JP2790218B2 - 電界放出型電子放出素子 - Google Patents
電界放出型電子放出素子Info
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- JP2790218B2 JP2790218B2 JP23393789A JP23393789A JP2790218B2 JP 2790218 B2 JP2790218 B2 JP 2790218B2 JP 23393789 A JP23393789 A JP 23393789A JP 23393789 A JP23393789 A JP 23393789A JP 2790218 B2 JP2790218 B2 JP 2790218B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は電界放出型電子放出素子に関する。
［従来の技術］ 従来、電子放出素子としては熱陰極型電子放出素子が
多く用いられていたが、熱電極を利用した電子放出は加
熱によるエネルギーロスが大きいこと、予備加熱が必要
であること等の問題点を有していた。
多く用いられていたが、熱電極を利用した電子放出は加
熱によるエネルギーロスが大きいこと、予備加熱が必要
であること等の問題点を有していた。
これらの問題点を解決するため冷陰極型の電子放出素
子がいくつか提案されており、その中に局部的に高電界
を発生させ、電界放出により電子放出を行なわせる電界
効果型の電子放出素子がある。
子がいくつか提案されており、その中に局部的に高電界
を発生させ、電界放出により電子放出を行なわせる電界
効果型の電子放出素子がある。
第７図は上記の電界放出型の電子放出素子の一例を示
す概略的部分断面図であり、第８図（ａ）〜（ｄ）はそ
の製造方法を説明するための概略的工程図である。
す概略的部分断面図であり、第８図（ａ）〜（ｄ）はそ
の製造方法を説明するための概略的工程図である。
第７図に示すように、Si等の基体701上にMo（モリブ
デン）等により形成された点状電子放出部708を設け、
この点状電子放出部708を中心として開口部が設けられ
たSiO2等の絶縁層702が形成され、この上に前記円錐形
状の尖頭部の近傍にその端部が形成された引き出し電極
709が設けられている。
デン）等により形成された点状電子放出部708を設け、
この点状電子放出部708を中心として開口部が設けられ
たSiO2等の絶縁層702が形成され、この上に前記円錐形
状の尖頭部の近傍にその端部が形成された引き出し電極
709が設けられている。
このような構造の電子放出素子において、基体701と
引き出し電極709との間に電圧を印加すると、電界強度
の強い尖頭部から電子が放出される。
引き出し電極709との間に電圧を印加すると、電界強度
の強い尖頭部から電子が放出される。
上記電子放出素子は、次のような工程で作成される。
まず、第８図（ａ）に示すように、Si等の基体701の
上にSiO2酸化膜等の絶縁層702を形成する。
上にSiO2酸化膜等の絶縁層702を形成する。
電子ビーム蒸着等によりMo層709を形成する。
PMMA（poly−methyl−methacrylate）等の電子線レジ
ストを、スピンコート法を用いてMo層709上に塗布す
る。
ストを、スピンコート法を用いてMo層709上に塗布す
る。
電子ビームを照射してパターニングを行った後イソプ
ロピルアルコール等で電子線レジストを部分的に除去す
る。
ロピルアルコール等で電子線レジストを部分的に除去す
る。
Mo層709を選択的にエッチングして第１の開口部703を
形成する。
形成する。
電子線レジストを完全に除去したのち、弗化水素酸を
用いて絶縁層702をエッチングして第２の開口部704を形
成する。
用いて絶縁層702をエッチングして第２の開口部704を形
成する。
次に、第８図（ｂ）に示すように、回転軸Ｘを中心と
して基体701を回転させながら、一定の角度θ傾斜させ
てAlをMo層709の上面に蒸着させてAl層705を形成する。
このとき前記Mo層709の側面部にもAlが蒸着されるの
で、この蒸着量を制御することにより、第１の開口部70
3の直径を任意に小さくすることができる。
して基体701を回転させながら、一定の角度θ傾斜させ
てAlをMo層709の上面に蒸着させてAl層705を形成する。
このとき前記Mo層709の側面部にもAlが蒸着されるの
で、この蒸着量を制御することにより、第１の開口部70
3の直径を任意に小さくすることができる。
次に、第８図（ｃ）に示すように、基体701に対して
垂直にMoを電子ビーム蒸着等によって蒸着する。このと
きMoはAl層705上および基体701上だけでなくAl層705の
側面にも堆積されるので、第１の開口部703の直径はMo
層706の積層に伴って段々小さくなっていく。この第１
の開口部703の直径の減少に伴って基体に堆積されてい
く蒸着物（Mo）の蒸着範囲も小さくなっていくために、
基体701上には略円錐形状の電極18が形成される。
垂直にMoを電子ビーム蒸着等によって蒸着する。このと
きMoはAl層705上および基体701上だけでなくAl層705の
側面にも堆積されるので、第１の開口部703の直径はMo
層706の積層に伴って段々小さくなっていく。この第１
の開口部703の直径の減少に伴って基体に堆積されてい
く蒸着物（Mo）の蒸着範囲も小さくなっていくために、
基体701上には略円錐形状の電極18が形成される。
最後に、第８図（ｄ）に示すように、堆積したMo層70
6およびAl層705を除去することにより、電界放出型電子
放出素子が形成される。
6およびAl層705を除去することにより、電界放出型電子
放出素子が形成される。
［発明が解決しようとする課題］ しかし、上記従来例では電界形成空間および電子放出
部を作製工程で斜め蒸着等の技術を用いるため、３ミク
ロン以下の微細な電界放出型電子放出素子を作製するこ
とができなかった。
部を作製工程で斜め蒸着等の技術を用いるため、３ミク
ロン以下の微細な電界放出型電子放出素子を作製するこ
とができなかった。
［課題を解決するための手段］ 本発明の第１の要旨は、絶縁性材料により形成された
基体の表面に設定した任意の円周に沿って集束イオンビ
ームを照射することにより、該基体中にイオン注入領域
を形成し、 該基体に化学的エッチング処理を施すことにより前記
イオン注入領域を除去して底部に突起を有する電界形成
空間を形成し、 該突起を導電性材料で被覆することにより点状電子放
出部を形成し、 前記基体の表面の前記電界形成空間以外の部分を導電
性材料で被覆することにより、前記点状電子放出部と電
界を形成する引出し電極を形成したことを特徴とする電
界放出型電子放出素子に存在する。
基体の表面に設定した任意の円周に沿って集束イオンビ
ームを照射することにより、該基体中にイオン注入領域
を形成し、 該基体に化学的エッチング処理を施すことにより前記
イオン注入領域を除去して底部に突起を有する電界形成
空間を形成し、 該突起を導電性材料で被覆することにより点状電子放
出部を形成し、 前記基体の表面の前記電界形成空間以外の部分を導電
性材料で被覆することにより、前記点状電子放出部と電
界を形成する引出し電極を形成したことを特徴とする電
界放出型電子放出素子に存在する。
本発明の第２の要旨は、表面に絶縁体層を有し、半導
体材料または導電性材料により形成された基体の表面に
設定した任意の円周に沿って集束イオンビームを照射す
ることにより該基体中にイオン注入領域を形成し、 該基体に化学的エッチング処理を施すことにより前記
イオン注入領域を除去して底部に突起を有する電界形成
空間を形成し、 該突起を導電性材料で被覆することにより点状電子放
出部を形成し 前記基体の表面の前記電界形成空間以外の部分を導電
性材料で被覆することにより、前記点状電子放出部と電
界を形成する引出し電極を形成したことを特徴とする電
界放出型電子放出素子に存在する。
体材料または導電性材料により形成された基体の表面に
設定した任意の円周に沿って集束イオンビームを照射す
ることにより該基体中にイオン注入領域を形成し、 該基体に化学的エッチング処理を施すことにより前記
イオン注入領域を除去して底部に突起を有する電界形成
空間を形成し、 該突起を導電性材料で被覆することにより点状電子放
出部を形成し 前記基体の表面の前記電界形成空間以外の部分を導電
性材料で被覆することにより、前記点状電子放出部と電
界を形成する引出し電極を形成したことを特徴とする電
界放出型電子放出素子に存在する。
［作用］ 本発明は、結晶材料の所定位置に集束イオンビームを
照射してイオン注入領域を形成し、次いで化学的エッチ
ング処理を施して前記イオン注入領域の所定領域を除去
することにより、電界形成空間を形成したので、電界放
出型電子放出素子を作製することができる。
照射してイオン注入領域を形成し、次いで化学的エッチ
ング処理を施して前記イオン注入領域の所定領域を除去
することにより、電界形成空間を形成したので、電界放
出型電子放出素子を作製することができる。
［実施例］ （実施例１） 第１図は本実施例に係る電界放出型電子放出素子の製
造方法を説明するための図である。図において、（ａ）
〜（ｄ）は断面図であり、（ａ′）〜（ｄ′）は斜視図
である。基体101としては絶縁体の単結晶であるイット
リウム・鉄・ガーネット（YIG）等を用いることができ
るが、本実施例ではYIGを用いた。また基体の面方向は
（111）とした。
造方法を説明するための図である。図において、（ａ）
〜（ｄ）は断面図であり、（ａ′）〜（ｄ′）は斜視図
である。基体101としては絶縁体の単結晶であるイット
リウム・鉄・ガーネット（YIG）等を用いることができ
るが、本実施例ではYIGを用いた。また基体の面方向は
（111）とした。
先ず第１図（ａ）および（ａ′）に示したように、0.
1μｍφ以下に集束した160KeVのBe2+イオンビーム102に
より、YIG基体101にイオン注入を行なった。イオン注入
量は、電極配線空間部を形成する部分（図中、103）に
おいては４×1016イオン/cm2とし、電界形成空間部を形
成する部分（図中、104）においては２×1016イオン/cm
2とした。また、電界形成空間部を形成する部分のイオ
ン注入は、所定位置を中心とした0.4μｍφの円周に沿
って行った。注入されたBeは試料101内部で散乱し、第
１図（ａ）に示したような水滴型の注入領域105を形成
した。
1μｍφ以下に集束した160KeVのBe2+イオンビーム102に
より、YIG基体101にイオン注入を行なった。イオン注入
量は、電極配線空間部を形成する部分（図中、103）に
おいては４×1016イオン/cm2とし、電界形成空間部を形
成する部分（図中、104）においては２×1016イオン/cm
2とした。また、電界形成空間部を形成する部分のイオ
ン注入は、所定位置を中心とした0.4μｍφの円周に沿
って行った。注入されたBeは試料101内部で散乱し、第
１図（ａ）に示したような水滴型の注入領域105を形成
した。
続いて、試料を室温のりん酸中に浸すことによって、
その注入領域のみを選択的にエッチングし、第１図
（ｂ）および（ｂ′）に示したような、電界形成空間10
6、電極配線空間107および前記所定位置の試料表面から
深さ0.5μｍの位置に先端の尖った突起108を形成した。
その注入領域のみを選択的にエッチングし、第１図
（ｂ）および（ｂ′）に示したような、電界形成空間10
6、電極配線空間107および前記所定位置の試料表面から
深さ0.5μｍの位置に先端の尖った突起108を形成した。
次に、試料表面に垂直方向から例えばタングステン
（Ｗ）を厚さ0.2μｍ真空蒸着することにより、第１図
（Ｃ）および（Ｃ′）に示したように、引出し電極10
9、電極配線110および点状電子放出部111を同時に形成
した。
（Ｗ）を厚さ0.2μｍ真空蒸着することにより、第１図
（Ｃ）および（Ｃ′）に示したように、引出し電極10
9、電極配線110および点状電子放出部111を同時に形成
した。
この状態で電極配線110と引出し電極109との間に30V
の電圧を印加すると、点状電子放出部から50μＡ以上の
電子放出が得られた。
の電圧を印加すると、点状電子放出部から50μＡ以上の
電子放出が得られた。
この素子の電子放出特性向上のために、第１図
（ｄ）、（ｄ′）に示したように、基体101の表面に、
垂直方向から、仕事関数の低い材料としてLaB6112を、
厚さ200Åとなるように真空蒸着した。
（ｄ）、（ｄ′）に示したように、基体101の表面に、
垂直方向から、仕事関数の低い材料としてLaB6112を、
厚さ200Åとなるように真空蒸着した。
このようにして作成した電界放出型電子放出素子の電
極配線と引出し電極とに25Vの電圧を印加したところ、
点状電子放出部から100μＡ以上の電子放出が得られ
た。すなわち、仕事関数の低い材料で表面を被覆するこ
とにより、引出し電圧の低下あるいは、同じ引出し電圧
における放出電流の増大が得られた。仕事関数の低い材
料としては、LaB6以外では、SmB6等のホウ化物あるいは
TiC、ZrC等の炭化物が有効であった。
極配線と引出し電極とに25Vの電圧を印加したところ、
点状電子放出部から100μＡ以上の電子放出が得られ
た。すなわち、仕事関数の低い材料で表面を被覆するこ
とにより、引出し電圧の低下あるいは、同じ引出し電圧
における放出電流の増大が得られた。仕事関数の低い材
料としては、LaB6以外では、SmB6等のホウ化物あるいは
TiC、ZrC等の炭化物が有効であった。
第２図は、上述のイオン照射に使用した試料イオンビ
ーム走査装置の概略構成を示す模式的説明図である。
ーム走査装置の概略構成を示す模式的説明図である。
以下、本装置によるイオンビームの操作方法につい
て、詳細に説明する。
て、詳細に説明する。
Au−Si−Be液体金属イオン源201より電界放出したイ
オンビームを電気的コンデンサレンズ202で集束し、Ｅ
×Ｂ質量分離器203で必要な種のみを分離する。
オンビームを電気的コンデンサレンズ202で集束し、Ｅ
×Ｂ質量分離器203で必要な種のみを分離する。
その後、対物レンズ204で再び集束し、コンピュータ
制御によりイオンビームを偏向してターゲット207に照
射する。
制御によりイオンビームを偏向してターゲット207に照
射する。
ターゲット207は、移動自在なステージ装置205のステ
ージ206を、ステージ装置205に付設された移動手段によ
って、XY面内を自在に移動されて所望位置にセットされ
る。なお、第２図に於いて、208はSEI、209はフアラデ
ーカップである。
ージ206を、ステージ装置205に付設された移動手段によ
って、XY面内を自在に移動されて所望位置にセットされ
る。なお、第２図に於いて、208はSEI、209はフアラデ
ーカップである。
第２図の装置を用いた場合のイオン注入条件は、例え
ば、SiまたはBeイオンをYIGの（111）基体に垂直に照射
する場合には、加速電圧40〜80KV、ビーム径0.1μｍと
すればよい。
ば、SiまたはBeイオンをYIGの（111）基体に垂直に照射
する場合には、加速電圧40〜80KV、ビーム径0.1μｍと
すればよい。
第３図及び第４図はそれぞれBe、Siの集束イオンビー
ムの注入量またはイオンの加速電圧を変化させてBe又は
Siを注入し、注入領域の所定領域を室温のりん酸により
エッチングして除去した場合のエッチング深さを示した
ものである。
ムの注入量またはイオンの加速電圧を変化させてBe又は
Siを注入し、注入領域の所定領域を室温のりん酸により
エッチングして除去した場合のエッチング深さを示した
ものである。
第３図および第４図からわかるように、電界形成空間
および電極配線空間の大きさは集束イオンビームの加速
電圧、イオン注入量、イオン種により任意に設定するこ
とができる。
および電極配線空間の大きさは集束イオンビームの加速
電圧、イオン注入量、イオン種により任意に設定するこ
とができる。
（実施例２） 第５図は、基体としてSiを３×1018イオン/cm2ドープ
したＮ形GaAs半導体単結晶を用いた電界放出型電子放出
素子の製造方法を説明するための断面図である。
したＮ形GaAs半導体単結晶を用いた電界放出型電子放出
素子の製造方法を説明するための断面図である。
先ず、第５図（ａ）に示したように、基体501上に真
空蒸着法により形成した厚さ0.2μｍのSiO2膜502の所定
の位置を中心とした0.4μｍφの内側に、0.1μｍφに集
束した80KeVのAu2+イオンビーム503を８×1016イオン/c
m2で照射し、スパッタエッチングにより除去した。
空蒸着法により形成した厚さ0.2μｍのSiO2膜502の所定
の位置を中心とした0.4μｍφの内側に、0.1μｍφに集
束した80KeVのAu2+イオンビーム503を８×1016イオン/c
m2で照射し、スパッタエッチングにより除去した。
次いで、第５図（ｂ）で示したように、0.1μｍφ以
下に集束した160KeVのSi2+イオンビーム504を、２×10
16イオン/cm2の注入量で、所定の位置を中心とした0.35
μｍφの円周に沿って注入し、水滴状の注入領域505を
形成した。
下に集束した160KeVのSi2+イオンビーム504を、２×10
16イオン/cm2の注入量で、所定の位置を中心とした0.35
μｍφの円周に沿って注入し、水滴状の注入領域505を
形成した。
続いて試料を70℃に加熱した塩酸中に浸すことによ
り、イオン注入領域のみが選択的にエッチングし、第５
図（ｃ）に示したように、電界形成空間506および先端
の尖った突起507を形成した。
り、イオン注入領域のみが選択的にエッチングし、第５
図（ｃ）に示したように、電界形成空間506および先端
の尖った突起507を形成した。
さらに、基体表面に、垂直方向から、例えばAu−Ge合
金等のＮ形GaAsにオーム性接合となる金を、厚さが0.2
μｍとなるように真空蒸着し、続いて400℃、３分間の
熱処理によるアロイ化を行なった。これにより、第５図
（ｄ）に示したような引出し電極508および点状電子放
出部509を形成した。
金等のＮ形GaAsにオーム性接合となる金を、厚さが0.2
μｍとなるように真空蒸着し、続いて400℃、３分間の
熱処理によるアロイ化を行なった。これにより、第５図
（ｄ）に示したような引出し電極508および点状電子放
出部509を形成した。
この状態でGaAs基体501と引出し電極508との間に40V
の電圧を印加することにより、点状電子放出部509から5
0μＡ以上の電子放出が得られた。
の電圧を印加することにより、点状電子放出部509から5
0μＡ以上の電子放出が得られた。
この素子の電子放出特性向上のために、第５図（ｅ）
に示したように、試料表面に垂直方向から仕事関数の低
い材料、例えばLaB6510を厚さ200Åとなるように真空蒸
着した。
に示したように、試料表面に垂直方向から仕事関数の低
い材料、例えばLaB6510を厚さ200Åとなるように真空蒸
着した。
このようにして作成した電界放出型電子放出素子のGa
As基体と引出し電極との間に電圧30V以上を印加したと
ころ、点状電子放出部から100μＡ以上の電子放出が得
られた。
As基体と引出し電極との間に電圧30V以上を印加したと
ころ、点状電子放出部から100μＡ以上の電子放出が得
られた。
（実施例３） 第６図は本発明の電界放出形電子放出素子をマルチ化
した一例を示す図であり、素子表面付近の一部の斜視図
である。
した一例を示す図であり、素子表面付近の一部の斜視図
である。
各材料および作製条件は、第１図の（ａ），（ａ′）
〜（ｃ），（ｃ′）と同様である。
〜（ｃ），（ｃ′）と同様である。
本実施例では、電子放出部のピッチを1.2μｍとし、
４行15列を１単位として、250μｍ□の中に64単位を形
成した。
４行15列を１単位として、250μｍ□の中に64単位を形
成した。
引出し電極602と電子放出部603の全てに電圧45Vを印
加したところ、放出電流密度として300A/cm2が得られ
た。
加したところ、放出電流密度として300A/cm2が得られ
た。
なお、本実施例は引出し電極が一体となっており、そ
れぞれの電子放出部は電気的に独立している場合につい
て示したが、引出し電極はそれぞれ電気的に独立してい
ても一体であってもよく、また、各電子放出部は電気的
に共通であってもよい。
れぞれの電子放出部は電気的に独立している場合につい
て示したが、引出し電極はそれぞれ電気的に独立してい
ても一体であってもよく、また、各電子放出部は電気的
に共通であってもよい。
［発明の効果］ 以上説明したように、集束イオンビームを結晶材料に
照射し、そのイオン注入した部分のみを化学的に除去す
ることにより、従来困難であった３ミクロン以下の、微
細な電界放出型電子放出素子を形成できる。
照射し、そのイオン注入した部分のみを化学的に除去す
ることにより、従来困難であった３ミクロン以下の、微
細な電界放出型電子放出素子を形成できる。
第１図は本発明を実施した電界放出型電子放出素子の一
例の断面図及び斜視図。第２図は本発明を実施するのに
使用した集束イオンビーム走査装置の一例を示す概略構
成図、第３図および第４図は夫々注入量に対するエッチ
ング深さを示したグラフ、第５図は本発明を実施した他
の例の断面図。第６図は本発明を実施したマルチ化素子
の斜視図、第７図は従来の電界放出型電子放出素子の一
例を示す概略的部分断面図、第８図は第７図に示した電
界放出型電子放出素子の製造方法を説明するための概略
的工程図である。 101……基体、102……集束イオンビーム、105……イオ
ン注入領域、106……電界形成空間、107……電極配線空
間、108……先端の尖った突起、109……引出し電極、11
0……電極配線、111……点状電子放出部、112……仕事
関数の低い材料、201……Au−Si−Be液体金属イオン
源、202……電気的コンデンサレンズ、203……Ｅ×Ｂ質
量分離器、204……対物レンズ、205……ステージ装置、
207……ターゲット、208……SEI、209……フアラデーカ
ップ、501……基体、502……SiO2膜、503……Au2+イオ
ンビーム、504……Si2+イオンビーム、505……水滴状の
注入領域、506……電界形成空間、507……先端の尖った
突起、508……引出し電極、509……点状電子放出部。
例の断面図及び斜視図。第２図は本発明を実施するのに
使用した集束イオンビーム走査装置の一例を示す概略構
成図、第３図および第４図は夫々注入量に対するエッチ
ング深さを示したグラフ、第５図は本発明を実施した他
の例の断面図。第６図は本発明を実施したマルチ化素子
の斜視図、第７図は従来の電界放出型電子放出素子の一
例を示す概略的部分断面図、第８図は第７図に示した電
界放出型電子放出素子の製造方法を説明するための概略
的工程図である。 101……基体、102……集束イオンビーム、105……イオ
ン注入領域、106……電界形成空間、107……電極配線空
間、108……先端の尖った突起、109……引出し電極、11
0……電極配線、111……点状電子放出部、112……仕事
関数の低い材料、201……Au−Si−Be液体金属イオン
源、202……電気的コンデンサレンズ、203……Ｅ×Ｂ質
量分離器、204……対物レンズ、205……ステージ装置、
207……ターゲット、208……SEI、209……フアラデーカ
ップ、501……基体、502……SiO2膜、503……Au2+イオ
ンビーム、504……Si2+イオンビーム、505……水滴状の
注入領域、506……電界形成空間、507……先端の尖った
突起、508……引出し電極、509……点状電子放出部。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭51−50648（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−281488（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−182029（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−95889（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01J 1/30,9/02
Claims (10)
- 【請求項１】絶縁性材料により形成された基体の表面に
設定した任意の円周に沿って集束イオンビームを照射す
ることにより、該基体中にイオン注入領域を形成し、 該基体に化学的エッチング処理を施すことにより前記イ
オン注入領域を除去して底部に突起を有する電界形成空
間を形成し、 該突起を導電性材料で被覆することにより点状電子放出
部を形成し、 前記基体の表面の前記電界形成空間以外の部分を導電性
材料で被覆することにより、前記点状電子放出部と電界
を形成する引出し電極を形成したことを特徴とする電界
放出型電子放出素子。 - 【請求項２】表面に絶縁体層を有し、半導体材料または
導電性材料により形成された基体の表面に設定した任意
の円周に沿って集束イオンビームを照射することにより
該基体中にイオン注入領域を形成し、 該基体に化学的エッチング処理を施すことにより前記イ
オン注入領域を除去して底部に突起を有する電界形成空
間を形成し、 該突起を導電性材料で被覆することにより点状電子放出
部を形成し 前記基体の表面の前記電界形成空間以外の部分を導電性
材料で被覆することにより、前記点状電子放出部と電界
を形成する引出し電極を形成したことを特徴とする電界
放出型電子放出素子。 - 【請求項３】前記絶縁体層の形成が真空蒸着により行な
われたことを特徴とする請求項２に記載の電界放出型電
子放出素子。 - 【請求項４】前記点状電子放出部が真空蒸着により形成
されたことを特徴とする請求項１〜３に記載の電界放出
型電子放出素子。 - 【請求項５】前記引出し電極が真空蒸着により形成され
たことを特徴とする請求項１〜３に記載の電界放出型電
子放出素子。 - 【請求項６】前記点状電子放出部と前記引出し電極とが
真空蒸着により同時に形成されたことを特徴とする請求
項１〜３に記載の電界放出型電子放出素子。 - 【請求項７】前記電界形成空間の深さおよび形状が、前
記集束イオンビームの加速電圧、注入イオン量および／
または注入イオン種により制御されたことを特徴とする
請求項１〜６に記載の電界放出型電子放出素子。 - 【請求項８】前記点状電子放出部の仕事関数を低下させ
るための処理がなされていることを特徴とする請求項１
〜７に記載の電界放出型電子放出素子。 - 【請求項９】前記基体よりも仕事関数の低い材料で前記
点状電子放出部の表面を被覆することにより、前記点状
電子放出部の仕事関数を低下させていることを特徴とす
る請求項８に記載の電界放出型電子放出素子。 - 【請求項１０】単一基体上に、前記電界形成空間および
前記点状電子放出部が複数個形成されていることを特徴
とする請求項１〜９に記載の電界放出型電子放出素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23393789A JP2790218B2 (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | 電界放出型電子放出素子 |
| EP90117198A EP0416625B1 (en) | 1989-09-07 | 1990-09-06 | Electron emitting device, method for producing the same, and display apparatus and electron scribing apparatus utilizing same. |
| DE69025831T DE69025831T2 (de) | 1989-09-07 | 1990-09-06 | Elektronemittierende Vorrichtung; Herstellungsverfahren Elektronemittierende Vorrichtung, Herstellungsverfahren derselben und Anzeigegerät und Elektronstrahl- Schreibvorrichtung, welche diese Vorrichtung verwendet. |
| US07/994,459 US5391956A (en) | 1989-09-07 | 1992-12-21 | Electron emitting device, method for producing the same and display apparatus and electron beam drawing apparatus utilizing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23393789A JP2790218B2 (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | 電界放出型電子放出素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0395888A JPH0395888A (ja) | 1991-04-22 |
| JP2790218B2 true JP2790218B2 (ja) | 1998-08-27 |
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ID=16962954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (1)
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Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP5660564B2 (ja) * | 2009-04-20 | 2015-01-28 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 希土類六ホウ化物冷陰極電界放出型電子源 |
-
1989
- 1989-09-07 JP JP23393789A patent/JP2790218B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0395888A (ja) | 1991-04-22 |
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