JP2804296B2 - レジスト剥離装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、レジスト剥離装置に関するものであり、特
に、オゾンを用いたレジスト剥離装置に係るものであ
る。

［従来の技術］ 一般に、半導体および液晶の製造過程において、ウェ
ハや基板の表面は、以下のように加工されている。すな
わち、第２図（Ａ）に示すように、基板７の表面には、
レジスト６が塗布され、このレジスト６は、第２図
（Ｂ）に示すように、露光、現像されてレジストパター
ン6aを形成する。そして、第２図（Ｃ）に示すように、
このレジストパターンをマスクとしてエッチング処理を
行う。その後、レジスト６を基板７から除去する必要が
ある。この際、レジスト剥離装置が使用されるが、従来
例としては、第３図に示すように、オゾンを利用したも
のが提案されている。

すなわち、処理槽１には、酸素を供給する給気口２お
よび処理槽１内部のガスを排出する排気口３が設けられ
ている。また、給気口２および排気口３には開閉自在な
バルブ４が配設されている。さらに、処理槽１の上部に
は、オゾン発生器５が設置されている。一方、レジスト
６が被着した基板７を載置する作業台には、ヒータ８が
配設されている。

以上のような構成を有する従来例は、次のようにして
基板７からレジスト６を剥離する。

まず、エッチング処理工程後、レジスト６が被着して
いる基板７が、処理槽１に搬入され、給気口２から酸素
が供給される。その後、給気口２および排気口３のバル
ブ４を閉められ、処理槽１は密閉される。そして、オゾ
ン発生器５が動作して、基板７上に、オゾン９を供給す
る。このオゾン９と処理槽１内の酸素の混合ガスの酸化
作用によって、有機化合物であるレジスト６が酸化し、
炭酸ガスや水蒸気として剥離される。この時、約200度
に加熱するヒータ８が、レジスト６の酸化反応速度を促
進させている。最後に、剥離処理終了後、排気口３のバ
ルブ４が開けられ、処理槽１内部のガスを排出する。

以上のようなオゾンを利用したレジスト剥離装置によ
れば、純化学的にレジストの剥離が行われるため、基板
に与えるダメージを最小限に抑えつつ、基板に被着した
レジストを確実に剥離することができる。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記のようなオゾンによるレジスト剥
離装置は、レジストの酸化反応速度が遅く、剥離処理に
要する時間が長い。そのため、従来より、レジストの酸
化反応速度を上げ、剥離処理の所用時間を短縮するため
に、従来より、オゾンを高濃度で使用していた。そこ
で、高濃度のオゾンを得るため、処理槽にオゾン発生器
の設置数を増加させたり、大型のオゾン発生器を設置す
る必要があった。したがって、装置の生産コストの高騰
やランニングコストの増大、装置の大型化などを引き起
こすという不具合が生じていた。

本発明のレジスト剥離装置は、上記のような従来技術
の持つ課題を解決するために提案されたものであり、そ
の目的は、オゾン発生器の容量を上げることなく、剥離
速度の向上を図る優れたレジスト剥離装置を提供するこ
とである。

［課題を解決するための手段］ 本発明のレジスト剥離装置は、以上のような課題を解
決するために、密閉された処理槽に、オゾンを供給する
オゾン発生器および処理槽内のガスを回収するガス回収
器を備えると共に、ガス回収器によって回収したガスを
オゾン発生装置にオゾンを循環させる密閉回路を形成
し、さらに、この密閉回路に脱水部および冷却部を備え
たことを特徴とするものである。

［作用］ 以上のような構成を有する本発明の作用は次の通りで
ある。

すなわち、密閉された処理槽において、オゾン発生器
が、レジストの被着した基板にオゾを供給する。このオ
ゾンの酸化作用によって、レジストが酸化し、炭酸ガス
や水蒸気として剥離する。しかし、この時点で、すべて
のオゾンが酸化反応を起こすことはなく、全体の30％程
度のオゾンは、酸化反応を起こさずに未使用状態のまま
となっている。そこで、剥離処理を終了した処理槽内の
ガスをガス回収器によって回収し、密閉回路を通して、
オゾン発生器に戻す。この場合、前述したように、ガス
中には、30％程度のオゾンが未使用状態で残存するた
め、オゾン発生器において再生させるオゾンの量は、使
用された約70％のオゾンで済む。

また、脱水部が、密閉回路を通過するガスから、水分
を除去するため、オゾン発生器が確実に動作し、且つ、
冷却部が処理槽内で高温となったガスの温度を下げるた
め、オゾンが分解されにくくなる。そのため、オゾン発
生器はオゾンを効率よく供給できる。

以上のように、本発明は、小容量のオゾン発生器で、
高濃度のオゾンを得ることができ、剥離速度の向上を達
成できる。

［実施例］ 以上説明したような本発明のレジスト剥離装置の一実
施例を図面に基づいて具体的に説明する。

なお、従来技術と同様の部材に関しては、同符号を付
し、説明は省略する。

すなわち、第１図に示すように、処理槽１の上方壁面
には、ガス吸気口10が開口されており、このガス吸気口
10の後方には、ガス回収器14が設置されており、処理槽
内１のガスを回収するようになっている。

一方、ガス吸気口10につづいて、ガス循環路11が設置
されている。ガス循環路11は、端部がオゾン発生器５に
接続しており、途中に水分除去部12が配設されている。
この水分除去部12はシリガゲル12aを有しており、この
シリカゲル12a中をガスが通過するようになっている。
また、ガス循環路11表面に巻付くようにしてる冷却管13
が配設されている。

以上のような構成を有する本実施例の作用は以下の通
りである。

すなわち、密閉された処理槽１において、オゾン発生
器５が動作して、レジスト６が被着した基板７にオゾン
９を供給する。このオゾン９の酸化作用によって、レジ
スト６が酸化し、炭酸ガスや水蒸気として剥離する。こ
の一工程で酸化反応を起こすオゾンは全体の約70％であ
り、残り30％程度のオゾンは未使用状態のままとなって
いる。そこで、剥離処理を終了した処理槽１内のガスを
ガス吸気口10からガス回収器14によって回収し、ガス循
環路11を通して、オゾン発生器５に戻す。この際、オゾ
ン発生器は、水分を嫌うため、水分除去部12のシリカゲ
ル12aがガス中の水蒸気を吸収する。また、処理槽１内
で高温となったオゾン９をそのまま放置するとすぐに分
解してしまって、オゾン９としての効力を失ってしま
う。そのため、冷却管13がガスの温度を低下させ、オゾ
ン９の分解を防止している。

以上のように、本実施例によれば、剥離処理過程で、
従来は未使用のまま排出していたオゾンを再度、オゾン
発生器に戻すことができるため、小容量のオゾン発生器
によって、高濃度のオゾンを得ることが可能となる。

なお、本発明のレジスト剥離装置は、以上のような実
施例に限定されるものではなく、水分除去部や冷却管な
どの設置数および設置箇所は適宜選択可能である。

［発明の効果］ 以上述べたように、本発明のレジスト剥離装置によれ
ば、レジスト剥離を行う密閉した処理槽において、オゾ
ン発生器から発生したオゾンを再度オゾン発生器に循環
させる密閉回路を備えるという簡単な構成によって、プ
ロセス過程で未使用のまま排出してしまうオゾンをオゾ
ン発生器に戻し、放電を行うことにより、小容量のオゾ
ン発生器を使用して、生産コストやランニングコストの
削減および装置の小型化が実現できると共に、高濃度の
オゾンを得ることができ、剥離速度の向上を図れる優れ
たレジスト剥離装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本実施例の構造説明図、第２図（Ａ）〜（Ｃ）
はレジストが被着した基板の断面図、第３図は従来例の
構造説明図である。 １……処理槽、２……給気口、３……排気口、４……バ
ルブ、５……オゾン発生器、６……レジスト、７……基
板、８……ヒータ、９……オゾン、10……ガス吸気口、
11……ガス循環路、12……水分除去部、13……冷却管、
14……ガス回収器。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01L 21/3065 H01L 21/027 H01L 21/30 341

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】密閉された処理槽内で、基板を加熱しつ
   つ、基板に被着したレジストを剥離するレジスト剥離装
   置において、 処理槽に、オゾンを供給するオゾン発生器を設置し、 処理槽に、処理槽内のガスを回収するガス回収器を備
   え、 前記ガス回収器から前記オゾン発生装置にガスを循環さ
   せる密閉回路を形成し、 さらに、前記密閉回路上に脱水部および冷却部を備え
   る、 以上のことを特徴とするレジスト剥離装置。