JP2828081B2 - 回路基板 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は回路基板に関し、特
に電力増幅器における発熱体の放熱効果の改良を図った
回路基板に関するものである。
に電力増幅器における発熱体の放熱効果の改良を図った
回路基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電力増幅回路用の回路基板の例として
は、特開平８−１６２８０９号公報に開示の構造があ
り、インピーダンスマッチング回路におけるコンデンサ
等の発熱体の対接地間の放熱効果を目的としたものであ
る。
は、特開平８−１６２８０９号公報に開示の構造があ
り、インピーダンスマッチング回路におけるコンデンサ
等の発熱体の対接地間の放熱効果を目的としたものであ
る。
【０００３】図５及び図６はこの特開平８−１６２８０
９号公報開示の構造を示しており、図５は斜視図、図６
はそのＥ−Ｅ線断面図である。図５，６を参照すると、
高誘電率（比誘電率１００）誘電体からなる平面板３２
と、平面板の表面及び裏面に銅メッキにより形成された
導体膜３３，３４と、平面板の相対する側面に銅メッキ
により形成された導体膜からなる端子３５，３６と、ア
ルミナ（比誘電率１０）製の誘電体回路基板３７と、誘
電体回路基板の表面に銅メッキにより形成されたストリ
ップライン３８，３９と、誘電体回路基板に銅メッキに
より形成されたスルーホール４０と、誘電体回路基板の
表面に銅メッキにより形成されたグランドパターン４１
と、誘電体回路基板の裏面に銅メッキにより形成された
グランド面４２を有する。
９号公報開示の構造を示しており、図５は斜視図、図６
はそのＥ−Ｅ線断面図である。図５，６を参照すると、
高誘電率（比誘電率１００）誘電体からなる平面板３２
と、平面板の表面及び裏面に銅メッキにより形成された
導体膜３３，３４と、平面板の相対する側面に銅メッキ
により形成された導体膜からなる端子３５，３６と、ア
ルミナ（比誘電率１０）製の誘電体回路基板３７と、誘
電体回路基板の表面に銅メッキにより形成されたストリ
ップライン３８，３９と、誘電体回路基板に銅メッキに
より形成されたスルーホール４０と、誘電体回路基板の
表面に銅メッキにより形成されたグランドパターン４１
と、誘電体回路基板の裏面に銅メッキにより形成された
グランド面４２を有する。
【０００４】グランドパターン４１はスルーホール４０
によりグランド面４２に接続されている。端子３５及び
３６は夫々平面板の表面の導体膜３３に接続されてい
る。また、２つの端子３５及び３６は夫々ストリップラ
イン３８及び３９に接続されている。平面板の裏面の導
体膜３４はグランドパターン４１に重なる様に接続され
ている。
によりグランド面４２に接続されている。端子３５及び
３６は夫々平面板の表面の導体膜３３に接続されてい
る。また、２つの端子３５及び３６は夫々ストリップラ
イン３８及び３９に接続されている。平面板の裏面の導
体膜３４はグランドパターン４１に重なる様に接続され
ている。
【０００５】平面板３２は、インピーダンスマッチング
回路において、インピーダンス変換用コンデンサとして
動作する。そして、平面板３２で発生する熱はスルーホ
ール４０を介してグランドパターン４１に伝達、拡散
し、放熱される。
回路において、インピーダンス変換用コンデンサとして
動作する。そして、平面板３２で発生する熱はスルーホ
ール４０を介してグランドパターン４１に伝達、拡散
し、放熱される。
【０００６】また、別の従来の技術としては、図７の様
に例えば、プッシュプル形のトランジスタ１７が設けら
れており、このトランジスタ１７の信号入力側に、スト
リップライン５，６と、入力端子１，２と、バイアス供
給用パターン９，１０とが形成されている。また、トラ
ンジスタ１７の信号出力側にストリップライン７，８
と、出力端子３，４と、バイアス供給用パターン１１，
１２とが形成されている。
に例えば、プッシュプル形のトランジスタ１７が設けら
れており、このトランジスタ１７の信号入力側に、スト
リップライン５，６と、入力端子１，２と、バイアス供
給用パターン９，１０とが形成されている。また、トラ
ンジスタ１７の信号出力側にストリップライン７，８
と、出力端子３，４と、バイアス供給用パターン１１，
１２とが形成されている。
【０００７】ストリップライン５，６の一方の端はトラ
ンジスタ１７に接続され、他端は入力端子１，２に接続
されており、また、ストリップライン７，８の一方の端
はトランジスタ１７に接続され、他端は出力端子３，４
に接続されている。
ンジスタ１７に接続され、他端は入力端子１，２に接続
されており、また、ストリップライン７，８の一方の端
はトランジスタ１７に接続され、他端は出力端子３，４
に接続されている。
【０００８】信号入力側のストリップライン５，６の間
には、容量を分割したインピーダンス変換用磁器コンデ
ンサ４３，４４が２個、並列に接続されている。これ
は、１個の磁器コンデンサよりも複数個の磁器コンデン
サに容量を分割した方が、表面積が増え、放熱の効果が
高いからである。また、同様に信号出力側のストリップ
ライン７，８の間にも、容量を分割したインピーダンス
変換用磁器コンデンサ４５，４６が２個、並列に接続さ
れている。
には、容量を分割したインピーダンス変換用磁器コンデ
ンサ４３，４４が２個、並列に接続されている。これ
は、１個の磁器コンデンサよりも複数個の磁器コンデン
サに容量を分割した方が、表面積が増え、放熱の効果が
高いからである。また、同様に信号出力側のストリップ
ライン７，８の間にも、容量を分割したインピーダンス
変換用磁器コンデンサ４５，４６が２個、並列に接続さ
れている。
【０００９】そして、入力端子１，２に等レベルで１８
０°の位相差を持つ信号を入力すると、トランジスタ１
７によってこれが増幅され、出力端子３，４に、増幅さ
れた等レベルで１８０°の位相差を持つ信号が出力され
る。
０°の位相差を持つ信号を入力すると、トランジスタ１
７によってこれが増幅され、出力端子３，４に、増幅さ
れた等レベルで１８０°の位相差を持つ信号が出力され
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】図５，６に示した従来
構造では、発熱素子であるコンデンサの放熱は、スルー
ホール４０を介して第２層目の接地パターンに伝達され
て拡散する様になっているので、対接地間でのみ可能と
なっており、放熱効果が少ないという欠点がある。
構造では、発熱素子であるコンデンサの放熱は、スルー
ホール４０を介して第２層目の接地パターンに伝達され
て拡散する様になっているので、対接地間でのみ可能と
なっており、放熱効果が少ないという欠点がある。
【００１１】また、図７に示す従来の構造では、放熱効
果を良くするために、インピーダンス変換用磁器コンデ
ンサの容量を分割して複数個（図７では２個）並列に接
続する構成であり、これはＲＦ的に見ると、単なる並列
合成容量としては取扱うことができず、取付け位置によ
ってインピーダンスが変化することになる。よって、イ
ンピーダンスマッチングがとれないという欠点がある。
果を良くするために、インピーダンス変換用磁器コンデ
ンサの容量を分割して複数個（図７では２個）並列に接
続する構成であり、これはＲＦ的に見ると、単なる並列
合成容量としては取扱うことができず、取付け位置によ
ってインピーダンスが変化することになる。よって、イ
ンピーダンスマッチングがとれないという欠点がある。
【００１２】本発明の目的は、発熱体の温度上昇を効率
良く抑えることが可能な回路基板を提供することであ
る。
良く抑えることが可能な回路基板を提供することであ
る。
【００１３】本発明の他の目的は、発熱体としてのイン
ピーダンス調整用コンデンサを分割することなく、単一
で用いて調整を正確に行いかつ放熱効果も大とした回路
基板を提供することである。
ピーダンス調整用コンデンサを分割することなく、単一
で用いて調整を正確に行いかつ放熱効果も大とした回路
基板を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、発熱体
と、この発熱体に接続されこの発熱体付近の温度よりも
低温の箇所まで延伸して形成された回路パターンと、こ
の回路パターン上に被着形成された良熱伝導性の金属パ
ターンとを含むことを特徴とする回路基板が得られる。
と、この発熱体に接続されこの発熱体付近の温度よりも
低温の箇所まで延伸して形成された回路パターンと、こ
の回路パターン上に被着形成された良熱伝導性の金属パ
ターンとを含むことを特徴とする回路基板が得られる。
【００１５】そして、前記金属パターンは前記回路パタ
ーン上に半田付にて被着形成されていることを特徴とし
ており、また、前記低温の箇所は電源ラインであること
を特徴としており、更に、前記回路パターンはストリッ
プ線路であり、前記金属パターンは銅板であることを特
徴としている。
ーン上に半田付にて被着形成されていることを特徴とし
ており、また、前記低温の箇所は電源ラインであること
を特徴としており、更に、前記回路パターンはストリッ
プ線路であり、前記金属パターンは銅板であることを特
徴としている。
【００１６】そして、前記発熱体は、電力増幅用トラン
ジスタの入力または出力と電源ラインとの間に接続され
たインピーダンス調整用コンデンサであり、前記回路パ
ターンは、前記コンデンサの一端と前記電源ラインとの
間の接続パターンであることを特徴としている。
ジスタの入力または出力と電源ラインとの間に接続され
たインピーダンス調整用コンデンサであり、前記回路パ
ターンは、前記コンデンサの一端と前記電源ラインとの
間の接続パターンであることを特徴としている。
【００１７】また、前記発熱体は、プッシュプル型電力
増幅用トランジスタの一対の入力端子間または一対の出
力端子間に接続されたインピーダンス調整用コンデンサ
であり、前記回路パターンは、前記一対の端子へバイア
スを供給するためのバイアスラインのパターンであるこ
とを特徴としている。
増幅用トランジスタの一対の入力端子間または一対の出
力端子間に接続されたインピーダンス調整用コンデンサ
であり、前記回路パターンは、前記一対の端子へバイア
スを供給するためのバイアスラインのパターンであるこ
とを特徴としている。
【００１８】更に、前記発熱体は、前記電力増幅用トラ
ンジスタの出力端子とマイクロストリップバラン回路と
の間に接続されたインピーダンス調整用のコンデンサで
あり、前記回路パターンは、前記マイクロストリップバ
ラン回路を構成するパターンであることを特徴としてい
る。
ンジスタの出力端子とマイクロストリップバラン回路と
の間に接続されたインピーダンス調整用のコンデンサで
あり、前記回路パターンは、前記マイクロストリップバ
ラン回路を構成するパターンであることを特徴としてい
る。
【００１９】本発明の作用を述べる。発熱体に一端が接
続されて他端が電源ライン等のより低温部に接続された
回路パターンを、良熱伝導性の金属パターンで披着する
ことにより、その部分の回路パターンの断面積が増大す
るので、発熱体の熱は低温部へと効率良く伝導して拡散
されることになる。
続されて他端が電源ライン等のより低温部に接続された
回路パターンを、良熱伝導性の金属パターンで披着する
ことにより、その部分の回路パターンの断面積が増大す
るので、発熱体の熱は低温部へと効率良く伝導して拡散
されることになる。
【００２０】よって、発熱体の冷却効果が大となり、発
熱体がインピーダンス調整用のコンデンサである場合に
は、これを複数に分割して並列配置する必要がなくな
り、単一のコンデンサとすることができ、調整が正確に
行える。
熱体がインピーダンス調整用のコンデンサである場合に
は、これを複数に分割して並列配置する必要がなくな
り、単一のコンデンサとすることができ、調整が正確に
行える。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下に図面を用いて本発明の実施
の形態について説明する。
の形態について説明する。
【００２２】図１は本発明の一実施例の平面図であり、
図２（ａ），（ｂ）は図１のＡ−Ａ，Ｂ−Ｂ線の各断面
図である。尚、図１，２において、図７と同等部分は同
一符号にて示している。
図２（ａ），（ｂ）は図１のＡ−Ａ，Ｂ−Ｂ線の各断面
図である。尚、図１，２において、図７と同等部分は同
一符号にて示している。
【００２３】図１，２に示す様に、プッシュプル形トラ
ンジスタ１７の信号入力側に、ストリップライン５，６
と、入力端子１，２と、バイアス供給用パターン９，１
０とが形成されており、また信号出力側に、出力端子
３，４と、バイアス供給用パターン１１，１２とが形成
されている。
ンジスタ１７の信号入力側に、ストリップライン５，６
と、入力端子１，２と、バイアス供給用パターン９，１
０とが形成されており、また信号出力側に、出力端子
３，４と、バイアス供給用パターン１１，１２とが形成
されている。
【００２４】ストリップライン５，６の一方の端はプッ
シュプル形トランジスタ１７に接続され、他端は入力端
子１，２に接続されており、また、ストリップライン
７，８の一方の端はプッシュプル形トランジスタ１７に
接続され、他端は出力端子３，４に接続されている。
シュプル形トランジスタ１７に接続され、他端は入力端
子１，２に接続されており、また、ストリップライン
７，８の一方の端はプッシュプル形トランジスタ１７に
接続され、他端は出力端子３，４に接続されている。
【００２５】図２（ａ）の様に、信号入力側のストリッ
プライン５，６の上には、インピーダンス変換用磁器コ
ンデンサの熱をバイアス供給用パターンに伝導，拡散さ
せるための放熱用銅板１３，１４が重なる様にハンダに
て披着形成して接続され、ストリップライン５，６の間
には、インピーダンス変換用磁器コンデンサ１８が接続
されている。
プライン５，６の上には、インピーダンス変換用磁器コ
ンデンサの熱をバイアス供給用パターンに伝導，拡散さ
せるための放熱用銅板１３，１４が重なる様にハンダに
て披着形成して接続され、ストリップライン５，６の間
には、インピーダンス変換用磁器コンデンサ１８が接続
されている。
【００２６】また、図２（ｂ）の様に信号出力側のスト
リップライン７，８の上には、インピーダンス変換用磁
器コンデンサ１９の熱をバイアス供給用パターン１１，
１２に伝導，拡散させるための放熱用銅板１５，１６が
重なる様にハンダにて披着形成して接続され、ストリッ
プライン７，８の間には、インピーダンス変換用磁器コ
ンデンサ１９が接続されている。尚、図１の平面図で
は、２層構造部分について、他の一層構造と区別するた
めに、２重枠で示している。
リップライン７，８の上には、インピーダンス変換用磁
器コンデンサ１９の熱をバイアス供給用パターン１１，
１２に伝導，拡散させるための放熱用銅板１５，１６が
重なる様にハンダにて披着形成して接続され、ストリッ
プライン７，８の間には、インピーダンス変換用磁器コ
ンデンサ１９が接続されている。尚、図１の平面図で
は、２層構造部分について、他の一層構造と区別するた
めに、２重枠で示している。
【００２７】かかる構成において、入力端子１，２に等
レベルで１８０°の位相差を持つ信号を入力する。バイ
アス供給用パターン９，１０，１１，１２より、トラン
ジスタ１７にバイアスをかけ、インピーダンス変換用磁
器コンデンサ１８の容量や位置を変えることで入力のイ
ンピーダンスを、また、インピーダンス変換用磁器コン
デンサ１９の容量や位置を変えることで出力のインピー
ダンスを変えることができる。これにより、個々のトラ
ンジスタの入出力インピーダンスのばらつきを吸収する
ことができ、インピーダンスマッチングをとることがで
きる。
レベルで１８０°の位相差を持つ信号を入力する。バイ
アス供給用パターン９，１０，１１，１２より、トラン
ジスタ１７にバイアスをかけ、インピーダンス変換用磁
器コンデンサ１８の容量や位置を変えることで入力のイ
ンピーダンスを、また、インピーダンス変換用磁器コン
デンサ１９の容量や位置を変えることで出力のインピー
ダンスを変えることができる。これにより、個々のトラ
ンジスタの入出力インピーダンスのばらつきを吸収する
ことができ、インピーダンスマッチングをとることがで
きる。
【００２８】この際、インピーダンス変換用磁器コンデ
ンサ１８，１９自身及び取付け部付近のパターンの熱
は、放熱用銅板１３，１４，１５，１６によってパター
ンの断面積が増えるので、効率的にバイアス供給用パタ
ーン９，１０，１１，１２に伝導，拡散，放熱される。
トランジスタ１７で増幅された信号は、出力端子３，４
に等レベルの１８０°の位相差を持つ信号として出力さ
れる。
ンサ１８，１９自身及び取付け部付近のパターンの熱
は、放熱用銅板１３，１４，１５，１６によってパター
ンの断面積が増えるので、効率的にバイアス供給用パタ
ーン９，１０，１１，１２に伝導，拡散，放熱される。
トランジスタ１７で増幅された信号は、出力端子３，４
に等レベルの１８０°の位相差を持つ信号として出力さ
れる。
【００２９】次に、本発明の他の実施例について図面を
参照して説明する。図３はその平面図、図４（ａ），
（ｂ）は、図３のＣ−Ｃ，Ｄ−Ｄ線の断面図を夫々示し
ており、図１，２と同等部分は同一符号にて示されてい
る。尚、図３においても、２層構造部分については、他
の１層構造と区別するために、２重枠で示している。
参照して説明する。図３はその平面図、図４（ａ），
（ｂ）は、図３のＣ−Ｃ，Ｄ−Ｄ線の断面図を夫々示し
ており、図１，２と同等部分は同一符号にて示されてい
る。尚、図３においても、２層構造部分については、他
の１層構造と区別するために、２重枠で示している。
【００３０】図３，４の様に、プッシュプル形のトラン
ジスタ１７の信号入力側に、ストリップライン５，６
と、入力端子１と、バイアス供給用パターン９，１０
と、マイクロストリップバラン回路３０とが設けられて
いる。また、信号出力側に出力端子３と、バイアス供給
用パターン１１，１２と、マイクロストリップバラン回
路３１とが設けられている。
ジスタ１７の信号入力側に、ストリップライン５，６
と、入力端子１と、バイアス供給用パターン９，１０
と、マイクロストリップバラン回路３０とが設けられて
いる。また、信号出力側に出力端子３と、バイアス供給
用パターン１１，１２と、マイクロストリップバラン回
路３１とが設けられている。
【００３１】ストリップライン５，６の一方の他端はト
ランジスタ１７に接続され、他端は磁器コンデンサ２
１，２２を介して、マイクロストリップバラン回路３０
の一方の端に接続され、マイクロストリップバラン回路
３０の他端は入力端子１に接続されている。また、スト
リップライン７，８の一方の端はトランジスタ１７に接
続され、他端は磁器コンデンサ２３，２４を介して、マ
イクロストリップバラン回路３１の一方の端に接続さ
れ、マイクロストリップバラン回路３１の他端は出力端
子３に接続されている。
ランジスタ１７に接続され、他端は磁器コンデンサ２
１，２２を介して、マイクロストリップバラン回路３０
の一方の端に接続され、マイクロストリップバラン回路
３０の他端は入力端子１に接続されている。また、スト
リップライン７，８の一方の端はトランジスタ１７に接
続され、他端は磁器コンデンサ２３，２４を介して、マ
イクロストリップバラン回路３１の一方の端に接続さ
れ、マイクロストリップバラン回路３１の他端は出力端
子３に接続されている。
【００３２】図４（ａ）の様に、信号入力側のマイクロ
ストリップバラン回路３０の上にはパターンの熱を接地
パターン２７に伝導，拡散させるための放熱用銅板２５
が重なる様にハンダにて接続され、ストリップライン
５，６の間には、インピーダンス変換用磁器コンデンサ
１８が接続されている。
ストリップバラン回路３０の上にはパターンの熱を接地
パターン２７に伝導，拡散させるための放熱用銅板２５
が重なる様にハンダにて接続され、ストリップライン
５，６の間には、インピーダンス変換用磁器コンデンサ
１８が接続されている。
【００３３】また、図４（ｂ）の様に、信号出力側のマ
イクロストリップバラン回路３１の上にはパターンの熱
を接地パターン２７に伝導，拡散させるための放熱用銅
板２６が重なる様にハンダにて接続され、ストリップラ
イン７，８の間には、インピーダンス変換用磁器コンデ
ンサ１９が接続されている。尚、２８，２９はスルーホ
ールを示している。
イクロストリップバラン回路３１の上にはパターンの熱
を接地パターン２７に伝導，拡散させるための放熱用銅
板２６が重なる様にハンダにて接続され、ストリップラ
イン７，８の間には、インピーダンス変換用磁器コンデ
ンサ１９が接続されている。尚、２８，２９はスルーホ
ールを示している。
【００３４】入力端子１に信号を入力すると、信号は、
入力側のマイクロストリップバラン回路３０により等レ
ベルで１８０°の位相差を持つ２信号に分けられ、磁器
コンデンサ２１，２２及びストリップライン５，６を経
てプッシュプル形のトランジスタ１７に入力される。
入力側のマイクロストリップバラン回路３０により等レ
ベルで１８０°の位相差を持つ２信号に分けられ、磁器
コンデンサ２１，２２及びストリップライン５，６を経
てプッシュプル形のトランジスタ１７に入力される。
【００３５】バイアス供給用パターン９，１０，１１，
１２より、トランジスタ１７にバイアスをかけ、インピ
ーダンス変換用磁器コンデンサ１８の容量や位置を変え
ることで入力のインピーダンスを、また、インピーダン
ス変換用磁器コンデンサ１９の容量や位置を変えること
で出力のインピーダンスを変えることができる。これに
より、個々のトランジスタの入出力インピーダンスのば
らつきを吸収することができ、インピーダンスマッチン
グをとることができる。
１２より、トランジスタ１７にバイアスをかけ、インピ
ーダンス変換用磁器コンデンサ１８の容量や位置を変え
ることで入力のインピーダンスを、また、インピーダン
ス変換用磁器コンデンサ１９の容量や位置を変えること
で出力のインピーダンスを変えることができる。これに
より、個々のトランジスタの入出力インピーダンスのば
らつきを吸収することができ、インピーダンスマッチン
グをとることができる。
【００３６】この際、マイクロストリップバラン回路の
パターンの熱は、放熱用銅板２５，２６によってパター
ンの断面積が増えるので、接地パターン２７に効率的に
伝導，拡散，放熱される。プッシュプル形のトランジス
タ１７で増幅された１８０°の位相差を持つ２信号は、
ストリップライン７，８及び磁器コンデンサ２３，２４
を介してマイクロストリップバラン回路３１に入力さ
れ、マイクロストリップバラン回路３１にて、合成され
出力端子３に出力される。
パターンの熱は、放熱用銅板２５，２６によってパター
ンの断面積が増えるので、接地パターン２７に効率的に
伝導，拡散，放熱される。プッシュプル形のトランジス
タ１７で増幅された１８０°の位相差を持つ２信号は、
ストリップライン７，８及び磁器コンデンサ２３，２４
を介してマイクロストリップバラン回路３１に入力さ
れ、マイクロストリップバラン回路３１にて、合成され
出力端子３に出力される。
【００３７】尚、これ等放熱用銅板の断面厚さは、例え
ば０．４ｍｍとし、マイクロストリップライン（回路パ
ターン）のそれ（約１３μｍ）に比し大とすることで、
放熱効果を良好とするものである。もっとも、この放熱
用銅板の代りに、他の熱伝導性の良い、低コストの金属
を用いることができるものである。
ば０．４ｍｍとし、マイクロストリップライン（回路パ
ターン）のそれ（約１３μｍ）に比し大とすることで、
放熱効果を良好とするものである。もっとも、この放熱
用銅板の代りに、他の熱伝導性の良い、低コストの金属
を用いることができるものである。
【００３８】本発明の第３の実施例として、プッシュプ
ル形のトランジスタの代りに、単一（シングル形）のト
ランジスタを電力増幅用に使用した場合にも、適用され
る。この場合には、トランジスタの入力，出力と接地ラ
イン間にインピーダンス調整用コンデンサが接続される
が、このコンデンサと接地ラインとの間の回路パターン
上に、上述の２層の放熱構造を採用すれば良いことにな
る。
ル形のトランジスタの代りに、単一（シングル形）のト
ランジスタを電力増幅用に使用した場合にも、適用され
る。この場合には、トランジスタの入力，出力と接地ラ
イン間にインピーダンス調整用コンデンサが接続される
が、このコンデンサと接地ラインとの間の回路パターン
上に、上述の２層の放熱構造を採用すれば良いことにな
る。
【００３９】
【発明の効果】第１の効果は、プッシュプル形やシング
ル形トランジスタを使用した電力増幅器において、イン
ピーダンス変換用磁器コンデンサ自身及び取付け部付近
の温度上昇を少なくすることができ、部品の信頼性が上
がる点である。その理由は、付加した放熱用銅板によっ
てパターンの断面積が増えて、比較的温度の低いパター
ンに熱を効率的に伝導，拡散，放熱することができるか
らである。
ル形トランジスタを使用した電力増幅器において、イン
ピーダンス変換用磁器コンデンサ自身及び取付け部付近
の温度上昇を少なくすることができ、部品の信頼性が上
がる点である。その理由は、付加した放熱用銅板によっ
てパターンの断面積が増えて、比較的温度の低いパター
ンに熱を効率的に伝導，拡散，放熱することができるか
らである。
【００４０】第２の効果は、入出力インピーダンスの変
化をなくすことができることである。その理由は、放熱
用銅板を付加することによって、インピーダンス変換用
磁器コンデンサの容量を分割し、複数個並列に接続する
必要がなくなるからである。
化をなくすことができることである。その理由は、放熱
用銅板を付加することによって、インピーダンス変換用
磁器コンデンサの容量を分割し、複数個並列に接続する
必要がなくなるからである。
【図１】本発明の一実施例の平面図である。
【図２】（ａ）は図１のＡ−Ａ線の断面図、（ｂ）は図
１のＢ−Ｂ線の断面図である。
１のＢ−Ｂ線の断面図である。
【図３】本発明の他の実施例の平面図である。
【図４】（ａ）は図３のＣ−Ｃ線の断面図、（ｂ）は図
１のＤ−Ｄ線の断面図である。
１のＤ−Ｄ線の断面図である。
【図５】従来の回路基板の一例の斜視図である。
【図６】従来の回路基板の一例のＥ−Ｅ線の断面図であ
る。
る。
【図７】従来の回路基板の他の例の平面図である。
１，２ 入力端子 ３，４ 出力端子 ５〜８ ストリップライン ９〜１２ バイアス供給用パターン １３〜１６，２５，２６ 放熱用銅板 １７ プッシュプル形トランジスタ １８，１９，２１〜２４ 磁器コンデンサ ２０ 基板 ２７ 接地パターン ２８，２９ スルーホール ３０，３１ マイクロストリップバラン回路
Claims (7)
- 【請求項１】 発熱体と、この発熱体に接続されこの発
熱体付近の温度よりも低温の箇所まで延伸して形成され
た回路パターンと、この回路パターン上に被着形成され
た良熱伝導性の金属パターンとを含むことを特徴とする
回路基板。 - 【請求項２】 前記金属パターンは前記回路パターン上
に半田付にて被着形成されていることを特徴とする請求
項１記載の回路基板。 - 【請求項３】 前記低温の箇所は電源ラインであること
を特徴とする請求項１または２記載の回路基板。 - 【請求項４】 前記回路パターンはストリップ線路であ
り、前記金属パターンは銅板であることを特徴とする請
求項１〜３いずれか記載の回路基板。 - 【請求項５】 前記発熱体は、電力増幅用トランジスタ
の入力または出力と電源ラインとの間に接続されたイン
ピーダンス調整用コンデンサであり、前記回路パターン
は、前記コンデンサの一端と前記電源ラインとの間の接
続パターンであることを特徴とする請求項１〜４いずれ
か記載の回路基板。 - 【請求項６】 前記発熱体は、プッシュプル型電力増幅
用トランジスタの一対の入力端子間または一対の出力端
子間に接続されたインピーダンス調整用コンデンサであ
り、前記回路パターンは、前記一対の端子へバイアスを
供給するためのバイアスラインのパターンであることを
特徴とする請求項１〜４いずれか記載の回路基板。 - 【請求項７】 前記発熱体は、前記電力増幅用トランジ
スタの出力端子とマイクロストリップバラン回路との間
に接続されたインピーダンス調整用のコンデンサであ
り、前記回路パターンは、前記マイクロストリップバラ
ン回路を構成するパターンであることを特徴とする請求
項１〜６いずれか記載の回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8344360A JP2828081B2 (ja) | 1996-12-25 | 1996-12-25 | 回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8344360A JP2828081B2 (ja) | 1996-12-25 | 1996-12-25 | 回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10190169A JPH10190169A (ja) | 1998-07-21 |
| JP2828081B2 true JP2828081B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=18368642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8344360A Expired - Fee Related JP2828081B2 (ja) | 1996-12-25 | 1996-12-25 | 回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2828081B2 (ja) |
-
1996
- 1996-12-25 JP JP8344360A patent/JP2828081B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10190169A (ja) | 1998-07-21 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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