JP2817908B2 - 熱間加工能を持つ酸窒化ケイ素基セラミックスの製造方法 - Google Patents

熱間加工能を持つ酸窒化ケイ素基セラミックスの製造方法

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優喜 大橋
和雄 中村
素弘 鳥山
修三 神崎
正明 小畑
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【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱間加工性能を備
えたエンジニアリングセラミックスの製造方法に関する
ものであり、更に詳しくは、本発明は、より広範な歪み
速度(加工速度)、かつ小さな変形抵抗で熱間加工が可
能な高靱性の緻密質酸窒化ケイ素基セラミックスを製造
する方法に関するものである。最終的な熱処理を経て得
られる焼結体は、緻密で、優れた機械的特性を有してお
り、エネルギー及び自動車産業で使用されるエンジン部
品、メカニカルシール等の摺動材、その他エンジニアリ
ングセラミックスとして有用である。
【0002】
【従来の技術】セラミックスは加工性に乏しく、それが
コスト高の原因の一つとされる。エンジニアリングセラ
ミックスの熱間加工として、ジルコニア(Advanc
edCeramics Materials,Vol.
1,p.259−63(1986))や窒化ケイ素系セ
ラミックスの超塑性加工(Journal of Am
erican Ceramic Society,Vo
l.75,p.2363−72(1992))等が知ら
れているが、加工の際の歪み速度(加工速度)が非常に
小さい。また、酸窒化ケイ素基セラミックスの熱間加工
については、報告例はない。
【0003】このように、従来、エンジニアリングセラ
ミックスの熱間加工として、いくつかの研究報告がなさ
れているが、いずれも、加工の際の歪み速度(加工速
度)が非常に小さいものであり、より広範な歪み速度
(加工速度)、かつ小さな変形抵抗で熱間加工が可能な
エンジニアリングセラミックスを製造し得る技術を開発
することが強く求められている状況にあった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このような状況の中
で、本発明者らは、上記従来技術に鑑みて、酸窒化ケイ
素基セラミックスの熱間加工について鋭意研究を積み重
ねた結果、Si3 4 及びSiO2 をはじめとする液相
を生成させるための第二成分を所定の割合で混合した粉
末を出発原料として、その成形体を窒素雰囲気中で焼成
して作製した、微細なSi3 4 粒子とガラス相よりな
るプリフォームが、緻密質であり、かつ広範な歪み速度
(加工速度)で熱間加工することが可能であること、更
に、熱間加工後のプリフォームをより高温で焼成するこ
とにより高靱性の緻密質酸窒化ケイ素基セラミックスと
なること、を見出し、本発明を完成するに至った。すな
わち、本発明は、より広範な歪み速度(加工速度)、か
つ小さな変形抵抗で熱間加工が可能なエンジニアリング
セラミックスを創製することを目的とするものである。
また、本発明は、微細なSi3 4 粒子とガラス相より
なる緻密質のプリフォームを作製することを目的とする
ものである。更に、本発明は、熱間加工後のプリフォー
ムに最終的な熱処理を施して、緻密で、優れた機械的特
性をもつ、高靱性の緻密質酸窒化ケイ素基セラミックス
を製造することを目的とするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明は、Si3 4 、SiO2 、MgO、Al2
3 、KF(又は1/2K2 O)、Y2 3 等の粉末を各
々1.0〜1.5:1.0〜1.5:0.1〜0.4:
0.1〜0.4:0〜0.3:0〜0.3のモル比で混
合した粉末を成形し、常圧窒素雰囲気下1300〜16
00℃で焼成することを特徴とする微細なSi3 4
子とガラス相よりなるプリフォームの製造方法、に係
る。また、本発明は、上記により作製したプリフォーム
を常圧窒素雰囲気下1300〜1600℃で熱間加工し
形状付与し、更に窒素雰囲気下1650〜1800℃で
焼成することを特徴とする酸窒化ケイ素(Si2
2 O)粗大柱状粒子とβ−Si3 4 粒子及びその他粒
界第2相より構成された高靱性の緻密質酸窒化ケイ素基
セラミックスの製造方法、に係る。
【0006】
【発明の実施の形態】続いて、本発明について更に詳細
に説明する。本発明は、熱間加工性能を備えたエンジニ
アリングセラミックスの製造方法に関するものである。
本発明に係るセラミックスの製造方法は、先ずSi3
4 、SiO2 、MgO、Al2 3 、KF(又は1/2
2 O)、Y2 3 等を所定の割合で混合した粉末を出
発原料として、その成形体を窒素雰囲気で焼成し、微細
なSi3 4 粒子とガラス相よりなるプリフォームを作
製する。このプリフォームは緻密質であり、かつ広範な
歪み速度(加工速度)で熱間加工することが可能であ
る。つまり、熱間加工の際に、プリフォーム中において
酸窒化ケイ素の析出反応やガラスの結晶化が起こらず、
なおかつ、そのガラス相が広い温度範囲で適当な粘度を
もつ。更に加工後、窒素雰囲気下で焼成することによ
り、酸窒化ケイ素(Si2 2 O)粗大柱状粒子とβ−
Si3 4 粒子及びその他粒界相より構成された高靱性
の緻密質酸窒化ケイ素基セラミックスを作製する。本発
明の製造方法は、酸窒化ケイ素基セラミックスに熱間加
工性を付与するものであり、従来この様な製造方法は存
在しない。
【0007】本発明においては、酸窒化ケイ素基セラミ
ックスを、Si3 4 及び液相を生成させるための第二
成分(SiO2 、MgO、Al2 3 、KF(又は1/
2K2 O)、Y2 3 等)を出発原料として用いること
により、酸窒化ケイ素の析出反応が起こらない比較的低
い温度条件で焼結し、微細なSi3 4 粒子とガラス相
よりなる緻密質プリフォームを常圧窒素雰囲気で作製す
ることができる。この微細なSi3 4 粒子とガラス相
よりなるプリフォームはガラスの粘性流動により広範な
歪み速度(加工速度)、かつ小さな変形抵抗で熱間加工
が可能である。更に、熱間加工後のプリフォームをより
高温で焼成し、Si3 4 粒子とガラス相を反応させて
酸窒化ケイ素(Si2 2 O)粗大柱状粒子を析出させ
ることにより高靱性の緻密質酸窒化ケイ素基セラミック
スとなる。
【0008】このような本発明において、出発原料とし
ては、Si3 4 、SiO2 、MgO、Al2 3 、K
F(又は1/2K2 O)、Y2 3 の粉末を、各々1.
0〜1.5:1.0〜1.5:0.1〜0.4:0.1
〜0.4:0〜0.3:0〜0.3のモル比で混合した
粉末を出発原料として用いることが必要である。Si3
4 としては、成形性にすぐれ、その後の熱間加工に有
利なサブミクロンオーダーの微細な粉末が例示される。
また、液相を生成させるための第二成分としては、Si
2 、MgO、Al2 3 、KF(又は1/2K
2 O)、Y2 3 等が用いられるが、好適にはSi
2 、MgO、Al2 3 、KFが使用される。本発明
においては、上記モル比で混合した特定の粉末を用いる
ことが重要であり、出発原料として、これらのモル比の
範囲以外の割合で混合した粉末を用いた場合には所期の
効果を得ることができない。上記所定の割合で混合した
粉末を適宜成形して成形体を作製し、該成形体を常圧窒
素雰囲気下で焼成してプリフォームを作製するが、この
場合、成形方法としては、例えば、CIP成形、鋳込成
形、押し出し成形などが好適なものとして例示され、ま
た、焼成は、比較的低い温度条件で焼結することが必要
であり、焼成温度としては、1300〜1600℃が好
適なものとして例示されるが、その成形、焼成手段等は
特に限定されるものではない。
【0009】次に、上記により作製したプリフォームを
常圧窒素雰囲気下で熱間加工し、形状を付与し、更に窒
素雰囲気下で焼成し、酸窒化ケイ素(Si2 2 O)粗
大柱状粒子とβ−Si3 4 粒子及びその他粒界第2相
より構成された高靱性の緻密質酸窒化ケイ素基セラミッ
クスを作製するが、この場合、上記熱間加工は、酸窒化
ケイ素の析出反応が起こりずらく、ガラス相が適度な粘
度をもつ1300〜1600℃、また、上記焼成は、酸
窒化ケイ素の析出反応が生じやすい1650〜1800
℃の条件が好適なものとして例示される。
【0010】本発明の方法によって作製した上記プリフ
ォームは、後記する実施例に示したように、常圧窒素雰
囲気下1500℃での圧縮試験の結果、1.4×10-2
〜1.4×10-4-1の歪み速度(加工速度)と、1
0MPa以下の変形抵抗で亀裂を生じることなく100
%以上の塑性変形を示す。また、十分に緻密化(かさ密
度2.9g/cm3 )して残留気孔もなく、加工中に酸
窒化ケイ素の析出及びガラス相の結晶化がほとんどない
ため、加工中に亀裂を生じることがないなどの、優れた
特性を有するものであることがわかった。
【0011】また、熱間加工後(かさ密度2.9g/c
3 )、焼成して作製される酸窒化ケイ素基セラミック
スは、相対密度98%以上まで緻密化(かさ密度2.9
g/cm3 )しており、破壊靱性KICは、5.0MPa
・m1/2 (ヤング率201GPa、強度700MPa)
を示し、焼成前後での体積(寸法)変化がほとんどない
ため、後加工が不要などの、緻密で、優れた機械的特性
及び焼結体特性をもつものであることがわかった。
【0012】
【実施例】次に、実施例に基づいて本発明を具体的に説
明するが、本発明は、当該実施例によって何ら限定され
るものではない。 実施例1 Si3 4 (デンカ製、SN−9FWS)、SiO
2 (アドマテック製、アドマファイン SO−E1)、
MgO、Al2 3 、KFの粉末を各々1.0:1.
0:0.2:0.2:0.12のモル比で混合した粉末
を5ton/cm2 でCIP成形し、常圧窒素雰囲気下
1500℃で4時間焼成して微細なSi3 4粒子とガ
ラス相よりなる相対密度98%以上の緻密質プリフォー
ムを作製した。このプリフォーム(6φ×6H)を常圧
窒素雰囲気下1500℃で圧縮試験したところ、1.4
×10-2〜1.4×10-4-1の歪み速度、10MPa
以下の変形抵抗で亀裂を生じることなく100%以上の
塑性変形を示した。加工後、1700℃で4時間、0.
9MPaの窒素加圧雰囲気で焼成し、酸窒化ケイ素を析
出させた。最終的に得られた酸窒化ケイ素基セラミック
スは、相対密度98%以上まで緻密化(かさ密度2.9
g/cm3 )しており、破壊靱性KICは5.0MPa・
1/2 (強度700MPa、ヤング率201GPa)を
示した。
【0013】参考例1 Si3 4 、SiO2 、MgO、Al2 3 、KFの粉
末を各々1.0:1.0:0.05:0.05:0.1
2のモル比で混合した粉末を用いた以外、実施例1と同
様にプリフォームを作製したところ、生成したガラス相
の粘度が高すぎるため十分に緻密化しなかった(相対密
度90%以下)。従って、加工の際に一部残留気孔から
発生したと思われる亀裂が認められた。
【0014】参考例2 Si3 4 、SiO2 、MgO、Al2 3 、KFの粉
末を各々1.0:1.0:0.5:0.5:0.12の
モル比で混合した粉末を用いた以外、実施例1と同様の
方法で行ったところ、熱間加工までは、同様に実施可能
であったが、酸窒化ケイ素を析出させるために1650
℃及び1700℃で焼成したところ、ガラス相の粘度が
下がりすぎた結果、形が崩れ、更にガラス相の分解によ
り、かさ密度が2.7g/cm3 以下まで低下した。
【0015】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明は、熱間加
工性能を備えたエンジニアリングセラミックスの製造方
法に係るものであり、本発明により作製される緻密なS
3 4 粒子とガラス相よりなるプリフォームは、ガラ
スの粘性流動により広範な歪み速度(加工速度)、かつ
小さな変形抵抗で熱間加工が可能である。また、熱間加
工後のプリフォームをより高温で焼成し、Si3 4
子とガラス相を反応させて酸窒化ケイ素(Si2
2 O)粗大柱状粒子を析出させることにより高靱性の緻
密質酸窒化ケイ素基セラミックスを作製することができ
る。最終的な熱処理を経て得られる上記焼結体は、緻密
で、優れた機械特性を有し、エネルギー及び自動車産業
で使用されるエンジン部品、メカニカルシール等の摺動
材、その他エンジニアリングセラミックスとして有用で
ある。
フロントページの続き (72)発明者 神崎 修三 愛知県春日井市藤山台8丁目12番地の4 (72)発明者 小畑 正明 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字西廻間 61番地の3 審査官 後谷 陽一 (56)参考文献 特開 平8−104571(JP,A) 特開 平8−133843(JP,A) 特開 昭61−201667(JP,A) 特開 昭63−151682(JP,A) 特開 昭57−129874(JP,A) 特開 平8−290972(JP,A) 特開 平8−67566(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C04B 35/584 C04B 35/599 C04B 35/64

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 Si3 4 、SiO2 、MgO、Al2
    3 、KF(又は1/2K2 O)、Y2 3 等の粉末を
    各々1.0〜1.5:1.0〜1.5:0.1〜0.
    4:0.1〜0.4:0〜0.3:0〜0.3のモル比
    で混合した粉末を成形し、常圧窒素雰囲気下1300〜
    1600℃で焼成することを特徴とする微細なSi3
    4 粒子とガラス相よりなるプリフォームの製造方法。
  2. 【請求項2】 請求項1により作製したプリフォームを
    常圧窒素雰囲気下1300〜1600℃で熱間加工し形
    状付与し、更に窒素雰囲気下1650〜1800℃で焼
    成することを特徴とする酸窒化ケイ素(Si2 2 O)
    粗大柱状粒子とβ−Si3 4 粒子及びその他粒界第2
    相より構成された高靱性の緻密質酸窒化ケイ素基セラミ
    ックスの製造方法。
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