ
の光ディスク８のみからの真の反射光出力が得られる。
同様に、Ｆ−Ｈの演算により外乱光の影響を除去したＦ
の光ディスク８のみからの真の反射光出力が得られる。
び外乱光が、受光部Ｅ，Ｆに入射する。また受光部Ｇ，
Ｈには光ディスク８からの戻り光以外の外乱光が入射す
るため、Ｅ−Ｇの演算により外乱光の影響を除去したＥ
の光ディスク８のみからの真の反射光出力が得られる。
同様に、Ｆ−Ｈの演算により外乱光の影響を除去したＦ
の光ディスク８のみからの真の反射光出力が得られる。
【００１９】図２は本発明の第二実施例の信号読取用受
光素子の受光面のパターン図である。なお、この受光面
を有した光ピックアップ装置は従来の技術で説明した図
５と同じ構造のものであるので構造の詳細な説明は省略
する。
光素子の受光面のパターン図である。なお、この受光面
を有した光ピックアップ装置は従来の技術で説明した図
５と同じ構造のものであるので構造の詳細な説明は省略
する。
【００２０】本発明の受光面２３には、従来のＤ1〜Ｄ5
の５分割受光部のうち、外乱光の影響を受け易い受光部
Ｄ1，Ｄ5の周囲にこれらの受光部面積と等しいパターン
Ｄ6，Ｄ7を形成している。
の５分割受光部のうち、外乱光の影響を受け易い受光部
Ｄ1，Ｄ5の周囲にこれらの受光部面積と等しいパターン
Ｄ6，Ｄ7を形成している。
【００２１】これらの受光部のうちで光ディスク１６か
らの戻り光２４および外乱光が受光部Ｄ1，Ｄ5に入射す
る。また受光部Ｄ6，Ｄ7には光ディスク１６からの戻り
光以外の外乱光が入射するため、Ｓ1−Ｓ6（Ｄ6からの
出力）の演算により外乱光の影響を除去したＳ1の光デ
ィスクのみからの真の反射出力が得られる。
らの戻り光２４および外乱光が受光部Ｄ1，Ｄ5に入射す
る。また受光部Ｄ6，Ｄ7には光ディスク１６からの戻り
光以外の外乱光が入射するため、Ｓ1−Ｓ6（Ｄ6からの
出力）の演算により外乱光の影響を除去したＳ1の光デ
ィスクのみからの真の反射出力が得られる。
【００２２】同様にＳ5−Ｓ7（Ｄ7からの出力）の演算
により外乱光の影響を除去したＳ5の光ディスクのみか
らの真の反射出力が得られる。
により外乱光の影響を除去したＳ5の光ディスクのみか
らの真の反射出力が得られる。
【００２３】
【発明の効果】本発明により、光ピックアップのハウジ
ング等からの外乱光測定用の受光部を設けた信号読取用
受光素子を取り付けた光ピックアップ装置において、外
乱光の影響を受け易いラジアル誤差信号を外乱光の影響
なしで正確に読み取ることができるため、光ディスクの
トラツクに対する光ピックアップの追従性能を向上させ
ることができる。
ング等からの外乱光測定用の受光部を設けた信号読取用
受光素子を取り付けた光ピックアップ装置において、外
乱光の影響を受け易いラジアル誤差信号を外乱光の影響
なしで正確に読み取ることができるため、光ディスクの
トラツクに対する光ピックアップの追従性能を向上させ
ることができる。
【００２４】さらに、従来、各々のピックアップ外乱光
強度のばらつきによってピックアップの性能にもばらつ
きがあったが、本発明により各ピックアップの性能ばら
つきを抑えることができる。
強度のばらつきによってピックアップの性能にもばらつ
きがあったが、本発明により各ピックアップの性能ばら
つきを抑えることができる。
【図１】本発明の第一実施例の信号読取用受光素子にお
ける受光面のパターン図である。
ける受光面のパターン図である。
【図２】本発明の第二実施例の信号読取用受光素子にお
ける受光面のパターン図である。
ける受光面のパターン図である。
【図３】従来の半導体レーザを用いた光ピックアップ装
置の要部断面図である。
置の要部断面図である。
【図４】図３の光ピックアップ装置に用いられている信
号読取用受光素子における受光面のパターン図である。
号読取用受光素子における受光面のパターン図である。
【図５】従来のホログラムレーザユニットを用いた光ピ
ックアップ装置の要部断面図である。
ックアップ装置の要部断面図である。
【図６】図５の光ピックアップ装置に用いられている信
号読取用受光素子における受光面のパターン図である。
号読取用受光素子における受光面のパターン図である。
１，１１ 光ピックアップ装置 ３，１２ レーザチップ ４ 回折格子 ６，１４ コリメータレンズ ７，１５ 対物レンズ ８，１６ 光ディスク １０，１７ 信号読取用受光素子 １３ ホログラム素子 Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈ 受光部 Ｄ1，Ｄ2，Ｄ3，Ｄ4，Ｄ5，Ｄ6，Ｄ7 受光部 ２１，２３ 受光素子受光面パターン ２２，２４ 戻り光
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−193335（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−155524（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−214143（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−156429（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−156535（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−306540（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−205727（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−141038（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−21928（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 7/135 G11B 7/09 G11B 7/13
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体レーザ光を光学部品を通し光ディ
スク上に集光し、光ディスクからの戻り光を受光し光デ
ィスク内に記録されている情報を読み取る光ピックアッ
プ装置内に設けられた光ディスク用受光素子において、
前記受光素子の複数分割された受光面の周囲にダミーの
受光面を設け、前記光ピックアップ装置内部のレンズ等
の光学部品やピックアップのハウジングによる前記半導
体レーザ光の散乱およびホログラムレーザユニットのパ
ッケージ内での前記半導体レーザ光の散乱により発生し
て前記光ディスクからの戻り光に対する外乱光として作
用する散乱光を前記ダミー受光面で測定するようにした
ことを特徴とする光ディスク用受光素子。 - 【請求項２】 前記ダミー受光面の面積が、前記複数分
割された受光面の面積とほぼ同一面積であることを特徴
とする請求項１に記載の光ディスク用受光素子。 - 【請求項３】 前記ダミー受光面での外乱光強度と前記
複数分割された受光面での受光強度との差を前記光ディ
スクからの反射光出力とすることを特徴とする請求項１
又は２に記載の光ディスク用受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4347550A JP2837329B2 (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 光ディスク用受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4347550A JP2837329B2 (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 光ディスク用受光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06195742A JPH06195742A (ja) | 1994-07-15 |
| JP2837329B2 true JP2837329B2 (ja) | 1998-12-16 |
Family
ID=18390989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4347550A Expired - Lifetime JP2837329B2 (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 光ディスク用受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2837329B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001351266A (ja) | 2000-04-06 | 2001-12-21 | Fujitsu Ltd | 光ピックアップ及び光記憶装置 |
| JP4156484B2 (ja) | 2003-09-30 | 2008-09-24 | シャープ株式会社 | 光ピックアップ |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07101517B2 (ja) * | 1985-03-19 | 1995-11-01 | 松下電器産業株式会社 | 光検出素子 |
| JP2578791B2 (ja) * | 1987-02-06 | 1997-02-05 | 松下電器産業株式会社 | 光検出装置 |
| JPH01155524A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式ディスク再生装置 |
-
1992
- 1992-12-28 JP JP4347550A patent/JP2837329B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06195742A (ja) | 1994-07-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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