KR20070117801A - 액정 표시 장치 - Google Patents
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 57
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 22
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 40
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
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Abstract
본 발명에 따른 액정 표시 장치는 제1 절연 기판, 제1 절연 기판 위에 형성되어 있으며 돌출부를 포함하는 차광 부재, 차광 부재 및 제1 절연 기판 위에 형성되어 있는 복수의 색필터, 색필터 위에 형성되어 있으며 제1 절개부를 포함하는 공통 전극, 제1 절연 기판과 마주하는 제2 절연 기판, 제2 절연 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 게이트선과 연결되어 있는 데이터선, 데이터선 및 게이트선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 그리고 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극을 포함하고, 돌출부는 제1 절개부를 통과하여 제2 절연 기판과 맞닿아 있다.
간격재, 액정표시장치, 색필터, 차광부재
Description
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이다.
도 2는 도 1의 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이다.
도 3은 도 1의 액정 표시 장치용 공통 전극 표시판의 배치도이다.
도 4는 도 1의 IV-IV선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 5는 도 1의 V-V선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 6 은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도로 도 1의 IV-IV선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
*도면 주요 부호의 설명*
3: 액정층 11, 21: 배향막
27, 28: 절개부 81, 82: 접촉 보조 부재
100: 박막 트랜지스터 표시판 110, 210: 절연 기판
121, 129: 게이트선 124: 게이트 전극
140: 게이트 절연막 151, 154: 반도체
161, 163, 165: 저항성 접촉 부재
171, 179: 데이터선 173: 소스 전극
175: 드레인 전극 180: 보호막
181, 182, 185: 접촉 구멍 191: 화소 전극
200: 공통 전극 표시판 210: 절연 기판
220: 차광 부재 230: 색필터
250: 덮개막 270: 공통 전극
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로, 특히 기둥형 간격재를 포함하는 액정 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 상부 표시판과 하부 표시판 사이에 액정 물질을 주입해 놓고 액정에 전계를 인가하여 액정의 배향을 변경시킴으로써 이를 통과하는 빛의 편광 상태에 변화를 유도하고 편광 상태에 따라 편광판을 통과하는 빛의 양이 달라짐으로서 화상을 표시하는 장치이다.
이러한 상부 표시판과 하부 표시판 사이는 일정한 셀 갭(cell gap)을 유지하여야 하는데 이를 위해서 액티브 간격재(active spacer)를 사용한다. 액티브 간격재로는 구슬형 간격재(beads spacer)와 기둥형 간격재(column spacer)가 사용된다.
이 중 구슬형 스페이서는 공정의 단순화, 제작의 용이성 측면에서 유리하나, 액정 표시 장치내에서 부유(floating)되어 있기 때문에 액정 주입시 액정과 함께 이동하게 된다. 이때 이동 압력 및 이동 거리가 클 경우 배향막 등이 휘어지는 현상이 발생하기 때문에 광 손실(leak)이 발생한다. 이와는 달리 기둥형 간격재는 사진 식각 공정(photolithography)에 의해 형성하기 때문에 필요한 위치에 고정적인 형태로 선택하여 형성할 수 있다.
그러나 기둥형 간격재는 감광막을 형성하고 노광 및 현상하는 사진 식각 공정을 통해서 형성하기 때문에 공정이 복잡해진다.
따라서 본 발명은 기둥형 간격재를 형성하기 위한 공정을 간소화하는 것이다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 제1 절연 기판, 제1 절연 기판 위에 형성되어 있으며 돌출부를 포함하는 차광 부재, 차광 부재 및 제1 절연 기판 위에 형성되어 있는 복수의 색필터, 색필터 위에 형성되어 있으며 제1 절개부를 포함하는 공통 전극, 제1 절연 기판과 마주하는 제2 절연 기판, 제2 절연 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 게이트선과 연결되어 있는 데이터선, 데이터선 및 게이트선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 그리고 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극을 포함하고, 돌출부는 제1 절개부를 통과하여 제2 절연 기판과 맞닿아 있다.
화소 전극은 일렬로 연결된 복수의 소전극으로 이루어질 수 있다.
소전극은 모퉁이가 둥글려진 사각형일 수 있다.
공통 전극은 소전극과 각각 대응하는 제2 절개부를 포함할 수 있다.
상기한 과제를 달성하기 위한 다른 액정 표시 장치는 제1 절연 기판, 제1 절 연 기판 위에 형성되어 있는 복수의 색필터, 색필터 위에 형성되어 있으며 제1 절개부를 포함하는 공통 전극, 제1 절연 기판과 마주하는 제2 절연 기판, 제2 절연 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 게이트선과 연결되어 있는 데이터선, 데이터선 및 게이트선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 그리고 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극, 그리고 제1 절연 기판과 제2 절연 기판 사이의 간격을 지지하는 간격재를 포함하고, 간격재는 색필터와 동일한 물질로 이루어진다.
간격재는 제1 절개부를 통과하여 제2 절연 기판과 맞닿아 있을 수 있다.
화소 전극은 일렬로 연결된 복수의 소전극으로 이루어질 수 있다.
소전극은 모퉁이가 둥글려진 사각형일 수 있다.
공통 전극은 소전극과 각각 대응하는 제2 절개부를 포함할 수 있다.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
그러면, 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 도 1 내지 도 5를 참고로 하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 2는 도 1의 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고, 도 3은 도 1의 액정 표시 장치용 공통 전극 표시판의 배치도이고, 도 4는 도 1의 IV-IV선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 5는 도 1의 V-V선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 1 내지 도 5를 참고하면, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 서로 마주하는 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200), 그리고 두 표시판(100, 200) 사이에 들어 있는 액정층(3)을 포함한다.
먼저, 박막 트랜지스터 표시판(100)에 대하여 설명한다.
도 1, 도 2, 도 4 및 도 5를 참고하면, 투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(110) 위에 복수의 게이트선(gate line)(121)이 형성되어 있다.
게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 있다. 각 게이트선(121)은 위로 돌출한 복수의 게이트 전극(gate electrode)(124)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(129)을 포함한다. 게이트 신호를 생성하는 게이트 구동 회로(도시하지 않음)는 기판(110) 위에 부착되는 가요성 인쇄 회로막(flexible printed circuit film)(도시하지 않음) 위에 장착되거나, 기판(110) 위에 직접 장착되거나, 기판(110)에 집적될 수 있다. 게이트 구동 회로가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우 게이트선(121)이 연장되어 이와 직접 연결될 수 있다.
게이트선(121)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 따위로 만들어질 수 있다. 그러나 이들은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다. 이 중 한 도전막은 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 비저항(resistivity)이 낮은 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 만들어진다. 이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide)와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 탄탈륨, 티타늄 등으로 만들어진다. 이러한 조합의 좋은 예로는 크롬 하부막과 알루미늄 (합금) 상부막 및 알루미늄 (합금) 하부막과 몰리브덴 (합금) 상부막을 들 수 있다. 그러나 게이트선(121)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.
게이트선(121)의 측면은 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 약 30° 내지 약 80°인 것이 바람직하다.
게이트선(121) 위에는 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx) 따위로 만들어진 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 또는 다결정 규소(polysilicon) 등으로 만들어진 복수의 선형 반도체(151)가 형성되어 있다. 선형 반도체(151)는 주로 세 로 방향으로 뻗으며, 게이트 전극(124)을 향하여 뻗어 나온 복수의 돌출부(projection)(154)를 포함한다. 선형 반도체(151)는 게이트선(121) 부근에서 너비가 넓어져 이들을 폭 넓게 덮고 있다. 반도체(151) 위에는 복수의 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(161, 165)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(161, 165)는 인 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어지거나 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있다. 선형 저항성 접촉 부재(161)는 복수의 돌출부(163)를 가지고 있으며, 이 돌출부(163)와 섬형 저항성 접촉 부재(165)는 쌍을 이루어 반도체(151)의 돌출부(154) 위에 배치되어 있다.
반도체(151, 154)와 저항성 접촉 부재(161, 165)의 측면 역시 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 경사각은 30° 내지 80° 정도이다.
저항성 접촉 부재(161, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 복수의 데이터선(data line)(171), 복수의 드레인 전극(drain electrode)(175)이 형성되어 있다.
데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다. 각 데이터선(171)은 게이트 전극(124)을 향하여 뻗은 복수의 소스 전극(source electrode)(173)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(179)을 포함한다. 데이터 신호를 생성하는 데이터 구동 회로(도시하지 않음)는 기판(110) 위에 부착되는 가요성 인쇄 회로막(도시하지 않음) 위에 장착되거나, 기판(110) 위에 직접 장착되거나, 기판(110)에 집적될 수 있다. 데이터 구동 회로가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우, 데이터선(171)이 연장되어 이와 직접 연결될 수 있다.
드레인 전극(175)은 데이터선(171)과 분리되어 있으며 게이트 전극(124)을 중심으로 소스 전극(173)과 마주한다.
하나의 게이트 전극(124), 하나의 소스 전극(173) 및 하나의 드레인 전극(175)은 반도체(154) 함께 하나의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 반도체(154)에 형성된다.
데이터선(171) 및 드레인 전극(175)은 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금으로 만들어지는 것이 바람직하며, 내화성 금속막(도시하지 않음)과 저저항 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 다중막 구조의 예로는 크롬 또는 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 상부막의 이중막, 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 중간막과 몰리브덴 (합금) 상부막의 삼중막을 들 수 있다. 그러나 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.
데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 또한 그 측면이 기판(110) 면에 대하여 30° 내지 80° 정도의 경사각으로 기울어진 것이 바람직하다.
저항성 접촉 부재(161, 165)는 그 아래의 반도체(154)와 그 위의 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 사이에만 존재하며 이들 사이의 접촉 저항을 낮추어 준다. 반도체(154)에는 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이를 비롯하여 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)으로 가리지 않고 노출된 부분이 있다.
데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 노출된 반도체(154) 부분 위에는 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있다.
보호막(180)은 무기 절연물 또는 유기 절연물 따위로 만들어지며 그 표면은 평탄할 수 있다. 무기 절연물의 예로는 질화규소와 산화규소를 들 수 있다. 유기 절연물은 감광성(photosensitivity)을 가질 수 있으며 그 유전 상수(dielectric constant)는 약 4.0 이하인 것이 바람직하다. 그러나 보호막(180)은 유기막의 우수한 절연 특성을 살리면서도 노출된 반도체(154) 부분에 해가 가지 않도록 하부 무기막과 상부 유기막의 이중막 구조를 가질 수 있다.
보호막(180)에는 게이트선(121)의 끝 부분(129), 데이터선(171)의 끝 부분(179) 및 드레인 전극(175)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(contact hole)(181, 182, 185)이 형성되어 있으며, 보호막(180)과 게이트 절연막(140)에는 게이트선(121)의 끝 부분(129)을 드러내는 복수의 접촉 구멍(181)이 형성되어 있다.
보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(pixel electrode)(191) 및 복수의 접촉 보조 부재(contact assistant)(81, 82)가 형성되어 있다.
각 화소 전극(191)은 모퉁이가 둥글려진 사각형 형태의 제1 내지 제3 소전극(9a1, 9a2, 9a3)을 포함한다. 제1 내지 제3 소전극(9a1, 9a2, 9a3)은 일렬로 배열되어 있으며 연결부(9b)에 의해서 전기적으로 연결된다. 제1 소전극(9a1)의 일부분은 드레인 전극(175)을 향하여 돌출되어 있으며, 돌출된 부분은 접촉 구멍(185)을 통해 드레인 전극(175)과 연결되어 있다.
화소 전극(191)은 제1 소전극(9a1)과 연결되어 있는 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 인가 받으며, 연결부(9b)에 의해서 제2 및 제3 소전극(9a2, 9a3)에도 데이터 전압이 전달된다. 데이터 전압이 인가된 화소 전극(191)은 공통 전압(common voltage)을 인가 받는 공통 전극 표시판(200)의 공통 전극(common electrode)(270)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극(191, 270) 사이의 액정층(3)의 액정 분자의 방향을 결정한다. 이와 같이 결정된 액정 분자의 방향에 따라 액정층(3)을 통과하는 빛의 편광이 달라진다. 화소 전극(191)과 공통 전극(270)은 축전기[이하 “액정 축전기(liquid crystal capacitor)”라 함]를 이루어 박막 트랜지스터가 턴 오프된 후에도 인가된 전압을 유지한다.
접촉 보조 부재(81, 82)는 각각 접촉 구멍(181, 182)을 통하여 게이트선(121)의 끝 부분(129) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 연결된다. 접촉 보조 부재(81, 82)는 게이트선(121)의 끝 부분(129) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호한다.
다음으로 공통 전극 표시판(200)에 대하여 설명한다.
도 1, 도 3 내지 도 5를 참고하면, 투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어진 절연 기판(210) 위에 차광 부재(light blocking member)(220)가 형성되어 있다. 차광 부재(220)는 블랙 매트릭스(black matrix)라고도 하며, 화소 전극(191)과 마주하는 복수의 개구 영역을 정의하는 한편 화소 전극(191) 사이의 빛샘을 막아 준다. 차광 부재(220)는 박막 트랜지스터와 대응하는 영역을 더 포함할 수 있다. 차광 부재(220)는 다른 부분에 비해서 돌출된 부분(20)을 포함한다.
이처럼 차광 부재(220)가 서로 다른 두께를 가지도록 형성하는 것은 위치에 따라 감광막의 두께를 달리하여 순차적으로 식각하는 방법으로 형성할 수 있다.
위치에 따라 감광막의 두께를 달리하는 방법으로 여러 가지가 있을 수 있는데, 예를 들면 광마스크에 투광 영역(light transmitting area) 및 차광 영역(light blocking area) 외에 반투명 영역(translucent area)을 두는 방법이 있다. 반투명 영역에는 슬릿(slit) 패턴, 격자 패턴(lattice pattern) 또는 투과율이 중간이거나 두께가 중간인 박막이 구비된다. 슬릿 패턴을 사용할 때에는, 슬릿의 폭이나 슬릿 사이의 간격이 사진 공정에 사용하는 노광기의 분해능(resolution)보다 작은 것이 바람직하다. 다른 예로는 리플로우가 가능한 감광막을 사용하는 방법이 있다. 즉, 투광 영역과 차광 영역만을 지닌 통상의 노광 마스크로 리플로우 가능한 감광막을 형성한 다음 리플로우시켜 감광막이 잔류하지 않은 영역으로 흘러내리도록 함으로써 얇은 부분을 형성하는 것이다.
기판(210) 위에는 또한 복수의 색필터(color filter)(230)가 형성되어 있으며, 차광 부재(220)로 둘러싸인 개구 영역 내에 거의 다 들어가도록 배치되어 있다. 색필터(230)는 화소 전극(191)을 따라 세로 방향으로 길게 뻗어 띠(stripe)를 이룰 수 있다. 각 색필터(230)는 적색, 녹색 및 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 하나를 표시할 수 있다.
색필터(230) 및 차광 부재(220) 위에는 덮개막(overcoat)(250)이 형성되어 있다. 덮개막(250)은 (유기) 절연물로 만들어질 수 있으며, 색필터(230)를 보호하고 색필터(230)가 노출되는 것을 방지하며 평탄면을 제공한다. 그러나 덮개 막(250)은 차광 부재(220)의 돌출된 부분(20)을 덮으며, 돌출된 부분(20)에서는 평탄하지 않다.
덮개막(250)은 생략할 수 있다.
덮개막(250) 위에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 ITO나 IZO 등 투명한 도전 도전체로 만들어지는 것이 바람직하다.
공통 전극(270)에는 복수의 제1 및 제2 절개부(27, 28)가 형성되어 있다. 제1 절개부(27)는 소전극(9a1~9a3)의 중심 부분과 각각 대응하고, 제2 절개부(28)는 차광 부재(220)의 돌출된 부분(20)과 대응한다.
돌출된 부분(20)은 제2 절개부(28)를 통과해서 하부 표시판(100)과 맞닿아 있다.
표시판(100, 200)의 안쪽 면에는 배향막(alignment layer)(11, 21)이 도포되어 있으며 이들은 수직 배향막일 수 있다. 표시판(100, 200)의 바깥쪽 면에는 편광자(polarizer)(12, 22)가 구비되어 있으며, 두 편광자(12, 22)의 편광축은 직교한다.
본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 액정층(3)의 지연을 보상하기 위한 위상 지연막(retardation film)(도시하지 않음)을 더 포함할 수 있다. 액정 표시 장치는 또한 편광자(12, 22), 위상 지연막, 표시판(100, 200) 및 액정층(3)에 빛을 공급하는 조명부(backlight unit)(도시하지 않음)를 포함할 수 있다.
액정층(3)은 음의 유전율 이방성을 가지며, 액정층(3)의 액정 분자(31)는 전기장이 없는 상태에서 그 장축이 두 표시판(100, 200)의 표면에 대하여 거의 수직 을 이루도록 배향되어 있다. 따라서 입사광은 직교 편광자(12, 22)를 통과하지 못하고 차단된다.
공통 전극(270)에 공통 전압을 인가하고 화소 전극(191)에 데이터 전압을 인가하면 표시판(100, 200)의 표면에 거의 수직인 전기장(전계)이 생성된다. [앞으로는 화소 전극(191)과 공통 전극(270)을 통틀어 전기장 생성 전극이라 한다.] 액정 분자들(31)은 전기장에 응답하여 그 장축이 전기장의 방향에 수직을 이루도록 방향을 바꾸고자 한다.
전기장 생성 전극(191, 270)의 절개부(27)와 화소 전극(191)의 변은 전기장을 왜곡하여 액정 분자들(31)의 경사 방향을 결정하는 수평 성분을 만들어낸다. 전기장의 수평 성분은 절개부(27)와 화소 전극(191)의 변에 거의 수직이다. 제1 내지 제3 소전극(9a1~9a3)의 네 변과 절개부(27)에 의해 형성되는 전기장에 의해 액정이 기울어지므로, 기울어지는 방향을 추려보면 대략 네 방향이다. 이와 같이 액정 분자(31)가 기울어지는 방향을 다양하게 하면 액정 표시 장치의 기준 시야각이 커진다.
또한, 본 발명의 실시예에서는 차광 부재(220)가 돌출된 부분(20)을 가져 돌출된 부분이 액정 표시 장치의 간격을 유지하는 기둥형 간격재로 사용된다.
다음 본 발명의 다른 실시예에 따른 공통 전극 표시판에 대해서 도 6과 기 설명한 도 1을 참조하여 상세히 설명한다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도로 도 1의 IV-IV선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 1 및 도 6에 도시한 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치 또한 서로 마주하는 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200), 이들 표시판(100, 200) 사이에 들어 있는 액정층(3) 및 표시판(100, 200) 바깥면에 부착되어 있는 한 쌍의 편광자(12, 22)를 포함한다.
본 실시예에 따른 표시판(100, 200)의 층상 구조는 대개 도 1 내지 도 5에 도시한 것과 동일한다.
박막 트랜지스터 표시판(100)을 보면, 기판(110) 위에 복수의 게이트선(121) 및 복수의 유지 전극선(131)이 형성되어 있다. 게이트선(121)은 복수의 게이트 전극(124)과 끝 부분(129)을 포함하며, 기판(110) 위에 복수의 게이트선(121) 및 복수의 유지 전극선(131)이 형성되어 있다. 게이트선(121)은 복수의 게이트 전극(124)과 끝 부분(129)을 포함한다. 게이트선(121) 위에는 게이트 절연막(140), 돌출부(154)를 포함하는 복수의 선형 반도체(151), 돌출부(163)를 포함하는 복수의 선형 저항성 접촉 부재(161) 및 복수의 섬형 저항성 접촉 부재(165)가 차례로 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(161, 165) 위에는 소스 전극(173) 및 끝 부분(179)을 포함하는 복수의 데이터선(171) 및 복수의 드레인 전극(175)이 형성되어 있고 그 위에 보호막(180)이 형성되어 있다. 보호막(180) 및 게이트 절연막(140)에는 복수의 접촉 구멍(181, 182, 185)이 형성되어 있다. 보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(191) 및 복수의 접촉 보조 부재(81, 82)가 형성되어 있으며, 그 위에는 배향막(11)이 형성되어 있다.
공통 전극 표시판(200)에 대하여 설명하자면, 차광 부재(220), 복수의 색 필터(230), 덮개막(250), 절개부(27, 28)를 가지는 공통 전극(270) 및 배향막(21)이 절연 기판(210) 위에 형성되어 있다.
그러나 차광 부재(220)는 돌출된 부분 없이 전체적으로 균일한 두께로 형성되어 있다. 그리고 색필터(230)의 일부분은 중첩되어 있다. 즉, 적색(30a), 녹색(30b), 청색(30c) 필터가 적층되어 있으며, 이들의 적층 순서는 형성 순서에 따라서 달라지며, 색필터(230)의 중첩된 부분(30)은 색필터(230)의 중첩으로 인해서 다른 부분에 비해서 두께가 두껍다.
따라서 중첩된 부분(30)은 공통 전극(270)의 절개부(28)를 통과해서 하부 표시판(100)과 맞닿아 있다. 즉, 색필터(230)의 중첩된 부분(30)은 액정 표시 장치의 간격을 유지하는 간격재로 사용된다.
색필터(230)의 중첩된 부분(30)은 하부 표시판(100)의 게이트선(121)의 일부분, 데이터선(171)의 일부분 또는 박막 트랜지스터와 대응할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 차광 부재와 색필터를 이용하면 간단히 액정 표시 장치의 간격재를 형성할 수 있어 액정 표시 장치의 제조 공정을 간소화할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
Claims (9)
- 제1 절연 기판,상기 제1 절연 기판 위에 형성되어 있으며 돌출부를 포함하는 차광 부재,상기 차광 부재 및 상기 제1 절연 기판 위에 형성되어 있는 복수의 색필터,상기 색필터 위에 형성되어 있으며 제1 절개부를 포함하는 공통 전극,상기 제1 절연 기판과 마주하는 제2 절연 기판,상기 제2 절연 기판 위에 형성되어 있는 게이트선,상기 게이트선과 연결되어 있는 데이터선,상기 데이터선 및 게이트선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 그리고상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극을 포함하고,상기 돌출부는 상기 제1 절개부를 통과하여 상기 제2 절연 기판과 맞닿아 있는 액정 표시 장치.
- 제1항에서,상기 화소 전극은 일렬로 연결된 복수의 소전극으로 이루어지는 액정 표시 장치.
- 제2항에서,상기 소전극은 모퉁이가 둥글려진 사각형인 액정 표시 장치.
- 제1항에서,상기 공통 전극은 상기 소전극과 각각 대응하는 제2 절개부를 포함하는 액정 표시 장치.
- 제1 절연 기판,상기 제1 절연 기판 위에 형성되어 있는 복수의 색필터,상기 색필터 위에 형성되어 있으며 제1 절개부를 포함하는 공통 전극,상기 제1 절연 기판과 마주하는 제2 절연 기판,상기 제2 절연 기판 위에 형성되어 있는 게이트선,상기 게이트선과 연결되어 있는 데이터선,상기 데이터선 및 게이트선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 그리고상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극, 그리고상기 제1 절연 기판과 상기 제2 절연 기판 사이의 간격을 지지하는 간격재을 포함하고,상기 간격재는 상기 색필터와 동일한 물질로 이루어지는 액정 표시 장치.
- 제5항에서,상기 간격재는 상기 제1 절개부를 통과하여 상기 제2 절연 기판과 맞닿아 있 는 액정 표시 장치.
- 제5항에서,상기 화소 전극은 일렬로 연결된 복수의 소전극으로 이루어지는 액정 표시 장치.
- 제7항에서,상기 소전극은 모퉁이가 둥글려진 사각형인 액정 표시 장치.
- 제5항에서,상기 공통 전극은 상기 소전극과 각각 대응하는 제2 절개부를 포함하는 액정 표시 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020060051898A KR20070117801A (ko) | 2006-06-09 | 2006-06-09 | 액정 표시 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070117801A true KR20070117801A (ko) | 2007-12-13 |
Family
ID=39142845
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020060051898A KR20070117801A (ko) | 2006-06-09 | 2006-06-09 | 액정 표시 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20070117801A (ko) |
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| JP2016118757A (ja) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 群創光電股▲ふん▼有限公司Ｉｎｎｏｌｕｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 表示パネル |
-
2006
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