JP2828503B2 - フリップチップボンダー装置及び該装置の位置合わせ方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 目次 概要 産業上の利用分野 従来の技術 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段 作用 実 施 例 発明の効果 概要 フリップチップボンダー装置及び該装置の位置合わせ
方法に関し、 光半導体チップのフリップチップボンディングを高精
度に行なえるとともに小型化を図ったフリップチップボ
ンダー装置及び該装置の位置合わせ方法を提供すること
を目的とし、 チップ搭載台と、XYθステージを含んだチップ搭載手
段と；赤外線に対して透明な基板搭載台と、XYθステー
ジと、加熱手段を含んだ基板搭載手段と；前記チップ搭
載手段と前記基板搭載手段との間を移動可能な、チップ
吸着手段を有するボンディングヘッドと；前記チップ吸
着手段に吸着されたチップのバンプを観測するととも
に、前記基板搭載台上に搭載された基板のパターンを該
基板搭載台を通して観測する赤外線カメラと；前記赤外
線カメラの画像を表示するモニタ手段と；画像認識手段
と；演算処理手段とを具備して構成する。

産業上の利用分野 本発明はフリップチップボンダー装置及び該装置の位
置合わせ方法に関する。

近年、遠距離間通信の需要に応じて、通信システムに
求められる情報伝送速度は増加する傾向にある。特に、
光通信システムにはマルチギガビット級の伝送速度が必
要となりつつあり、この伝送速度を実現する光通信装置
の開発が要求されている。

このような高速光伝送システムを構築するためには、
使用される光半導体チップの高速性を損なわない実装法
が不可欠となる。このような実装法の一つとして、光半
導体チップと回路基板とのフリップチップボンディング
により、従来ワイヤで接続していた際に生じる寄生リア
クタンスを除去し、光半導体チップの高速特性を損なう
ことなく実装することができる。このような光半導体チ
ップのフリップチップボンディングの場合は、寄生リア
クタンス低減のために、電気回路チップのフリップチッ
プボンディングの場合に比較して、バンプ径として非常
に小径の数十μｍ程度が要求されている。

従来の電気回路チップ用のフリップチップボンダー装
置では位置合わせ精度を十μｍ以下にすることができな
いため、光半導体チップのフリップチップボンディング
を行うために高い精度を有するフリップチップボンディ
ング方法及び装置が要望されている。

従来の技術 従来のフリップチップボンダー装置は、例えば、特公
平１−31296号に記載されているように、基板パターン
の観測用カメラからの画像とチップバンプ観測用カメラ
からの画像とを１台のモニタ上に合成し、基板パターン
とチップバンプの位置ずれ量を検出している。しかしな
がらこのフリップチップボンダー装置では、１台のモニ
タ上に基板パターンの画像とチップバンプの画像とを合
成しているため、小径な複数個のバンプとパターンの画
像を鮮明に識別することができないという問題があり、
また、識別し易くするためには、各画像のカラー処理工
程を追加する等の改善が必要であり、装置全体が大型に
なるとともにコストが高くなるという欠点を有してい
た。

また、上述した公告公報に記載された従来の位置ずれ
補正方法では、まず、チップと基板との回転ずれを補正
し、次にその後生じているX,Y方向のずれ量を検出し
て、位置ずれを補正している。しかしながらこの位置ず
れ補正方法では、２段階の補正計算と制御が必要であ
り、計算ルーチンでの誤差が累積され精度を向上できな
いという問題を有していた。

また他の位置ずれ補正方法としては、特開昭57−3684
0号に記載されているように、位置合わせすべき点同士
を移動させて合わせることにより位置ずれ補正量を検出
している。しかしながらこの方法では、位置合わせすべ
き点同紙を移動させて合わせるために駆動制御を行う必
要があった。また、特開平１−31296号及び特開昭57−3
6840号に記載された位置ずれ補正方法とも、有限な面積
を持つバンプを点として扱っており、バンプ径以内の高
い精度が得られないという問題があった。

フリップチップボンディングする際には、チップを吸
着ノズルでピックアップする必要があるが、従来のチッ
プピックアップ方法は、例えば特公平２−12024号に記
載されているように、チップ表面を観察するための第３
のカメラで観察したチップ表面のコーナーを基準ライン
に一致させるように、チップ搭載台を移動させてチップ
をピックアップしている。しかしながらこの方法では、
チップ表面にレンズが形成されている受光素子をピック
アップする場合、必ずしもレンズがチップ表面の中心に
あるとは限らないため、チップピックアップ用ノズル先
端部によりレンズに損傷を与える恐れがあった。

発明が解決しようとする課題 上述した公告公報及び公開公報に記載された、従来の
フリップチップボンディングの位置合わせ方法及び装置
は、電気回路チップのフリップチップボンディングに適
用したものであり、バンプ径として非常に小径な数十μ
ｍ程度が要求されている光半導体チップのフリップチッ
プボンディングに適用することは困難であるという問題
があった。

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、
その目的とするところは、光半導体チップのフリップチ
ップボンディングを高精度に行なえるとともに小型化を
図ったフリップチップボンダー装置及び該装置の位置合
わせ方法を提供することである。

課題を解決するための手段 本発明のフリップチップボンダー装置は、チップ搭載
台と、XYθステージを含んだチップ搭載手段と；赤外線
に対して透明な基板搭載台と、XYθステージと、加熱手
段を含んだ基板搭載手段と；前記チップ搭載手段と前記
基板搭載手段との間を移動可能な、チップ吸着手段を有
するボンディングヘッドと；前記チップ吸着手段に吸着
されたチップのバンプを観測するとともに、前記基板搭
載台上に搭載された基板のパターンを該基板搭載台を通
して観測する赤外線カメラと；前記赤外線カメラの画像
を表示するモニタ手段と；画像認識手段と；演算処理手
段とを具備して構成される。

望ましくは、フリップチップボンダー装置は、チップ
搭載台上に搭載されたチップ表面を観測するための第２
のカメラをさらに具備している。

本発明の他の側面によるフリップチップボンダー装置
は、赤外線に対して透明なチップ搭載台と、XYステージ
を含んだチップ搭載手段と；赤外線に対して透明な基板
搭載台と、XYθステージと、加熱手段を含んだ基板搭載
手段と；チップ吸着手段を有して上下方向に移動可能な
ボンディングヘッドと；前記チップ吸着手段に吸着され
たチップのバンプを該チップ搭載台を通して観測すると
ともに、前記基板搭載台上に搭載された基板のパターン
を該基板搭載台を通して観測する赤外線カメラと；前記
赤外線カメラの画像を表示するモニタ手段と；画像認識
手段と；演算処理手段とを具備して構成される。

作用 第１の構成による本発明では、まず、基準スケールを
用いて赤外線カメラの絶対倍率を求め、ボンディングヘ
ッドのチップ吸着手段によりチップ搭載台上のチップを
吸着してから該ボンディングヘッドを所定量移動して、
該チップを赤外線カメラの上方に位置させる。そして、
赤外線カメラで該チップを撮影してモニタ手段上に表示
し、この画像から赤外線カメラの絶対倍率を基にチップ
のバンプの絶対位置座標を読み取る。

次に、基板搭載手段のXYθステージを駆動して基板搭
載台上に搭載された基板を赤外線カメラの上方に位置さ
せ、赤外線カメラで基板搭載台を通して該基板を撮影し
てモニタ手段上に表示し、この画像から基板のパターン
の絶対位置座標を読み取る。そして、前記バンプの絶対
位置座標と前記パターンの絶対位置座標間のずれ量を求
め、このずれ量だけ基板搭載手段のXYθステージを駆動
してバンプとパターンの位置合わせを行うようにする。

本発明の他の側面によるフリップチップボンダー装置
では、第１の側面による装置と同様に、まず、基準スケ
ールを用いて赤外線カメラの絶対倍率を求め、チップ搭
載手段のXYステージを駆動してチップ搭載台上に搭載さ
れたチップを赤外線カメラの上方に位置させる。次い
で、赤外線カメラでチップ搭載台を通してチップを撮影
してモニタ手段上に表示し、この画像からチップ中心が
吸着手段中心に概略一致するようにチップ搭載手段のXY
ステージを微調整駆動し、チップ吸着手段により該チッ
プを吸着してから、チップ搭載手段のXYステージを駆動
してチップ搭載台を赤外線カメラの上方から退避させ
る。そして、赤外線カメラで該チップを撮影してモニタ
手段上に表示っし、この画像から赤外線カメラの絶対倍
率を基にチップのバンプの絶対位置座標を読み取る。

次に、基板搭載手段のXYθステージを駆動して基板搭
載台上に搭載された基板を赤外線カメラの上方に位置さ
せ、赤外線カメラで基板搭載台を通して該基板を撮影し
てモニタ手段上に表示し、この画像から基板のパターン
の絶対位置座標を読み取る。そして、前記パンプの絶対
位置座標と前記パターンの絶対位置座標間のずれ量を求
め、このずれ量だけ基板搭載手段のXYθステージを駆動
してバンプとパターンの位置合わせを行うようにする。

実 施 例 以下、本発明の実施例を図面を参照にして詳細に説明
する。

第１図は本発明実施例の全体構成図を示しており、チ
ップ搭載機構２はXYθステージ４と、ヒートコラム６
と、赤外線に対して透明な基板搭載台８とから構成され
ている。XYθステージ４はθステージ（回転ステージ）
10上にスペーザ台12を介してＹステージ14を搭載し、Ｙ
ステージ14上にＸステージ16を搭載して構成されてい
る。基板搭載台８上にはプリアンプIC基板18が搭載され
ている。基板搭載台８は赤外線に対して透明な材料から
形成する代わりに、プリアンプIC基板18のパターン直下
部分のみに穴を開けたような構成でもよい。

基板搭載台８の下方には赤外線カメラ20が配置されて
おり、赤外線カメラ20はスペーサ部材22によりXYθステ
ージ24に固定されている。XYθステージ24はＹステージ
26と、Ｙステージ26上に搭載されたＸステージ28と、Ｘ
ステージ28上に搭載されたＺステージ30とから構成され
ている。スペーサ部材22を介して赤外線カメラ20をXYθ
ステージ24に固定したことにより、赤外線カメラ20を基
板搭載台８と回転ステージ10の中間に配置することがで
きる。赤外線カメラ20は、受光素子チップの半田バンプ
と基板のパターンを観測できるように、自動焦点機構を
具備している。

基板搭載台８と赤外線カメラ20の間には、窒素ガス等
のガスを吹き付けるためのパイプ32が配置されている。
パイプ32から吹き付けるガスにより、基板18の温度を低
下させずにヒートコラム６から発生する赤外線カメラ20
上方の熱対流を除去することが可能となり、画像の揺れ
及び歪みを解消することができる。

34はチップ搭載機構であり、XYθステージ42と、チッ
プ搭載台44とから構成されている。XYθステージ42は、
回転ステージ36と、回転ステージ36上に搭載されたＹス
テージ38と、Ｙステージ38上に搭載されたＸステージ40
とから構成されている。チップ搭載台44上には受光素子
チップ46が搭載される。受光素子チップ46の裏面には半
田バンプ46aが形成されており、その表面上にはマイク
ロレンズ46bが設けられている。

48はボンディングヘッドであり、その先端に受光素子
チップ46を吸着するための吸着ノズル50が設けられてい
る。ボンディングヘッド48は図示しない駆動手段によ
り、矢印Ａで示すように基板搭載機構２とチップ搭載機
構34との間を移動可能である。ボンディングヘッド48の
上方には、受光素子チップ46を吸着ノズル50で吸着する
際に、チップ46表面を観察するカメラ52が設けられてい
る。

基板搭載台８を移動するためのXYθステージ４、チッ
プ搭載台44を移動するためのXYθステージ42及びボンデ
ィングヘッド48の駆動手段はステージコントローラ54に
より制御される。赤外線カメラ20及びカメラ52の画像
は、切換手段を切り換えることにより、CRT56上に表示
される。そして、赤外線カメラ20及びカメラ52で撮影し
た画像を認識し、補正計算等を行う処理はCPU58で実行
される。

以下、上述したフリップチップボンダー装置の動作に
ついて説明する。

まず、カメラ52により受光素子チップ46を上方から観
察しながら、ボンディングヘッド48の吸着ノズル50で受
光素子チップ46を吸着する。さらに具体的に説明する
と、カメラ52で受光素子チップ46表面に形成されている
レンズ46bの位置を観察し、カメラ52からの画像をCRT56
上に映し出す。そして、ボンディングヘッド48の吸着ノ
ズル50がレンズ46bの真上に来るようにチップ搭載台44
をX,Y,θ方向に移動させ、吸着ノズル50先端部によって
レンズ46bに損傷を与えることなく、受光素子チップ46
をピックアップすることが可能となる。

次いで、または受光素子チップ吸着に先立ち、第２図
に示すように基板搭載機構２のＸステージ16又はＹステ
ージ14を駆動して、赤外線カメラ20の視野から基板８を
移動させる。この状態で、受光素子チップ46を吸着した
ボンディングヘッド48を駆動して、受光素子チップ46を
赤外線カメラ20の上方に位置させる。そして、赤外線カ
メラ20で受光素子チップ46を撮影してCRT56上に表示
し、この画像から赤外線カメラ20の絶対倍率を基に受光
素子チップ46のバンプ46aの絶対位置座標を読み取る。
バンプ46aの絶対位置座標の読み取りの詳細について
は、後述するチップのバンプと基板のパターンの位置合
わせ方法の中で詳述する。

次いで、基板搭載機構２のＸステージ16又はＹステー
ジ14を駆動して、第３図に示すように赤外線カメラ20の
視野内にプリアンプIC基板18を移動させる。基板搭載台
８及びプリアンプIC基板18は赤外線に対して透明な材質
から形成されているため、赤外線カメラ20で基板搭載台
８を通して基板18を撮影してCRT56上に表示し、この画
像から基板18のパターンの絶対位置座標を読み取る。基
板パターンの絶対位置座標の読み取りの詳細について
も、後ほど説明する。

次いで、このようにして求めたバンプの絶対位置座標
と、基板パターンの絶対位置座標間のずれ量をCPU58で
求め、このずれ量だけ基板搭載機構２のXYθステージ４
を駆動して、バンプとパターンの位置合わせを行う。

このような構成にすることにより、受光素子チップの
バンプと基板のパターンを観察するカメラを共通にで
き、さらにボンディングヘッド48の移動距離をチップ搭
載台44と基板搭載台18との間の移動のみに縮小すること
ができるため、フリップチップボンダー装置の小型化を
図ることができる。また、受光素子チップのバンプ観察
用のカメラと基板パターンの観察用カメラを別に設けた
場合には、これらのカメラの絶対倍率を正確に求めると
同時にカメラ間の倍率を等しくする必要があるが、本実
施例では赤外線カメラ20を採用することにより受光素子
チップのバンプ観察用カメラと基板パターンの観察用カ
メラとを共通化できたため、カメラ等の倍率を等しくす
る調整作業が不要になる。

また、受光素子チップ46のバンプ観察時と基板18のパ
ターン観察時に、パイプ32から窒素ガス等のガスを吹き
付けながら観察するようにしたので、ヒートコラム６か
ら発生する赤外線カメラ20上方の熱対流を除去すること
が可能となり、画像の揺れ、歪み等が解消される。

以上の説明において、概略的に説明した受光素子チッ
プのバンプと基板のパターンの位置合わせ方法の詳細に
ついて、以下に説明する。

「位置合わせ方法」 予め回転ステージ10の開店中心点とモニタ画面の中心
点との位置ずれ量を０にするように調整しておき、以下
の方法で位置補正量を求めるようにする。尚、予め回転
ステージ10の回転中心点とモニタ画面の中心点との位置
ずれ量を０にするには、基板搭載台８の回転中心点に目
印を付け、この目印がモニタ画面の中心点と一致するよ
うに、赤外線カメラ20を固定しているＸステージ28又は
Ｙステージ26を調整することにより可能である。

（１）モニタ画面の中心点を頂点としたx,y座標系を受
光素子チップのバンプ観察時の画像及び基板のパターン
観察時の画像に対して設定する。

（２）受光素子チップのバンプ観察時の画像から、バン
プに外接する四角形により３点のバンプを指定する。外
接四角形は、例えば、十字カーソルを用いて２点の指定
を行い、四角形を作図することにより得ることができ
る。

（３）各バンプの中心点座標を求める。

（４）ステップ（３）で求めた３点のバンプの中心点座
標から、３点のバンプの重心点座標（x1,y1）を求め
る。

（５）ステップ（３）で求めた第１点目の中心点とステ
ップ（４）で求めた重心点を結ぶ直線が、ｙ軸又はｘ軸
となす角度θ１を求める。

（６）次いで、基板のパターン観察時の画像からステッ
プ（２）で指定された３点のバンプに対応する基板上の
３点のパターンを、パターンに外接する四角形により指
定する。

（７）受光素子チップ側と同様に、各パターンの中心点
座標を各々求め、３点のパターンの重心点座標（x3,y
3）を求める。

（８）受光素子チップ側と同様に、第１点目のパターン
の中心点とステップ（７）で求めた重心点を結ぶ直線
が、チップ側で指定した軸と同一の軸となす角度θ２を
求める。

（９）以上求めた中心点座標、重心点座標及び角度から
基板搭載機構２の回転ステージ10の回転補正量Δθ及び
X,Yステージの移動量（xm,ym）を以下の計算式により求
める。

Δθ＝θ１−θ２ xm＝Ｔ×cos（Δθ＋θ_０）−x1 ym＝Ｔ×sin（Δθ＋θ_０）−y1 Ｔ＝（x3³＋y3²）^1/2 次に、第４図を参照してい本発明の他の実施例につい
て説明する。本実施例の説明において、上述した第１実
施例と実質的に同一構成部分については同一符号を付
し、その説明の一部を省略する。

基板搭載機構２は上述した第１実施例と同一構成であ
り、基板搭載台８は赤外線に対して透明な材料から形成
されている。赤外線カメラ20はホルダ60を介してＸステ
ージ62、Ｙステージ64及びＺステージ66から構成される
XYZステージ68に搭載されている。また、受光素子搭載
機構74は、Ｙステージ76及びＸステージ78から構成され
るXYステージ80上に赤外線に対して透明な材質から形成
された受光素子チップ搭載台82を搭載して構成されてい
る。ボンディングヘッド70はその先端に吸着ノズル72が
設けられており、矢印で示す垂直方向にのみ移動可能に
構成されている。

このような構成にすることにより受光素子チップ46を
ピックアップする際の受光素子観察用カメラ、ピックア
ップ後の受光素子チップのバンプを観察するカメラ及び
基板のパターンを観察するカメラの役割を１台の赤外線
カメラ20で行わせることができる。さらに、ボンディン
グヘッド70の移動方向を垂直方向にのみできるため、フ
リップチップボンダー装置全体の大きさを極めて小さく
することができるとともに、カメラの初期設定を大幅に
単純化することができる。

次に、本実施例の動作について説明する。

まず基準スケールを用いて赤外線カメラ20の絶対倍率
を求めておく。チップ搭載機構74のXYステージ80を駆動
してチップ搭載台82上に搭載された受光素子チップ46を
赤外線カメラ20の上方に位置させ、赤外線に対して透明
なチップ搭載台82を通して、受光素子チップ46を撮影し
てモニタ上に表示し、この画像からチップ中心が吸着ノ
ズル72中心に概略一致するようにチップ搭載機構74のXY
ステージ80を微調整駆動して、ボンディングヘッド70の
吸着ノズル72により受光素子チップ46を吸着する。

次に、チップ搭載機構74のXYステージ80を駆動して、
チップ搭載台82を赤外線カメラ20の上方から退避させて
から、赤外線カメラ20で受光素子チップ46を撮影してモ
ニタ上に表示し、この画像から赤外線カメラ20の絶対倍
率を基に受光素子チップ46のバンプ46aの絶対位置座標
を読み取る。

次いで、基板搭載機構２のＸステージ16又はＹステー
ジ14を駆動して、赤外線カメラ20の視野内に基板18を移
動させ、赤外線カメラ20で基板搭載台８を通して基板18
を撮影して基板のパターンをモニタ上に表示し、この画
像から基板のパターンの絶対位置座標を読み取る。この
ようにして求めた受光素子チップ46のバンプ46aの絶対
位置座標と基板18のパターンの絶対位置座標間のずれ量
を求め、このずれ量だけ基板搭載機構２のXYθステージ
４を駆動してバンプとパターンの位置合わせをし、フリ
ップチップボンディングを行う。

上述した各実施例は、特に受光素子チップのフリップ
チップボンディングについて説明したが、本発明は受光
素子チップ等の光半導体チップのみならず、通常の電気
回路チップをフリップチップボンディングする場合にも
適用可能なことは言うまでもない。さらに、表面実装タ
イプの能動素子を基板に搭載するチップマウンタ等にも
本発明を適用可能である。

発明の効果 本発明は以上詳述したように構成したので、特に光半
導体チップのフリップチップボンディングにおいて、十
μｍ以下の高精度の位置合わせを可能にできるという効
果を奏する。さらに、必要カメラ個数を最小限にしたの
で、フリップチップボンダー装置の小型化を図ることが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に係るフリップチップボンダー
装置の概略構成図、 第２図はチップのバンプ観測時の本発明実施例の説明
図、 第３図は基板のパターン観測時の本発明実施例の説明
図、 第４図は本発明の他の実施例に係るフリップチップボン
ダー装置の概略構成図である。 ２……基板搭載機構、 ４……XYθステージ、 ８……基板搭載台、 18……プリアンプIC基板、 20……赤外線カメラ、 32……ガス吹き出し用パイプ、 34,74……チップ搭載機構、 44,82……チップ搭載台、 46……受光素子チップ、 48,70……ボンディングヘッド、 50,72……吸着ノズル。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01L 21/60 311

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】チップ搭載台（44）と、XYθステージ（4
   2）を含んだチップ搭載手段（34）と； 赤外線に対して透明な基板搭載台（８）と、XYθステー
   ジ（４）と、加熱手段（６）を含んだ基板搭載手段
   （２）と； 前記チップ搭載手段（34）と前記基板搭載手段（２）と
   の間を移動可能な、チップ吸着手段（50）を有するボン
   ディングヘッド（48）と； 前記チップ吸着手段（50）に吸着されたチップ（46）の
   バンプ（46a）を観測するとともに、該バンプ（46a）の
   観測とは別に前記基板搭載台（８）上に搭載された基板
   （18）のパターンを該基板搭載台（８）を通して観測す
   る赤外線カメラ（20）と； 前記赤外線カメラ（20）の画像を表示するモニタ手段
   （56）と； 画像認識手段と； 演算処理手段と； を具備したことを特徴とするフリップチップボンダー装
   置。
2. 【請求項２】前記チップ搭載台（44）上に搭載されたチ
   ップ（46）表面を観測するための第２のカメラ（52）を
   さらに具備したことを特徴とする請求項１記載のフリッ
   プチップボンダー装置。
3. 【請求項３】基準スケールを用いて赤外線カメラ（20）
   の絶対倍率を求め、 ボンディングヘッド（48）のチップ吸着手段（50）によ
   りチップ搭載台（44）上のチップ（46）を吸着してから
   該ボンディングヘッド（48）を所定量移動して、該チッ
   プ（46）を赤外線カメラ（20）の上方に位置させ、 赤外線カメラ（20）で該チップ（46）を撮影してモニタ
   手段（56）上に表示し、この画像から赤外線カメラ（2
   0）の絶対倍率を基にチップ（46）のバンプ（46a）の絶
   対位置座標を読み取り、 基板搭載手段（２）のXYθステージ（４）を駆動して基
   板搭載台（８）上に搭載された基板（18）を赤外線カメ
   ラ（20）の上方に位置させ、 赤外線カメラ（20）で基板搭載台（８）を通して該基板
   （18）を撮影してモニタ手段（56）上に表示し、この画
   像から基板（18）のパターンの絶対位置座標を読み取
   り、 前記バンプ（46a）の絶対位置座標と前記パターンの絶
   対位置座標間のずれ量を求め、 このずれ量だけ基板搭載手段（２）のXYθステージ
   （４）を駆動してバンプとパターンの位置合わせを行う
   ことを特徴とする請求項１又は２記載のフリップチップ
   ボンダー装置の位置合わせ方法。
4. 【請求項４】赤外線に対して透明なチップ搭載台（82）
   と、 XYステージ（80）を含んだチップ搭載手段（74）と； 赤外線に対して透明な基板搭載台（８）と、XYθステー
   ジ（４）と、加熱手段（６）を含んだ基板搭載手段
   （２）と； チップ吸着手段（72）を有し上下方向に移動可能なボン
   ディングヘッド（70）と； 前記チップ搭載台（82）上に搭載されたチップ（46）を
   該チップ搭載台（82）を通して観測するとともに、該チ
   ップ（46）の観測とは別に前記チップ吸着手段（72）に
   吸着されたチップ（46）のバンプ（46a）を直接観測
   し、さらに該バンプ（46a）の観測とは別に前記基板搭
   載台（８）上に搭載された基板（18）のパターンを該基
   板搭載台（８）を通して観測する赤外線カメラ（20）
   と； 前記赤外線カメラ（20）の画像を表示するモニタ（56）
   手段と； 画像認識手段と； 演算処理手段と； を具備したことを特徴とするフリップチップボンダー装
   置。
5. 【請求項５】基準スケールを用いて赤外線カメラ（20）
   の絶対倍率を求め、 チップ搭載手段（74）のXYステージ（80）を駆動してチ
   ップ搭載台（82）上に搭載されたチップ（46）を赤外線
   カメラ（20）の上方に位置させ、 赤外線カメラ（20）でチップ搭載台（82）を通してチッ
   プ（46）を撮影してモニタ手段（56）上に表示し、この
   画像からチップ中心が吸着手段（72）中心に概略一致す
   るようにチップ搭載手段（74）のXYステージ（80）を微
   調整駆動し、 チップ吸着手段（72）により該チップ（46）を吸着し、 チップ搭載手段（74）のXYステージ（80）を駆動してチ
   ップ搭載台（82）を赤外線カメラ（20）の上方から退避
   させ、 赤外線カメラ（20）で該チップ（46）を撮影してモニタ
   手段（56）上に表示し、この画像から赤外線カメラ（2
   0）の絶対倍率を基にチップ（46）のバンプ（46a）の絶
   対位置座標を読み取り、 基板搭載手段（２）のXYθステージ（４）を駆動して基
   板搭載台（８）上に搭載された基板（18）を赤外線カメ
   ラ（20）の上方に位置させ、 赤外線カメラ（20）で基板搭載台（８）を通して該基板
   （18）を撮影してモニタ手段（56）上に表示し、この画
   像から基板（18）のパターンの絶対位置座標を読み取
   り、 前記バンプ（46a）の絶対位置座標と前記パターンの絶
   対位置座標間のずれ量を求め、 このずれ量だけ基板搭載手段（２）のXYθステージ
   （４）を駆動してバンプとパターンの位置合わせを行う
   ことを特徴とする請求項４記載のフリップチップボンダ
   ー装置の位置合わせ方法。