JP2829361B2 - いくつかの入力電圧の中の極値電圧を供給するための回路 - Google Patents
いくつかの入力電圧の中の極値電圧を供給するための回路Info
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
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Description
【0001】
【発明の分野】この発明は、いくつかの入力電圧の中の
最高電圧または最低電圧(極値電圧)を供給するための
回路に関する。
最高電圧または最低電圧(極値電圧)を供給するための
回路に関する。
【0002】このような回路は、いくつかの単純な形状
の電圧によって複合した形状の単一の電圧を発生するた
めに最もよく用いられる。特に、テレビの分野では、こ
のような回路は色信号の遷移に特定的な形状を与えるの
に用いられ、このために画像の視覚上の印象が向上され
る。
の電圧によって複合した形状の単一の電圧を発生するた
めに最もよく用いられる。特に、テレビの分野では、こ
のような回路は色信号の遷移に特定的な形状を与えるの
に用いられ、このために画像の視覚上の印象が向上され
る。
【0003】
【関連技術の検討】図1は2つの入力電圧V1およびV
2のうちの最高電圧Vmaxを供給するための従来の回
路を示す。この回路は、ベースに電圧V1およびV2を
それぞれ受ける2つのNPNトランジスタQ1およびQ
2を含む。これらのトランジスタのコレクタは高い電源
電圧Vccに接続され、エミッタは最大電圧Vmaxを
供給し、定常電流2I0を引く電流源10を介して接地
GNDに接続される。
2のうちの最高電圧Vmaxを供給するための従来の回
路を示す。この回路は、ベースに電圧V1およびV2を
それぞれ受ける2つのNPNトランジスタQ1およびQ
2を含む。これらのトランジスタのコレクタは高い電源
電圧Vccに接続され、エミッタは最大電圧Vmaxを
供給し、定常電流2I0を引く電流源10を介して接地
GNDに接続される。
【0004】電圧のうちの一方、たとえばV1が他方V
2よりも高いと、対応するトランジスタQ1はフォロア
として作用し、そのエミッタ電圧Vmaxは電圧V1の
変化に従う。他のトランジスタQ2のベース・エミッタ
接合は逆バイアスされ、このためにトランジスタがブロ
ックされる。したがって、全電流2I0がトランジスタ
Q1を流れる。
2よりも高いと、対応するトランジスタQ1はフォロア
として作用し、そのエミッタ電圧Vmaxは電圧V1の
変化に従う。他のトランジスタQ2のベース・エミッタ
接合は逆バイアスされ、このためにトランジスタがブロ
ックされる。したがって、全電流2I0がトランジスタ
Q1を流れる。
【0005】電圧V1およびV2が等しいと、トランジ
スタQ1およびQ2は両方導通する。電流源10の電流
はトランジスタQ1およびQ2の間で分配される。すな
わち、電流I0はトランジスタの各々を流れる。他のト
ランジスタをトランジスタQ1およびQ2と並列に接続
することによって、3つ以上の入力電圧の中の最高電圧
を供給するための回路が得られる。
スタQ1およびQ2は両方導通する。電流源10の電流
はトランジスタQ1およびQ2の間で分配される。すな
わち、電流I0はトランジスタの各々を流れる。他のト
ランジスタをトランジスタQ1およびQ2と並列に接続
することによって、3つ以上の入力電圧の中の最高電圧
を供給するための回路が得られる。
【0006】図2は図1における回路の欠点を図示す
る。図2は、電圧V1およびV2の経時的なさまざまな
値と出力Vmaxの対応する値とを示す。図2は電圧V
1およびV2における急峻な電圧の遷移を示す。しかし
ながら、実際にはこれらの電圧の遷移はより緩やかであ
る。
る。図2は、電圧V1およびV2の経時的なさまざまな
値と出力Vmaxの対応する値とを示す。図2は電圧V
1およびV2における急峻な電圧の遷移を示す。しかし
ながら、実際にはこれらの電圧の遷移はより緩やかであ
る。
【0007】時間t1までは、電圧V1およびV2は同
じ初期値Viにある。時間t1からは、電圧V1は終値
Vfに達する時間t2まで増加する。電圧V2は時間t
3から時間t4まで増加し、ここでこの電圧V2は値V
fに達する。
じ初期値Viにある。時間t1からは、電圧V1は終値
Vfに達する時間t2まで増加する。電圧V2は時間t
3から時間t4まで増加し、ここでこの電圧V2は値V
fに達する。
【0008】時間t1までは、電圧VmaxはViから
トランジスタQ1およびQ2のベース・エミッタ間電圧
Vbeを引いたのと等しい電圧である。トランジスタQ
1およびQ2は両方導通し、電流I0はそれらの両方を
流れる(電流源10の電流はトランジスタQ1およびQ
2の間で均等に分配される)。
トランジスタQ1およびQ2のベース・エミッタ間電圧
Vbeを引いたのと等しい電圧である。トランジスタQ
1およびQ2は両方導通し、電流I0はそれらの両方を
流れる(電流源10の電流はトランジスタQ1およびQ
2の間で均等に分配される)。
【0009】時間t1および時間t4の間では、電圧V
1は電圧V2よりも大きい。したがって、トランジスタ
Q2はブロックされ、トランジスタQ1が唯一導通す
る。電流源10の全電流2I0はトランジスタQ1を流
れ、このためにトランジスタQ1のVbe電圧が増加す
る。電圧Vmaxが電圧V1からトランジスタQ1のV
be電圧を引いた電圧の変化に従うので、Vmaxは図
示されるとおり下向きにオフセットされる。出力電圧V
maxのこのオフセットは、トランジスタ(Q1)の最
大電流のその最小の非ゼロ電流に対する比率の自然対数
に比例する。最悪の場合、この比率は処理すべき電圧の
数と等しい。図2の例では、2つの電圧が処理されてお
り、オフセットはおおよそ20ミリボルトである。定常
値のこのオフセットは、入力信号のレベルが低い場合さ
らに著しい。
1は電圧V2よりも大きい。したがって、トランジスタ
Q2はブロックされ、トランジスタQ1が唯一導通す
る。電流源10の全電流2I0はトランジスタQ1を流
れ、このためにトランジスタQ1のVbe電圧が増加す
る。電圧Vmaxが電圧V1からトランジスタQ1のV
be電圧を引いた電圧の変化に従うので、Vmaxは図
示されるとおり下向きにオフセットされる。出力電圧V
maxのこのオフセットは、トランジスタ(Q1)の最
大電流のその最小の非ゼロ電流に対する比率の自然対数
に比例する。最悪の場合、この比率は処理すべき電圧の
数と等しい。図2の例では、2つの電圧が処理されてお
り、オフセットはおおよそ20ミリボルトである。定常
値のこのオフセットは、入力信号のレベルが低い場合さ
らに著しい。
【0010】
【発明の概要】この発明の目的は、少なくとも2つの入
力電圧が等しい状態と異なった状態との間で切替わると
きに、オフセットのない出力で極値電圧を供給するため
の回路を提供することである。
力電圧が等しい状態と異なった状態との間で切替わると
きに、オフセットのない出力で極値電圧を供給するため
の回路を提供することである。
【0011】この目的は入力電圧にそれぞれ関連したセ
ルによって達成でき、このために、共通出力ラインに極
値電圧を運ぶ各トランジスタを定常電流が流れることが
確実になる。この結果が達成できるのは、各セルがその
トランジスタがブロックされると各共通ラインに電流を
供給しないようにするか、または、共通ラインにソース
またはシンクされたいかなる過電流も、活性セルの極値
電圧に追従するトランジスタによって伝達される電流に
実質的に影響を及ぼさずに与えられるようにすることの
いずれかによる。
ルによって達成でき、このために、共通出力ラインに極
値電圧を運ぶ各トランジスタを定常電流が流れることが
確実になる。この結果が達成できるのは、各セルがその
トランジスタがブロックされると各共通ラインに電流を
供給しないようにするか、または、共通ラインにソース
またはシンクされたいかなる過電流も、活性セルの極値
電圧に追従するトランジスタによって伝達される電流に
実質的に影響を及ぼさずに与えられるようにすることの
いずれかによる。
【0012】セルの例示的な実施例は、入力電圧を受け
るベースと極値電圧を供給する共通出力に接続されてい
るエミッタとを有する第1のバイポーラトランジスタ
と、第1のトランジスタのエミッタをバイアスするため
の第1の電流源と、第1のトランジスタがブロックされ
ると、このトランジスタから第1の電流源を切断するた
めのスイッチング手段とを含む。
るベースと極値電圧を供給する共通出力に接続されてい
るエミッタとを有する第1のバイポーラトランジスタ
と、第1のトランジスタのエミッタをバイアスするため
の第1の電流源と、第1のトランジスタがブロックされ
ると、このトランジスタから第1の電流源を切断するた
めのスイッチング手段とを含む。
【0013】この発明の例示的な実施例に従うと、セル
は、ベースおよびコレクタによって第1のトランジスタ
と並列に接続された、第1のトランジスタと同じ型の第
2のトランジスタを含み、そのエミッタは第1の電流源
の半分の値の第2の電流源を介して電源電圧に接続され
る。第1のトランジスタと同じ型の第3のトランジスタ
のコレクタは第1のトランジスタのエミッタに接続さ
れ、ベースは第2のトランジスタのエミッタに接続さ
れ、エミッタは第1の電流源を介して電源電圧に接続さ
れる。第4のトランジスタは第3のトランジスタと差動
段を形成し、そのベースは第1のトランジスタのエミッ
タに接続される。
は、ベースおよびコレクタによって第1のトランジスタ
と並列に接続された、第1のトランジスタと同じ型の第
2のトランジスタを含み、そのエミッタは第1の電流源
の半分の値の第2の電流源を介して電源電圧に接続され
る。第1のトランジスタと同じ型の第3のトランジスタ
のコレクタは第1のトランジスタのエミッタに接続さ
れ、ベースは第2のトランジスタのエミッタに接続さ
れ、エミッタは第1の電流源を介して電源電圧に接続さ
れる。第4のトランジスタは第3のトランジスタと差動
段を形成し、そのベースは第1のトランジスタのエミッ
タに接続される。
【0014】この発明の別の例示的な実施例では、セル
は、ベースが入力電圧を受け、エミッタが極値電圧を供
給する共通出力に接続される第1のバイポーラトランジ
スタと、第1のトランジスタのエミッタをバイアスする
ための第1の電流源と、第1のトランジスタがオンであ
ると、第1の電流源の電流から超過するいかなる電流を
も第1のトランジスタの外に引き出すための手段とを含
む。
は、ベースが入力電圧を受け、エミッタが極値電圧を供
給する共通出力に接続される第1のバイポーラトランジ
スタと、第1のトランジスタのエミッタをバイアスする
ための第1の電流源と、第1のトランジスタがオンであ
ると、第1の電流源の電流から超過するいかなる電流を
も第1のトランジスタの外に引き出すための手段とを含
む。
【0015】この発明の実施例に従うと、セルは、第1
のトランジスタのコレクタを第1の電源電圧に接続する
第2の電流源と、第1の電圧と第1のトランジスタのエ
ミッタとの間に接続され、第1のトランジスタがオンで
あるとターンオンされる第2のトランジスタとを含む。
のトランジスタのコレクタを第1の電源電圧に接続する
第2の電流源と、第1の電圧と第1のトランジスタのエ
ミッタとの間に接続され、第1のトランジスタがオンで
あるとターンオンされる第2のトランジスタとを含む。
【0016】この発明の実施例に従うと、第2のトラン
ジスタはMOSトランジスタであり、そのゲートは第1
のトランジスタのコレクタに接続され、そのソースは第
1の電圧に接続され、そのドレインは第1のトランジス
タのエミッタに接続される。
ジスタはMOSトランジスタであり、そのゲートは第1
のトランジスタのコレクタに接続され、そのソースは第
1の電圧に接続され、そのドレインは第1のトランジス
タのエミッタに接続される。
【0017】この発明の先行の目的、他の目的、特徴お
よび利点などは添付の図面と関連した具体的な実施例の
以下の説明において論じられるが、これらによって制限
されない。
よび利点などは添付の図面と関連した具体的な実施例の
以下の説明において論じられるが、これらによって制限
されない。
【0018】
【詳細な説明】図3または図4に示される型のセルは処
理すべき各入力電圧と関連し、入力電圧の中の最低電圧
か、または説明される実施例では最高電圧を供給するた
めの回路を達成する。最低電圧を供給するための回路を
得るためには、セルはトランジスタの型を反転すること
によって類似した様態で作られる。
理すべき各入力電圧と関連し、入力電圧の中の最低電圧
か、または説明される実施例では最高電圧を供給するた
めの回路を達成する。最低電圧を供給するための回路を
得るためには、セルはトランジスタの型を反転すること
によって類似した様態で作られる。
【0019】図3の実施例では、セルはそれに関連した
入力電圧V1をベースに受けるNPNトランジスタQ1
0を含む。トランジスタQ10のコレクタは高い電源電
圧Vccに接続され、エミッタは回路のセルすべてに共
通のラインVmaxに接続される。ラインVmaxは、
この例では最大電圧である極値電圧を供給する。電圧V
1はまた、ベースおよびコレクタによってトランジスタ
Q10に並列に接続されたNPNトランジスタQ11の
ベースに供給される。トランジスタQ11のエミッタ
は、電流I0を引く電流源20によって接地GNDに結
合される。
入力電圧V1をベースに受けるNPNトランジスタQ1
0を含む。トランジスタQ10のコレクタは高い電源電
圧Vccに接続され、エミッタは回路のセルすべてに共
通のラインVmaxに接続される。ラインVmaxは、
この例では最大電圧である極値電圧を供給する。電圧V
1はまた、ベースおよびコレクタによってトランジスタ
Q10に並列に接続されたNPNトランジスタQ11の
ベースに供給される。トランジスタQ11のエミッタ
は、電流I0を引く電流源20によって接地GNDに結
合される。
【0020】トランジスタQ10のエミッタはNPNト
ランジスタQ12のコレクタに接続され、そのベースは
トランジスタQ11のエミッタ電圧を受け、そのエミッ
タは電流2I0を引く電流源22を介して接地に結合さ
れる。NPNトランジスタQ13のエミッタはトランジ
スタQ12と差動段を形成する。このトランジスタQ1
3のエミッタは、トランジスタQ12のエミッタに接続
され、ベースはトランジスタQ10のエミッタに接続さ
れ、コレクタは電源電圧Vccに接続される。
ランジスタQ12のコレクタに接続され、そのベースは
トランジスタQ11のエミッタ電圧を受け、そのエミッ
タは電流2I0を引く電流源22を介して接地に結合さ
れる。NPNトランジスタQ13のエミッタはトランジ
スタQ12と差動段を形成する。このトランジスタQ1
3のエミッタは、トランジスタQ12のエミッタに接続
され、ベースはトランジスタQ10のエミッタに接続さ
れ、コレクタは電源電圧Vccに接続される。
【0021】電圧V1が他の入力電圧(図示せず)より
も高いと、トランジスタQ10はフォロアとして作用
し、電圧Vmaxは電圧V1からトランジスタQ10の
ベース・エミッタ間電圧Vbe0を引いた電圧と等し
い。トランジスタQ11もフォロアとして作用し、電圧
V1からトランジスタQ11のベース・エミッタ間電圧
Vbe0を引いた電圧はトランジスタQ12のベースに
現われる。したがって、差動段Q12、Q13は互いと
ほぼ等しい2つの電圧を受け、このために、トランジス
タQ12およびQ13において電流源22の電流が均等
に分配される。結果として、電流I0はトランジスタQ
10を流れ、これはトランジスタQ11を流れるのと同
じ電流である。したがって、トランジスタQ10のベー
ス・エミッタ電圧とトランジスタQ11のベース・エミ
ッタ間電圧とは互いに等しく、これは段Q12、Q13
の平衡状態を強めるだけである。図3におけるセルのこ
の状態は他の入力電圧が電圧V1と等しくなることによ
って変化しないが、これは、差動段Q12、Q13の平
衡状態を決定する出力電圧Vmaxが変化しないからで
ある。
も高いと、トランジスタQ10はフォロアとして作用
し、電圧Vmaxは電圧V1からトランジスタQ10の
ベース・エミッタ間電圧Vbe0を引いた電圧と等し
い。トランジスタQ11もフォロアとして作用し、電圧
V1からトランジスタQ11のベース・エミッタ間電圧
Vbe0を引いた電圧はトランジスタQ12のベースに
現われる。したがって、差動段Q12、Q13は互いと
ほぼ等しい2つの電圧を受け、このために、トランジス
タQ12およびQ13において電流源22の電流が均等
に分配される。結果として、電流I0はトランジスタQ
10を流れ、これはトランジスタQ11を流れるのと同
じ電流である。したがって、トランジスタQ10のベー
ス・エミッタ電圧とトランジスタQ11のベース・エミ
ッタ間電圧とは互いに等しく、これは段Q12、Q13
の平衡状態を強めるだけである。図3におけるセルのこ
の状態は他の入力電圧が電圧V1と等しくなることによ
って変化しないが、これは、差動段Q12、Q13の平
衡状態を決定する出力電圧Vmaxが変化しないからで
ある。
【0022】次に、電圧V1が他の入力電圧よりも低い
と、差動段のトランジスタQ12は、トランジスタQ1
3のベース電圧Vmaxよりも低い電圧をベースに受け
る。差動段はしたがって不平衡であり、電流源22の全
電流がトランジスタQ13を流れる。したがって、トラ
ンジスタQ10はオフとなっているので、電流源22か
らの電流はこのトランジスタQ10によっては伝達され
得なくなり、別のセルにおけるトランジスタQ10の均
等物へのラインVmaxにも供給されなくなる。
と、差動段のトランジスタQ12は、トランジスタQ1
3のベース電圧Vmaxよりも低い電圧をベースに受け
る。差動段はしたがって不平衡であり、電流源22の全
電流がトランジスタQ13を流れる。したがって、トラ
ンジスタQ10はオフとなっているので、電流源22か
らの電流はこのトランジスタQ10によっては伝達され
得なくなり、別のセルにおけるトランジスタQ10の均
等物へのラインVmaxにも供給されなくなる。
【0023】動作時において、トランジスタQ10が電
流I0をもはや伝達できないと、差動段Q12、Q13
は、共通ラインVmaxへのこの電流の供給を回避する
スイッチのように作用する。
流I0をもはや伝達できないと、差動段Q12、Q13
は、共通ラインVmaxへのこの電流の供給を回避する
スイッチのように作用する。
【0024】図4はこの発明に従うセルの別の実施例を
示す。セルに関連した入力電圧V1はNPNトランジス
タQ10′のベースに供給され、そのエミッタは共通出
力ラインVmaxに接続される。トランジスタQ10′
のエミッタは電流I0を引く電流源24を介して接地G
NDに結合され、そのコレクタは同じ電流I0を押し出
す電流源25を介して電圧Vccに結合される。pチャ
ネルMOSトランジスタMP1のゲートは、トランジス
タQ10′のコレクタに接続され、ドレインはラインV
maxに接続され、ソースは電圧Vccに接続される。
トランジスタMP1は好ましくはMOSトランジスタで
あるが、バイポーラPNPトランジスタであってもよ
い。
示す。セルに関連した入力電圧V1はNPNトランジス
タQ10′のベースに供給され、そのエミッタは共通出
力ラインVmaxに接続される。トランジスタQ10′
のエミッタは電流I0を引く電流源24を介して接地G
NDに結合され、そのコレクタは同じ電流I0を押し出
す電流源25を介して電圧Vccに結合される。pチャ
ネルMOSトランジスタMP1のゲートは、トランジス
タQ10′のコレクタに接続され、ドレインはラインV
maxに接続され、ソースは電圧Vccに接続される。
トランジスタMP1は好ましくはMOSトランジスタで
あるが、バイポーラPNPトランジスタであってもよ
い。
【0025】電圧V1が他の入力電圧(図示せず)より
も高いか、またはそれと等しいと、トランジスタQ1
0′は導通する。その電流は電流源25によって強制的
に値I0にされ、電流源24によって完全にシンクされ
る。トランジスタMP1はトランジスタQ10′によっ
てターンオンされるが、電流I1がそれを流れるのは、
この電流I1がラインVmaxを介して引き出される場
合のみである。この電流I1はたとえば、ラインVma
xに接続された負荷によってか、または電圧V1よりも
低い入力電圧に関連したセルにおける電流源24の均等
物によって消費される電流である。
も高いか、またはそれと等しいと、トランジスタQ1
0′は導通する。その電流は電流源25によって強制的
に値I0にされ、電流源24によって完全にシンクされ
る。トランジスタMP1はトランジスタQ10′によっ
てターンオンされるが、電流I1がそれを流れるのは、
この電流I1がラインVmaxを介して引き出される場
合のみである。この電流I1はたとえば、ラインVma
xに接続された負荷によってか、または電圧V1よりも
低い入力電圧に関連したセルにおける電流源24の均等
物によって消費される電流である。
【0026】入力電圧V1が他のセルの電圧よりも低い
と、トランジスタQ10′およびMP1はブロックさ
れ、電流源24の電流はラインVmaxから引かれる。
この電流は次に、最大入力電圧に関連したセルにおいて
トランジスタMP1の均等物によって補償される。
と、トランジスタQ10′およびMP1はブロックさ
れ、電流源24の電流はラインVmaxから引かれる。
この電流は次に、最大入力電圧に関連したセルにおいて
トランジスタMP1の均等物によって補償される。
【0027】こうして、図4でのセルもまた、トランジ
スタQ10′が導通するとそこを定常電流が流れること
を確実にする。実際、図4におけるセルの動作原理は図
3の動作原理に相補的である。セルが不活性になるとき
にラインVmaxから電流源を切断する代わりに、電流
源はラインVmaxから電流を引くことが可能になり、
この付加的な電流は活性セルのトランジスタQ10′に
よって伝達される電流とは関係なく与えられる。
スタQ10′が導通するとそこを定常電流が流れること
を確実にする。実際、図4におけるセルの動作原理は図
3の動作原理に相補的である。セルが不活性になるとき
にラインVmaxから電流源を切断する代わりに、電流
源はラインVmaxから電流を引くことが可能になり、
この付加的な電流は活性セルのトランジスタQ10′に
よって伝達される電流とは関係なく与えられる。
【0028】値I0の電流の、各セルに関連した電流源
24は図4に関して記述されている。もちろん、回路が
n個のセルによって得られるならば、n個の電流源24
は並列に接続される。すなわち、実際にはそれらは電流
nI0を引く単一の電流源によって得られる。
24は図4に関して記述されている。もちろん、回路が
n個のセルによって得られるならば、n個の電流源24
は並列に接続される。すなわち、実際にはそれらは電流
nI0を引く単一の電流源によって得られる。
【0029】もちろん、この発明は当業者には容易に想
起されるようなさまざまな変化および変更を有すると考
えられる。このような変化、変更、および改良はこの開
示の一部であると意図され、この発明の精神および範囲
内にあると意図される。したがって、先行の記述は例と
してのみなされたものであって、制限を加えるものとは
意図されない。この発明は前掲の特許請求の範囲とその
均等物において規定されるものとしてのみ制限される。
起されるようなさまざまな変化および変更を有すると考
えられる。このような変化、変更、および改良はこの開
示の一部であると意図され、この発明の精神および範囲
内にあると意図される。したがって、先行の記述は例と
してのみなされたものであって、制限を加えるものとは
意図されない。この発明は前掲の特許請求の範囲とその
均等物において規定されるものとしてのみ制限される。
【図1】いくつかの入力電圧の中の最高電圧を供給する
ための従来の回路の図である。
ための従来の回路の図である。
【図2】図1における回路の動作を例示する波形図であ
る。
る。
【図3】極値電圧を供給する回路を得るためのセルの第
1の実施例を例示する図である。
1の実施例を例示する図である。
【図4】この発明に従うセルの第2の実施例を例示する
図である。
図である。
20 第2の電流源 22 第1の電流源 25 第2の電流源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−34416(JP,A) 実開 平3−119770(JP,U) 米国特許3348072(US,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H03K 17/00
Claims (9)
- 【請求項1】 いくつかの入力電圧(V1、V2…)の
中の極値電圧(Vmax)を供給するための回路であっ
て、各入力電圧(V1)ごとに、 ベースが前記入力電圧を受け、エミッタが前記極値電圧
(Vmax)を供給する共通出力に接続される第1のバ
イポーラトランジスタ(Q10)と、 前記第1のバイポーラトランジスタのエミッタをバイア
スするための第1の電流源(22)と、 前記第1のバイポーラトランジスタがターンオフされる
と、前記第1のバイポーラトランジスタから前記第1の
電流源を切断するためのスイッチング手段(Q12、Q
13)とを含む、回路。 - 【請求項2】 ベースおよびコレクタによって前記第1
のトランジスタと並列に接続された、前記第1のトラン
ジスタと同じ型の第2のトランジスタ(Q11)をさら
に含み、そのエミッタは、前記第1の電流源の半分の値
の第2の電流源(20)を介して電源電圧(GND)に
接続され、 前 記第1のトランジスタと同じ型の第3のトランジスタ
(Q12)をさらに含み、そのコレクタは前記第1のト
ランジスタのエミッタに接続され、そのベースは前記第
2のトランジスタのエミッタにされ、かつそのエミッタ
は前記第1の電流源(22)を介して電源電圧に接続さ
れ、 前 記第3のトランジスタと差動段を形成する第4のトラ
ンジスタ(Q13)をさらに含み、そのベースは前記第
1のトランジスタのエミッタに接続される、請求項1に
記載の回路。 - 【請求項3】 前記極値電圧は最大電圧であり、前記ト
ランジスタはNPNトランジスタである、請求項2に記
載の回路。 - 【請求項4】 前記極値電圧は最小電圧であり、前記ト
ランジスタはPNPトランジスタである、請求項2に記
載の回路。 - 【請求項5】 前記第1のトランジスタがオンである
と、前記第1の電流源の電流を超えるいかなる電流をも
前記共通出力へ引き出すための手段(25、MP1)を
各入力電圧(V1)ごとに含む、請求項1に記載の回
路。 - 【請求項6】 前記第1のトランジスタ(Q10′)の
コレクタを第1の電源電圧(Vcc)に接続する第2の
電流源(25)、 前記第1の電圧と前記第1のトランジスタのエミッタと
の間に接続され、前記第1のトランジスタがオンである
とターンオンされる第2のトランジスタ(MP1)とを
含む、請求項5に記載の回路。 - 【請求項7】 前記第2のトランジスタはMOSトラン
ジスタ(MP1)であり、そのゲートは前記第1のトラ
ンジスタ(Q10′)のコレクタに接続され、そのソー
スは前記第1の電圧に接続され、かつそのドレインは前
記第1のトランジスタのエミッタに接続される、請求項
6に記載の回路。 - 【請求項8】 前記極値電圧は最大電圧であり、前記第
1のトランジスタ(Q10′)はNPNトランジスタで
あり、かつ前記第2のトランジスタ(MP1)はpチャ
ネルトランジスタである、請求項7に記載の回路。 - 【請求項9】 前記極値電圧は最小電圧であり、前記第
1のトランジスタ(Q10′)はPNPトランジスタで
あり、かつ前記第2のトランジスタ(MP1)はnチャ
ネルトランジスタである、請求項7に記載の回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9415671A FR2728744B1 (fr) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | Circuit de fourniture de tension extremum |
| FR9415671 | 1994-12-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08321754A JPH08321754A (ja) | 1996-12-03 |
| JP2829361B2 true JP2829361B2 (ja) | 1998-11-25 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP7331749A Expired - Lifetime JP2829361B2 (ja) | 1994-12-21 | 1995-12-20 | いくつかの入力電圧の中の極値電圧を供給するための回路 |
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| EP (1) | EP0718634B1 (ja) |
| JP (1) | JP2829361B2 (ja) |
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| FR (1) | FR2728744B1 (ja) |
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| US6054874A (en) * | 1997-07-02 | 2000-04-25 | Cypress Semiconductor Corp. | Output driver circuit with switched current source |
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-
1994
- 1994-12-21 FR FR9415671A patent/FR2728744B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1995
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- 1995-12-18 EP EP95410143A patent/EP0718634B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1995-12-18 DE DE69522306T patent/DE69522306D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-12-20 JP JP7331749A patent/JP2829361B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0718634B1 (fr) | 2001-08-22 |
| FR2728744A1 (fr) | 1996-06-28 |
| JPH08321754A (ja) | 1996-12-03 |
| US5757209A (en) | 1998-05-26 |
| DE69522306D1 (de) | 2001-09-27 |
| FR2728744B1 (fr) | 1997-03-14 |
| EP0718634A1 (fr) | 1996-06-26 |
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