JP2829352B2 - 三導体構造フィルタの帯域幅調整法 - Google Patents
三導体構造フィルタの帯域幅調整法Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/203—Strip line filters
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、例えばバンドパスフィルタとして利用され
る三導体構造フィルタの帯域幅調整法に関する。
る三導体構造フィルタの帯域幅調整法に関する。
[従来技術] 外面にアース導体が形成された一対の誘電体基板の積
層面に、複数の帯状共振導体を配設すると共に、該共振
導体の一端をアース導体に接続して短絡端とし、共振導
体の他端をアース導体と非接続の開放端としてなる三導
体構造フィルタは公知であり、このものはマイクロ波領
域におけるバンドパスフィルタとして利用されている。
層面に、複数の帯状共振導体を配設すると共に、該共振
導体の一端をアース導体に接続して短絡端とし、共振導
体の他端をアース導体と非接続の開放端としてなる三導
体構造フィルタは公知であり、このものはマイクロ波領
域におけるバンドパスフィルタとして利用されている。
ところで従来、このような構造のバンドパスフィルタ
における周波数帯域幅を任意の希望する広さに調整する
ことは困難とされていた。
における周波数帯域幅を任意の希望する広さに調整する
ことは困難とされていた。
本発明は、かかる基本構成のものにおいて、周波数の
帯域幅を拡げ得る波形調整手段の提供を目的とするもの
である。
帯域幅を拡げ得る波形調整手段の提供を目的とするもの
である。
[問題点を解決するための手段] 本発明は、外表面にアース導体が形成された一対の誘
電体基板の積層面に、中央共振導体と、その両側の側部
共振導体とからなる三本の帯状共振導体を配設すると共
に、各共振導体の一端をアース導体に接続して短絡端と
し、各共振導体の他端をアース導体と非接続の開放端と
し、かつ各共振導体がインターディジタル型に配置され
てなるフィルタにあって、前記誘電体基板の外表面に形
成されたアース導体の、中央共振導体の開放端近傍と、
側部共振導体との間の領域に対して、積層方向で対向す
る部位に、調整用削り窓xを削成することにより周波数
帯域幅を拡げることを特徴とする三導体構造フィルタの
帯域幅調整法である。
電体基板の積層面に、中央共振導体と、その両側の側部
共振導体とからなる三本の帯状共振導体を配設すると共
に、各共振導体の一端をアース導体に接続して短絡端と
し、各共振導体の他端をアース導体と非接続の開放端と
し、かつ各共振導体がインターディジタル型に配置され
てなるフィルタにあって、前記誘電体基板の外表面に形
成されたアース導体の、中央共振導体の開放端近傍と、
側部共振導体との間の領域に対して、積層方向で対向す
る部位に、調整用削り窓xを削成することにより周波数
帯域幅を拡げることを特徴とする三導体構造フィルタの
帯域幅調整法である。
[作用] 誘電体基板の外表面に形成されたアース導体の所定箇
所を削り取って調整用削り窓xを形成すると、周波数帯
域幅が拡大することが実験的に確かめられた。
所を削り取って調整用削り窓xを形成すると、周波数帯
域幅が拡大することが実験的に確かめられた。
これは、上記削り窓によって、隣接する共振導体間の
段間結合が強まり、帯域幅が増大するものと推定され
る。
段間結合が強まり、帯域幅が増大するものと推定され
る。
[実施例] 本発明の実験例として、第1図及び第2図に示す基本
構成のものを用いた。このものはBaO−TiO2系、BaO−Ti
O2希土類系等の高誘電率、低損失の誘電体セラミックよ
りなる下部誘電体基板1と上部誘電体基板1′とを積層
してなるものであり、誘電体基板1,1′の少なくとも両
外面にはアース導体3を形成するとともに、誘電体基板
1,1′の両内面にフィルタとして作用する中央共振導体
2とその両側で隣接する側部共振導体2,2′とからなる
三本の帯状共振導体2,2′,2′(スリーポール型)を、
一端をアース導体3に接続して短絡端2aとし、他端をア
ース導体3に非接続の開放端2bとして配設するととも
に、各共振導体2,2′,2′の開放端2bを交互にインター
ディジタル型に配置している。
構成のものを用いた。このものはBaO−TiO2系、BaO−Ti
O2希土類系等の高誘電率、低損失の誘電体セラミックよ
りなる下部誘電体基板1と上部誘電体基板1′とを積層
してなるものであり、誘電体基板1,1′の少なくとも両
外面にはアース導体3を形成するとともに、誘電体基板
1,1′の両内面にフィルタとして作用する中央共振導体
2とその両側で隣接する側部共振導体2,2′とからなる
三本の帯状共振導体2,2′,2′(スリーポール型)を、
一端をアース導体3に接続して短絡端2aとし、他端をア
ース導体3に非接続の開放端2bとして配設するととも
に、各共振導体2,2′,2′の開放端2bを交互にインター
ディジタル型に配置している。
前記誘電体基板1,1′の特性(誘電率ε,無負荷Q)
や外径寸法(l1×l2×l3)、さらに共振導体2の寸法
(l4×l5)及び共振導体間距離(l5)等は所望の中心周
波数を836.5±0.1MHzとしてε=93,Q=2000、l1×l2×l
3=11.5×11.5×1.2mm、l4×l5=8.7×1.5mm、l6=2.2m
mに設定してある。
や外径寸法(l1×l2×l3)、さらに共振導体2の寸法
(l4×l5)及び共振導体間距離(l5)等は所望の中心周
波数を836.5±0.1MHzとしてε=93,Q=2000、l1×l2×l
3=11.5×11.5×1.2mm、l4×l5=8.7×1.5mm、l6=2.2m
mに設定してある。
かかる構成にあって、誘電体基板1,1′の夫々の共振
導体2,2′,2′のパターンは鏡像関係となっており、重
ね合わせた状態で相互に面接触する。
導体2,2′,2′のパターンは鏡像関係となっており、重
ね合わせた状態で相互に面接触する。
尚、同図の構成にあって、誘電体基板1,1′の一方の
内面にのみ共振導体2,2′,2′の所定パターンを形成す
るようにしても良い。
内面にのみ共振導体2,2′,2′の所定パターンを形成す
るようにしても良い。
第3図は上記基本構成のものにおいて、誘電体基板1
の外表面のアース導体3において、中央共振導体2の開
放端2bの近傍と、側部共振導体2′,2′との間の領域に
対して、積層方向で対向する部位に、種々の態様の周波
数帯域を調整するための削り窓xを形成し、削り窓xの
無いものと比較したものである。
の外表面のアース導体3において、中央共振導体2の開
放端2bの近傍と、側部共振導体2′,2′との間の領域に
対して、積層方向で対向する部位に、種々の態様の周波
数帯域を調整するための削り窓xを形成し、削り窓xの
無いものと比較したものである。
ここで、第3図a−1〜a−3及びb−1〜b−3
は、前記中央共振導体2の開放端2bに対向する部位に周
波数を上げる周波数を上げる周波数調整用の削り窓yを
形成したものである。
は、前記中央共振導体2の開放端2bに対向する部位に周
波数を上げる周波数を上げる周波数調整用の削り窓yを
形成したものである。
すなわち特公昭61−19122号に示されているように、
上部誘電体基板1′の外表面に形成されたアース導体3
の、中央共振導体2の開放端2bと積層方向で対向する箇
所に削り窓yを部分的に削成すると、中央共振導体2と
アース導体3との分布容量が小さくなって周波数が上昇
することが知られている。そこでフィルタの周波数を予
め低くしておいて、この削り窓yを適宜の大きさで削成
すれば、所定の応答周波数に調整することが可能とな
る。上記試料では、削り窓xと削り窓yとの関係を観る
ために、該削り窓yにあるものに削り窓xを形成したも
のである。
上部誘電体基板1′の外表面に形成されたアース導体3
の、中央共振導体2の開放端2bと積層方向で対向する箇
所に削り窓yを部分的に削成すると、中央共振導体2と
アース導体3との分布容量が小さくなって周波数が上昇
することが知られている。そこでフィルタの周波数を予
め低くしておいて、この削り窓yを適宜の大きさで削成
すれば、所定の応答周波数に調整することが可能とな
る。上記試料では、削り窓xと削り窓yとの関係を観る
ために、該削り窓yにあるものに削り窓xを形成したも
のである。
また第3図c−1〜c〜3は調整窓yを設けず、既に
所望の中心周波数に設定されたものを試料として用い、
これに削り窓xのみを設けたものである。
所望の中心周波数に設定されたものを試料として用い、
これに削り窓xのみを設けたものである。
上記構成にあって、第3図a−2は中央共振導体2の
開放端2bの近傍と、一方の側部共振導体2′との間の領
域と積層方向で対向する部位に削り窓yと連続して削り
窓xを形成したものであり、第3図a−3は両方の側部
共振導体2′,2′との間の領域に削り窓x,xを形成した
ものであり、これを第3図a−1の削り窓xを形成しな
いものと比較した。
開放端2bの近傍と、一方の側部共振導体2′との間の領
域と積層方向で対向する部位に削り窓yと連続して削り
窓xを形成したものであり、第3図a−3は両方の側部
共振導体2′,2′との間の領域に削り窓x,xを形成した
ものであり、これを第3図a−1の削り窓xを形成しな
いものと比較した。
この結果、第4図a,b,cのグラフの波形を示した。こ
こで各wは夫々の周波数帯域幅であり、この周波数帯域
幅の値は最大出力値から6dB下がった位置の帯域幅を計
測値としている。そしてその周波数帯域幅、中心周波数
及び挿入損失は次表に示す値を示した。
こで各wは夫々の周波数帯域幅であり、この周波数帯域
幅の値は最大出力値から6dB下がった位置の帯域幅を計
測値としている。そしてその周波数帯域幅、中心周波数
及び挿入損失は次表に示す値を示した。
これによって明らかなように、一側方に削り窓xを削
り窓yに連成したものは、削り窓xを形成しないものに
比して約1.2MHzの帯域幅の拡大を示し、削り窓yの両側
に削り窓x,xを連成したものは、同じく約3.52MHzの拡大
を示した。
り窓yに連成したものは、削り窓xを形成しないものに
比して約1.2MHzの帯域幅の拡大を示し、削り窓yの両側
に削り窓x,xを連成したものは、同じく約3.52MHzの拡大
を示した。
第3図b−1,b−2,b−3は中央共振導体2の開放端2b
の近傍に積層方向で対向する箇所のアース導体3にのみ
削り窓yを形成したものを比較対象としたものであり、
上記のように一側方に削り窓xを形成したもの(第3図
b−2)と、両側方に削り窓x,xを形成したもの(第3
図b−3)とを削り窓xを形成しないもの(第3図b−
1)と対比したものである。
の近傍に積層方向で対向する箇所のアース導体3にのみ
削り窓yを形成したものを比較対象としたものであり、
上記のように一側方に削り窓xを形成したもの(第3図
b−2)と、両側方に削り窓x,xを形成したもの(第3
図b−3)とを削り窓xを形成しないもの(第3図b−
1)と対比したものである。
ここで、一側方にのみ削り窓xを削成したもの(第3
図b−2)は、削り窓xを削成しないもの(第3図b−
1)と比較して、約0.8MHz拡大し、同じく両側に削り窓
xを形成したもの(第3図b−3)は約2.7MHz拡大し
た。
図b−2)は、削り窓xを削成しないもの(第3図b−
1)と比較して、約0.8MHz拡大し、同じく両側に削り窓
xを形成したもの(第3図b−3)は約2.7MHz拡大し
た。
第3図c−1,c−2,c−3は、中央共振導体2の開放端
2bの近傍と、側部共振導体2′,2′との間の領域と積層
方向で対向する部位に、分離して削り窓x,xを形成した
もの(第3図c−2)、横断状に削り窓xを形成したも
の(第3図c−3)を夫々削り窓xを形成しないもの
(第3図c−1)と比較したものであって、第3図c−
2の構成にあっては約2.4MHz拡大し、第3図c−3の構
成にあっては約4.7MHzの拡大が認められた。
2bの近傍と、側部共振導体2′,2′との間の領域と積層
方向で対向する部位に、分離して削り窓x,xを形成した
もの(第3図c−2)、横断状に削り窓xを形成したも
の(第3図c−3)を夫々削り窓xを形成しないもの
(第3図c−1)と比較したものであって、第3図c−
2の構成にあっては約2.4MHz拡大し、第3図c−3の構
成にあっては約4.7MHzの拡大が認められた。
このように、削り窓xを形成した各態様とも夫々帯域
幅の拡大が認められた。
幅の拡大が認められた。
前記削り窓x,yは、工具で切除するほかに、レーザー
加工やサンドブラスト等によって形成される。
加工やサンドブラスト等によって形成される。
[発明の効果] 本発明は、上述のようにインターディジタル型の三つ
の共振導体2,2′,2′を備えた三導体構造フィルタにあ
って、中央共振導体2の開放端2bと、側部共振導体
2′,2′との間の領域に対して、積層方向で対向する部
位でアース導体3を部分的に切除して、削り窓xを形成
することにより周波数帯域幅を拡大するものであり、こ
のためこの手段を用いることにより、拡大幅を少し必要
とするときは開放端2bに対峙する部分の一側方のみアー
ス導体3に削り窓xを形成したり、または小面積の削り
窓xを形成し、大幅な周波数帯域の拡大を要する場合に
は両側に削り窓x,xを形成したり、または大面積の削り
窓xを形成する等により周波数達域を後発的かつ随意に
調整可能とすることができ、その用途に対応する周波数
帯域特性を簡易に生じさせることができる等の優れた効
果がある。
の共振導体2,2′,2′を備えた三導体構造フィルタにあ
って、中央共振導体2の開放端2bと、側部共振導体
2′,2′との間の領域に対して、積層方向で対向する部
位でアース導体3を部分的に切除して、削り窓xを形成
することにより周波数帯域幅を拡大するものであり、こ
のためこの手段を用いることにより、拡大幅を少し必要
とするときは開放端2bに対峙する部分の一側方のみアー
ス導体3に削り窓xを形成したり、または小面積の削り
窓xを形成し、大幅な周波数帯域の拡大を要する場合に
は両側に削り窓x,xを形成したり、または大面積の削り
窓xを形成する等により周波数達域を後発的かつ随意に
調整可能とすることができ、その用途に対応する周波数
帯域特性を簡易に生じさせることができる等の優れた効
果がある。
第1図は本発明の調整手段を適用する三導体構造フィル
タの分離斜視図、第2図は同一部切欠平面図、第3図a
−1,a−2,a−3,b−1,b−2,b−3,c−1,c−2,c−3は種々
の態様の比較平面図、第4図a,b,cは第3図a−1,a−2,
a−3の構成の各周波数の調整効果を示すグラフであ
る。 1,1′……誘電体基板 2……中央共振導体 2′,2′……側部共振導体 2a……短絡端 2b……開放端 3……アース導体 x……帯域幅調整用削り窓 y……周波数調整用削り窓
タの分離斜視図、第2図は同一部切欠平面図、第3図a
−1,a−2,a−3,b−1,b−2,b−3,c−1,c−2,c−3は種々
の態様の比較平面図、第4図a,b,cは第3図a−1,a−2,
a−3の構成の各周波数の調整効果を示すグラフであ
る。 1,1′……誘電体基板 2……中央共振導体 2′,2′……側部共振導体 2a……短絡端 2b……開放端 3……アース導体 x……帯域幅調整用削り窓 y……周波数調整用削り窓
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 脇田 尚正 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日本特殊陶業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭51−58844(JP,A) 実開 昭57−53701(JP,U)
Claims (1)
- 【請求項1】外表面にアース導体が形成された一対の誘
導体基板の積層面に、中央共振導体と、その両側の側部
共振導体とからなる三本の帯状共振導体を配設すると共
に、各共振導体の一端をアース導体に接続して短絡端と
し、各共振導体の他端をアース導体と非接続の開放端と
し、かつ各共振導体がインターディジタル型に配置され
てなるフィルタにあって、 前記誘電体基板の外表面に形成されたアース導体の、 中央共振導体の開放端近傍と、側部共振導体との間の領
域に対して、積層方向で対向する部位に、 調整用削り窓xを削成することにより周波数帯域幅を拡
げることを特徴とする三導体構造フィルタの帯域幅調整
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1227169A JP2829352B2 (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 三導体構造フィルタの帯域幅調整法 |
| US07/559,200 US5014024A (en) | 1989-08-31 | 1990-07-27 | Bandpass filter and method of trimming response characteristics thereof |
| EP90308321A EP0415558B1 (en) | 1989-08-31 | 1990-07-30 | Bandpass filter and method of trimming response characteristics thereof |
| DE69026889T DE69026889T2 (de) | 1989-08-31 | 1990-07-30 | Bandpassfilter und Verfahren zum Abgleichen von dessen Charakteristika |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1227169A JP2829352B2 (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 三導体構造フィルタの帯域幅調整法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0389601A JPH0389601A (ja) | 1991-04-15 |
| JP2829352B2 true JP2829352B2 (ja) | 1998-11-25 |
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ID=16856569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1227169A Expired - Fee Related JP2829352B2 (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 三導体構造フィルタの帯域幅調整法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5014024A (ja) |
| EP (1) | EP0415558B1 (ja) |
| JP (1) | JP2829352B2 (ja) |
| DE (1) | DE69026889T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| GB9216915D0 (en) * | 1992-08-10 | 1992-09-23 | Applied Radiation Lab | Improved radio frequency filter |
| US5432966A (en) * | 1993-11-03 | 1995-07-18 | Ferno-Washington, Inc. | Adjustable ambulance cot with trolley mechanism |
| US5621365A (en) * | 1994-02-18 | 1997-04-15 | Fuji Electrochemical Co., Ltd. | Laminated dielectric resonator and filter |
| JP2773651B2 (ja) * | 1994-07-22 | 1998-07-09 | 松下電器産業株式会社 | 積層フィルタ |
| US5572779A (en) * | 1994-11-09 | 1996-11-12 | Dale Electronics, Inc. | Method of making an electronic thick film component multiple terminal |
| US5734307A (en) * | 1996-04-04 | 1998-03-31 | Ericsson Inc. | Distributed device for differential circuit |
| JPH1032429A (ja) * | 1996-07-18 | 1998-02-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電圧制御共振器およびその調整方法 |
| WO1999041799A1 (en) * | 1998-02-17 | 1999-08-19 | Itron, Inc. | Laser tunable thick film microwave resonator for printed circuit boards |
| EP1298757A1 (de) * | 2001-09-29 | 2003-04-02 | Marconi Communications GmbH | Bandpassfilter für ein Hochfrequenzsignal und Abstimmverfahren dafür |
| WO2010005017A1 (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-14 | 株式会社村田製作所 | ストリップラインフィルタ |
| US20100265009A1 (en) * | 2009-04-16 | 2010-10-21 | National Sun Yat-Sen University | Stacked lc resonator and bandpass filter of using the same |
| KR101295869B1 (ko) * | 2009-12-21 | 2013-08-12 | 한국전자통신연구원 | 복수의 절연층들에 형성된 선로 필터 |
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