JP2806174B2

JP2806174B2 - 導電性トナーを用いる電子写真法

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Publication number: JP2806174B2
Application number: JP4265607A
Authority: JP
Inventors: 茂八木; 武敏東
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd; Fujifilm Business Innovation Corp
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 1992-09-09
Filing date: 1992-09-09
Publication date: 1998-09-30
Anticipated expiration: 2013-09-30
Also published as: JPH0695437A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の利用分野】本発明は、アモルファスシリコンを
主成分とする光導電層を設けた電子写真感光体および導
電性トナーを用いる電子写真法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、高感度で長寿命の感光体としてア
モルファスシリコン感光体が注目されている。しかしな
がら、アモルファスシリコン膜はその比誘電率がセレン
や有機感光体に比べて２倍から４倍大きく、このため、
電子写真感光体の静電容量が大きくなり、通常の静電潜
像の現像に必要な帯電電位を得るために帯電電流を２倍
から３倍多くする必要がある。このため、オゾン量の増
加、放電生成物の増加等による信頼性の低下という問題
があった。また、帯電性の向上を目指して膜厚を増加さ
せることも行われているが、膜欠陥の増加と生産性の低
下という問題があった。［Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉ
ｃｓ，Vol.４，ｐ２７３（１９８９）］

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の電子
写真装置の構成要素を簡略化して小型化し、省エネルギ
ーで、長寿命かつ信頼性の高い電子写真法を提供するこ
とを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述のよ
うなアモルファスシリコン感光体に関する問題を導電性
現像剤を用いた現像法と組み合わせることによって解決
し、発明を完成したものである。すなわち、本発明の電
子写真法は、導電性支持体上に、周期律表第III 族元素
又は第Ｖ族元素が添加されたアモルファスシリコンより
なる帯電極性と反対の電荷の注入を阻止する電荷注入阻
止層、水素およびハロゲン元素から選ばれる少なくとも
１種の元素を含み、必要に応じて導電性を制御する不純
物元素を含むアモルファスシリコンを主成分とする膜厚
１０μｍ以下の光導電層、および炭素、窒素および酸素
から選ばれる少なくとも１種の元素を含むアモルファス
シリコン又は５０原子％以下の水素およびハロゲン元素
から選ばれる少なくとも１種の元素を含むアモルファス
カーボンからなる表面層を設けた電子写真感光体に、接
触帯電を施し、露光により形成された潜像を導電性トナ
ーで現像し、形成された現像像の記録媒体への転写と定
着を圧力により同時に行うことを特徴とする。本発明に
おいては、クリーニングに金属ブレードを用いてもよ
い。

【０００５】以下、本発明を詳細に説明する。図１〜図
４は本発明の電子写真感光体の模式的断面図を示す。図
１において、電子写真感光体は、導電性支持体１上に電
荷注入阻止層４、アモルファスシリコンを主体とする光
導電層２および表面層３が積層された構造を有してい
る。図２においては、導電性支持体１と電荷注入阻止層
４との間に補助層５が設けられている。図３および図４
は、表面層３が積層構造を有し、表面保護層９と中間層
６〜８を形成している場合を示す。

【０００６】本発明において、支持体としては、導電性
支持体および絶縁性支持体のいずれを用いてもよい。導
電性支持体としては、アルミニウム、ステンレススチー
ル、ニッケル、クロム等の金属およびその合金が挙げら
れる。絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチ
レン、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリアミド、
ポリイミド等の高分子フィルムまたはシート、ガラス、
セラミック等が挙げられる。絶縁性支持体を用いる場合
には、少なくとも他の層と接触する面を導電化処理して
おくことが必要である。導電化処理は、上記金属の他
に、金、銀、銅等を蒸着法、スパッタリング法、イオン
プレーティング法で金属膜を形成したものを用いること
ができる。

【０００７】導電性支持体は、一般にオーステナイト系
ステンレス鋼と称されるＣｒ−Ｎｉ含有鋼で形成されて
いるものを用いることができる。さらにまた、これらの
オーステナイト系ステンレス鋼よりなる導電性支持体の
表面に、少なくともモリブデン、クロム、マンガン、タ
ングステンまたはチタンを主成分とする導電層を形成さ
せたものが好ましく使用される。これらの導電層は、メ
ッキ処理、スパッタリング法または蒸着法によって形成
することができる。また、アルミニウム基板上にクロ
ム、チタン、タングステンまたはモリブデンを主成分と
して形成された導電層を有するものを用いることができ
る。さらにまた、モリブデン、タングステンまたはチタ
ンから構成される導電性支持体を用いることもできる。
支持体は、厚さ０．５〜５０ｍｍ、好ましくは１〜２０
ｍｍの範囲のものが使用される。

【０００８】支持体はその表面が研磨されているものを
用いてもよい。すなわち、バフ研磨、砥石研磨等によ
り、研磨剤の粗さを粗粒から微粒に変えながら、繰り返
し実施することにより平滑にしたものを用いることがで
きる。表面の粗さは、Ｒs で２Ｓから０．０２Ｓの範囲
であり、好ましくは０．５Ｓから０．０３Ｓの範囲のも
のを用いることができる。表面は、完全鏡面であって
も、あるいは細い筋によりくもり状になっていてもよい
が、全体としては平滑であって、切削ピッチの境界面に
凸状部が残留していないことが必要である。

【０００９】本発明において、光導電層および電荷注入
阻止層は、アモルファスシリコンを主体とする層からな
り、グロー放電分解法、スパッタリング法、イオンプレ
ーティング法、真空蒸着法等の手段によって形成するこ
とができる。グロー放電分解法の場合を例にとってその
製造法を示すと、次のようになる。原料ガスとしては、
ケイ素原子を含む主原料ガスと、必要な添加物元素を含
む原料ガスの混合ガスを用いる。この場合、必要に応じ
て、この混合ガスにさらに水素ガスあるいは不活性ガス
等のキャリアガスを混合してもよい。成膜条件は、周波
数５ＧＨｚ以下、反応器内圧１０^-5〜１０Ｔｏｒｒ
（０．００１〜１３３０Ｐａ）、放電電力１０〜３００
０Ｗ、また、支持体温度は３０〜３００℃である。膜厚
は放電時間の調整により適宜設定することができる。ま
た、上記ケイ素原子を含む主原料ガスとしては、シラン
類、特にＳｉＨ₄および／またはＳｉ₂Ｈ₆が用いられ
る。

【００１０】光導電層は、水素およびハロゲン元素から
選ばれる少なくとも１種の元素を含有するアモルファス
シリコンを主体として形成される。膜厚は１〜１０μｍ
の範囲が好ましい。膜厚が１μｍ以下の場合には、導電
性トナーの保持が不十分であり、強度的にも不十分であ
る。また、１０μｍ以上の場合には、感光体表面の半球
状突起の大きさが１０μｍ以上になるものが増加するた
め、導電性トナーからの電荷の注入やクリーニングブレ
ードによる磨耗が増加する。光導電層には、その他の元
素を何もドープしなくてもよいが、導電性を制御する不
純物元素として周期律表第III 族元素を含有させるのが
好ましい。第III 族元素を含む原料ガスとしては、典型
的にはジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）が用いられる。その添加量
は感光体の帯電極性、必要な分光感度によって決定さ
れ、０．０１〜１００ｐｐｍの範囲で用いられる。アモ
ルファスシリコンを主体とするこの光導電層には、帯電
性の向上、暗減衰の低減、感度の向上等の目的で、さら
に炭素、窒素、酸素等の元素を添加することが可能であ
る。また、この光導電層には、ＧｅおよびＳｎの少なく
とも１種を含有していてもよい。本発明において、光導
電層は電荷発生層と電荷輸送層との二種類から構成され
ていてもよい。

【００１１】帯電極性と反対の電荷の注入を阻止する電
荷注入阻止層は、周期律表第III 族元素または第Ｖ族元
素が添加されたアモルファスシリコンよりなる。添加物
として第III 族元素を用いるかあるいは第Ｖ族元素を用
いるかは、感光体の帯電極性によって決められる。層形
成に際して、第III 族元素を含む原料ガスとしては、典
型的にはジボランが、また、第Ｖ族元素を含む原料ガス
としては、典型的にはホスフィン（ＰＨ₃）またはアン
モニアが用いられる。電荷注入阻止層には、第III 族元
素または第Ｖ族元素に加えて、さらに炭素、窒素、酸素
およびハロゲン元素の少なくともいずれか１種の元素を
含有させてもよい。

【００１２】さらにまた、電荷注入阻止層と導電性支持
体との間には、接着層等の補助層が設けられていてもよ
い。例えば、炭素、窒素、酸素等の元素の少なくとも１
種を含有するアモルファスシリコンまたはアモルファス
カーボンを用いることができる。

【００１３】表面層は、炭素、窒素および酸素から選ば
れる少なくとも１種の元素を含有するアモルファスシリ
コンよりなる層であるか、５０原子％以下の水素および
ハロゲン元素から選ばれる少なくとも１種の元素を含有
するアモルファスカーボンよりなる層であるか、あるい
はそれらが積層されて形成されるものであってよい。表
面層には、さらに周期律表第III 族元素および第Ｖ族元
素から選ばれる少なくとも１種の元素を含有していても
よく、これらの元素としては上記電荷注入阻止層と同様
のものが用いられる。また、表面層は、純水の水滴によ
る接触角が６０°以上であることが好ましく、特に８０
°以上であることがより好ましい。さらに、表面硬度が
ビッカース硬度５００ｋｇ／ｍｍ²以上であることが好
ましく、より好ましくは１０００ｋｇ／ｍｍ²以上であ
る。

【００１４】表面層が炭素、窒素および酸素から選ばれ
る少なくとも１種の元素を含有するアモルファスシリコ
ンよりなる層の場合には、表面層は、プラズマＣＶＤ
法、蒸着法、イオンプレーティング法等によって形成す
ることができ、材料としてＳｉＣ_x、ＳｉＮ_x、ＳｉＯ
_x等が用いられる。具体的には、プラズマＣＶＤ法の場
合には、ケイ素原子を含む主原料ガスとして、シラン
類、特にＳｉＨ₄および／またはＳｉ₂Ｈ₆が用いら
れ、また、炭素、窒素または酸素を含有させるための原
料ガスとして、例えば次のようなものが使用できる。す
なわち、炭素を含む原料ガスとしては、メタン、エタ
ン、プロパン、アセチレンのような炭化水素、ＣＦ₄、
Ｃ₂Ｆ₄のようなハロゲン化炭化水素を用いることがで
き、窒素を含む原料ガスとしては、Ｎ₂ガス、ＮＨ₃、
Ｎ₂Ｈ₄、ＨＮ₃等の水素化窒素化合物のガスを用いる
ことができ、さらに、酸素を含む原料ガスとしては、Ｏ
₂、Ｎ₂Ｏ、ＣＯ、ＣＯ₂等を用いることができる。

【００１５】また、表面層が水素およびハロゲン元素か
ら選ばれる少なくとも１種の元素を含有するアモルファ
スカーボンよりなる層の場合には、層中に含まれる多量
の水素またはハロゲン元素は、層中に鎖状の−ＣＨ₂−
結合、−ＣＦ₂−結合または−ＣＨ₃結合を増加させ、
結果として層の硬度を損なうことになるため、層中の水
素またはハロゲン元素の量は５０原子％以下であること
が必要である。この場合も表面層は、プラズマＣＶＤ
法、蒸着法、イオンプレーティング法等によって形成す
ることができるが、プラズマＣＶＤ法が特に好ましい。

【００１６】アモルファスカーボンを形成する原料とし
ては次のようなものが挙げられる。主体となる炭素の原
料としては、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペン
タン等の一般式Ｃ_nＨ_2n+2で示されるパラフィン系炭化
水素、エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンテン等の
一般式Ｃ_nＨ_2nで示されるオレフィン系炭化水素、アセ
チレン、アリレン、ブチン等の一般式Ｃ_nＨ_2n-2で示さ
れるアセチレン系炭化水素などの脂肪族炭化水素、シク
ロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘ
キサン、シクロヘプタン、シクロブテン、シクロペンテ
ン、シクロヘキセン等の脂環式炭化水素、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、ナフタレン、アントラセン等の芳香
族炭化水素、あるいはそれらの置換体が挙げられる。こ
れらの炭化水素化合物は、枝分れ構造であってもよく、
また、ハロゲン置換体であってもよい。例えば、四塩化
炭素、クロロホルム、四フッ化炭素、トリフルオロメタ
ン、クロロトリフルオロメタン、ジクロロジフルオロメ
タン、ブロモトリフルオロメタン、パーフルオロエタ
ン、パーフルオロプロパン等のハロゲン化炭化水素を用
いることができる。以上列記した炭素の原料は、常温で
ガス状であっても、固体状あるいは液状であってもよ
く、固体状あるいは液状である場合には、気化して用い
られる。

【００１７】アモルファスカーボンよりなる表面層をプ
ラズマＣＶＤ法によって形成する場合、上記原料から選
択された１種以上のガス状原料を減圧容器内に導入し、
グロー放電を生起させればよい。その場合必要に応じ
て、これらのガス状原料とは異なる他のガス状物質を併
用してもよい。例えば、水素、ヘリウム、アルゴン、ネ
オン等のキャリアガスを併用することができる。なお、
プラズマＣＶＤ法によるグロー放電分解は、直流および
交流放電のいずれを採用してもよく、そして、成膜条件
としては、通常、周波数５ＧＨｚ以下、好適には５〜２
０ＭＨｚ、放電時の真空度０．１〜５Ｔｏｒｒ（１３．
３〜６６７Ｐａ）、支持体加熱温度１００〜３００℃で
ある。膜厚は、放電時間の調整により適宜設定すること
ができるが、０．０１〜１０μｍ、好ましくは０．２〜
５μｍである。

【００１８】本発明において、表面層は、上記したアモ
ルファスシリコンよりなる層およびアモルファスカーボ
ンよりなる層の少なくともいずれかが１層以上積層され
て形成されていてもよい。図３および図４はその例を示
すものであって、表面保護層９と中間層６〜８との積層
構造を有する。なお、図４に示すように中間層が複数層
形成されている場合においては、各中間層は原子比およ
び膜厚が次のような範囲にあるのが好ましい。すなわ
ち、第１の中間層６は、炭素、窒素または酸素原子のケ
イ素原子に対する原子比が０．１〜１．０の範囲にあ
り、膜厚が０．０１〜０．１μｍの範囲にあり、また、
第２の中間層７は、炭素、窒素または酸素原子のケイ素
原子に対する原子比が０．１〜１．０の範囲にあり、膜
厚が０．０５〜１μｍの範囲にあり、さらに第３の中間
層８は、炭素、窒素または酸素原子濃度が第２の中間層
７におけるものよりも高く、ケイ素原子に対する原子比
が０．５〜１．３の範囲にあり、膜厚が０．０１〜０．
１μｍの範囲にあるのが好ましい。

【００１９】本発明において、導電性トナーは、体積抵
抗率が１０¹⁰Ωｃｍ以下のものが使用できる。導電性ト
ナーは、一成分トナーであってもよく、またカプセル型
のトナーであってもよい。導電性はカーボンブラック、
ＳｎＯ₂ＩｎＳｎＯ₂等の導電性粉末を外添することで
得ることができる。これらのトナーは磁気ブラシ現像法
により現像することができる。また、感光体と現像器の
間に電圧を印加してもよい。

【００２０】次に、本発明の電子写真法について説明す
る。図５において、前記アモルファスシリコンを主体と
する光導電層を有する感光体ドラム１０の表面を帯電器
１１により接触帯電させた後、光学系を通した原稿像、
レーザー、ＬＥＤ等の画像入力装置１２からの光によっ
て露光し、静電潜像を形成させる。形成された静電潜像
は、現像器１３によって、トナーを用いて可視化され、
トナー像に変換される。この場合、現像は磁気ブラシ法
を採用することができる。感光体ドラム１０の内部に加
熱装置１８が配設されており、形成されたトナー像は、
定着ロール１４を圧接させることによって、記録媒体と
しての用紙１５上に転写と同時に定着が行われる。転写
後の感光体表面に残留したトナーは、ブレードを用いた
クリーナー機構１６により除去され、そして、感光体表
面に僅かに残った電荷は除電光１７により消去される。
クリーナー機構１６に用いられるブレードとしては、種
々の金属よりなるものを使用することができるが、中で
も、アルミニウム、鉄、ニッケル、ステンレス鋼、タン
グステン、モリブデン、チタン等よりなるものが好まし
く使用できる。

【００２１】

【実施例】以下に、実施例および比較例を示して、本発
明をさらに詳細に説明する。実施例１（電子写真感光体の作製例）支持体として、厚さ１５ｍｍのアルミニウム製円筒状基
体を使用し、次のようにしてアモルファスシリコン感光
体を作製した。反応器内を十分に排気し、次いで、シラ
ンおよびジボランの混合ガスを導入してグロー放電分解
することにより、上記円筒状基体上に膜厚２μｍの電荷
注入阻止層を形成した。その際の成膜条件は次のとおり
であった。１００％シランガス流量：１８０ｃｍ³／ｍｉｎ２００ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：１８０ｃｍ³
／ｍｉｎ反応器内圧：１．０Ｔｏｒｒ放電電力：２００Ｗ放電時間：３０ｍｉｎ放電周波数：１３．５６ＭＨｚ支持体温度：２５０℃ なお、以下の各層の成膜条件における放電周波数および
支持体温度は上記の値に固定した。

【００２２】電荷注入阻止層の形成後、反応器内を十分
に排気し、シラン、水素およびジボランの混合ガスを導
入してグロー放電分解することにより、電荷注入阻止層
上に膜厚５μｍの光導電層を形成した。その際の成膜条
件は次のとおりであった。１００％シランガス流量：１８０ｃｍ³／ｍｉｎ１００％水素ガス流量：１６２ｃｍ³／ｍｉｎ２０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：１８ｃｍ³／ｍ
ｉｎ反応器内圧：１．０Ｔｏｒｒ放電電力：３００Ｗ放電時間：５０ｍｉｎ

【００２３】光導電層の形成後、反応器内を十分に排気
し、シラン、水素およびアンモニアの混合ガスを導入し
てグロー放電分解することにより、光導電層上に膜厚
０．１５μｍの第１の中間層を形成した。その際の成膜
条件は次のとおりであった。１００％シランガス流量：２０ｃｍ³／ｍｉｎ１００％水素ガス流量：１８０ｃｍ³／ｍｉｎ１００％アンモニアガス流量：３０ｃｍ³／ｍｉｎ反応器内圧：０．５Ｔｏｒｒ放電電力：２００Ｗ放電時間：５ｍｉｎ

【００２４】第１の中間層の形成後、反応器内を十分に
排気し、シラン、水素およびアンモニアの混合ガスを導
入してグロー放電分解することにより、第１の中間層上
に膜厚０．２５μｍの第２の中間層を形成した。その際
の成膜条件は次のとおりであった。１００％シランガス流量：２４ｃｍ³／ｍｉｎ１００％水素ガス流量：１８０ｃｍ³／ｍｉｎ１００％アンモニアガス流量：３６ｃｍ³／ｍｉｎ反応器内圧：０．５Ｔｏｒｒ放電電力：２００Ｗ放電時間：１０ｍｉｎ

【００２５】第２の中間層の形成後、反応器内を十分に
排気し、シラン、水素およびアンモニアの混合ガスを導
入してグロー放電分解することにより、第２の中間層上
に膜厚０．１μｍの表面保護層を形成した。その際の成
膜条件は次のとおりであった。１００％シランガス流量：１５ｃｍ³／ｍｉｎ１００％水素ガス流量：１８０ｃｍ³／ｍｉｎ１００％アンモニアガス流量：４３ｃｍ³／ｍｉｎ反応器内圧：０．５Ｔｏｒｒ放電電力：２００Ｗ放電時間：５ｍｉｎ以上のようにして、支持体上に電荷注入阻止層、光導電
層および合計厚さ０．５μｍの３層からなるＳｉＮ_x表
面層を順次形成したアモルファスシリコン感光体を作製
した。

【００２６】

【００２７】実施例２支持体として、ビッカース硬度８００で厚さ１００μｍ
の硬質クロム層が表面に形成され、表面の粗さがＲs
０．０３μｍになるように研磨された厚さ４ｍｍのオー
ステナイト系ステンレス鋼（ＳＵＳ４０３）製円筒状基
体を用い、第２の中間層上に水素含有アモルファスカー
ボンよりなるビッカース硬度２５００の表面保護層を形
成した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を
作製した。なお、表面保護層の成膜条件は次のとおりで
あった。１００％Ｃ₂Ｈ₆ガス流量：５０ｃｍ³／ｍｉｎ反応器内圧：０．５Ｔｏｒｒ放電電力：５００Ｗ放電時間：１０ｍｉｎ放電周波数：１３．５６ＭＨｚ支持体温度：２５０℃ 電極バイアス：２００Ｖ

【００２８】次いで、下記のようにしてカプセルトナー
を調製した。（コア材）ラウリルメタクリレート重合体４０部（ＬＭＡ；Ｍｗ：１×１０⁵、三洋化成社製）磁性粉（ＥＰＴ−１００、戸田工業社製）６０部（外殻材）ポリウレア樹脂（ポリメチレンポリフェニルポリイソシ
アネートとジエチレントリアミンの界面重合体）上記コア材にポリメチレンポリフェニルポリイソシアネ
ート（ダウケミカル社製）を添加して乳化造粒し、ジエ
チレントリアミン水溶液を添加し、界面重合した後、ス
プレードライヤーで乾燥してカプセル粒子を得た。得ら
れたカプセル粒子にカーボンブラック（バルカンＸＣ７
２、キャボット社製）２重量％およびステアリン酸亜鉛
０．５重量％を添加し、混合して導電化処理を施した。
このようにして粒径１５μｍのカプセルトナーを調製し
た。

【００２９】上記電子写真感光体およびカプセルトナー
を使用し、図５に示される電子写真装置を用いて画像試
験を行った。画像形成は、常法により、帯電、露光およ
び現像を行い、次いで、転写定着を行った。すなわち、
感光体の帯電電位は１００Ｖであった。また、ポリビニ
ルアセタール製の転写ロールを円筒状感光体に対して２
００ｋｇ／ｃｍ²の圧力で押圧し、その間に転写用紙を
挿入して転写と定着を同時に行った。得られた画像の定
着性は熱定着と同等であり、感光体表面にはトナーの残
留はなく、転写率は９９．５％であった。この画像試験
において、１００万枚の画像作成後にも、感光体表面に
傷の発生と黒点、白点の発生は全く認められなかった。

【００３０】実施例３実施例２と同じ支持体を用い、下記のＳｉＮ_X含有の電
荷注入阻止層、光導電層およびＳｉＮ_X含有の表面層か
らなる負帯電型アモルファスシリコン感光体を作製し
た。電荷注入阻止層の膜厚は０．２μｍであり、成膜条
件は次のとおりであった。１００％シランガス流量：４０ｃｍ³／ｍｉｎ１００％水素ガス流量：１８０ｃｍ³／ｍｉｎ１００％アンモニアガス流量：２０ｃｍ³／ｍｉｎ反応器内圧：０．５Ｔｏｒｒ放電電力：２００Ｗ放電時間：５ｍｉｎ光導電層の膜厚は５μｍであり、成膜条件は次のとおり
であった。１００％シランガス流量：１８０ｃｍ³／ｍｉｎ１００％水素ガス流量：１６５ｃｍ³／ｍｉｎ１０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス：１５ｃｍ³／ｍｉｎ反応器内圧：１Ｔｏｒｒ放電電力：３００Ｗ放電時間：５０ｍｉｎ表面層の成膜条件は、シランガスとアンモニアガスの流
量をそれぞれ１０ｃｍ³／ｍｉｎと５０ｃｍ³／ｍｉｎ
にした以外は、電荷注入阻止層の条件と同じであった。
この感光体を使用し、実施例２と同じ電子写真装置を用
いて画像試験を行った。帯電電位は−１５０Ｖであり、
現像器に−１２０Ｖの電圧を印加して濃度１．５の画像
を得た。得られた画像にはカブリもなく、定着性も熱定
着と同等であった。

【００３１】比較例光導電層の膜厚を２０μｍとした以外は実施例２と同じ
方法で作製したアモルファスシリコン感光体を使用し、
実施例２と同様にして画像試験を行った。その結果、画
像上に膜の突起に当たる部分で黒点が発生した。その数
は走行と共に増加し、１０万枚の走行後の黒点数は、
０．５ｍｍ以上が３個、０．２〜０．５ｍｍが１０個、
０．２ｍｍ以下が３０個であった。

【００３２】

【発明の効果】本発明の電子写真法によれば、電子写真
感光体における光導電層の膜厚を１０μｍ以下に薄膜化
したので、膜欠陥による画像欠陥の発生を防止すること
ができる。したがって、非常に長期間にわたり、優れた
画質のコピー画像を形成することが可能である。また、
本発明における電子写真感光体と導電性トナーを用いる
電子写真法によれば、低電位現像を確保したので、電子
写真装置の小型化、デジタル化に適しており、省エネル
ギー、低コストかつ高信頼性の画像出力装置に適用でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子写真感光体の模式的断面図を示
す。

【図２】本発明の電子写真感光体の他の模式的断面図
を示す。

【図３】本発明の電子写真感光体の他の模式的断面図
を示す。

【図４】本発明の電子写真感光体の他の模式的断面図
を示す。

【図５】本発明を実施するための電子写真装置の概略
断面図を示す。

【符号の説明】

１…導電性支持体、２…光導電層、３…表面層、４…電
荷注入阻止層、５…補助層、６〜８…中間層、９…表面
保護層、１０…感光体ドラム、１１…帯電器、１２…画
像入力装置、１３…現像器、１４…定着ロール、１５…
用紙、１６…クリーナー機構、１７…除電光、１８…加
熱装置。

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G03G 15/24 G03G 5/08

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】導電性支持体上に、周期律表第III 族元
素又は第Ｖ族元素が添加されたアモルファスシリコンよ
りなる帯電極性と反対の電荷の注入を阻止する電荷注入
阻止層、水素およびハロゲン元素から選ばれる少なくと
も１種の元素を含むアモルファスシリコンを主成分とす
る膜厚１０μｍ以下の光導電層、および炭素、窒素およ
び酸素から選ばれる少なくとも１種の元素を含むアモル
ファスシリコン又は５０原子％以下の水素およびハロゲ
ン元素から選ばれる少なくとも１種の元素を含むアモル
ファスカーボンからなる表面層を設けた電子写真感光体
に、接触帯電を施し、露光により形成された潜像を導電
性トナーで現像し、形成された現像像の記録媒体への転
写と定着を圧力により同時に行うことを特徴とする電子
写真法。
【請求項２】光導電層が導電性を制御する不純物元素
を含む請求項１に記載の電子写真法。
【請求項３】クリーニングに金属ブレードを用いる請
求項１に記載の電子写真法。