JP2802063B2 - 超電導体 - Google Patents
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Classifications
-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は超電導体に関するものである。特に化合物薄
膜超電導体に関するものである。 従来の技術 高温超電導体として、A15型２元系化合物として窒化
ニオブ（NbN）やゲルマニウムニオブ（Nb3Ge）などが知
られていたが、これらの材料の超電導転移温度はたかだ
か24゜Kであった。一方、ペロブスカイト系３元化合物
は、さらに高い転移温度が期待され、Ba−La−Cu−Ｏ系
の高温超電導体が提案された［J.G.Bendorz and K.A.Mu
ller,ツァイト シュリフト フェア フィジーク（Zet
shrift frphysik B）−Condensed Matter 64,189−19
3（1986）］。 さらに、Ｙ−Ba−Cu−Ｏ系がより高温の超電導体であ
ることが最近提案された。［M.K.Wu等、フィジカル レ
ビュー レターズ（Physical Review Letters）Vol.58,
No9,908−910（1987）］ Ｙ−Ba−Cu−Ｏ系の材料の超電導機構の詳細は明らか
ではないが、転移温度が液体窒素温度以上に高くなる可
能性があり、高温超電導体として従来の２元系化合物よ
り、より有望な特性が期待される。 発明が解決しようとする問題点 しかしながら、Ｙ−Ba−Cu−Ｏ系の材料は、現在の技
術では焼結という過程でしか形成できないため、セラミ
ックの粉末あるいはブロックの形状でしか得られない。
一方、この種の材料を実用化する場合、薄膜化あるいは
線状化が強く要望されているが、従来の技術では、超電
導特性の再現性・信頼性が悪くいずれも非常に困難とさ
れている。 本発明者らは、この種の材料を例えばスパッタリング
法等の薄膜化手法を用い超電導膜の界面の構造を工夫す
ると、特性のよい薄膜状の高温超電導体が再現性よく形
成されることを発見し、これにもとづいて新規な超電導
体構成を発明した。 問題点を解決するための手段 本発明の超電導体は、結晶性基体上に金属被膜を形成
し、さらにこの上にＡ、Ｂ、Cuを含む酸化物で、元素比
が の３元化合物被膜を付着させたことを特徴としている。
ここにＡはSc,Yおよびランタン系列元素（原子番号57−
71）のうちすくなくとも一種、ＢはBa,Sr,Ca,Be,Mgなど
II a族元素のうちの少なくとも一種の元素を示す。 作用 本発明にかかる超電導体は、金属被膜上に超電導体を
薄膜化している所に大きな特色がある。すなわち、薄膜
化は超電導体の素材を原子状態という極微粒子に分解し
てから基体上に堆積させるから、形成された超電導体の
組成は本質的に、従来の焼結体に比べて均質であり、ま
た金属被膜上では特異的に緻密・平坦に堆積する。した
がって非常に高精度の超電導体が本発明で実現される。 実施例 本発明を図面とともに説明する。 第１図において、３元化合物被膜12は基体11の表面に
成膜した金属被膜12の上に例えばスパッタリング法で形
成する。基体11は、超電導を示す３元化合物被膜13の保
持を目的としている。この被膜13は通常約700℃の高温
で形成する。金属被膜12をつけずに、基体11上に直接３
元化合物被膜を形成すると、第３図の表面状態即ち超電
導膜13がミクロな微結晶の板となり、ランダムに堆積し
た状態となった。このような状態では超電導臨界電流も
小さく、空孔率が高いため吸温性が高く、信頼性が悪い
うえ、表面が荒れており、ホトエッチ等の微細加工がで
きなかった。 ここで、金属被膜12を基体11と３元化合物被膜13の界
面に形成すると、表面はなめらかな第２図の状態で形成
できた。表面からわかるように、膜13全体が緻密な状態
で、臨界電流密度は第３図の場合の約10倍に改善され
た。また零抵抗温度も50Kから65Kに15K上昇し、膜質の
改善もみられることを本発明者らは確認した。 さらに、本発明者らは、第１図の金属被膜12の材料に
ついて検討した結果、Ni,Pd,Ptについて良好な効果が見
られ、中でもPtの場合が最良であることを確認した。 さらに、本発明者らは、第１図の基体11に機能性から
見て、最適の材料があることを見い出した。 すなわち、結晶性の高い３元化合物被膜13を基体11上
に設けた金属被膜12の表面に形成させるためには、単結
晶の基体が有効である。本発明者らは３元化合物被膜の
超電導体として有効な基体材料を調べた結果、基体とし
て、酸化マグネシウム、サファイア（α−Al2O3）、ス
ピネル、チタン膜ストロンチウム、シリコン、シリコン
化学物、ガリウム砒素等の単結晶が有効であることを確
認した。このことは、極めて異例の事象である。即ち、
金属被膜12の厚さは数10〜数1000原子量があり、３元化
合物被膜がその下の基体の結晶性の影響をうけることは
従来の知識では考えにくい事である。 本発明の超電導体Ａ−Ｂ−Cu−Ｏは結晶構造や組成式
がまだ明確には決定されていないが、酸素欠損ペロブス
カイト（A,B）3Cu3O7ともいわれている。本発明者等は
作製された被膜において元素比率がの範囲であれば、臨界温度に多少の差があっても超電導
減少が見出されることを確認した。 なお、スパッタリング蒸着ではターゲットとして、焼
結したＡ−Ｂ−Cu−Ｏセラミックスを用いるが、基体温
度が700℃場合では、ターゲットの金属成分と形成され
た薄膜における成分と比較するとCuが薄膜では不足する
傾向がみられ、ターゲットに50％程度過剰に加えればよ
いことを本発明者らは確認した。したがって、ターゲッ
トは、被膜の最適範囲の であることを本発明者らは確認した。この場合、ターゲ
ットは板状あるいは、円筒状のセラミックス以外に、粒
状あるいは粉末状の焼結状であってもスパッタリング蒸
着に有効である。なお、粉末状である場合は、例えばス
テンレスの皿に粉末を充填して用いる。 本発明者らは、この種の超電導体を任意の形状例えば
円筒状に加工する場合、基体としては単結晶よりも、所
請焼結磁器が有効であることを確認するとともに、最適
の磁器材料を見い出した。すなわち、磁器基体として、
アルミナ、酸化マグネシウム、酸化ヂルコニウム、ステ
アタイト、ホルステライト、ベリリア、スピネル等が基
体の加工性、超電導体被膜12の基体11への密着性が最適
であることを本発明者らは確認した。この場合も単結晶
と同様に少なくとも基体の表面がこれらの磁器で構成さ
れておれば充分である。 本発明者らはこの種の結晶性基体についてさらに詳細
に有効性を調べた結果、この種の結晶性基体の結晶方位
についても、最適方位があることを見い出した。すなわ
ち、サファイア単結晶を基体に用いた場合、Ｒ面上には
例えば（100）Si薄膜をヘテロエピタキシャル成長さ
せ、本発明の超電導体被膜をSOS構造シリコンデバイス
に集積化し得ることを本発明者は確認した。同様にＣ面
およびａ面サファイアでは（111）Si薄膜をヘテロエピ
タキシアル成長させ、これらのSOS構成シリコンデバイ
スと集積化させ得ることを本発明者らは確認した。 さらに、Ｃ面サファイア単結晶基体では、（111）GaA
s薄膜、（001）GaN薄膜、（111）GaP薄膜などのIII−Ｖ
族半導体薄膜を基体上にヘテロエピタキシャル成長さ
せ、III−Ｖ族半導体デバイスと本発明の層状構造の超
電導体とが集積化されることを本発明者らは確認した。
これは例えば超高速GaASデバイスの配線としても本発明
の超電導体の実用されることを示す。さらに、スピネル
単結晶基体では（100）面スピネルを用い、（100）Si薄
膜あるいは（111）GaAs薄膜が基体表面にヘテロエピタ
キシャル成長させ、サファイア単結晶基体と同様に、こ
れらSiあるいはGaAsデバイスと本発明の超電導体と集積
化できることを本発明者らは確認した。 同様に（110）面スピネルを基体に用い、（110）Si薄
膜および（100）GaAs薄膜を基体表面にヘテロエピタキ
シャル成長させ、これらのSiおよびGaAsデバイスと集積
化できることを本発明者らは確認した。さらに、チタン
酸ストロンチユウム単結晶基体の場合、（100）面を基
体に用いると、成長させた超電導被膜の結晶性が非常に
優れていることを本発明者らは発見した。 以下本発明の内容をさらに深く理解させるために、さ
らに具体的に具体実施例を示す。 （具体実施例） サファイア単結晶Ｒ面を基体11として用い、白金板を
ターゲットとして直流プレーナマグネトロンスパッタに
より白金被膜12を付着させた。この場合Arガスの圧力は
8Pa、スパッタ電力は300V×30mAで基板温度を250〜500
℃に保って0.1μｍの厚さに蒸着した。この白金膜は多
結晶体であった。この白金被膜12上に焼結したErBa2Cu
4.5O8ターゲットの高周波プレナーマグネトロンスパッ
タにより、被膜13を付着させた。この場合、Arガスの圧
力は0.5Pa、スパッタリング電力150W、スパッタリング
時間１時間、被膜の膜厚0.5μｍ、基体温度700℃であっ
た。 被膜の室温抵抗600Ω、超電導転移温度95゜Kであっ
た。 この種の３元化合物超電導体（A,B）3Cu3O7の構成元
素ＡおよびＢの変化による超電導特性の変化の詳細は明
らかではない。ただＡは、３価,Bは２価を示しているの
は事実である。Ａ元素としてＹについて例をあげて説明
したが、ScやLa、さらにランタン系列の元素（原子番号
57〜71）でも、超電導転移温度が変化する程度で本質的
な発明の特性を変えるものではない。 また、Ｂ元素においても、Sr、Ca、Ba等II a族元素の
変化は超電導転移温度を10゜K程度変化させるが、本質
的に本発明の特性を変えるものではない。 本発明にかかる超電導体は、超電導体を薄膜化してい
る所にも大きな特色がある。すなわち、薄膜化は超電導
体の素材を原子状態という極微粒子に分解してから、基
体上に堆積させるから、形成された超電導体の組成は本
質的に、従来の焼結体に比べて均質である。したがっ
て、非常に高精度の超電導体が本発明で実現される。 発明の効果 すでに説明したごとく、本発明によれば、膜全体が緻
密な超電導薄膜を形成することが可能となり、臨界電流
密度の向上も可能となった。そして本発明を用いてSiあ
るいはGaAsなどのデバイスとの集積化が可能であるとと
もに、ジョセフソン素子など各種の超電導デバイスの要
素材料として実用される。特にこの種の化合物超電導体
の転移温度が室温になる可能性もあり、従来の実用の範
囲は広く、本発明の工業的価値は高い。
膜超電導体に関するものである。 従来の技術 高温超電導体として、A15型２元系化合物として窒化
ニオブ（NbN）やゲルマニウムニオブ（Nb3Ge）などが知
られていたが、これらの材料の超電導転移温度はたかだ
か24゜Kであった。一方、ペロブスカイト系３元化合物
は、さらに高い転移温度が期待され、Ba−La−Cu−Ｏ系
の高温超電導体が提案された［J.G.Bendorz and K.A.Mu
ller,ツァイト シュリフト フェア フィジーク（Zet
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3（1986）］。 さらに、Ｙ−Ba−Cu−Ｏ系がより高温の超電導体であ
ることが最近提案された。［M.K.Wu等、フィジカル レ
ビュー レターズ（Physical Review Letters）Vol.58,
No9,908−910（1987）］ Ｙ−Ba−Cu−Ｏ系の材料の超電導機構の詳細は明らか
ではないが、転移温度が液体窒素温度以上に高くなる可
能性があり、高温超電導体として従来の２元系化合物よ
り、より有望な特性が期待される。 発明が解決しようとする問題点 しかしながら、Ｙ−Ba−Cu−Ｏ系の材料は、現在の技
術では焼結という過程でしか形成できないため、セラミ
ックの粉末あるいはブロックの形状でしか得られない。
一方、この種の材料を実用化する場合、薄膜化あるいは
線状化が強く要望されているが、従来の技術では、超電
導特性の再現性・信頼性が悪くいずれも非常に困難とさ
れている。 本発明者らは、この種の材料を例えばスパッタリング
法等の薄膜化手法を用い超電導膜の界面の構造を工夫す
ると、特性のよい薄膜状の高温超電導体が再現性よく形
成されることを発見し、これにもとづいて新規な超電導
体構成を発明した。 問題点を解決するための手段 本発明の超電導体は、結晶性基体上に金属被膜を形成
し、さらにこの上にＡ、Ｂ、Cuを含む酸化物で、元素比
が の３元化合物被膜を付着させたことを特徴としている。
ここにＡはSc,Yおよびランタン系列元素（原子番号57−
71）のうちすくなくとも一種、ＢはBa,Sr,Ca,Be,Mgなど
II a族元素のうちの少なくとも一種の元素を示す。 作用 本発明にかかる超電導体は、金属被膜上に超電導体を
薄膜化している所に大きな特色がある。すなわち、薄膜
化は超電導体の素材を原子状態という極微粒子に分解し
てから基体上に堆積させるから、形成された超電導体の
組成は本質的に、従来の焼結体に比べて均質であり、ま
た金属被膜上では特異的に緻密・平坦に堆積する。した
がって非常に高精度の超電導体が本発明で実現される。 実施例 本発明を図面とともに説明する。 第１図において、３元化合物被膜12は基体11の表面に
成膜した金属被膜12の上に例えばスパッタリング法で形
成する。基体11は、超電導を示す３元化合物被膜13の保
持を目的としている。この被膜13は通常約700℃の高温
で形成する。金属被膜12をつけずに、基体11上に直接３
元化合物被膜を形成すると、第３図の表面状態即ち超電
導膜13がミクロな微結晶の板となり、ランダムに堆積し
た状態となった。このような状態では超電導臨界電流も
小さく、空孔率が高いため吸温性が高く、信頼性が悪い
うえ、表面が荒れており、ホトエッチ等の微細加工がで
きなかった。 ここで、金属被膜12を基体11と３元化合物被膜13の界
面に形成すると、表面はなめらかな第２図の状態で形成
できた。表面からわかるように、膜13全体が緻密な状態
で、臨界電流密度は第３図の場合の約10倍に改善され
た。また零抵抗温度も50Kから65Kに15K上昇し、膜質の
改善もみられることを本発明者らは確認した。 さらに、本発明者らは、第１図の金属被膜12の材料に
ついて検討した結果、Ni,Pd,Ptについて良好な効果が見
られ、中でもPtの場合が最良であることを確認した。 さらに、本発明者らは、第１図の基体11に機能性から
見て、最適の材料があることを見い出した。 すなわち、結晶性の高い３元化合物被膜13を基体11上
に設けた金属被膜12の表面に形成させるためには、単結
晶の基体が有効である。本発明者らは３元化合物被膜の
超電導体として有効な基体材料を調べた結果、基体とし
て、酸化マグネシウム、サファイア（α−Al2O3）、ス
ピネル、チタン膜ストロンチウム、シリコン、シリコン
化学物、ガリウム砒素等の単結晶が有効であることを確
認した。このことは、極めて異例の事象である。即ち、
金属被膜12の厚さは数10〜数1000原子量があり、３元化
合物被膜がその下の基体の結晶性の影響をうけることは
従来の知識では考えにくい事である。 本発明の超電導体Ａ−Ｂ−Cu−Ｏは結晶構造や組成式
がまだ明確には決定されていないが、酸素欠損ペロブス
カイト（A,B）3Cu3O7ともいわれている。本発明者等は
作製された被膜において元素比率がの範囲であれば、臨界温度に多少の差があっても超電導
減少が見出されることを確認した。 なお、スパッタリング蒸着ではターゲットとして、焼
結したＡ−Ｂ−Cu−Ｏセラミックスを用いるが、基体温
度が700℃場合では、ターゲットの金属成分と形成され
た薄膜における成分と比較するとCuが薄膜では不足する
傾向がみられ、ターゲットに50％程度過剰に加えればよ
いことを本発明者らは確認した。したがって、ターゲッ
トは、被膜の最適範囲の であることを本発明者らは確認した。この場合、ターゲ
ットは板状あるいは、円筒状のセラミックス以外に、粒
状あるいは粉末状の焼結状であってもスパッタリング蒸
着に有効である。なお、粉末状である場合は、例えばス
テンレスの皿に粉末を充填して用いる。 本発明者らは、この種の超電導体を任意の形状例えば
円筒状に加工する場合、基体としては単結晶よりも、所
請焼結磁器が有効であることを確認するとともに、最適
の磁器材料を見い出した。すなわち、磁器基体として、
アルミナ、酸化マグネシウム、酸化ヂルコニウム、ステ
アタイト、ホルステライト、ベリリア、スピネル等が基
体の加工性、超電導体被膜12の基体11への密着性が最適
であることを本発明者らは確認した。この場合も単結晶
と同様に少なくとも基体の表面がこれらの磁器で構成さ
れておれば充分である。 本発明者らはこの種の結晶性基体についてさらに詳細
に有効性を調べた結果、この種の結晶性基体の結晶方位
についても、最適方位があることを見い出した。すなわ
ち、サファイア単結晶を基体に用いた場合、Ｒ面上には
例えば（100）Si薄膜をヘテロエピタキシャル成長さ
せ、本発明の超電導体被膜をSOS構造シリコンデバイス
に集積化し得ることを本発明者は確認した。同様にＣ面
およびａ面サファイアでは（111）Si薄膜をヘテロエピ
タキシアル成長させ、これらのSOS構成シリコンデバイ
スと集積化させ得ることを本発明者らは確認した。 さらに、Ｃ面サファイア単結晶基体では、（111）GaA
s薄膜、（001）GaN薄膜、（111）GaP薄膜などのIII−Ｖ
族半導体薄膜を基体上にヘテロエピタキシャル成長さ
せ、III−Ｖ族半導体デバイスと本発明の層状構造の超
電導体とが集積化されることを本発明者らは確認した。
これは例えば超高速GaASデバイスの配線としても本発明
の超電導体の実用されることを示す。さらに、スピネル
単結晶基体では（100）面スピネルを用い、（100）Si薄
膜あるいは（111）GaAs薄膜が基体表面にヘテロエピタ
キシャル成長させ、サファイア単結晶基体と同様に、こ
れらSiあるいはGaAsデバイスと本発明の超電導体と集積
化できることを本発明者らは確認した。 同様に（110）面スピネルを基体に用い、（110）Si薄
膜および（100）GaAs薄膜を基体表面にヘテロエピタキ
シャル成長させ、これらのSiおよびGaAsデバイスと集積
化できることを本発明者らは確認した。さらに、チタン
酸ストロンチユウム単結晶基体の場合、（100）面を基
体に用いると、成長させた超電導被膜の結晶性が非常に
優れていることを本発明者らは発見した。 以下本発明の内容をさらに深く理解させるために、さ
らに具体的に具体実施例を示す。 （具体実施例） サファイア単結晶Ｒ面を基体11として用い、白金板を
ターゲットとして直流プレーナマグネトロンスパッタに
より白金被膜12を付着させた。この場合Arガスの圧力は
8Pa、スパッタ電力は300V×30mAで基板温度を250〜500
℃に保って0.1μｍの厚さに蒸着した。この白金膜は多
結晶体であった。この白金被膜12上に焼結したErBa2Cu
4.5O8ターゲットの高周波プレナーマグネトロンスパッ
タにより、被膜13を付着させた。この場合、Arガスの圧
力は0.5Pa、スパッタリング電力150W、スパッタリング
時間１時間、被膜の膜厚0.5μｍ、基体温度700℃であっ
た。 被膜の室温抵抗600Ω、超電導転移温度95゜Kであっ
た。 この種の３元化合物超電導体（A,B）3Cu3O7の構成元
素ＡおよびＢの変化による超電導特性の変化の詳細は明
らかではない。ただＡは、３価,Bは２価を示しているの
は事実である。Ａ元素としてＹについて例をあげて説明
したが、ScやLa、さらにランタン系列の元素（原子番号
57〜71）でも、超電導転移温度が変化する程度で本質的
な発明の特性を変えるものではない。 また、Ｂ元素においても、Sr、Ca、Ba等II a族元素の
変化は超電導転移温度を10゜K程度変化させるが、本質
的に本発明の特性を変えるものではない。 本発明にかかる超電導体は、超電導体を薄膜化してい
る所にも大きな特色がある。すなわち、薄膜化は超電導
体の素材を原子状態という極微粒子に分解してから、基
体上に堆積させるから、形成された超電導体の組成は本
質的に、従来の焼結体に比べて均質である。したがっ
て、非常に高精度の超電導体が本発明で実現される。 発明の効果 すでに説明したごとく、本発明によれば、膜全体が緻
密な超電導薄膜を形成することが可能となり、臨界電流
密度の向上も可能となった。そして本発明を用いてSiあ
るいはGaAsなどのデバイスとの集積化が可能であるとと
もに、ジョセフソン素子など各種の超電導デバイスの要
素材料として実用される。特にこの種の化合物超電導体
の転移温度が室温になる可能性もあり、従来の実用の範
囲は広く、本発明の工業的価値は高い。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の超電導体の基体構成断面
図、第２図は同超電導体の表面の走査電子顕微鏡写真
（１万倍）による観察状態を示す図、第３図は白金被膜
がない場合の表面の同走査電子顕微鏡写真による観察状
態を示す図である。 11……基体、12……白金被膜、13……３元化合物被膜。
図、第２図は同超電導体の表面の走査電子顕微鏡写真
（１万倍）による観察状態を示す図、第３図は白金被膜
がない場合の表面の同走査電子顕微鏡写真による観察状
態を示す図である。 11……基体、12……白金被膜、13……３元化合物被膜。
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フロントページの続き
(72)発明者 広地 久美子
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電
器産業株式会社内
(72)発明者 足立 秀明
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電
器産業株式会社内
(56)参考文献 特開 昭63−299018（ＪＰ，Ａ)
特開 昭64−19616（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−252316（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．基体上に、白金、パラジウム、ニッケルのいずれか
の金属被膜を形成し、この金属被膜上にＡ元素、Ｂ元素
およびCuを含む酸化物で、元素のモル比率が 0.5≦（Ａ＋Ｂ）/Cu≦2.5 の酸化物被膜を薄膜成長させ、その後は熱処理を行わな
いことを特徴とする超電導体。ここに、ＡはSc,Yおよび
ランタン系列元素（原子番号57〜71）のうち少なくとも
一種、ＢはII a族元素のうち少なくとも一種の元素を示
す。 ２．基体を、酸化マグネシウム、サファイア（α−Al2O
3）、スピネル、チタン酸ストロンチュウム、シリコ
ン、シリコン化合物、ガリウム砒素、フェライトの単結
晶の少なくとも一種で構成したことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の超電導体。 ３．基体を、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化ヂルコ
ニウム、ステアタイト、ホルステライト、ベリリア、ス
ピネル等の磁器で構成したことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の超電導体。 ４．基体として（100）面または（110）面の酸化マグネ
シウム単結晶を用いたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の超電導体。 ５．基体としてＲ面サファイア単結晶を用いたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の超電導体。 ６．基体としてＣ面サファイア単結晶を用いたことを特
徴とすると特許請求の範囲第１項記載の超電導体。 ７．基体としてａ面サファイア単結晶を用いたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の超電導体。 ８．基体として（111）面スピネル単結晶を用いたこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の超電導体。 ９．基体として（110）面スピネル単結晶を用いたこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の超電導体。 １０．基体として（100）面スピネル単結晶を用いたこ
とを特徴とする特許請求第１項記載の超電導体。 １１．基体として（100）面または（110）面のチタン酸
ストロンチウム単結晶を用いたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の超電導体。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62186153A JP2802063B2 (ja) | 1987-07-24 | 1987-07-24 | 超電導体 |
| EP19880111867 EP0300499B2 (en) | 1987-07-24 | 1988-07-22 | Composite superconductor layer |
| US07/223,016 US5661112A (en) | 1987-07-24 | 1988-07-22 | Superconductor |
| DE3851668T DE3851668T3 (de) | 1987-07-24 | 1988-07-22 | Zusammengesetzte supraleitende Schicht. |
| US09/035,783 USRE36814E (en) | 1987-07-24 | 1998-03-06 | Superconductor |
| US09/188,232 US5998337A (en) | 1987-07-24 | 1998-11-09 | Superconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62186153A JP2802063B2 (ja) | 1987-07-24 | 1987-07-24 | 超電導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6430111A JPS6430111A (en) | 1989-02-01 |
| JP2802063B2 true JP2802063B2 (ja) | 1998-09-21 |
Family
ID=16183309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62186153A Expired - Fee Related JP2802063B2 (ja) | 1987-07-24 | 1987-07-24 | 超電導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2802063B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6454612A (en) * | 1987-08-24 | 1989-03-02 | Sumitomo Electric Industries | Superconductive structure |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63252316A (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-19 | Fujikura Ltd | 超電導体の製造方法 |
| JPS63299018A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導材の製造方法 |
| JP2529276B2 (ja) * | 1987-07-14 | 1996-08-28 | 住友電気工業株式会社 | 多層薄膜超電導体の製造方法 |
-
1987
- 1987-07-24 JP JP62186153A patent/JP2802063B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6430111A (en) | 1989-02-01 |
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|---|---|---|---|
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