JP2799441B2 - 能動マトリクス液晶スクリーン - Google Patents

能動マトリクス液晶スクリーン

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、新規な液晶デイスプレ
イ構造（ＬＣＤ）およびとくに高解像度、平面デイスプ
レイスクリーンを製造するのに適合させられる薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）およびコンデンサを基礎にした能動
マトリクスに関する。これらの平面スクリーンは、直接
聴取によりカラーコンピユータ端末スクリーンと同様
に、または一般に小型の投射スクリーンと同様な大きさ
のカラーテレビジヨンスクリーンとして使用されること
ができる。
【０００２】
【従来の技術】かかるスクリーンまたはデイスプレイ型
式において、スクリーンの表面全体にわたつて分布され
たピクセルから形成された電子メモリは画像の存続時間
だけビデオ信号を記憶する。各ピクセルと接触して液晶
は１つの画像の存続時間にわたつて励起される。各ピク
セルは１つまたは２つのＴＦＴおよび１つまたは２つの
コンデンサにより構成され、液晶はそれらの１つの誘電
体を形成する。そのうえ、これらのスクリーンまたはデ
イスプレイ構造は互いに間隔を置いて保持されかつ各々
それらの間に液晶が挿入される正確なパターンを有する
２枚のガラス板により構成される。
【０００３】添付の図１および図２は従来技術による能
動マトリクス、カラーデイスプレイスクリーン構造を略
示する。図１は長手方向断面図そして図２は液晶層を不
動態化しかつそれを方向付けするための層なしのスクリ
ーンの下方板の部分を示す斜視図である。
【０００４】これらの図において、符号２および４はそ
れぞれスクリーン用の下方および上方の透明ガラス基板
を示しかつ符号６は液晶層を示す。
【０００５】従来技術によれば、下方透明基板２（図
２）はその内面に各ピクセルの薄膜トランジスタ８、９
を支持する。前記ピクセルの透明電極１０はコンデンサ
の下方板を形成する。電極の電極列１２および行１４は
薄膜トランジスタ８および９を制御する。
【０００６】各電極列１２は屈曲部１６を備えそして各
板は指部１８を備えている。電極列１２および屈曲部１
６との電極行１４の交差部分は薄膜トランジスタ８およ
び９のドレインＤおよびＤ’を画成し、そして指部１８
との電極行１４の交差部分は前記薄膜トランジスタのソ
ースを画成する。電極列１２および指部１８と屈曲部１
６および指部１８との間にそれぞれ配置された電極行１
４のこれらの部分は薄膜トランジスタ８および９のゲー
トを構成する。
【０００７】この構成体は窒化シリコン不動態化層２０
および任意に液晶方向付け層２２（図１）により被覆さ
れる。
【０００８】上方ガラス基板４はその内面にブラツクマ
トリクス２６により隔離されたカラーフイルタ２４を有
する。これらのフイルタは交互に赤Ｒ、緑Ｖおよび青Ｂ
である。
【０００９】これらのカラーフイルタおよびブラツクマ
トリクス２６は対向電極およびとくにコンデンサ用の上
方電極として役立つ透明な導電性層２８により被覆され
る。電極１０および対向電極２８は一般にインジウムお
よびスズ酸化物（ＩＴＯ）から作られる。対向電極２８
はまた液晶分子を整電極列させるために層２９により被
覆される。
【００１０】図１および図２に示されるようなスクリー
ン構造は「ａ−Ｓｉ ＴＦＴｓによりアドレスされる対
角カラーＬＣＤ」と題されたＹ・ウガイ等によるＳＩＤ
８４ダイジエスト、とくにページ３０８〜３１１に記載
されている。
【００１１】スクリーンを組み立てるとき、２枚の透明
ガラス基板２および４は互いに向かい合って位置決めさ
れねばならず、その結果ピクセルを画成する透明電極１
０はカラーフイルタ２４上に完全に重畳される。この位
置決めに続いて、２枚の透明ガラス基板２および４はそ
れらの周辺を接着剤３０によつて密封されそしてデイス
プレイセルの電極間に液晶の充填が行われる。
【００１２】２枚のスクリーン透明基板２および４は非
常に正確なパターンを有する。かくして、ピクセルかつ
それゆえカラーフイルタの間隔は代表的には０．２ｍｍ
である。そのうえ、各ピクセルはＴＦＴを支持する透明
ガラス基板２の電極１０によりかつ任意に対向電極２８
の下に形成されるブラツクマトリクスにより取り囲まれ
るカラーフイルタ２４により電気的に画成される。
【００１３】２つの連続するフイルタ間のブラツクマト
リクスの幅ｌ（エル）を目一杯減少させ、それゆえ最大
可能な範囲にスクリーンの透明性を増大するために、±
３μｍの２枚の板の重畳間隔が求められる。しかしなが
ら、これら２枚のガラス板はそれらの製造の間中異なる
熱履歴を有することが知られている。
【００１４】公知のように、ガラスは、ガラスの性質や
使用温度（とくに層の堆積）によって多かれ少かれ偶発
的に圧縮するおそれがあり、これは数μｍ（１０μｍ以
上に達することもある。）に及ぶ幾何学的変化を引き起
こすこととなる。
【００１５】この場合、非常に正確なパターンを有する
２枚のガラス板を正確に重ね合わせて、しかもその寸法
が大きい場合にとくに問題となる。この２枚のガラス板
の正確な位置決めの問題は、フイルタおよびピクセルが
それぞれ２つの基板上に製造されるすべてのスクリーン
において生じる。とくにヨーロツパ特許第１７９９１５
号に記載された構造のスクリーンに発生する。
【００１６】そのうえ、フランス特許第２５３３０７２
号に記載されるように、「２つのマスキングレベル」を
有するデイスプレイスクリーンの製造方法を使用すると
き、薄膜トランジスタ８、９ならびにアドレス電極行１
４は、フオトエツチングされた形状においてアモルフア
ス水素化シリコン層３２、窒化シリコン層３４およびア
ルミニウム層３６の積層により構成される。この型の
「トップゲート」スクリーンにおいて、半導体３２の下
面はガラスと直接接触しかつ光に対して保護されていな
い。
【００１７】照明は一般に、図１に矢印Ｆにより示され
るように、後方または上方の面を通して行われるけれど
も、ＴＦＴ（または基板２と接触する下面）の「側部」
は観察周囲の光にさらされており、この周囲光が強いと
きは光電流が半導体に発生して、これが薄膜トランジス
タの漏洩電流となり、それはスクリーンの性能特性を抑
え、かつ特にそのコントラストを減少させる恐れがあ
る。
【００１８】
【発明が解決すべき課題】この不都合を回避するため
に、フランス特許第２６３８８０号に記載されるよう
に、薄膜トランジスタの「側部」の下方にブラツクポリ
イミドから作られるブラツクマトリクスの製造が検討さ
れた。しかしながら、この型のスクリーンにおいて、カ
ラーフイルタおよび「ピクセル」の電極１０の正確な位
置決めは解決されていない。２枚の基板を位置決めする
この問題は、また投射用に使用されるもっと小形のスク
リーンにも存在している。
【００１９】本発明の目的は前記欠点を回避することの
できる新規な構造の能動マトリクス、液晶カラースクリ
ーンを提供することにある。特に、このような構造のス
クリーンを用いると、これらの目的を有する２枚の透明
基板の構成体の作用を難点なくしかもとても速くさせる
ことが可能となる。
【００２０】それゆえ、本発明は高品位の大型または小
型スクリーンまたはデイスプレイに適用可能である。す
なわち、それらは０．２ｍｍ以下のカラーフイルタの画
素間隔を有する高品位スクリーンでる。そのうえ、この
スクリーンの電気的な性能特性は従来のスクリーンに比
して改善されている。
【００２１】
【課題を解決するための手段】大型の高品位カラースク
リーンの場合において、本発明は、第１透明基板および
第２透明基板、第１透明不動態化層、薄膜トランジス
タ、第１透明コンデンサ板、電極行および電極列および
第２透明不動態化層を備え、 前記第１透明基板および
第２透明基板が互いに間隔を置いて保持されかつそれら
の間に液晶層が挿入され、前記第１透明基板が実質上高
い温度に抗しかつブラツクマトリクスにより隔離される
カラーフイルタを支持し、前記第１透明不動態化層が前
記カラーフイルタおよび前記ブラツクマトリクスにより
占有される表面全体に堆積され、前記薄膜トランジスタ
が周囲の光から保護されるように前記ブラツクマトリク
スに向かい合っている前記第１透明不動態化層上に形成
され、前記第１透明コンデンサ板が前記カラーフイルタ
に向かい合っている前記第１透明不動態化層上に形成さ
れ、各第１透明コンデンサ板が薄膜トランジスタに接続
され、前記電極行および電極列は前記薄膜トランジスタ
を制御するために設けられ、前記第２透明不動態化層が
前記薄膜トランジスタ、前記第１透明コンデンサ板、前
記電極行および電極列を被覆し、前記第２透明基板が実
質上第２透明コンデンサ板を有し、そして前記第２透明
コンデンサ板が前記第１透明コンデンサ板に向かい合っ
ていることを特徴としている
【００２２】「高い温度に抗するフイルタ」なる用語
は、少なくとも１８０°の温度に抗することができるフ
イルタを意味するものと理解してよい。
【００２３】本発明の場合、他のすべてのスクリーンの
型式におけるように、光に対して薄膜トランジスタを保
護しかつコントラストを改善するために光学的に有用で
ない部分をマスクする「ブラツク格子」のみを有する。
【００２４】この場合に第１透明基板は「ブラツク格
子」の形状をしたブラツクマトリクス、前記基板の表面
全体にかつそれゆえ光マスク上に堆積される第１の透明
な、不動態化層、周囲の光から保護されるように前記ブ
ラツクマトリクスに向かい合っている前記第１透明不動
態化層上に形成される薄膜トランジスタ、前記「ブラツ
ク格子」により占有される領域の外で前記第１透明不動
態化層上に形成される第１透明コンデンサ板、薄膜トラ
ンジスタに接続される各第１板、これらの薄膜トランジ
スタを制御するために設けられる電極行および電極列、
および前記薄膜トランジスタ、前記第１透明コンデンサ
板、前記電極行および電極列を被覆する第２透明不動態
化層を支持する。
【００２５】第２透明基板は、前述のごとく、実質上第
２透明コンデンサ板を含み、該第２透明コンデンサ板は
コンデンサの第１透明コンデンサ板に向かい合ってい
る。
【００２６】一般に、制御電極行および電極列はブラツ
クマトリクスまたは「ブラツク格子」に向かい合って位
置決めされる。
【００２７】この用途に使用される光束が非常に高レベ
ルであることを考慮すると、ブラツクマトリクスはＴＦ
Ｔが加熱されることを回避するためにできるだけ反射さ
れることが必要である。それゆえ、厚い誘電体層により
ＴＦＴから絶縁される光沢金属（例えば０．２μｍのク
ロミウムまたはアルミニウム）で実現するのが好都合で
ある。
【００２８】「ブラツクマトリクス」を薄膜トランジス
タの下とかつ電極行および電極列の下へ導き入れると、
電極行および電極列の容量が増加するようになり、これ
は大型スクリーンの場合ＴＦＴへのアクセスネツトワー
クの制御信号の伝播時間が長くなるため、不利な条件で
ある。大型スクリーンにおいては、「ブラツク格子」が
電気的絶縁材料（例えばブラツクポリマ）から作られる
のが好都合である。
【００２９】逆に、（スライド２４×３６またはこれよ
り若干大きい寸法を通常有する投射用スクリーンのよう
な）小型スクリーンの場合は、このアクセス時間現象は
無視することができ、したがって提案された解決は十分
である。またこの場合に留意されるべきことは、「ブラ
ツクマトリクス」およびピクセルの考え得る小さな重な
り合い（代表的にはピクセルの周辺上の１ないし２μ
ｍ）が記憶容量を構成する、ということであり、この記
憶容量が存在すると高温でのスクリーンの作用を改善す
る、ということである。
【００３０】本発明によれば、ピクセル、薄膜トランジ
スタ、カラーフイルタおよびブラツクマトリクスまたは
「ブラツク格子」のごときスクリーンのすべての正確な
素子（格子の方向において）が同一の透明基板上に製造
される。それゆえ第２のスクリーン基板は対向電極とし
て役立つ導電性層を備えかつ透明である唯一の機能を有
する。前記対向電極は基板の内面のほとんどを被覆する
連続する透明な板により構成されるのが好都合である。
【００３１】それゆえ２つのスクリーン基板が迅速に組
み立てられることができ、２つの基板の正確な相互の位
置決めといった問題がもはや発生しない。
【００３２】そのうえ、同一の基板上のスクリーンのす
べての素子の正確な位置決めが問題を生じずかつカラー
フイルタとカラースクリーン用の第１透明コンデンサ板
との間の正確な整電極列は従来技術の±３μｍより良好
である。かくして、スクリーンの透明性レベルが従来技
術の基板におけるより高い。
【００３３】かくして、カラーフイルタおよび第１透明
コンデンサ板の重ね合わせは、薄膜トランジスタを製造
するのに使用されるマスクと同一のマスクの整列器によ
り実現されることができる。
【００３４】そのうえ、薄膜トランジスタがブラツクマ
トリクスまたはブラツク格子に製造されるとき、薄膜ト
ランジスタがは周囲の光から全体的に保護されている。
それはアモルフアス水素化シリコンから前記薄膜トラン
ジスタを製造する場合に薄膜トランジスタの漏洩電流減
少に至り、それによりスクリーン性能特性が改善され
る。
【００３５】カラーフイルタは光学マスクにより格子を
凹凸なく均一に画成するブロツク形状をしているのがよ
り有利である。そうしてその格子の上に能動マトリクス
の電極行と電極列および薄膜トランジスタが最適方法で
実現される。
【００３６】しかしながら、カラーフイルタを製造する
方法が完全に平らな表面になるならば、平行な帯状の形
をしたカラーフイルタを使用することができる。
【００３７】ブロツクマトリクスは小さなスクリーンに
関しては金属、または大きなスクリーンに関してポリ
マ、例えば、ブラツクポリイミドから作られることがで
きる。ブラツクマトリクスがポリマから作られるとき、
後者は１８０°を超える温度に抗することができねばな
らない。
【００３８】そのうえ、薄膜トランジスタはとくに「ト
ップゲート」型からなる。
【００３９】本発明は非限定的な実施例および添付の図
面に関連して以下により詳細に説明する。
【００４０】
【実施例】図３および図４において、従来技術の部分と
同一のスクリーンまたはデイスプレイのこれらの部分は
同一参照符号を有する。
【００４１】従来技術におけるように、本発明によるス
クリーンは液晶層６を含む２つの向かい合う下方および
上方ガラス透明基板２、４を有する。周辺の密封３０は
２枚の透明基板２および４の縁部を密封する。
【００４２】本発明によれば、前方または下方透明基板
２は吸収マスクまたはブラツク格子１２６により互いに
隔離される。赤Ｒ・緑Ｖ・および青Ｂフイルタは交互に
配置されている。それらはブロツクの形状をしており、
かつこれらのブロツクの間の空間はブラツク格子１２６
により充填されている。これらのブロツクはピクセルの
電極１０の表面とほぼ同一の表面を有する。
【００４３】これらのカラーフイルタおよび前記ブラツ
ク格子は１．２μｍの厚さを有する。それらは２２０°
Ｃでオーブン内でアニーリングされた着色されたポリイ
ミド、それぞれ赤・緑・青・およびブラツクから作られ
る。これらのカラーフイルタは「液晶デイスプレイ用の
新規な等級のカラーフイルタ」と題してＳＩＤ８７ダイ
ジエスト、３７９ないし３８２ページにダブリユー・ジ
エイ・ラサム等により記載された方法で製造される。
【００４４】これらのフイルタおよびブラツク格子はま
た、日本デイスプレイ８６の３２０ないし３２２ページ
におけるＴ・ウエノ等による論文「カラー液晶デイスプ
レイ用高品質有機顔料カラーフイルタ」に記載されるよ
うに、熱電子手段により着色インクを昇華することによ
り製造されることができる。
【００４５】これら２つのカラーフイルタ製造方法は
「２つのマスキングレベル」を有する薄膜トランジスタ
を製造する方法と両立することができる。とくに、これ
らのフイルタは優秀な表面状態を有しそして高い温度
（代表的には２００ないし２５０°Ｃ）に抗することが
できる。加えて、これらのフイルタの製造方法は「２つ
のマスキングレベル方法」のフオトリソグラフイ作動の
それと両立し得る。
【００４６】薄膜トランジスタ８および９の製造とのこ
れらのカラーフイルタ１２４の両立性を改善するため
に、フイルタ１２４およびブラツク格子１２６を透明な
不動態化層１２８により被覆することが必要である。こ
の不動態化層は、化学気相成長により堆積される、窒化
シリコンまたは好ましくはアモルフアス水素化炭素から
作られることができる。
【００４７】とくに、不動態化層はプラズマ補助化学気
相成長（ＰＥＣＶＤ）により周囲温度（２５°Ｃ）で堆
積された、０．１μｍの厚さのアモルフアス水素化炭素
層であり、能動ガスはＣＨ4 である。この不動態化層は
フイルタおよびブラツク格子の表面全体を被覆する。
【００４８】前記不動態化層１２８上に薄膜トランジス
タ８・９、アドレス電極列１２、アドレス電極行１４、
およびピクセル電極１０が配置されている。これらの素
子は、フランス特許第２５０３０７２号に記載されてい
るような、いわゆる「２つのマスキングレベル」方法に
より製造される。
【００４９】とくに、ソースＳおよびドレインＤが接触
し、ならびに制御電極列１２および画像電極１０が、周
囲温度でマグネトロンスパツタリングにより堆積され
た、１０Ω2 の抵抗率を有する同一の２００ｎｍ厚のＩ
Ｔ層において画成される。
【００５０】そのうえ、薄膜トランジスタ８・９および
アドレス電極行１４はアモルフアス水素化シリコン層３
２、窒化シリコン層３４およびアルミニウム層３６の積
層のフオトリソグラフイにより画成されている。これら
の層は１５、３００および２００ｎｍのそれぞれの厚さ
を有している。アモルフアス水素化シリコン層３２およ
び窒化シリコン層３４は１８０°ＣでＰＥＣＶＤにより
かつ周囲温度でマグネトロンスパツタリングによりアル
ミニウム層が堆積される。
【００５１】エツチングされたアルミニウム層はとりわ
け薄膜トランジスタの制御ゲートを画成する。
【００５２】図３に示されるように、これらの能動素子
は従来技術におけるように、窒化シリコンから作られ、
５０ｎｍの厚さを有しそして１５０°ＣでＰＥＣＶＤに
より堆積される第２透明不動態化層２０により被覆され
る。
【００５３】これに、エツチング６の方向付け層２２が
追随する。この方向付け層２２は仕上げろくろにより堆
積され、１８０°Ｃでアニーリングされ、かつ次いでブ
ラシがけされた０．１μｍの厚さの透明なポリイミドか
ら製造される。
【００５４】本発明によれば、上方または後方ガラス基
板４はデイスプレイの目的に使用されるような板の内面
を被覆する２００ｎｍの厚さの透明なＩＴＯ連続板の形
の対向電極２８により直接被覆される。この対向電極２
８はマグネトロンスパツタリングによりかつ板４上に直
接的な方法において堆積される。
【００５５】方向付け層２２と同一の液晶用方向付け層
２９は対向電極２８の内面に設けられる。
【００５６】上方ガラス基板４を対向電極堆積方法と両
立可能でかつ使用される液晶層６と両立可能であるプラ
スチツク材料から作られる半堅固な板により置き換える
ことができる。
【００５７】また、ＩＴＯ対向電極を、ＩＴＯ層により
被覆される、ポリカーボネートまたはポリイミドのごと
き、透明な・堅固な・可撓性のポリマ対向電極に置き換
えることを考えることができる。
【００５８】本発明によるスクリーンまたはデイスプレ
イ構造の組立ては従来技術より非常に簡単でかつより迅
速である。かくして、従来技術より、大型で高解像度の
平型スクリーンを高速かつ低コストで製造することが可
能となる。
【００５９】本発明によれば、薄膜トランジスタ８、９
はブラツク格子１２６、ならびに能動マトリクスの電極
行１４および電極列１２に向かい合って製造されるが、
コンデンサ電極１０はカラーフイルタ１２４の上方に製
造される。
【００６０】コンデンサ板１０およびフイルタ１２４の
重ね合わせは、薄膜トランジスタマトリクスを製造する
のに使用されるマスクと同一のマスクの整列器により行
われる。この方法において整列精度は従来技術の±３μ
ｍより良好になる。代表的なものとしては±１μｍによ
り得られる。
【００６１】加えて、薄膜トランジスタの「側部」の下
のブラツク格子１２６がブラツクマトリクスとして役立
ち、かくして周囲光がこれらの薄膜トランジスタの作動
を妨害するのを阻止する。このブラツクマトリクスはま
た電気的に絶縁されている利点を有する。
【００６２】
【発明の効果】以上のごとく、本発明は、第１透明基板
（２）および第２透明基板（４）、第１透明不動態化層
（１２８）、薄膜トランジスタ（８，９）、第１透明コ
ンデンサ板（１０）、電極行（１４）および電極列（１
２）および第２透明不動態化層（２０）を備え、前記第
１透明基板（２）および第２透明基板（４）が互いに間
隔を置いて保持されかつそれらの間に液晶層（６）が挿
入され、前記第１透明基板（２）が実質上高い温度に抗
しかつブラツクマトリクス（１２６）により隔離される
カラーフイルタ（１２４）を支持し、前記第１透明不動
態化層（１２８）が前記カラーフイルタ（１２４）およ
び前記ブラツクマトリクス（１２６）により占有される
表面全体に堆積され、前記薄膜トランジスタ（８，９）
が周囲の光から保護されるように前記ブラツクマトリク
ス（１２６）に向かい合っている前記第１透明不動態化
層（１２８）上に形成され、前記第１透明コンデンサ板
（１０）が前記カラーフイルタ（１２４）に向かい合っ
ている前記第１透明不動態化層（１２８）上に形成さ
れ、各第１透明コンデンサ板（１０）が薄膜トランジス
タ（８，９）に接続され、前記電極行（１４）および電
極列（１２）は前記薄膜トランジスタ（８，９）を制御
するために設けられ、前記第２透明不動態化層（２０）
が前記薄膜トランジスタ（８，９）、前記第１透明コン
デンサ板（１０）、前記電極行（１４）および電極列
（１２）を被覆し、前記第２透明基板（４）が実質上第
２透明コンデンサ板（２８）を有し、そして前記第２透
明コンデンサ板（２８）が前記第１透明コンデンサ板
（１０）に向かい合っていることをとする構成としたの
で、従来技術における欠点の回避を可能にする高品位の
新規な能動マトリクス、液晶カラースクリーン構造を提
供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術のカラースクリーン構造を略示する断
面図である。
【図２】従来技術のカラースクリーン構造を略示する部
分平面図である。
【図３】本発明によるカラースクリーン構造を略示する
長手方向断面図である。
【図４】本発明によるカラースクリーン構造を略示する
下方スクリーン板の部分斜視図である。
【符号の説明】
２：下方ガラス板（第１透明基板） ４：上方ガラス板（第２透明基板） ６：液晶層 ８：薄膜トランジスタ ９：薄膜トランジスタ １０：ピクセル電極（第１透明コンデンサ板） １２：電極電極列 １４：電極行 ２０：第２透明不動態化層 ２８：対向電極（第２透明コンデンサ板） １２４：カラーフイルタ １２５：絶縁層 １２６：ブラツク格子（ブラツクマトリクス） １２７：ブラツク格子（ブラツクマトリクス） １２８：第１透明不動態化層 １３０：コンデンサ（重なり）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ブリュノ・ヴィヌーズ フランス国 22710 ポール・ブラン、 シェメン・ド・ラ・シャペル （番地な し) (56)参考文献 特開 昭59−87491（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−207116（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−75419（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−116853（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−125123（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/136 500

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１透明基板（２）および第２透明基板
    （４）、第１透明不動態化層（１２８）、薄膜トランジ
    スタ（８，９）、第１透明コンデンサ板（１０）、電極
    行（１４）および電極列（１２）および第２透明不動態
    化層（２０）を備え、 前記第１透明基板（２）および第２透明基板（４）が互
    いに間隔を置いて保持されかつそれらの間に液晶層
    （６）が挿入され、 前記第１透明基板（２）が実質上高い温度に抗しかつブ
    ラツクマトリクス（１２６）により隔離されるカラーフ
    イルタ（１２４）を支持し、 前記第１透明不動態化層（１２８）が前記カラーフイル
    タ（１２４）および前記ブラツクマトリクス（１２６）
    により占有される表面全体に堆積され、 前記薄膜トランジスタ（８，９）が周囲の光から保護さ
    れるように前記ブラツクマトリクス（１２６）に向かい
    合っている前記第１透明不動態化層（１２８）上に形成
    され、 前記第１透明コンデンサ板（１０）が前記カラーフイル
    タ（１２４）に向かい合っている前記第１透明不動態化
    層（１２８）上に形成され、 各第１透明コンデンサ板（１０）が薄膜トランジスタ
    （８，９）に接続され、前記電極行（１４）および電極
    列（１２）は前記薄膜トランジスタ（８，９）を制御す
    るために設けられ、 前記第２透明不動態化層（２０）が前記薄膜トランジス
    タ（８，９）、前記第１透明コンデンサ板（１０）、前
    記電極行（１４）および電極列（１２）を被覆し、 前記第２透明基板（４）が実質上第２透明コンデンサ板
    （２８）を有し、 そして前記第２透明コンデンサ板（２８）が前記第１透
    明コンデンサ板（１０）に向かい合っていることを特徴
    とする構造の能動マトリクス液晶スクリーン。
  2. 【請求項２】 前記第２透明基板（４）が第２透明コン
    デンサ板（２８）として役立つ連続する導体板を含んで
    いることを特徴とする構造の請求項１記載の能動マトリ
    クス液晶スクリーン。
  3. 【請求項３】 前記薄膜トランジスタ（８，９）が「ト
    ップゲート」型からなることを特徴とする構造の請求項
    １記載の能動マトリクス液晶スクリーン。
  4. 【請求項４】 前記カラーフイルタ（１２４）およびブ
    ラツクマトリクス（１２６）が少なくとも１８０°の温
    度に抗することができることを特徴とする構造の請求項
    １記載の能動マトリクス液晶スクリーン。
  5. 【請求項５】 前記カラーフイルタ（１２４）およびブ
    ラツクマトリクス（１２６）が顔料含有の橋かけされた
    ポリイミド層において形成されることを特徴とする構造
    の請求項１記載の能動マトリクス液晶スクリーン。
  6. 【請求項６】 前記第１透明不動態化層（１２８）は化
    学蒸着されたアモルフアス水素化炭素層であることを特
    徴とする構造の請求項１記載の能動マトリクス液晶スク
    リーン。
  7. 【請求項７】 前記カラーフイルタ（１２４）がブロツ
    クの形状をしており、どのカラーフイルタも各透明コン
    デンサ板の表面にほぼ等しい表面を有することを特徴と
    する構造の請求項１記載の能動マトリクス液晶スクリー
    ン。
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