JP2796623B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JP2796623B2 JP2796623B2 JP61042664A JP4266486A JP2796623B2 JP 2796623 B2 JP2796623 B2 JP 2796623B2 JP 61042664 A JP61042664 A JP 61042664A JP 4266486 A JP4266486 A JP 4266486A JP 2796623 B2 JP2796623 B2 JP 2796623B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- supply line
- semiconductor thin
- liquid crystal
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Liquid Crystal (AREA)
- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
《産業上の利用分野》
アクティブマトリクス型液晶表示装置などの要素をな
す信号供給ライン及び制御パルス信号供給ラインの断
線，短絡等の検査の効率化及び検査，取扱いなどによる
アクティブ素子や他の要素の破壊を防止することに関す
る。 《発明の概要》 基板上に設けられた信号供給ライン及び制御パルス信
号供給ラインを画面各辺ごとに、アクティブ素子のチャ
ンネル領域と同時に形成される光電効果を有する半導体
薄膜を介した上でショートすることによって、前記光電
効果を有する半導体薄膜の一部にスポット光を当て選択
的に高い導電性を持たせ、機械的な針送りなしで断線，
短絡等を検査することができるようにした。また静電気
衝撃などが外部から印加された場合でも各ラインへ衝撃
を分散させることができるため、アクティブ素子の劣化
やライン間の短絡現象などを回避することができる。 《従来の技術》 液晶表示装置の分野では、非晶質半導体などをチャン
ネル領域に用いた能動素子を有するいわゆるアクティブ
マトリクス型液晶表示装置の開発が、高分割駆動、高コ
ントラスト比の期待できるシステムとして注目されてい
る。しかしながら画素数，分割数が増えれば当然基板上
に作り込まれる信号供給ライン及び制御パルス供給ライ
ンの数も膨大となり（現在各ライン数百本〜千本程度の
ライン数が要求されている）検査工程に費される時間も
増えてしまう。第２図に示されるのは従来のアクティブ
マトリクス液晶表示装置の回路図で一基板に作り込まれ
た信号供給ライン１と制御パルス供給ライン2,能動素子
３と対向基板との間に挟持された液晶層４とからなって
いる、一般に前記信号供給ライン１及び制御パルス供給
ライン２は外部取出し用パッド電極を両端にそれぞれ有
しており、このラインの断線やライン間の短絡などの欠
陥を検査する際は任意のパッド電極に針をあて機械的に
随時移動させてチェックを行なうのが普通である。 《発明が解決しようとする問題点》 前記検査工程の時間をできるだけ軽減するため一度に
プロービングする針を複数設けておくのが一般的である
が、ライン数が増せば相対的にライン間のピッチは厳し
くなり複数の針と言っても限度が生じ、また針数が増せ
ばプロービング精度の向上も要求され装置が高額になる
のは避けられない、従って、機械的な移動に要する時間
とメンテナンスが検査工程のコストアップにつながって
いるのが実情である。またパッド電極にいちいち針をあ
てるため（機械的接触）電極表面を荒してしまい電極の
ハク離などの二次的な不具合を誘発する危険をはらんで
いる、加えて検査時またはパッド電極への接触時に生じ
た静電気の影響をライン一本一本が単独に受けることに
より、またその影響は極めて直接的で衝撃によるライン
間短絡現象や能動素子の破壊がしばしば観察される。 《問題点を解決するための手段》 本発明は、前述の問題点を解決するために、液晶表示
装置において能動素子を含む基板上に形成された、信号
供給ライン及び制御パルス供給ラインを各辺ごとに、前
記能動素子のチャンネル領域に用いている半導体薄膜
（例えばａ−Si薄膜）と同時に形成された光電効果を有
する半導体薄膜を介してショートすることにより、検査
工程の大幅な短縮と外部からの静電衝撃によるライン間
短絡現象や能動素子の破壊を防止を実現した。 《作用》 前記光電効果を有する半導体薄膜は暗状態ではきわめ
て高い抵抗値（例えばシート抵抗1011Ω／□以上）を持
ち、この素子を介している限りライン両端へ電圧を印加
しても電流はごく小さい値（断線していても同程度）し
か認められないが、任意の半導体薄膜へスポット状の光
を照射することによってその部分は低抵抗（暗状態での
抵抗の４〜５ケタ下）となり、プロービング箇所はごく
少ない状態のままで選択的にラインの断線及びライン間
の短絡のチェックが可能となる。また前記半導体薄膜は
静電衝撃吸収として、保護素子的な役目もするためプロ
ービング時や最外電極への接触時の静電気への影響が能
動素子や表示装置として重要な部分へおよばない。 《実施例》 以下にこの発明の実施例を図面にもとづいて説明す
る。第１図は本発明における液晶表示装置の回路図で、
従来のアクティブマトリクス液晶表示装置同様信号供給
ライン11及び制御パルス供給ライン12とともに能動素子
を構成するチャンネル領域13,ゲート領域15を有する、
前記信号供給ライン11及び制御パルス供給ライン12の両
端にはそれぞれ端子取出し用のパッド電極が設けられ、
各パッドは光電効果を有する半導体薄膜16を介して各辺
ごとに共通電極17でショートされている。この能動素子
を含む薄膜付基板と対向基板との間に液晶層14を挟持し
て液晶表示装置が出来あがる。 この際光電効果を有する半導体薄膜16と能動素子のチ
ャンネル領域13は例えばａ−Siを用い同時形成される。
この時のａ−Si薄膜抵抗の電圧−電流特性図を第３図に
示す。暗状態においては曲線ｂに示されるとうりL/W＝1
0μm/30μｍの試料において50ボルト以下の電圧印加で
は10-11A以下のごく低い電流しか認められないが、2000
ルクス程度の光を照射した際曲線ａのごとく暗電流と比
較して約４〜５ケタ多い誘起電流が見込める。この現象
を利用し第１図における各辺ごとの共通電極17に４ケ所
プロービングするだけであとは光電効果を有する半導体
薄膜16の任意の箇所に選択的に光をスポット照射するこ
とによって測定したい箇所への高速移動（検査工数の低
減）が可能となる。また暗状態での電圧−電流特性は50
ボルト以上の電圧印加条件では非線形となり静電気など
の高電圧も有効に吸収する保護素子として働く。 《発明の効果》 この発明は以上説明したとうり、各信号供給ラインと
制御パルス供給ラインの外部取出し用パッド電極を光電
効果を有する半導体薄膜を介して各辺ごとにショートし
ておくことによって検査工数の大幅な削減及び静電気衝
撃緩和をはかることができる。また外部取出し用パッド
電極に直接針で接触することがないので電極部のハク
離，損傷の危険がなく二次的な不具合を防止することが
できる。加えて本発明における工夫は従来能動素子を構
成する要素として用いていた光電効果を有する半導体薄
膜をパターニング上利用したもので工程の増加，歩留り
の低下などのリスクは全くない。
す信号供給ライン及び制御パルス信号供給ラインの断
線，短絡等の検査の効率化及び検査，取扱いなどによる
アクティブ素子や他の要素の破壊を防止することに関す
る。 《発明の概要》 基板上に設けられた信号供給ライン及び制御パルス信
号供給ラインを画面各辺ごとに、アクティブ素子のチャ
ンネル領域と同時に形成される光電効果を有する半導体
薄膜を介した上でショートすることによって、前記光電
効果を有する半導体薄膜の一部にスポット光を当て選択
的に高い導電性を持たせ、機械的な針送りなしで断線，
短絡等を検査することができるようにした。また静電気
衝撃などが外部から印加された場合でも各ラインへ衝撃
を分散させることができるため、アクティブ素子の劣化
やライン間の短絡現象などを回避することができる。 《従来の技術》 液晶表示装置の分野では、非晶質半導体などをチャン
ネル領域に用いた能動素子を有するいわゆるアクティブ
マトリクス型液晶表示装置の開発が、高分割駆動、高コ
ントラスト比の期待できるシステムとして注目されてい
る。しかしながら画素数，分割数が増えれば当然基板上
に作り込まれる信号供給ライン及び制御パルス供給ライ
ンの数も膨大となり（現在各ライン数百本〜千本程度の
ライン数が要求されている）検査工程に費される時間も
増えてしまう。第２図に示されるのは従来のアクティブ
マトリクス液晶表示装置の回路図で一基板に作り込まれ
た信号供給ライン１と制御パルス供給ライン2,能動素子
３と対向基板との間に挟持された液晶層４とからなって
いる、一般に前記信号供給ライン１及び制御パルス供給
ライン２は外部取出し用パッド電極を両端にそれぞれ有
しており、このラインの断線やライン間の短絡などの欠
陥を検査する際は任意のパッド電極に針をあて機械的に
随時移動させてチェックを行なうのが普通である。 《発明が解決しようとする問題点》 前記検査工程の時間をできるだけ軽減するため一度に
プロービングする針を複数設けておくのが一般的である
が、ライン数が増せば相対的にライン間のピッチは厳し
くなり複数の針と言っても限度が生じ、また針数が増せ
ばプロービング精度の向上も要求され装置が高額になる
のは避けられない、従って、機械的な移動に要する時間
とメンテナンスが検査工程のコストアップにつながって
いるのが実情である。またパッド電極にいちいち針をあ
てるため（機械的接触）電極表面を荒してしまい電極の
ハク離などの二次的な不具合を誘発する危険をはらんで
いる、加えて検査時またはパッド電極への接触時に生じ
た静電気の影響をライン一本一本が単独に受けることに
より、またその影響は極めて直接的で衝撃によるライン
間短絡現象や能動素子の破壊がしばしば観察される。 《問題点を解決するための手段》 本発明は、前述の問題点を解決するために、液晶表示
装置において能動素子を含む基板上に形成された、信号
供給ライン及び制御パルス供給ラインを各辺ごとに、前
記能動素子のチャンネル領域に用いている半導体薄膜
（例えばａ−Si薄膜）と同時に形成された光電効果を有
する半導体薄膜を介してショートすることにより、検査
工程の大幅な短縮と外部からの静電衝撃によるライン間
短絡現象や能動素子の破壊を防止を実現した。 《作用》 前記光電効果を有する半導体薄膜は暗状態ではきわめ
て高い抵抗値（例えばシート抵抗1011Ω／□以上）を持
ち、この素子を介している限りライン両端へ電圧を印加
しても電流はごく小さい値（断線していても同程度）し
か認められないが、任意の半導体薄膜へスポット状の光
を照射することによってその部分は低抵抗（暗状態での
抵抗の４〜５ケタ下）となり、プロービング箇所はごく
少ない状態のままで選択的にラインの断線及びライン間
の短絡のチェックが可能となる。また前記半導体薄膜は
静電衝撃吸収として、保護素子的な役目もするためプロ
ービング時や最外電極への接触時の静電気への影響が能
動素子や表示装置として重要な部分へおよばない。 《実施例》 以下にこの発明の実施例を図面にもとづいて説明す
る。第１図は本発明における液晶表示装置の回路図で、
従来のアクティブマトリクス液晶表示装置同様信号供給
ライン11及び制御パルス供給ライン12とともに能動素子
を構成するチャンネル領域13,ゲート領域15を有する、
前記信号供給ライン11及び制御パルス供給ライン12の両
端にはそれぞれ端子取出し用のパッド電極が設けられ、
各パッドは光電効果を有する半導体薄膜16を介して各辺
ごとに共通電極17でショートされている。この能動素子
を含む薄膜付基板と対向基板との間に液晶層14を挟持し
て液晶表示装置が出来あがる。 この際光電効果を有する半導体薄膜16と能動素子のチ
ャンネル領域13は例えばａ−Siを用い同時形成される。
この時のａ−Si薄膜抵抗の電圧−電流特性図を第３図に
示す。暗状態においては曲線ｂに示されるとうりL/W＝1
0μm/30μｍの試料において50ボルト以下の電圧印加で
は10-11A以下のごく低い電流しか認められないが、2000
ルクス程度の光を照射した際曲線ａのごとく暗電流と比
較して約４〜５ケタ多い誘起電流が見込める。この現象
を利用し第１図における各辺ごとの共通電極17に４ケ所
プロービングするだけであとは光電効果を有する半導体
薄膜16の任意の箇所に選択的に光をスポット照射するこ
とによって測定したい箇所への高速移動（検査工数の低
減）が可能となる。また暗状態での電圧−電流特性は50
ボルト以上の電圧印加条件では非線形となり静電気など
の高電圧も有効に吸収する保護素子として働く。 《発明の効果》 この発明は以上説明したとうり、各信号供給ラインと
制御パルス供給ラインの外部取出し用パッド電極を光電
効果を有する半導体薄膜を介して各辺ごとにショートし
ておくことによって検査工数の大幅な削減及び静電気衝
撃緩和をはかることができる。また外部取出し用パッド
電極に直接針で接触することがないので電極部のハク
離，損傷の危険がなく二次的な不具合を防止することが
できる。加えて本発明における工夫は従来能動素子を構
成する要素として用いていた光電効果を有する半導体薄
膜をパターニング上利用したもので工程の増加，歩留り
の低下などのリスクは全くない。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明にかかる液晶表示装置の回路図、第２図
は従来のアクティブマトリクス液晶表示装置の回路図、
第３図はａ−Si薄膜抵抗の電圧−電流特性図である。 1,11……信号供給ライン 2,12……制御パルス供給ライン ３……能動素子 4,14……液晶層 13……チャンネル領域 15……ゲート領域 16……光電効果を有する半導体薄膜 17……共通電極
は従来のアクティブマトリクス液晶表示装置の回路図、
第３図はａ−Si薄膜抵抗の電圧−電流特性図である。 1,11……信号供給ライン 2,12……制御パルス供給ライン ３……能動素子 4,14……液晶層 13……チャンネル領域 15……ゲート領域 16……光電効果を有する半導体薄膜 17……共通電極
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．ソース電極を有する信号供給ラインと、 ゲート領域を有する制御パルス供給ラインと、 画素電極と、 前記ソース電極と前記ゲート領域とともに画素のスイッ
チング素子を構成するチャンネル領域を形成する第１の
半導体薄膜と、 光電効果を有する第２の半導体薄膜を介して前記信号供
給ラインと接続された第１の共通電極と、 光電効果を有する第２の半導体薄膜を介して前記制御パ
ルス供給ラインと接続されるとともに、前記第１の共通
電極と電気的に絶縁された第２の共通電極と、 が形成された基板を用いて構成されることを特徴とする
液晶表示装置。 ２．前記第２の半導体薄膜が前記第１の半導体薄膜と同
一材料で形成されていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61042664A JP2796623B2 (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61042664A JP2796623B2 (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62198826A JPS62198826A (ja) | 1987-09-02 |
| JP2796623B2 true JP2796623B2 (ja) | 1998-09-10 |
Family
ID=12642280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61042664A Expired - Lifetime JP2796623B2 (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2796623B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2773130B2 (ja) * | 1988-03-15 | 1998-07-09 | 松下電器産業株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法 |
| JPH01303416A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-07 | Mitsubishi Electric Corp | マトリクス型表示装置 |
| JP2758533B2 (ja) * | 1992-07-10 | 1998-05-28 | 株式会社フロンテック | マトリクス配線基板 |
| GB9226890D0 (en) * | 1992-12-23 | 1993-02-17 | Philips Electronics Uk Ltd | An imaging device |
| JPH11509938A (ja) * | 1995-07-31 | 1999-08-31 | リットン システムズ カナダ リミテッド | 静電放電防止回路付き半導体スイッチアレイおよび製造方法 |
| JP3429775B2 (ja) * | 1995-08-07 | 2003-07-22 | 株式会社 日立製作所 | 静電気対策に適するアクティブ・マトリックス方式の液晶表示装置 |
| JP2005043783A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Oht Inc | 液晶表示パネルの検査装置及び液晶パネルの検査方法 |
-
1986
- 1986-02-27 JP JP61042664A patent/JP2796623B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62198826A (ja) | 1987-09-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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