JP2816229B2 - 光学的情報記録媒体及びその製造方法並びに光学的情報記録媒体を用いた装置 - Google Patents
光学的情報記録媒体及びその製造方法並びに光学的情報記録媒体を用いた装置Info
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- JP2816229B2 JP2816229B2 JP2110069A JP11006990A JP2816229B2 JP 2816229 B2 JP2816229 B2 JP 2816229B2 JP 2110069 A JP2110069 A JP 2110069A JP 11006990 A JP11006990 A JP 11006990A JP 2816229 B2 JP2816229 B2 JP 2816229B2
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- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
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- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
- G11B2007/24612—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes two or more dyes in one layer
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザ光線によつて情報を記録，再生する
ことのできる光学的情報記録媒体、及びその製造法，該
記録媒体の用途に関する。
ことのできる光学的情報記録媒体、及びその製造法，該
記録媒体の用途に関する。
近年、コンパクトデイスク，ビデオデイスク，レーザ
ビームプリンタ用感光体，光学的文字読み取り機等にお
ける情報書き込みあるいは読み取りのための手段とし
て、半導体レーザ光を利用した光記録媒体が実用されて
いる。
ビームプリンタ用感光体，光学的文字読み取り機等にお
ける情報書き込みあるいは読み取りのための手段とし
て、半導体レーザ光を利用した光記録媒体が実用されて
いる。
これを達成するには、半導体レーザ光すなわち近赤外
光を吸収する記録媒体が必要となる。該記録媒体として
は、テルル，テルル合金，ビスマス合金などの無機系記
録層を有する記録媒体と、フタロシアニン系色素（米国
特許第4298975号），ナフタロシアニン系色素（特開平
１−198391号）などの有機系色素を記録媒体として使用
する方法が検討されている。
光を吸収する記録媒体が必要となる。該記録媒体として
は、テルル，テルル合金，ビスマス合金などの無機系記
録層を有する記録媒体と、フタロシアニン系色素（米国
特許第4298975号），ナフタロシアニン系色素（特開平
１−198391号）などの有機系色素を記録媒体として使用
する方法が検討されている。
しかしながら、上記の無機系記録媒体層を有する光記
録媒体は、基板上への薄膜形成の手段が真空蒸着，スパ
ツタリング等の真空中でのプロセスとなるために生産性
の向上が計りにくいこと、記録層の熱伝導率が大きいた
めに記録密度の向上を計る上での限界があること、ある
いはテルル，セレンなどの有毒物質を取扱う上で安全衛
生上の解決すべき課題がある。
録媒体は、基板上への薄膜形成の手段が真空蒸着，スパ
ツタリング等の真空中でのプロセスとなるために生産性
の向上が計りにくいこと、記録層の熱伝導率が大きいた
めに記録密度の向上を計る上での限界があること、ある
いはテルル，セレンなどの有毒物質を取扱う上で安全衛
生上の解決すべき課題がある。
一方、有機系色素を記録媒体とする場合は、耐久性，
反射率の面で無機系記録媒体層を有する光記録媒体と比
べて同様の特性を得るに到つていない。更に、有機記録
媒体の耐久性と溶剤への溶解性の両立も達成されていな
いのが実状である。しかしながら、有機系記録媒体は無
機系記録媒体の前記課題を克服できる可能性を持つてい
ると考えられることから、前記課題を克服しようとする
種々の検討がなされている。すなわち、無機系記録媒体
と同等の耐久性を持ち、しかも、無機系の欠点であるス
ピンナ塗布，デイツプコートが可能な有機記録媒体の探
索がなされている。例えばその一つとして、ナフタロシ
アニン系化合物の中心金属にAl,Ga,In,Te,Si,Ge,Sn,Pb
などを有する各種誘導体を含む有機薄膜からなる光学記
録媒体（特開平１−198391号）が提案されている。
反射率の面で無機系記録媒体層を有する光記録媒体と比
べて同様の特性を得るに到つていない。更に、有機記録
媒体の耐久性と溶剤への溶解性の両立も達成されていな
いのが実状である。しかしながら、有機系記録媒体は無
機系記録媒体の前記課題を克服できる可能性を持つてい
ると考えられることから、前記課題を克服しようとする
種々の検討がなされている。すなわち、無機系記録媒体
と同等の耐久性を持ち、しかも、無機系の欠点であるス
ピンナ塗布，デイツプコートが可能な有機記録媒体の探
索がなされている。例えばその一つとして、ナフタロシ
アニン系化合物の中心金属にAl,Ga,In,Te,Si,Ge,Sn,Pb
などを有する各種誘導体を含む有機薄膜からなる光学記
録媒体（特開平１−198391号）が提案されている。
しかしながら、該記録媒体も半導体レーザ光の再生読
出しパワー1mWで読出し回数106回以上可能な有機系記録
媒体ではない。このことから現在、有機系記録媒体を使
用する際は有機記録媒体層に対するダメージの小さい再
生読出しパワー0.5mW以下でシステムが作られている。
しかし、0.5mW以下の再生レーザ光を用いた場合、外部
ノイズを拾い易いこと、1mWを使用している従来装置に
対する互換性がないことなどの多くの課題がある。
出しパワー1mWで読出し回数106回以上可能な有機系記録
媒体ではない。このことから現在、有機系記録媒体を使
用する際は有機記録媒体層に対するダメージの小さい再
生読出しパワー0.5mW以下でシステムが作られている。
しかし、0.5mW以下の再生レーザ光を用いた場合、外部
ノイズを拾い易いこと、1mWを使用している従来装置に
対する互換性がないことなどの多くの課題がある。
有機光記録媒体の読出し光安定性を向上させる手段と
して、シアニン系色素に一重項酸素クエンチヤーを添加
することなどが提案されている（特公平１−21798
号）。しかし、これは、シアニン系色素が光によつて劣
化するのを防止することに効果があるが、1mWのレーザ
光に対しては、効果がない。
して、シアニン系色素に一重項酸素クエンチヤーを添加
することなどが提案されている（特公平１−21798
号）。しかし、これは、シアニン系色素が光によつて劣
化するのを防止することに効果があるが、1mWのレーザ
光に対しては、効果がない。
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであ
る。本発明の目的は、有機記録媒体を基板上にスピンナ
ー塗布、スプレー塗布あるいはデイツプコーテイングが
でき、情報記録媒体層の耐久性，反射率にすぐれた光学
的情報記録媒体、及びその製造法，該記録媒体の用途を
提供することにある。
る。本発明の目的は、有機記録媒体を基板上にスピンナ
ー塗布、スプレー塗布あるいはデイツプコーテイングが
でき、情報記録媒体層の耐久性，反射率にすぐれた光学
的情報記録媒体、及びその製造法，該記録媒体の用途を
提供することにある。
本発明者らは、有機系記録媒体の前記課題を解決する
ために種々検討を重ねた結果、レーザ光の再生読出しパ
ワー0.5〜3.0mWで106回以上の読出し回数が可能な有機
光記録媒体を見出した。更に基板有機記録媒体の塗布手
段として従来困難であつたスプレー塗布，スピンナ塗
布，デイツプコートが可能となり、高反射率の付与も達
成することができた。
ために種々検討を重ねた結果、レーザ光の再生読出しパ
ワー0.5〜3.0mWで106回以上の読出し回数が可能な有機
光記録媒体を見出した。更に基板有機記録媒体の塗布手
段として従来困難であつたスプレー塗布，スピンナ塗
布，デイツプコートが可能となり、高反射率の付与も達
成することができた。
本願発明について、その要旨を述べると、第１の発明
は、基板上に情報記録層を設けてなる光学的情報記録媒
体において、該情報記録媒体層が熱分解開始温度が300
℃以下のナフタロシアニン誘導体と、熱分解開始温度が
350℃以上の結晶性色素の混合物を含み、0.5〜3.0mWの
レーザ光で読出可能なことを特徴とする光学的情報記録
媒体を提供する。
は、基板上に情報記録層を設けてなる光学的情報記録媒
体において、該情報記録媒体層が熱分解開始温度が300
℃以下のナフタロシアニン誘導体と、熱分解開始温度が
350℃以上の結晶性色素の混合物を含み、0.5〜3.0mWの
レーザ光で読出可能なことを特徴とする光学的情報記録
媒体を提供する。
また、第２の発明は、基板上に情報記録媒層を設けて
なる光学的情報記録媒体において、該情報記録媒体が下
記一般式（Ｉ） 〔式中、M1はSi,Ge,Snのいずれかで表わし、Ｘは、炭素
数１〜20個のアルキル基，アルケニル基，アルキルチオ
基，芳香族炭化水素基，アシル基又はトリ置換シリル基
のいずれかを表わし、Y1及びY2は−OR,−OAr,−OSi
（Ｒ）3,−OSi（OR）3,…OSi（OAr）３及び−OC（C
6H5）３（但し、ＲはC1〜C20の直鎖または分岐アルキル
基,Arはフエニル基，置換フエニル基，ベンジル基及び
置換ベンジル基よりなる群から選択した基である。）の
いずれかであり、お互いに同じであつても異なつていて
もよい。〕で表わされるナフタロシアニン誘導体と、熱
分解開始温度が350℃以上で、前記一般式（Ｉ）で表わ
されるナフタロシアニン誘導体の熱劣化防止作用を持つ
熱クエンチヤの混合物を含み、0.5〜3.0mWのレーザ光で
読出し可能なことを特徴とする光学的情報記録媒体を提
供できる。
なる光学的情報記録媒体において、該情報記録媒体が下
記一般式（Ｉ） 〔式中、M1はSi,Ge,Snのいずれかで表わし、Ｘは、炭素
数１〜20個のアルキル基，アルケニル基，アルキルチオ
基，芳香族炭化水素基，アシル基又はトリ置換シリル基
のいずれかを表わし、Y1及びY2は−OR,−OAr,−OSi
（Ｒ）3,−OSi（OR）3,…OSi（OAr）３及び−OC（C
6H5）３（但し、ＲはC1〜C20の直鎖または分岐アルキル
基,Arはフエニル基，置換フエニル基，ベンジル基及び
置換ベンジル基よりなる群から選択した基である。）の
いずれかであり、お互いに同じであつても異なつていて
もよい。〕で表わされるナフタロシアニン誘導体と、熱
分解開始温度が350℃以上で、前記一般式（Ｉ）で表わ
されるナフタロシアニン誘導体の熱劣化防止作用を持つ
熱クエンチヤの混合物を含み、0.5〜3.0mWのレーザ光で
読出し可能なことを特徴とする光学的情報記録媒体を提
供できる。
また、前記熱クエンチヤとして、前記一般式（II）で
表わされる結晶性色素、前記一般式（Ｉ）で表わされる
ナフタロシアニン誘導体の分子励起状態の緩和過程を有
することが可能な色素を用いてなる混合物を含むことを
特徴とする光学的情報記録媒体を提供できる。
表わされる結晶性色素、前記一般式（Ｉ）で表わされる
ナフタロシアニン誘導体の分子励起状態の緩和過程を有
することが可能な色素を用いてなる混合物を含むことを
特徴とする光学的情報記録媒体を提供できる。
また、上記の光学的情報記録媒体を用いてなるコンパ
クトデイスク，ビデオデイスク，光記録カード，レーザ
ビームプリンタ用感光体，光学式文字読み取り機などの
装置を提供する。
クトデイスク，ビデオデイスク，光記録カード，レーザ
ビームプリンタ用感光体，光学式文字読み取り機などの
装置を提供する。
加えるに、本願発明は、従来困難であつた前記混合物
からなる有機記録媒体を溶媒に0.1〜５重量％溶解した
溶液を用いて、基板上にスピンナー塗布，スプレー塗
布，デイツプコーテイングにより被膜を形成し、次いで
溶媒を除去してなることを特徴とする光学的情報記録媒
体の製造方法を提供する。これにより、無機系記録媒体
層を有する光学情報記録媒体と同等以上の耐久性（読出
し光安定性）を得たばかりでなく、スピンコートなど無
機系では困難な生産性の高い塗布方法により、新しい光
学情報記録媒体の提供が可能となつた。
からなる有機記録媒体を溶媒に0.1〜５重量％溶解した
溶液を用いて、基板上にスピンナー塗布，スプレー塗
布，デイツプコーテイングにより被膜を形成し、次いで
溶媒を除去してなることを特徴とする光学的情報記録媒
体の製造方法を提供する。これにより、無機系記録媒体
層を有する光学情報記録媒体と同等以上の耐久性（読出
し光安定性）を得たばかりでなく、スピンコートなど無
機系では困難な生産性の高い塗布方法により、新しい光
学情報記録媒体の提供が可能となつた。
本発明において、熱分解開始温度が300℃以下のナフ
タロシアニン誘導体、及び一般式（Ｉ） 〔式中、M1はSi,Ge,Snのいずれかで表わし、Ｘは、炭素
数１〜20個のアルキル基，アルケニル基，アルキルチオ
基，芳香族炭化水素基，アシル基又はトリ置換シリル基
のいずれかを表わし、Y1及びY2は−OR,−OAr,−OSi
（Ｒ）3,−OSi（OR）3,−OSi（OAr）３及び−OC（C
6H5）３（但し、ＲはC1〜C20の直鎖または分岐アルキル
基,Arはフエニル基，置換フエニル基，ベンジル基及び
置換ベンジル基よりなる群から選択した基である。）の
いずれかであり、お互いに同じであつても異なつていて
もよい。〕で表わされるナフタロシアニン誘導体として
は例えば、次のようなものが挙げられる。
タロシアニン誘導体、及び一般式（Ｉ） 〔式中、M1はSi,Ge,Snのいずれかで表わし、Ｘは、炭素
数１〜20個のアルキル基，アルケニル基，アルキルチオ
基，芳香族炭化水素基，アシル基又はトリ置換シリル基
のいずれかを表わし、Y1及びY2は−OR,−OAr,−OSi
（Ｒ）3,−OSi（OR）3,−OSi（OAr）３及び−OC（C
6H5）３（但し、ＲはC1〜C20の直鎖または分岐アルキル
基,Arはフエニル基，置換フエニル基，ベンジル基及び
置換ベンジル基よりなる群から選択した基である。）の
いずれかであり、お互いに同じであつても異なつていて
もよい。〕で表わされるナフタロシアニン誘導体として
は例えば、次のようなものが挙げられる。
また、本発明において、一般式（II） 〔式中、M2は遷移金属を表す。Ｘは、炭素数１〜20個の
アルキル基，アルケニル基，アルキルチオ基，芳香族炭
化水素基，アシル基又はトリ置換シリル基のいずれかを
表す。〕 で表わされるフタロシアニン誘導体としては、次のよう
なものが挙げられる。
アルキル基，アルケニル基，アルキルチオ基，芳香族炭
化水素基，アシル基又はトリ置換シリル基のいずれかを
表す。〕 で表わされるフタロシアニン誘導体としては、次のよう
なものが挙げられる。
本発明において、特に読出し光安定性（耐久性）反射
率，溶媒に対する溶解性にすぐれた混合物としては、 と、 との組合せが挙げられる。該組合せは、再生読出しパワ
ーの上限が1.5mW以上で3.0mWでも106回以上を達成でき
る。
率，溶媒に対する溶解性にすぐれた混合物としては、 と、 との組合せが挙げられる。該組合せは、再生読出しパワ
ーの上限が1.5mW以上で3.0mWでも106回以上を達成でき
る。
本発明において、一般式（Ｉ）で表わされるナフタロ
シアニン系誘導体と熱クエンチヤの作用をもつ化合物と
の混合物の配合割合は、前者１に対して、後者0.01〜1.
0の範囲が好ましい。
シアニン系誘導体と熱クエンチヤの作用をもつ化合物と
の混合物の配合割合は、前者１に対して、後者0.01〜1.
0の範囲が好ましい。
本発明において用いられる基板としては、塩化ビニル
樹脂，アクリル樹脂，ポリオレフイン樹脂，ポリカーボ
ネート樹脂，ポリビニルアセタール樹脂，不飽和ポリエ
ステル樹脂，ビニルエステル樹脂，ポリスチレン樹脂，
ポリエーテルスルホン樹脂，ポリエーテルエーテルケト
ン樹脂，エポキシ樹脂，アリル樹脂ポリイミド，ポリア
ミド樹脂などの熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂、あるい
はシリコーン樹脂，ホスフアゼン樹脂などの無機系重合
体，ガラス,SiO2,Si3N4,金属などを用いて、フイルム，
シート，板，円筒,3角形以上の柱状物等に成形して用い
られる。該基板は、信号の書き込みや読み出しを行うた
め光の透過率が85％以上で光学的異方性の小さいもので
あることが好ましい。これらの材料により、成型された
基板の鏡面上あるいは案内溝パターン（プリグループ）
の刻まれた面上に、下記のような方法で薄膜形成するこ
ができる。また、基板が上記材料で成型された平板の上
に、光硬化性樹脂を積層し、案内溝パターンが該光硬化
性樹脂層の表面に転写された構造であつてもよい。
樹脂，アクリル樹脂，ポリオレフイン樹脂，ポリカーボ
ネート樹脂，ポリビニルアセタール樹脂，不飽和ポリエ
ステル樹脂，ビニルエステル樹脂，ポリスチレン樹脂，
ポリエーテルスルホン樹脂，ポリエーテルエーテルケト
ン樹脂，エポキシ樹脂，アリル樹脂ポリイミド，ポリア
ミド樹脂などの熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂、あるい
はシリコーン樹脂，ホスフアゼン樹脂などの無機系重合
体，ガラス,SiO2,Si3N4,金属などを用いて、フイルム，
シート，板，円筒,3角形以上の柱状物等に成形して用い
られる。該基板は、信号の書き込みや読み出しを行うた
め光の透過率が85％以上で光学的異方性の小さいもので
あることが好ましい。これらの材料により、成型された
基板の鏡面上あるいは案内溝パターン（プリグループ）
の刻まれた面上に、下記のような方法で薄膜形成するこ
ができる。また、基板が上記材料で成型された平板の上
に、光硬化性樹脂を積層し、案内溝パターンが該光硬化
性樹脂層の表面に転写された構造であつてもよい。
これら基板上に形成する記録層の膜厚は20〜500nmの
範囲であればよく、好ましくは30〜100nmの範囲であ
る。更に、反射層，保護膜層等を設けてデイスク状ある
いはシート状の光学的情報記録媒体を構成するが、本発
明はそれら構成の如何は問わない。
範囲であればよく、好ましくは30〜100nmの範囲であ
る。更に、反射層，保護膜層等を設けてデイスク状ある
いはシート状の光学的情報記録媒体を構成するが、本発
明はそれら構成の如何は問わない。
本発明において有機記録媒体を構成する混合物は、通
常のスピンコート又はスプレーコート、あるいはデイツ
プコート装置を用いて基板上に薄膜形成することができ
る。該塗布方法は、本発明の一般式（Ｉ）で表わされる
ナフタロシアニン系誘導体と熱クエンチヤの作用を持つ
化合物とを混在させたまま、あるいはバインダと共に溶
媒中に溶解させたもの、あるいは分散させた状態で塗布
できる。
常のスピンコート又はスプレーコート、あるいはデイツ
プコート装置を用いて基板上に薄膜形成することができ
る。該塗布方法は、本発明の一般式（Ｉ）で表わされる
ナフタロシアニン系誘導体と熱クエンチヤの作用を持つ
化合物とを混在させたまま、あるいはバインダと共に溶
媒中に溶解させたもの、あるいは分散させた状態で塗布
できる。
バインダとしては、ポリイミド，ポリアミド，ポリス
チレン，ポリアクリル，シリコーン，エポキシ，フエノ
ール等の重合体を用いることができる。
チレン，ポリアクリル，シリコーン，エポキシ，フエノ
ール等の重合体を用いることができる。
また、本発明において有機記録媒体を溶解する溶媒と
しては、芳香族系及びハロゲン系，ケトン系，エーテル
系，炭化水素系溶媒あるいはこれらの混合系が用いられ
る。これらの中でも、四塩化炭素及び、メチルシクロヘ
キサンとトルエンとの混合系が好ましい。
しては、芳香族系及びハロゲン系，ケトン系，エーテル
系，炭化水素系溶媒あるいはこれらの混合系が用いられ
る。これらの中でも、四塩化炭素及び、メチルシクロヘ
キサンとトルエンとの混合系が好ましい。
〔作用〕 一般式（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘導体を
記録媒体とした光学的情報記録媒体は、再生レーザ光パ
ワーとして1mWを照射すると、再生読出し回数は103〜10
4回オーダであり、無機系記録媒体を用いた場合の106回
オーダに比べて格段に劣る。
記録媒体とした光学的情報記録媒体は、再生レーザ光パ
ワーとして1mWを照射すると、再生読出し回数は103〜10
4回オーダであり、無機系記録媒体を用いた場合の106回
オーダに比べて格段に劣る。
本発明では、一般式（Ｉ）で表わされるナフタロシア
ニン誘導体の熱分解開始温度を測定した結果、いずれも
300℃以下で熱分解が始まることが分つた。一方、1mW以
上の半導体レーザ光を被膜上に照射すると、一般式
（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン系誘導体のみから
形成された被膜の場合には、照射面が300℃以上の温度
となることが判つた。このために、一般式（Ｉ）で表わ
されるナフタロシアニン誘導体を用いた記録媒体は1mW
以上のレーザ光（780nm）には耐えられず、耐久寿命が
悪い原因となると考えられる。
ニン誘導体の熱分解開始温度を測定した結果、いずれも
300℃以下で熱分解が始まることが分つた。一方、1mW以
上の半導体レーザ光を被膜上に照射すると、一般式
（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン系誘導体のみから
形成された被膜の場合には、照射面が300℃以上の温度
となることが判つた。このために、一般式（Ｉ）で表わ
されるナフタロシアニン誘導体を用いた記録媒体は1mW
以上のレーザ光（780nm）には耐えられず、耐久寿命が
悪い原因となると考えられる。
本発明は、この事実に基づき、一般式（Ｉ）で表わさ
れるナフタロシアニン誘導体に対するレーザ光のダメー
ジを緩和する手段として以下の事項が効果を持つことを
見出した。すなわち、 （ｉ）熱分解開始温度が350℃以上の結晶性色素、 （ii）一般式（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘導
体の熱劣化防止作用をもつ熱クエンチヤ、 （iii）一般式（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘
導体の分子励起状態の緩和過程を有することができる色
素、 （iv）熱容量の大きい色素化合物、 （ｖ）熱伝導率の大きい色素化合物 の中の少なくとも１つを、一般式（Ｉ）で表わされるナ
フタロシアニン誘導体に混合することにより、再生読出
しパワー1.0mW以上と云う、従来の有機記録媒体では考
えられなかつた出力で106回以上安定に再生ができるこ
とを見出し、本発明を達成し得たものである。
れるナフタロシアニン誘導体に対するレーザ光のダメー
ジを緩和する手段として以下の事項が効果を持つことを
見出した。すなわち、 （ｉ）熱分解開始温度が350℃以上の結晶性色素、 （ii）一般式（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘導
体の熱劣化防止作用をもつ熱クエンチヤ、 （iii）一般式（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘
導体の分子励起状態の緩和過程を有することができる色
素、 （iv）熱容量の大きい色素化合物、 （ｖ）熱伝導率の大きい色素化合物 の中の少なくとも１つを、一般式（Ｉ）で表わされるナ
フタロシアニン誘導体に混合することにより、再生読出
しパワー1.0mW以上と云う、従来の有機記録媒体では考
えられなかつた出力で106回以上安定に再生ができるこ
とを見出し、本発明を達成し得たものである。
また、上記記録媒体を混合系とすることにより、溶媒
への溶解性も付与することが可能となり、有機系記録媒
体の特長となると思われていた。スピンコート，デイプ
コート，スプレーコートによる基板への被膜形成が達成
された。
への溶解性も付与することが可能となり、有機系記録媒
体の特長となると思われていた。スピンコート，デイプ
コート，スプレーコートによる基板への被膜形成が達成
された。
実施例１ 厚さ1.2mmのポリカーボネート基板にビス（トリブチ
ルシロキシ）ゲルマニウム−テトラ（オクチロオキシカ
ルボニル）ナフタロシアニンと銅テトラ−ｔ−ブチルナ
フタロシアニンとを、重量比1:0.8で四塩化炭素に溶解
し、0.5重量％溶液を作成し、スピンナーにより基板上
に塗布，乾燥し膜厚45nmの記録層を形成し、記録媒体と
した。得られた記録媒体の記録層の波長830nmにおける
基板側からの反射率は28％であつた。
ルシロキシ）ゲルマニウム−テトラ（オクチロオキシカ
ルボニル）ナフタロシアニンと銅テトラ−ｔ−ブチルナ
フタロシアニンとを、重量比1:0.8で四塩化炭素に溶解
し、0.5重量％溶液を作成し、スピンナーにより基板上
に塗布，乾燥し膜厚45nmの記録層を形成し、記録媒体と
した。得られた記録媒体の記録層の波長830nmにおける
基板側からの反射率は28％であつた。
また、前記記録媒体上に波長830nmの半導体レーザの
出力光を直径1.2μｍのスポツト径に集光し、線速度8.0
m/s,出力9mWで基板側から記録周波数1MHzの信号の書き
込みを行つた後、1.0mWの再生光で読み取りをしたとこ
ろ、再生C/N比46dBであつた。
出力光を直径1.2μｍのスポツト径に集光し、線速度8.0
m/s,出力9mWで基板側から記録周波数1MHzの信号の書き
込みを行つた後、1.0mWの再生光で読み取りをしたとこ
ろ、再生C/N比46dBであつた。
更に、1.0mWの再生光を連続して照射した読出し回数
を第１図に示す。
を第１図に示す。
実施例２ 厚さ1.2mmのポリカーボネート基板上にビス（トリエ
チルシロキシ）ゲルマニウム−テトラ（オクチロオキシ
カルボニル）ナフタロシアニンと実施例１と同様、銅テ
トラ−ｔ−ブチルナフタロシアニンとを、重量比4:3で
四塩化炭素に溶解し、0.5重量％の溶液を作成し、スピ
ンナーにより基板上に塗布，乾燥し膜厚43nmの記録層を
形成し、記録媒体とした。得られた記録媒体の記録層の
波長830nmにおける基板側からの反射率は32％であつ
た。前記記録媒体上に波長830nmの半導体レーザの出力
光を直径1.2μｍのスポツト径に集光し、線速度8.0m/s,
出力9mWで基板側から1MHzの信号の書き込みを行つた
後、1.0mWの再生光で読み取りをしたところ、再生C/N比
50dBであつた。
チルシロキシ）ゲルマニウム−テトラ（オクチロオキシ
カルボニル）ナフタロシアニンと実施例１と同様、銅テ
トラ−ｔ−ブチルナフタロシアニンとを、重量比4:3で
四塩化炭素に溶解し、0.5重量％の溶液を作成し、スピ
ンナーにより基板上に塗布，乾燥し膜厚43nmの記録層を
形成し、記録媒体とした。得られた記録媒体の記録層の
波長830nmにおける基板側からの反射率は32％であつ
た。前記記録媒体上に波長830nmの半導体レーザの出力
光を直径1.2μｍのスポツト径に集光し、線速度8.0m/s,
出力9mWで基板側から1MHzの信号の書き込みを行つた
後、1.0mWの再生光で読み取りをしたところ、再生C/N比
50dBであつた。
更に、1.0mWの再生光を連続して照射した読出し回数
を第２図に示す。
を第２図に示す。
比較例１ 厚さ1.2mmのポリカーボネート基板にビス（トリブチ
ルシロキシ）ゲルマニウム−テトラ（オクチロオキシカ
ルボニル）ナフタロシアニンを四塩化炭素に溶解し、1.
0重量％の溶液を作成し、スピンナーにより基板上に塗
布，乾燥して膜厚53nmの記録層を形成し記録媒体とし
た。得られた記録媒体の記録層の波長830nmにおける基
板側からの反射率は38％であつた。
ルシロキシ）ゲルマニウム−テトラ（オクチロオキシカ
ルボニル）ナフタロシアニンを四塩化炭素に溶解し、1.
0重量％の溶液を作成し、スピンナーにより基板上に塗
布，乾燥して膜厚53nmの記録層を形成し記録媒体とし
た。得られた記録媒体の記録層の波長830nmにおける基
板側からの反射率は38％であつた。
また、前記記録媒体上に波長830nmの半導体レーザの
出力光を直径1.2μｍのスポツト径に集光し、線速度8.0
m/s,出力9mWで基板側から記録周波数1MHzの信号の書き
込みを行つた後、1.0mWの再生光で読み取りをしたとこ
ろ、再生C/N比42dBであつた。
出力光を直径1.2μｍのスポツト径に集光し、線速度8.0
m/s,出力9mWで基板側から記録周波数1MHzの信号の書き
込みを行つた後、1.0mWの再生光で読み取りをしたとこ
ろ、再生C/N比42dBであつた。
更に、再生光のパワーを変化させての読み出し光安定
性を第３図に示す。前記記録媒体のみでは再生光が1.0m
Wで記録媒体が劣化する。
性を第３図に示す。前記記録媒体のみでは再生光が1.0m
Wで記録媒体が劣化する。
実施例３ 厚さ1.2mmのポリカーボネート基板上にビス（トリブ
チルシロキシ）シリコン−テトラ（シクロヘキシルチ
オ）ナフタロシアニンと亜鉛テトラ−ｔ−ブチルナフタ
ロシアニンとを、重量比1:0.8で四塩化炭素に溶解し、
1.0重量％の溶液を作成し、スピンナーにより基板上に
塗布，乾燥し膜厚55nmの記録層を形成し、記録媒体とし
た。得られた記録媒体の記録層の波長830nmにおける基
板側からの反射率は37％であつた。前記記録媒体上に波
長830nmの半導体レーザの出力光を直径1.2μｍのスポツ
ト径に集光し、線速度8.0m/s,出力9mWで基板側から1MHz
の信号の書き込みを行つた後、1.0mWの再生光で読み取
りをしたところ、再生C/N比49dBであつた。
チルシロキシ）シリコン−テトラ（シクロヘキシルチ
オ）ナフタロシアニンと亜鉛テトラ−ｔ−ブチルナフタ
ロシアニンとを、重量比1:0.8で四塩化炭素に溶解し、
1.0重量％の溶液を作成し、スピンナーにより基板上に
塗布，乾燥し膜厚55nmの記録層を形成し、記録媒体とし
た。得られた記録媒体の記録層の波長830nmにおける基
板側からの反射率は37％であつた。前記記録媒体上に波
長830nmの半導体レーザの出力光を直径1.2μｍのスポツ
ト径に集光し、線速度8.0m/s,出力9mWで基板側から1MHz
の信号の書き込みを行つた後、1.0mWの再生光で読み取
りをしたところ、再生C/N比49dBであつた。
更に、1.0mWの再生光を連続して照射した読出し回数
として、106回以上の読出し回数があつた。
として、106回以上の読出し回数があつた。
実施例４ 厚さ1.2mmのポリカーボネート基板上にビス（トリプ
ロピルシロキシ）シリコン−テトラ（シクロヘキシルチ
オ）ナフタロシアニンとバナジルテトラ−ｔ−ブチルナ
フタロシアニンとを、重量比5:4で四塩化炭素に溶解
し、0.8重量％の溶液を作成し、スピンナーにより基板
上に塗布，乾燥した膜厚49nmの記録層を形成し、記録媒
体とした。得られた記録媒体の記録層の波長830nmにお
ける基板側からの反射率は35％であつた。前記記録媒体
上に波長830nmの半導体レーザの出力光を直径1.2μｍの
スポツト径に集光し、線速度8.0m/s,出力9mWで基板側か
ら1MHzの信号の書き込みを行つた後、1.0mWの再生光で
読み取りをしたところ、再生C/N比51dBであつた。
ロピルシロキシ）シリコン−テトラ（シクロヘキシルチ
オ）ナフタロシアニンとバナジルテトラ−ｔ−ブチルナ
フタロシアニンとを、重量比5:4で四塩化炭素に溶解
し、0.8重量％の溶液を作成し、スピンナーにより基板
上に塗布，乾燥した膜厚49nmの記録層を形成し、記録媒
体とした。得られた記録媒体の記録層の波長830nmにお
ける基板側からの反射率は35％であつた。前記記録媒体
上に波長830nmの半導体レーザの出力光を直径1.2μｍの
スポツト径に集光し、線速度8.0m/s,出力9mWで基板側か
ら1MHzの信号の書き込みを行つた後、1.0mWの再生光で
読み取りをしたところ、再生C/N比51dBであつた。
更に、1.0mWの再生光を連続して照射した読出し回数
として、106回以上の読出し回数があつた。
として、106回以上の読出し回数があつた。
実施例５ 厚さ1.2mmのポリカーボネート基板上にビス（トリプ
ロピルシロキシ）シリコン−テトラ（シクロヘキシルチ
オ）ナフタロシアニンと亜鉛テトラ−ｔ−ブチルナフタ
ロシアニンとを用い、これに第１表に示されている割合
にて、四塩化炭素に溶解し1.0重量％の溶液を作成し、
基板上に該溶液をスピンナーにより塗布し、乾燥して膜
記録層を形成した。
ロピルシロキシ）シリコン−テトラ（シクロヘキシルチ
オ）ナフタロシアニンと亜鉛テトラ−ｔ−ブチルナフタ
ロシアニンとを用い、これに第１表に示されている割合
にて、四塩化炭素に溶解し1.0重量％の溶液を作成し、
基板上に該溶液をスピンナーにより塗布し、乾燥して膜
記録層を形成した。
この表には、色素の混合比，膜厚，波長830nmでの反
射率再生C/N比,1mWの読出し回数が併記されている。作
製した各媒体について、波長830nmの半導体レーザの出
力光を直径1.2μｍのスポツト径に集光し、線速度8.0m/
s,出力9mWで基板側から記録周波数1MHzの信号の書き込
みを行つた。更に、1mWの再生光を連続して照射した読
出し回数を測定した。これらの結果を表１に示す。各混
合比で良好な再生比C/N比と読出し光安定性を示した。
混合比が、1:1.5以上では反射率が20％以下となり、検
出できなかつた。
射率再生C/N比,1mWの読出し回数が併記されている。作
製した各媒体について、波長830nmの半導体レーザの出
力光を直径1.2μｍのスポツト径に集光し、線速度8.0m/
s,出力9mWで基板側から記録周波数1MHzの信号の書き込
みを行つた。更に、1mWの再生光を連続して照射した読
出し回数を測定した。これらの結果を表１に示す。各混
合比で良好な再生比C/N比と読出し光安定性を示した。
混合比が、1:1.5以上では反射率が20％以下となり、検
出できなかつた。
実施例６ 厚さ1.2mmのポリカーボネート基板上にビス（トリブ
チルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−ブチルチオ）ナ
フタロシアニンとパラジウムテトラ−ｔ−ブチルナフタ
ロシアニンとを、重量比5:4で四塩化炭素に溶解し、1.2
重量％の溶液を作成し、基板上に該溶液をスピンナーに
より塗布し、乾燥して膜厚52nmの記録層を形成し、記録
媒体とした。得られた記録媒体の記録層の波長830nmに
おける基板側からの反射率は33％であつた。前記記録媒
体上に波長830nmの半導体レーザの出力光を直径1.2μｍ
のスポツト径に集光し、線速度8.0m/s,出力9mWで基板側
から1MHzの信号の書き込みを行つた後、1.0mWの再生光
で読み取りをしたところ、再生C/N比46dBであつた。
チルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−ブチルチオ）ナ
フタロシアニンとパラジウムテトラ−ｔ−ブチルナフタ
ロシアニンとを、重量比5:4で四塩化炭素に溶解し、1.2
重量％の溶液を作成し、基板上に該溶液をスピンナーに
より塗布し、乾燥して膜厚52nmの記録層を形成し、記録
媒体とした。得られた記録媒体の記録層の波長830nmに
おける基板側からの反射率は33％であつた。前記記録媒
体上に波長830nmの半導体レーザの出力光を直径1.2μｍ
のスポツト径に集光し、線速度8.0m/s,出力9mWで基板側
から1MHzの信号の書き込みを行つた後、1.0mWの再生光
で読み取りをしたところ、再生C/N比46dBであつた。
更に、1.0mWの再生光を連続して照射した読出し回数
として、106回以上の読出し回数があつた。
として、106回以上の読出し回数があつた。
実施例７ 厚さ1.2mmのポリカーボネート基板上にビス（トリブ
チルシロキシ）ゲルマニウム−テトラ（ｔ−ブチル）フ
タロシアニンとパラジウムテトラ−ｔ−ブチルフタロシ
アニンとを、重量比1:0.8で四塩化炭素に溶解し、1.0重
量％の溶液を作成し、基板上に該溶液をスピンナーを用
いて塗布し、乾燥して膜厚46nmの記録層を形成し、記録
媒体とした。得られた記録媒体の記録層の波長690nmに
おける基板側からの反射率は31％であつた。前記記録媒
体上に波長690nmの半導体レーザの出力光を直径1.2μｍ
のスポツト径に集光し、線速度8.0m/s,出力9mWで基板側
から1MHzの信号の書き込みを行つた後、1.0mWの再生光
で読み取りをしたところ、再生C/N比43dBであつた。
チルシロキシ）ゲルマニウム−テトラ（ｔ−ブチル）フ
タロシアニンとパラジウムテトラ−ｔ−ブチルフタロシ
アニンとを、重量比1:0.8で四塩化炭素に溶解し、1.0重
量％の溶液を作成し、基板上に該溶液をスピンナーを用
いて塗布し、乾燥して膜厚46nmの記録層を形成し、記録
媒体とした。得られた記録媒体の記録層の波長690nmに
おける基板側からの反射率は31％であつた。前記記録媒
体上に波長690nmの半導体レーザの出力光を直径1.2μｍ
のスポツト径に集光し、線速度8.0m/s,出力9mWで基板側
から1MHzの信号の書き込みを行つた後、1.0mWの再生光
で読み取りをしたところ、再生C/N比43dBであつた。
更に、1.0mWの再生光を連続して照射した読出し回数
として、106回以上の読出し回数があつた。
として、106回以上の読出し回数があつた。
実施例８ 厚さ1.2mmのポリカーボネート基板上にビス（トリエ
チルシロキシ）ゲルマニウム−テトラ（ｔ−ブチル）フ
タロシアニンと銅テトラ−ｔ−ブチルフタロシアニンと
を、重量比1:0.8で四塩化炭素に溶解し、1.0重量％の溶
液を作成し、基板上に該溶液をスピンナーを用いて塗布
し、乾燥して膜厚45nmの記録層を形成し、記録媒体とし
た。得られた記録媒体の記録層の波長690nmにおける基
板側からの反射率は29％であつた。前記記録媒体上に波
長690nmの半導体レーザの出力光を直径1.2μｍのスポツ
ト径に集光し、線速度8.0m/s,出力6mWで基板側から1MHz
の信号の書き込みを行つた後、1.0mWの再生光で読み取
りをしたところ、再生C/N比44dBであつた。
チルシロキシ）ゲルマニウム−テトラ（ｔ−ブチル）フ
タロシアニンと銅テトラ−ｔ−ブチルフタロシアニンと
を、重量比1:0.8で四塩化炭素に溶解し、1.0重量％の溶
液を作成し、基板上に該溶液をスピンナーを用いて塗布
し、乾燥して膜厚45nmの記録層を形成し、記録媒体とし
た。得られた記録媒体の記録層の波長690nmにおける基
板側からの反射率は29％であつた。前記記録媒体上に波
長690nmの半導体レーザの出力光を直径1.2μｍのスポツ
ト径に集光し、線速度8.0m/s,出力6mWで基板側から1MHz
の信号の書き込みを行つた後、1.0mWの再生光で読み取
りをしたところ、再生C/N比44dBであつた。
更に、1.0mWの再生光を連続して照射した読出し回数
として、106回以上の読出し回数があつた。
として、106回以上の読出し回数があつた。
実施例９ 厚さ1.2mmのポリカーボネート基板上にビス（トリエ
チルシロキシ）ゲルマニウム−テトラ（ｔ−ブチル）フ
タロシアニンと亜鉛テトラ−ｔ−ブチルフタロシアニン
とを用い、これに表２に示されている割合にて、四塩化
炭素に溶解し、1.0重量％の溶液を作成し、基板上に該
溶液をスピンナーにより塗布し、乾燥して記録層を形成
した。
チルシロキシ）ゲルマニウム−テトラ（ｔ−ブチル）フ
タロシアニンと亜鉛テトラ−ｔ−ブチルフタロシアニン
とを用い、これに表２に示されている割合にて、四塩化
炭素に溶解し、1.0重量％の溶液を作成し、基板上に該
溶液をスピンナーにより塗布し、乾燥して記録層を形成
した。
この表には、色素の混合比，膜厚，波長690nmでの反
射率再生C/N比，読出し回数を併記した。作製した各媒
体について、波長690nmの半導体レーザの出力光を直径
1.2μｍのスポツト径に集光し、線速度8.0m/s,出力9mW
で基板側から記録周波数1MHzの信号の書き込みを行つ
た。更に、1.0mWの再生光を連続して照射した読出し回
数を測定した。これらの結果を表２に示す。各混合比で
良好な再生C/N比と読出し光安定性を示した。混合比
が、1:1.5以上では反射率が20％以下となり、検出でき
なかつた。
射率再生C/N比，読出し回数を併記した。作製した各媒
体について、波長690nmの半導体レーザの出力光を直径
1.2μｍのスポツト径に集光し、線速度8.0m/s,出力9mW
で基板側から記録周波数1MHzの信号の書き込みを行つ
た。更に、1.0mWの再生光を連続して照射した読出し回
数を測定した。これらの結果を表２に示す。各混合比で
良好な再生C/N比と読出し光安定性を示した。混合比
が、1:1.5以上では反射率が20％以下となり、検出でき
なかつた。
実施例10 第４図に示す光学系を用い、第５図に示す読出し光の
レーザー出力をし、実施例１で示した記録媒体を用いて
読出し光安定性を評価した。その結果、1.0mWの再生光
を連続して照射した読出し回数として、106回以上の読
出し回数があつた。
レーザー出力をし、実施例１で示した記録媒体を用いて
読出し光安定性を評価した。その結果、1.0mWの再生光
を連続して照射した読出し回数として、106回以上の読
出し回数があつた。
実施例11 実施例10同様の光学系を用い、第６図に示す読出し光
のレーザー出力をし、実施例１で示した記録媒体を用い
て読出し光安定性を評価した。その結果、1.0mWの再生
光を連続して照射した読出し回数として、106回以上の
読出し回数があつた。
のレーザー出力をし、実施例１で示した記録媒体を用い
て読出し光安定性を評価した。その結果、1.0mWの再生
光を連続して照射した読出し回数として、106回以上の
読出し回数があつた。
実施例12 実施例10同様の光学系を用い、第６図に示す読出し光
のレーザー出力をし、実施例１で示した記録媒体を用い
て読出し光安定性を評価した。その結果、1.0mWの再生
光を連続して照射した読出し回数として、106回以上の
読出し回数があつた。
のレーザー出力をし、実施例１で示した記録媒体を用い
て読出し光安定性を評価した。その結果、1.0mWの再生
光を連続して照射した読出し回数として、106回以上の
読出し回数があつた。
実施例13 ビス（トリプロピルシロキシ）シリコーン−テトラ
（シクロヘキシルチオ）ナフタロシアニン と銅テトラ−ｔ−ブチルナフタロシアニン とを前者／後者の重量比1/0.8で配合し、該配合物に四
塩化炭素を加えて1.0重量％溶液を作成した。該溶液を2
000r.p.mで回転させた厚さ1.2mmのポリカーボネート基
板上に滴下し、約20秒間回転させてスピンナー塗布を行
なつた。その後、90℃,1時間加熱した。得られた記録媒
体の記録層の厚さは40〜60nmであつた。また、830nmに
おける基板側からの反射率は32％であつた。更に、3.0m
Wの再生光を連続して照射した読出し回数として、106回
以上の読出し回数があつた。
（シクロヘキシルチオ）ナフタロシアニン と銅テトラ−ｔ−ブチルナフタロシアニン とを前者／後者の重量比1/0.8で配合し、該配合物に四
塩化炭素を加えて1.0重量％溶液を作成した。該溶液を2
000r.p.mで回転させた厚さ1.2mmのポリカーボネート基
板上に滴下し、約20秒間回転させてスピンナー塗布を行
なつた。その後、90℃,1時間加熱した。得られた記録媒
体の記録層の厚さは40〜60nmであつた。また、830nmに
おける基板側からの反射率は32％であつた。更に、3.0m
Wの再生光を連続して照射した読出し回数として、106回
以上の読出し回数があつた。
実施例14 ビス（トリブチルシロキシ）ゲルマニウム−テトラ
（オクチロオキシカルボニル）ナフタロシアニン と銅テトラ−ｔ−ブチルナフタロシアニンとを前者／後
者の重量比1/0.8で配合し、該配合物に四塩化炭素を加
えて1.0重量％溶液を作成した。該溶液中に、厚さ1.2mm
のポリカーボネート基板を浸し、その後1cm/minの引き
上げ速度で引き上げ、次いで90℃,1時間加熱を行ない四
塩化炭素を除去した。得られた記録媒体の記録層の厚さ
は48nmであつた。
（オクチロオキシカルボニル）ナフタロシアニン と銅テトラ−ｔ−ブチルナフタロシアニンとを前者／後
者の重量比1/0.8で配合し、該配合物に四塩化炭素を加
えて1.0重量％溶液を作成した。該溶液中に、厚さ1.2mm
のポリカーボネート基板を浸し、その後1cm/minの引き
上げ速度で引き上げ、次いで90℃,1時間加熱を行ない四
塩化炭素を除去した。得られた記録媒体の記録層の厚さ
は48nmであつた。
この光学的情報記録媒体の膜質は良好で、フオーカシ
ング，トラツキングが取りやすい。
ング，トラツキングが取りやすい。
実施例15 ビス（トリブチルシロキシ）ゲルマニウム−テトラ
（オクチロオキシカルボニル）ナフタロシアニンと銅テ
トラ−ｔ−ブチルナフタロシアニンとを前者／後者の重
量比1/0.8で配合し、該配合物に四塩化炭素を加えて、
1.0重量％溶液を作成した。該溶液をポリカーボネート
シート上に厚さ50−70nmで塗布した後、90℃,1時間加熱
して四塩化炭素を除去した。
（オクチロオキシカルボニル）ナフタロシアニンと銅テ
トラ−ｔ−ブチルナフタロシアニンとを前者／後者の重
量比1/0.8で配合し、該配合物に四塩化炭素を加えて、
1.0重量％溶液を作成した。該溶液をポリカーボネート
シート上に厚さ50−70nmで塗布した後、90℃,1時間加熱
して四塩化炭素を除去した。
次いで、該記録層塗布シートを、デイスク状または角
状に切り出し光学情報記録媒体を形成した。更に、トラ
ツキングを取るために、レーザビームを用いて案内溝を
形成した。
状に切り出し光学情報記録媒体を形成した。更に、トラ
ツキングを取るために、レーザビームを用いて案内溝を
形成した。
この光学的情報記録媒体の膜質は良好であり、フオー
アツシング，トラツキングが取りやすい。
アツシング，トラツキングが取りやすい。
実施例16 ビス（トリブチルシロキシ）シリコン−テトラ（シク
ロヘキシルチオ）ナフタロシアニンと銅テトラ−ｔ−ブ
チルナフタロシアニンとを前者／後者の重量比1/0.4で
配合し、該配合物に、メチルシクロヘキサンとトルエン
の9/1混合溶媒 を加えて1.0重量％溶液を作成した。該溶液をロール上
に滴下し、ロールの下に厚さ1.2mmのポリカーボネート
基板を通すことにより、基板上に記録媒体を形成した。
ロールと基板間の隙間は20μｍ。基板の移動速度は、27
00mm/minである。次いで90℃,1時間加熱を行ない光学的
情報記録媒体を得た。該記録媒体の膜質は良好であり、
フオーカシング，トラツキングが取りやすい。
ロヘキシルチオ）ナフタロシアニンと銅テトラ−ｔ−ブ
チルナフタロシアニンとを前者／後者の重量比1/0.4で
配合し、該配合物に、メチルシクロヘキサンとトルエン
の9/1混合溶媒 を加えて1.0重量％溶液を作成した。該溶液をロール上
に滴下し、ロールの下に厚さ1.2mmのポリカーボネート
基板を通すことにより、基板上に記録媒体を形成した。
ロールと基板間の隙間は20μｍ。基板の移動速度は、27
00mm/minである。次いで90℃,1時間加熱を行ない光学的
情報記録媒体を得た。該記録媒体の膜質は良好であり、
フオーカシング，トラツキングが取りやすい。
実施例17 有機光導電体（OPC）の電荷発生層として、シリンコ
ーン樹脂中にビス（トリブチルシロキシ）シリコン−テ
トラ（シクロヘキシルチオ）ナフタロシアニンと銅テト
ラ−ｔ−ブチルナフタロシアニンとを前者／後者の重量
比1/0.8で配合した配合物を分散させ、その分散溶液中
に感光ドラム（Al製）を浸すことにより形成した。引き
上げ速度は1cm/minである。
ーン樹脂中にビス（トリブチルシロキシ）シリコン−テ
トラ（シクロヘキシルチオ）ナフタロシアニンと銅テト
ラ−ｔ−ブチルナフタロシアニンとを前者／後者の重量
比1/0.8で配合した配合物を分散させ、その分散溶液中
に感光ドラム（Al製）を浸すことにより形成した。引き
上げ速度は1cm/minである。
該感光ドラムに35V/μｍの電場を印加して、波長780n
mの半導体レーザを照射した結果、良好な電荷発生が確
認できた。
mの半導体レーザを照射した結果、良好な電荷発生が確
認できた。
本発明の光学的情報記録媒体は、前記のように、ナフ
タロシアニン誘導体と熱クエンチヤを混合させた系も用
いることにより、基板上にスピンコーテイング法なデイ
ツプコーテイング法で薄膜を形成することができる。
タロシアニン誘導体と熱クエンチヤを混合させた系も用
いることにより、基板上にスピンコーテイング法なデイ
ツプコーテイング法で薄膜を形成することができる。
また、得られた薄膜は半導体レーザ発振波長領域の光
に対して好適な読出し光安定性が1mWで106回以上を示し
ており、追記型の光学的情報記録媒体として好適に用い
ることができる。
に対して好適な読出し光安定性が1mWで106回以上を示し
ており、追記型の光学的情報記録媒体として好適に用い
ることができる。
第１図は、ビス（トリブチルシロキシ）ゲルマニウム−
テトラ（オクチロオキシ）ナフタロシアニンと銅テトラ
−ｔ−ブチルナフタロシアニン（重量比1:0.8）の読出
し光安定性を示すグラフ、第２図は、ビス（トリエチル
シロキシ）ゲルマニウム−テトラ（オクチロオキシ）ナ
フタロシアニンと銅テトラ−ｔ−ブチルナフタロシアニ
ン（重量比1:0.75）の読出し光安定性を示すグラフ、第
３図はビス（トリブチルシロキシ）ゲルマニウム−テト
ラ（オクチロオキシカルボニル）ナフタロシアニン単独
の場合の読出し光安定性を示すグラフである。第４図は
記録再生装置の光学系を示す図、第５図，第６図は読出
し光のレーザー出力波形である。
テトラ（オクチロオキシ）ナフタロシアニンと銅テトラ
−ｔ−ブチルナフタロシアニン（重量比1:0.8）の読出
し光安定性を示すグラフ、第２図は、ビス（トリエチル
シロキシ）ゲルマニウム−テトラ（オクチロオキシ）ナ
フタロシアニンと銅テトラ−ｔ−ブチルナフタロシアニ
ン（重量比1:0.75）の読出し光安定性を示すグラフ、第
３図はビス（トリブチルシロキシ）ゲルマニウム−テト
ラ（オクチロオキシカルボニル）ナフタロシアニン単独
の場合の読出し光安定性を示すグラフである。第４図は
記録再生装置の光学系を示す図、第５図，第６図は読出
し光のレーザー出力波形である。
フロントページの続き (72)発明者 佐々木 洋 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社 日立製作所日立研究所内 (72)発明者 伊藤 豊 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社 日立製作所日立研究所内 (56)参考文献 特開 昭63−227387（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−276592（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−54069（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−124488（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−173687（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B41M 5/26
Claims (9)
- 【請求項１】基板上に情報記録層を設けてなる光学的情
報記録媒体において、該情報記録媒体層が熱分解開始温
度が300℃以下のナフタロシアニン誘導体と、熱分解開
始温度が350℃以上の結晶性色素の混合物を含むことを
特徴とする光学的情報記録媒体。 - 【請求項２】基板上に情報記録媒体層を設けてなる光学
的情報記録媒体において、該情報記録媒体層が下記一般
式（Ｉ） 〔但し、式中M1は金属原子を表し、Si,Ge,Snから選ばれ
るIV族金属を表す。 Ｘは、炭素数１〜20個のアルキル基，アルケニル基，ア
ルキルチオ基，芳香族炭化水素基，アシル基又はトリ置
換シリル基のいずれかを表す。 Y1及びY2は同一又は異なり、−OR,−OAr,−OSi（Ｒ）3,
−OSi（OR）3,…OSi（OAr）３及び−OC（C6H5）３より
なる群から選択した基（但しＲはC1〜C20の直鎖または
分岐アルキル基,Arはフエニル基，置換フエニル基，ベ
ンジル基及び置換ベンジル基よりなる群から選択した
基）である。〕 で表わされるナフタロシアニン誘導体と、熱分解開始温
度が350℃以上で前記一般式（Ｉ）で表わされるナフタ
ロシアニン誘導体の熱劣化防止作用を持つ熱クエンチヤ
の混合物を含み0.5〜3.0mWのレーザ光で読出可能なこと
を特徴とする光学的情報記録媒体。 - 【請求項３】基板上に情報記録層を設けてなる光学的情
報記録媒体において、該光学的情報記録媒体層が熱分解
開始温度が300℃以下のナフタロシアニン誘導体と、熱
分解開始温度が350℃以上の一般式（II） 〔但し、式中M2は、遷移金属を表す。Ｘは、炭素数１〜
20個のアルキル基，アルケニル基，アルキルチオ基，芳
香族炭化水素基，アシル基又はトリ置換シリル基のいず
れかを表す。〕で表わされる結晶性色素の混合物を含む
ことを特徴とする光学的情報記録媒体。 - 【請求項４】基板上に情報記録媒体層を設けてなる光学
的情報記録媒体において、該光学的情報記録媒体が下記
一般式（Ｉ） 〔但し、式中M1は金属原子を表し、Si,Ge,Snから選ばれ
るIV族金属を表す。 Ｘは、炭素数１〜20個のアルキル基，アルケニル基，ア
ルキルチオ基，芳香族炭化水素基，アルキルオキシカル
ボニル基，アシル基又はトリ置換シリル基のいずれかを
表す。 Y1及びY2は同一又は異なり、−OR,−OAr,−OSi（Ｒ）3,
−OSi（OR）3,…OSi（OAr）３及び−OC（C6H5）３より
なる群から選択した基（但しＲはC1〜C20の直鎖または
分岐アルキル基,Arはフエニル基，置換フエニル基，ベ
ンジル基及び置換ベンジル基よりなる群から選択した
基）である。〕 で表わされるナフタロシアニン系誘導体と、前記一般式
（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘導体の分子励起
状態の緩和過程を有することが可能な色素の混合物を含
むことを特徴とする光学的情報記録媒体。 - 【請求項５】請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載
の光学的情報記録媒体を用いた装置。 - 【請求項６】基板上に情報記録層を設けてなる光学的情
報記録媒体の製造方法において、情報記録媒体が熱分解
開始温度300℃以下のナフタロシアニン誘導体と熱分解
開始温度350℃以上の結晶性色素とを溶媒に溶解して、
0.1〜５重量％の溶液を作成し、該溶液中に基板をデイ
ツプした後、引上げ、溶媒を除去することを特徴とする
光学的情報記録媒体の製造法。 - 【請求項７】基板上に情報記録層を設けるなる光学的情
報記録媒体の製造方法において、情報記録媒体が熱分解
開始温度300℃以下のナフタロシアニン誘導体と熱分解
開始温度350℃以上の結晶性色素とを溶媒に溶解して、
0.1〜５重量％の溶液を作成し、該溶液を1000〜5000r.
p.mで回転させた基板上に流動させ、被膜を形成し次い
で溶媒を除去し10〜200nm厚さの記録媒体層を形成する
ことを特徴とする光学的情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項８】基板上に情報記録媒体層を設けてなる光学
的情報記録媒体の製造法において情報記録媒体層が、下
記一般式〔Ｉ〕 〔式中、M1はSi,Ge,Snのいずれかで表わし、Ｘは、炭素
数１〜20個のアルキル基，アルケニル基，アルキルチオ
基，芳香族炭化水素基，アシル基又はトリ置換シリル基
のいずれかを表わし、Y1及びY2は−OR,−OAr,−OSi
（Ｒ）3,−OSi（OR）3,OSi（OAr）３及び−OC（C6H5）
３（但し、ＲはC1〜C20の直鎖または分岐アルキル基,Ar
はフエニル基，置換フエニル基，ベンジル基及び置換ベ
ンジル基よりなる群から選択した基である。）のいずれ
かであり、お互いに同じであつても異なつていてもよ
い。〕 で表わされるナフタロシアニン誘導体と、前記一般式
〔Ｉ〕で表わされるナフタロシアニン誘導体の熱劣化防
止作用を持つ熱クエンチヤとを溶媒に溶解して、0.1〜
５重量％溶液を作成し、該溶液を基板上で基板を回転さ
せながら流動させ、次いで加熱により溶媒を除去するこ
とを特徴とする光学的情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項９】請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載
の光学的情報記録媒体の波長640−720nmあるいは780nm,
830nmの半導体レーザ光で0.5〜3.0mWで記録再生するこ
とを特徴とする光学的情報記録媒体の使用方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2110069A JP2816229B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 光学的情報記録媒体及びその製造方法並びに光学的情報記録媒体を用いた装置 |
| KR1019900013361A KR910005252A (ko) | 1989-08-30 | 1990-08-29 | 광정보 기록매체 |
| US07/574,069 US5281512A (en) | 1989-08-30 | 1990-08-29 | Optical information recording medium |
| DE69029304T DE69029304T2 (de) | 1989-08-30 | 1990-08-30 | Medium für optische Datenaufzeichnung, Verfahren und Apparat |
| EP90116649A EP0418611B1 (en) | 1989-08-30 | 1990-08-30 | Optical information recording medium, method and apparatus |
| US08/450,136 US5561659A (en) | 1989-08-30 | 1995-05-26 | Optical information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2110069A JP2816229B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 光学的情報記録媒体及びその製造方法並びに光学的情報記録媒体を用いた装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH048584A JPH048584A (ja) | 1992-01-13 |
| JP2816229B2 true JP2816229B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=14526268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2110069A Expired - Lifetime JP2816229B2 (ja) | 1989-08-30 | 1990-04-27 | 光学的情報記録媒体及びその製造方法並びに光学的情報記録媒体を用いた装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2816229B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6541485B1 (en) * | 1999-06-10 | 2003-04-01 | 3M Innovative Properties Company | Urea substituted imidazoquinolines |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP2110069A patent/JP2816229B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH048584A (ja) | 1992-01-13 |
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