JP2791795B2 - エッチング装置 - Google Patents
エッチング装置Info
- Publication number
- JP2791795B2 JP2791795B2 JP12488689A JP12488689A JP2791795B2 JP 2791795 B2 JP2791795 B2 JP 2791795B2 JP 12488689 A JP12488689 A JP 12488689A JP 12488689 A JP12488689 A JP 12488689A JP 2791795 B2 JP2791795 B2 JP 2791795B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing chamber
- thin film
- vacuum processing
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、真空処理室内を走行する基板の表面に形
成された薄膜を微細加工するエッチング装置に関するも
のである。
成された薄膜を微細加工するエッチング装置に関するも
のである。
（従来の技術） 従来のエッチング装置は第３図に示すように、真空処
理室１にはガス導入管２と真空排気管３とが接続され、
そして、その真空処理室１内には平板な陰極４と、同じ
く平板な陽極５とが平行に対向して配設されている。平
板な陰極４には高周波電源６が接続され、平板な陽極５
上には表面に薄膜を形成した基板７が置かれている。
理室１にはガス導入管２と真空排気管３とが接続され、
そして、その真空処理室１内には平板な陰極４と、同じ
く平板な陽極５とが平行に対向して配設されている。平
板な陰極４には高周波電源６が接続され、平板な陽極５
上には表面に薄膜を形成した基板７が置かれている。
したがって、上記装置では、陰極４と陽極５との間の
放電によって発生するプラズマの作用により、プラズマ
中のラジカル又はイオンと、基板７の表面に形成された
薄膜とが反応して、その薄膜がエッチングされるように
なる。
放電によって発生するプラズマの作用により、プラズマ
中のラジカル又はイオンと、基板７の表面に形成された
薄膜とが反応して、その薄膜がエッチングされるように
なる。
（発明が解決しようとする課題） プラズマ中のラジカル又はイオンと反応する基板７表
面上の薄膜を多数の面素片ΔSiに細分化した場合、全て
の面素片ΔSiにおいて、反応条件が同一であれば、均一
なエッチングが可能になるが、反対に、反応条件が異な
れば、不均一なエッチングとなる。
面上の薄膜を多数の面素片ΔSiに細分化した場合、全て
の面素片ΔSiにおいて、反応条件が同一であれば、均一
なエッチングが可能になるが、反対に、反応条件が異な
れば、不均一なエッチングとなる。
従来のエッチング装置は、上記のようにプラズマ中の
ラジカル又はイオンと、基板７の表面に形成された薄膜
との反応により、反応生成物が発生して、薄膜をエッチ
ングするようにしているが、反応を繰り返して、新らし
く反応する際、既に反応して生成された反応生成物の除
去がうまくゆかず、基板７表面上の薄膜を細分化した面
素片ΔSiでの反応条件が異なるため、不均一なエッチン
グになる問題があった。
ラジカル又はイオンと、基板７の表面に形成された薄膜
との反応により、反応生成物が発生して、薄膜をエッチ
ングするようにしているが、反応を繰り返して、新らし
く反応する際、既に反応して生成された反応生成物の除
去がうまくゆかず、基板７表面上の薄膜を細分化した面
素片ΔSiでの反応条件が異なるため、不均一なエッチン
グになる問題があった。
この発明は、従来の上記問題を解決して、基板の表面
に形成された薄膜における反応条件を同一にして、薄膜
を均一に微細加工することの出来るエッチング装置を提
供することを目的とするものである。
に形成された薄膜における反応条件を同一にして、薄膜
を均一に微細加工することの出来るエッチング装置を提
供することを目的とするものである。
（課題を解決するための手段） 上記目的を達成するため、この発明のエッチング装置
は、真空処理室内に配設された一対の電極と、この一対
の電極の一方と対向するように走行する表面に薄膜の形
成された基板と、この走行する基板の進行側に配設さ
れ、上記真空処理室内にガスを導入して、そのガスを走
行する基板の表面に沿って流すガス導入管と、上記走行
する基板の反進行側に配設され、上記真空処理室内を真
空排気する真空排気管とを備え、上記真空処理室内の上
記一対の電極間での放電により発生したプラズマによっ
て、上記真空処理室内を走行する上記基板の表面に形成
された薄膜を微細加工することを特徴とするものであ
る。
は、真空処理室内に配設された一対の電極と、この一対
の電極の一方と対向するように走行する表面に薄膜の形
成された基板と、この走行する基板の進行側に配設さ
れ、上記真空処理室内にガスを導入して、そのガスを走
行する基板の表面に沿って流すガス導入管と、上記走行
する基板の反進行側に配設され、上記真空処理室内を真
空排気する真空排気管とを備え、上記真空処理室内の上
記一対の電極間での放電により発生したプラズマによっ
て、上記真空処理室内を走行する上記基板の表面に形成
された薄膜を微細加工することを特徴とするものであ
る。
（作用） この発明においては、ガス導入管より真空処理室内に
導入されたガスは基板の表面上に沿って流れ、しかも、
基板が走行しているため、プラズマ中のラジカル又はイ
オンと、基板の表面に形成された薄膜とが反応する際に
は、既に反応して生成された反応生成物の除去がなされ
てから、新しい反応が生じ、基板表面上の薄膜を細分化
した面素片ΔSiでの反応条件が同一となり、均一なエッ
チングが可能になる。
導入されたガスは基板の表面上に沿って流れ、しかも、
基板が走行しているため、プラズマ中のラジカル又はイ
オンと、基板の表面に形成された薄膜とが反応する際に
は、既に反応して生成された反応生成物の除去がなされ
てから、新しい反応が生じ、基板表面上の薄膜を細分化
した面素片ΔSiでの反応条件が同一となり、均一なエッ
チングが可能になる。
（実施例） 以下、この発明の実施例について図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図はこの発明の実施例のエッチング装置を示して
おり、同図において、真空処理室１の一方の側には仕込
室８が設けられ、また、他方の側には取出室９が設けら
れている。真空処理室１内には陰極４と、陽極５とが配
設されている。陽極５は、仕込室８内のプーリ5aと、取
出室９内のプーリ5bとの間に架けられた金属製の無端ベ
ルト5cで構成されている。無端ベルト5cには表面に薄膜
の形成された基板７が着脱自在に取付けられ、その基板
７は、プーリ5a、5bの駆動によって、無端ベルト5cと共
に陰極４と対向して走行するようになっている。真空処
理室１内にガスを導入するガス導入管２は走行する基板
７の進行側に配設され、その吐出口2aは陰極４と陽極５
との間に位置し、先広がりの形状をしている。一方、真
空処理室１内を真空排気する主真空排気管３は走行する
基板７の反進行側に配設され、その流入口3aは陰極４と
陽極５との間に位置し、末細の形状をしている。なお、
図において、10は副真空排気管である。
おり、同図において、真空処理室１の一方の側には仕込
室８が設けられ、また、他方の側には取出室９が設けら
れている。真空処理室１内には陰極４と、陽極５とが配
設されている。陽極５は、仕込室８内のプーリ5aと、取
出室９内のプーリ5bとの間に架けられた金属製の無端ベ
ルト5cで構成されている。無端ベルト5cには表面に薄膜
の形成された基板７が着脱自在に取付けられ、その基板
７は、プーリ5a、5bの駆動によって、無端ベルト5cと共
に陰極４と対向して走行するようになっている。真空処
理室１内にガスを導入するガス導入管２は走行する基板
７の進行側に配設され、その吐出口2aは陰極４と陽極５
との間に位置し、先広がりの形状をしている。一方、真
空処理室１内を真空排気する主真空排気管３は走行する
基板７の反進行側に配設され、その流入口3aは陰極４と
陽極５との間に位置し、末細の形状をしている。なお、
図において、10は副真空排気管である。
したがって、ガス導入管２より真空処理室１内に導入
されたガスは基板７の表面上に沿って流れた後、多くは
主真空排気管３より排気されるようになる。
されたガスは基板７の表面上に沿って流れた後、多くは
主真空排気管３より排気されるようになる。
そして、陰極４と、陽極５との間の放電により発生す
るプラズマ中のラジカル又はイオンと、基板７の表面に
形成された薄膜とが反応する際には、ガス導入管２より
真空処理室１内に導入されたガスが基板７の表面上に沿
って流れ、しかも、基板７が走行しているため、既に反
応して生成された反応生成物の除去がなされてから、新
しい反応が生じ、基板表面上の薄膜を細分化した面素片
ΔSiでの反応条件が同一となり、均一なエッチングが可
能になる。
るプラズマ中のラジカル又はイオンと、基板７の表面に
形成された薄膜とが反応する際には、ガス導入管２より
真空処理室１内に導入されたガスが基板７の表面上に沿
って流れ、しかも、基板７が走行しているため、既に反
応して生成された反応生成物の除去がなされてから、新
しい反応が生じ、基板表面上の薄膜を細分化した面素片
ΔSiでの反応条件が同一となり、均一なエッチングが可
能になる。
なお、上記実施例の代りに、第２図に示すように、ガ
ス導入管２を陰極４自身の基板７の進行側に設け、陰極
４近傍の基板７の進行側に遮蔽板11を設けてもよい。ま
た、プーリ間に架けられた金属製の無端ベルトを複数個
並列に配置し、各無端ベルトに表面に薄膜の形成された
基板を取付けると共に、無端ベルトの数に応じて、ガス
導入管、真空排気管、陰極、陽極等を設けてもよい。
ス導入管２を陰極４自身の基板７の進行側に設け、陰極
４近傍の基板７の進行側に遮蔽板11を設けてもよい。ま
た、プーリ間に架けられた金属製の無端ベルトを複数個
並列に配置し、各無端ベルトに表面に薄膜の形成された
基板を取付けると共に、無端ベルトの数に応じて、ガス
導入管、真空排気管、陰極、陽極等を設けてもよい。
（発明の効果） この発明によれば、ガス導入管より真空処理室内に導
入されたガスは基板の表面上に沿って流れ、しかも、基
板が走行しているため、プラズマ中のラジカル又はイオ
ンと、基板の表面に形成された薄膜とが反応する際に
は、既に反応して生成された反応生成物の除去がなされ
てから、新しい反応が生じ、基板表面上の薄膜を細分化
した面素片ΔSiでの反応条件が同一となり、均一なエッ
チングが可能になる。
入されたガスは基板の表面上に沿って流れ、しかも、基
板が走行しているため、プラズマ中のラジカル又はイオ
ンと、基板の表面に形成された薄膜とが反応する際に
は、既に反応して生成された反応生成物の除去がなされ
てから、新しい反応が生じ、基板表面上の薄膜を細分化
した面素片ΔSiでの反応条件が同一となり、均一なエッ
チングが可能になる。
第１図はこの発明の実施例を示す全体構成図、第２図は
この発明のその他の実施例を示す全体構成図、第３図は
従来の装置の全体構成図である。 図中 １……真空処理室 ２……ガス導入管 ３……主真空排気管 ４……陰極 ５……陽極 5a……プーリ 5b……プーリ 5c……無端ベルト ７……基板 なお、図中、同一符号は同一又は相当部分を示してい
る。
この発明のその他の実施例を示す全体構成図、第３図は
従来の装置の全体構成図である。 図中 １……真空処理室 ２……ガス導入管 ３……主真空排気管 ４……陰極 ５……陽極 5a……プーリ 5b……プーリ 5c……無端ベルト ７……基板 なお、図中、同一符号は同一又は相当部分を示してい
る。
Claims (1)
- 【請求項１】真空処理室内に配設された一対の電極と、
この一対の電極の一方と対向するように走行する表面に
薄膜の形成された基板と、この走行する基板の進行側に
配設され、上記真空処理室内にガスを導入して、そのガ
スを走行する基板の表面に沿って流すガス導入管と、上
記走行する基板の反進行側に配設され、上記真空処理室
内を真空排気する真空排気管とを備え、上記真空処理室
内の上記一対の電極間での放電により発生したプラズマ
によって、上記真空処理室内を走行する上記基板の表面
に形成された薄膜を微細加工するエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12488689A JP2791795B2 (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | エッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12488689A JP2791795B2 (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | エッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02305976A JPH02305976A (ja) | 1990-12-19 |
| JP2791795B2 true JP2791795B2 (ja) | 1998-08-27 |
Family
ID=14896529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12488689A Expired - Lifetime JP2791795B2 (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | エッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2791795B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2680986B2 (ja) * | 1994-03-17 | 1997-11-19 | 栄電子工業株式会社 | プリント基板の小径穴加工方法及び装置 |
| JP2614697B2 (ja) * | 1994-03-29 | 1997-05-28 | 栄電子工業株式会社 | 小径穴加工装置及びそれを使用する小径穴加工方法 |
-
1989
- 1989-05-18 JP JP12488689A patent/JP2791795B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02305976A (ja) | 1990-12-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW469534B (en) | Plasma processing method and apparatus | |
| JP2791795B2 (ja) | エッチング装置 | |
| JPS55166926A (en) | Dry etching apparatus | |
| TWI582898B (zh) | Movable disk drive for production lines | |
| JPS63136525A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPS61187336A (ja) | プラズマエッチング装置とエッチング方法 | |
| JPS5964779A (ja) | 多チヤンバ−ドライエツチング装置 | |
| JPS5867870A (ja) | 磁界圧着マグネトロン形高速プラズマエッチングおよび反応性イオンエッチング装置 | |
| JPS6366394B2 (ja) | ||
| JPH11144891A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2001207269A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS5870533A (ja) | リアクテイブ・イオン・エツチング法 | |
| JPS62221116A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS6060726A (ja) | 処理装置 | |
| JPS6213579A (ja) | 反応性イオンエッチング方法 | |
| JPH0586654B2 (ja) | ||
| JPH07221071A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH04367226A (ja) | プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法 | |
| JPS5946127A (ja) | 気体化学反応方法および装置 | |
| JPH0517880Y2 (ja) | ||
| JPH10330972A (ja) | 反応性イオンエッチング装置 | |
| JPS6459916A (en) | Batch type reactive ion etching device | |
| JPH0794712B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS612328A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS58197280A (ja) | ドライエツチング装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |