JP2817908B2 - 熱間加工能を持つ酸窒化ケイ素基セラミックスの製造方法 - Google Patents
熱間加工能を持つ酸窒化ケイ素基セラミックスの製造方法Info
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えたエンジニアリングセラミックスの製造方法に関する
ものであり、更に詳しくは、本発明は、より広範な歪み
速度(加工速度)、かつ小さな変形抵抗で熱間加工が可
能な高靱性の緻密質酸窒化ケイ素基セラミックスを製造
する方法に関するものである。最終的な熱処理を経て得
られる焼結体は、緻密で、優れた機械的特性を有してお
り、エネルギー及び自動車産業で使用されるエンジン部
品、メカニカルシール等の摺動材、その他エンジニアリ
ングセラミックスとして有用である。
コスト高の原因の一つとされる。エンジニアリングセラ
ミックスの熱間加工として、ジルコニア(Advanc
edCeramics Materials,Vol.
1,p.259−63(1986))や窒化ケイ素系セ
ラミックスの超塑性加工(Journal of Am
erican Ceramic Society,Vo
l.75,p.2363−72(1992))等が知ら
れているが、加工の際の歪み速度(加工速度)が非常に
小さい。また、酸窒化ケイ素基セラミックスの熱間加工
については、報告例はない。
ミックスの熱間加工として、いくつかの研究報告がなさ
れているが、いずれも、加工の際の歪み速度(加工速
度)が非常に小さいものであり、より広範な歪み速度
(加工速度)、かつ小さな変形抵抗で熱間加工が可能な
エンジニアリングセラミックスを製造し得る技術を開発
することが強く求められている状況にあった。
で、本発明者らは、上記従来技術に鑑みて、酸窒化ケイ
素基セラミックスの熱間加工について鋭意研究を積み重
ねた結果、Si3 N4 及びSiO2 をはじめとする液相
を生成させるための第二成分を所定の割合で混合した粉
末を出発原料として、その成形体を窒素雰囲気中で焼成
して作製した、微細なSi3 N4 粒子とガラス相よりな
るプリフォームが、緻密質であり、かつ広範な歪み速度
(加工速度)で熱間加工することが可能であること、更
に、熱間加工後のプリフォームをより高温で焼成するこ
とにより高靱性の緻密質酸窒化ケイ素基セラミックスと
なること、を見出し、本発明を完成するに至った。すな
わち、本発明は、より広範な歪み速度(加工速度)、か
つ小さな変形抵抗で熱間加工が可能なエンジニアリング
セラミックスを創製することを目的とするものである。
また、本発明は、微細なSi3 N4 粒子とガラス相より
なる緻密質のプリフォームを作製することを目的とする
ものである。更に、本発明は、熱間加工後のプリフォー
ムに最終的な熱処理を施して、緻密で、優れた機械的特
性をもつ、高靱性の緻密質酸窒化ケイ素基セラミックス
を製造することを目的とするものである。
の本発明は、Si3 N4 、SiO2 、MgO、Al2O
3 、KF(又は1/2K2 O)、Y2 O3 等の粉末を各
々1.0〜1.5:1.0〜1.5:0.1〜0.4:
0.1〜0.4:0〜0.3:0〜0.3のモル比で混
合した粉末を成形し、常圧窒素雰囲気下1300〜16
00℃で焼成することを特徴とする微細なSi3 N4 粒
子とガラス相よりなるプリフォームの製造方法、に係
る。また、本発明は、上記により作製したプリフォーム
を常圧窒素雰囲気下1300〜1600℃で熱間加工し
形状付与し、更に窒素雰囲気下1650〜1800℃で
焼成することを特徴とする酸窒化ケイ素(Si2 N
2 O)粗大柱状粒子とβ−Si3 N4 粒子及びその他粒
界第2相より構成された高靱性の緻密質酸窒化ケイ素基
セラミックスの製造方法、に係る。
に説明する。本発明は、熱間加工性能を備えたエンジニ
アリングセラミックスの製造方法に関するものである。
本発明に係るセラミックスの製造方法は、先ずSi3 N
4 、SiO2 、MgO、Al2 O3 、KF(又は1/2
K2 O)、Y2 O3 等を所定の割合で混合した粉末を出
発原料として、その成形体を窒素雰囲気で焼成し、微細
なSi3 N4 粒子とガラス相よりなるプリフォームを作
製する。このプリフォームは緻密質であり、かつ広範な
歪み速度(加工速度)で熱間加工することが可能であ
る。つまり、熱間加工の際に、プリフォーム中において
酸窒化ケイ素の析出反応やガラスの結晶化が起こらず、
なおかつ、そのガラス相が広い温度範囲で適当な粘度を
もつ。更に加工後、窒素雰囲気下で焼成することによ
り、酸窒化ケイ素(Si2 N2 O)粗大柱状粒子とβ−
Si3 N4 粒子及びその他粒界相より構成された高靱性
の緻密質酸窒化ケイ素基セラミックスを作製する。本発
明の製造方法は、酸窒化ケイ素基セラミックスに熱間加
工性を付与するものであり、従来この様な製造方法は存
在しない。
ックスを、Si3 N4 及び液相を生成させるための第二
成分(SiO2 、MgO、Al2 O3 、KF(又は1/
2K2 O)、Y2 O3 等)を出発原料として用いること
により、酸窒化ケイ素の析出反応が起こらない比較的低
い温度条件で焼結し、微細なSi3 N4 粒子とガラス相
よりなる緻密質プリフォームを常圧窒素雰囲気で作製す
ることができる。この微細なSi3 N4 粒子とガラス相
よりなるプリフォームはガラスの粘性流動により広範な
歪み速度(加工速度)、かつ小さな変形抵抗で熱間加工
が可能である。更に、熱間加工後のプリフォームをより
高温で焼成し、Si3 N4 粒子とガラス相を反応させて
酸窒化ケイ素(Si2 N2 O)粗大柱状粒子を析出させ
ることにより高靱性の緻密質酸窒化ケイ素基セラミック
スとなる。
ては、Si3 N4 、SiO2 、MgO、Al2 O3 、K
F(又は1/2K2 O)、Y2 O3 の粉末を、各々1.
0〜1.5:1.0〜1.5:0.1〜0.4:0.1
〜0.4:0〜0.3:0〜0.3のモル比で混合した
粉末を出発原料として用いることが必要である。Si3
N4 としては、成形性にすぐれ、その後の熱間加工に有
利なサブミクロンオーダーの微細な粉末が例示される。
また、液相を生成させるための第二成分としては、Si
O2 、MgO、Al2 O3 、KF(又は1/2K
2 O)、Y2 O3 等が用いられるが、好適にはSi
O2 、MgO、Al2 O3 、KFが使用される。本発明
においては、上記モル比で混合した特定の粉末を用いる
ことが重要であり、出発原料として、これらのモル比の
範囲以外の割合で混合した粉末を用いた場合には所期の
効果を得ることができない。上記所定の割合で混合した
粉末を適宜成形して成形体を作製し、該成形体を常圧窒
素雰囲気下で焼成してプリフォームを作製するが、この
場合、成形方法としては、例えば、CIP成形、鋳込成
形、押し出し成形などが好適なものとして例示され、ま
た、焼成は、比較的低い温度条件で焼結することが必要
であり、焼成温度としては、1300〜1600℃が好
適なものとして例示されるが、その成形、焼成手段等は
特に限定されるものではない。
常圧窒素雰囲気下で熱間加工し、形状を付与し、更に窒
素雰囲気下で焼成し、酸窒化ケイ素(Si2 N2 O)粗
大柱状粒子とβ−Si3 N4 粒子及びその他粒界第2相
より構成された高靱性の緻密質酸窒化ケイ素基セラミッ
クスを作製するが、この場合、上記熱間加工は、酸窒化
ケイ素の析出反応が起こりずらく、ガラス相が適度な粘
度をもつ1300〜1600℃、また、上記焼成は、酸
窒化ケイ素の析出反応が生じやすい1650〜1800
℃の条件が好適なものとして例示される。
ォームは、後記する実施例に示したように、常圧窒素雰
囲気下1500℃での圧縮試験の結果、1.4×10-2
〜1.4×10-4 S-1の歪み速度(加工速度)と、1
0MPa以下の変形抵抗で亀裂を生じることなく100
%以上の塑性変形を示す。また、十分に緻密化(かさ密
度2.9g/cm3 )して残留気孔もなく、加工中に酸
窒化ケイ素の析出及びガラス相の結晶化がほとんどない
ため、加工中に亀裂を生じることがないなどの、優れた
特性を有するものであることがわかった。
m3 )、焼成して作製される酸窒化ケイ素基セラミック
スは、相対密度98%以上まで緻密化(かさ密度2.9
g/cm3 )しており、破壊靱性KICは、5.0MPa
・m1/2 (ヤング率201GPa、強度700MPa)
を示し、焼成前後での体積(寸法)変化がほとんどない
ため、後加工が不要などの、緻密で、優れた機械的特性
及び焼結体特性をもつものであることがわかった。
明するが、本発明は、当該実施例によって何ら限定され
るものではない。 実施例1 Si3 N4 (デンカ製、SN−9FWS)、SiO
2 (アドマテック製、アドマファイン SO−E1)、
MgO、Al2 O3 、KFの粉末を各々1.0:1.
0:0.2:0.2:0.12のモル比で混合した粉末
を5ton/cm2 でCIP成形し、常圧窒素雰囲気下
1500℃で4時間焼成して微細なSi3 N4粒子とガ
ラス相よりなる相対密度98%以上の緻密質プリフォー
ムを作製した。このプリフォーム(6φ×6H)を常圧
窒素雰囲気下1500℃で圧縮試験したところ、1.4
×10-2〜1.4×10-4s-1の歪み速度、10MPa
以下の変形抵抗で亀裂を生じることなく100%以上の
塑性変形を示した。加工後、1700℃で4時間、0.
9MPaの窒素加圧雰囲気で焼成し、酸窒化ケイ素を析
出させた。最終的に得られた酸窒化ケイ素基セラミック
スは、相対密度98%以上まで緻密化(かさ密度2.9
g/cm3 )しており、破壊靱性KICは5.0MPa・
m1/2 (強度700MPa、ヤング率201GPa)を
示した。
末を各々1.0:1.0:0.05:0.05:0.1
2のモル比で混合した粉末を用いた以外、実施例1と同
様にプリフォームを作製したところ、生成したガラス相
の粘度が高すぎるため十分に緻密化しなかった(相対密
度90%以下)。従って、加工の際に一部残留気孔から
発生したと思われる亀裂が認められた。
末を各々1.0:1.0:0.5:0.5:0.12の
モル比で混合した粉末を用いた以外、実施例1と同様の
方法で行ったところ、熱間加工までは、同様に実施可能
であったが、酸窒化ケイ素を析出させるために1650
℃及び1700℃で焼成したところ、ガラス相の粘度が
下がりすぎた結果、形が崩れ、更にガラス相の分解によ
り、かさ密度が2.7g/cm3 以下まで低下した。
工性能を備えたエンジニアリングセラミックスの製造方
法に係るものであり、本発明により作製される緻密なS
i3 N 4 粒子とガラス相よりなるプリフォームは、ガラ
スの粘性流動により広範な歪み速度(加工速度)、かつ
小さな変形抵抗で熱間加工が可能である。また、熱間加
工後のプリフォームをより高温で焼成し、Si3 N4 粒
子とガラス相を反応させて酸窒化ケイ素(Si2 N
2 O)粗大柱状粒子を析出させることにより高靱性の緻
密質酸窒化ケイ素基セラミックスを作製することができ
る。最終的な熱処理を経て得られる上記焼結体は、緻密
で、優れた機械特性を有し、エネルギー及び自動車産業
で使用されるエンジン部品、メカニカルシール等の摺動
材、その他エンジニアリングセラミックスとして有用で
ある。
Claims (2)
- 【請求項1】 Si3 N4 、SiO2 、MgO、Al2
O3 、KF(又は1/2K2 O)、Y2 O3 等の粉末を
各々1.0〜1.5:1.0〜1.5:0.1〜0.
4:0.1〜0.4:0〜0.3:0〜0.3のモル比
で混合した粉末を成形し、常圧窒素雰囲気下1300〜
1600℃で焼成することを特徴とする微細なSi3 N
4 粒子とガラス相よりなるプリフォームの製造方法。 - 【請求項2】 請求項1により作製したプリフォームを
常圧窒素雰囲気下1300〜1600℃で熱間加工し形
状付与し、更に窒素雰囲気下1650〜1800℃で焼
成することを特徴とする酸窒化ケイ素(Si2 N2 O)
粗大柱状粒子とβ−Si3 N4 粒子及びその他粒界第2
相より構成された高靱性の緻密質酸窒化ケイ素基セラミ
ックスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8191496A JP2817908B2 (ja) | 1996-07-01 | 1996-07-01 | 熱間加工能を持つ酸窒化ケイ素基セラミックスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP8191496A JP2817908B2 (ja) | 1996-07-01 | 1996-07-01 | 熱間加工能を持つ酸窒化ケイ素基セラミックスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1017369A JPH1017369A (ja) | 1998-01-20 |
JP2817908B2 true JP2817908B2 (ja) | 1998-10-30 |
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ID=16275619
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP8191496A Expired - Lifetime JP2817908B2 (ja) | 1996-07-01 | 1996-07-01 | 熱間加工能を持つ酸窒化ケイ素基セラミックスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2817908B2 (ja) |
-
1996
- 1996-07-01 JP JP8191496A patent/JP2817908B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1017369A (ja) | 1998-01-20 |
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