JP2789563B2 - 集積回路装置 - Google Patents
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
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- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に素子を実装し
て放熱板に取り付ける集積回路装置に関するものであ
る。
て放熱板に取り付ける集積回路装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ＴＶ、ＨＤＴＶ、ＣＲＴなどのビデオ出
力回路を集積化したビデオパックなる混成集積回路が商
品化されている。このような回路は、高周波高出力が求
められるため、回路基板としてセラミックなどのような
低誘電率素材を用い、この表面に回路導体とチップ素子
を固着した構成となっている。図４を用いて簡単に説明
する。
力回路を集積化したビデオパックなる混成集積回路が商
品化されている。このような回路は、高周波高出力が求
められるため、回路基板としてセラミックなどのような
低誘電率素材を用い、この表面に回路導体とチップ素子
を固着した構成となっている。図４を用いて簡単に説明
する。
【０００３】図４は、従来技術の説明図を示す。図４に
おいて、放熱板２１は、銅やアルミダイキャストなどの
熱伝導性の良好な放熱板である。
おいて、放熱板２１は、銅やアルミダイキャストなどの
熱伝導性の良好な放熱板である。
【０００４】セラミック基板２２は、放熱板２１上に半
田を介して固着したものである。回路導体２３は、セラ
ミック基板２２の上に印刷などした導電性の厚膜であ
る。
田を介して固着したものである。回路導体２３は、セラ
ミック基板２２の上に印刷などした導電性の厚膜であ
る。
【０００５】素子（半導体チップ）２４は、回路導体２
３に半田付けあるいはワイヤによって電気接続したトラ
ンジスタなどのチップである。ヒートスプレッダ２５
は、熱伝導性の優れた素材であって、セラミック基板２
２との間の接触面積を増大してこの上に素子（半導体チ
ップ）２４を接着などして熱伝導性を良くするためのも
のである。
３に半田付けあるいはワイヤによって電気接続したトラ
ンジスタなどのチップである。ヒートスプレッダ２５
は、熱伝導性の優れた素材であって、セラミック基板２
２との間の接触面積を増大してこの上に素子（半導体チ
ップ）２４を接着などして熱伝導性を良くするためのも
のである。
【０００６】上蓋２６は、凹状の蓋であって、全体を覆
って放熱板２１に接続し、外部からのノイズの進入を防
止するものである。
って放熱板２１に接続し、外部からのノイズの進入を防
止するものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した図４に示すよ
うに、セラミック基板２２と放熱板２１を半田付けする
際に２３０〜２６０°Ｃの高温にさらされて加熱され、
半田付け終了して冷却したときに、セラミック基板２２
と放熱板２１の熱膨張係数の違いにより、セラミック基
板２２の全体に反りが発生したり、割れたりする事態が
発生し、熱抵抗が増大して性能および信頼性が低下して
しまうという問題があった。
うに、セラミック基板２２と放熱板２１を半田付けする
際に２３０〜２６０°Ｃの高温にさらされて加熱され、
半田付け終了して冷却したときに、セラミック基板２２
と放熱板２１の熱膨張係数の違いにより、セラミック基
板２２の全体に反りが発生したり、割れたりする事態が
発生し、熱抵抗が増大して性能および信頼性が低下して
しまうという問題があった。
【０００８】また、半田によってセラミック基板２２の
裏面の厚膜導体やスルーホール内の導体（Ａｕ、Ａｇ、
Ｃｕなど）が溶解し、電気接続を失う問題があった。こ
れを防ぐために、厚膜の二重印刷による導体の補強やガ
ラスによるコーティングなどの工程の追加を余儀なくさ
れてしまうという問題もあった。
裏面の厚膜導体やスルーホール内の導体（Ａｕ、Ａｇ、
Ｃｕなど）が溶解し、電気接続を失う問題があった。こ
れを防ぐために、厚膜の二重印刷による導体の補強やガ
ラスによるコーティングなどの工程の追加を余儀なくさ
れてしまうという問題もあった。
【０００９】また、上蓋２６と放熱板２１との接合およ
び気密補強として樹脂を使用しているため、両者のかみ
合わせ部に樹脂が流れ込み、電気的に非接触となってし
まい、上覆２６によるシールド効果が失われてしまうの
で、組立時に細心の注意が必要となってしまうという問
題があった。
び気密補強として樹脂を使用しているため、両者のかみ
合わせ部に樹脂が流れ込み、電気的に非接触となってし
まい、上覆２６によるシールド効果が失われてしまうの
で、組立時に細心の注意が必要となってしまうという問
題があった。
【００１０】本発明は、これらの問題を解決するため、
基板の全体の反りや基板の割れがなく、半田による溶解
がなく、構造が極めて簡単で高信頼性、安価の集積回路
装置を実現することを目的としている。
基板の全体の反りや基板の割れがなく、半田による溶解
がなく、構造が極めて簡単で高信頼性、安価の集積回路
装置を実現することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】図１を参照して課題を解
決するための手段を説明する。図１において、放熱板１
は、セラミック基板３を非導電性の樹脂２を介して接触
するものである。
決するための手段を説明する。図１において、放熱板１
は、セラミック基板３を非導電性の樹脂２を介して接触
するものである。
【００１２】セラミック基板３は、回路導体４を形成す
ると共に素子５を実装する基板である。金属ケース９
は、セラミック基板３を覆うと共にセラミック基板３に
設けた回路導体１２を押圧する接触板１３を設けたもの
である。
ると共に素子５を実装する基板である。金属ケース９
は、セラミック基板３を覆うと共にセラミック基板３に
設けた回路導体１２を押圧する接触板１３を設けたもの
である。
【００１３】
【作用】本発明は、図１に示すように、 回路導体４を
形成すると共に素子５を実装するセラミック基板３と、
セラミック基板３を非導電性の樹脂２を介して接触する
放熱板１と、セラミック基板３を覆うと共にセラミック
基板３に設けた回路導体１２を押圧する接触板１３を設
けた金属ケース９とを設け、金属ケース９の一部を曲げ
てセラミック基板３と放熱板１とを非導電性の樹脂２を
介して圧接させると共に、金属ケース９の接触板１３を
セラミック基板３上の回路導体１２に接触して同電位に
するようにしている。
形成すると共に素子５を実装するセラミック基板３と、
セラミック基板３を非導電性の樹脂２を介して接触する
放熱板１と、セラミック基板３を覆うと共にセラミック
基板３に設けた回路導体１２を押圧する接触板１３を設
けた金属ケース９とを設け、金属ケース９の一部を曲げ
てセラミック基板３と放熱板１とを非導電性の樹脂２を
介して圧接させると共に、金属ケース９の接触板１３を
セラミック基板３上の回路導体１２に接触して同電位に
するようにしている。
【００１４】また、放熱板１にビス穴１０を設け、この
ビス穴１０に金属ケース９の円筒部分を挿入してカシメ
てセラミック基板３と放熱板１とを非導電性の樹脂２を
介して圧接させると共に、金属ケース９の接触板１３を
セラミック基板３上の回路導体１２に接触して同電位に
するようにしている。
ビス穴１０に金属ケース９の円筒部分を挿入してカシメ
てセラミック基板３と放熱板１とを非導電性の樹脂２を
介して圧接させると共に、金属ケース９の接触板１３を
セラミック基板３上の回路導体１２に接触して同電位に
するようにしている。
【００１５】従って、セラミック基板３の全体の反りや
セラミック基板３の割れがなく、従来の半田によってセ
ラミック基板３と放熱板１を接続したときに生じる溶解
がなく、しかも構造が極めて簡単で高信頼性、安価に集
積回路装置を実現することが可能となる。
セラミック基板３の割れがなく、従来の半田によってセ
ラミック基板３と放熱板１を接続したときに生じる溶解
がなく、しかも構造が極めて簡単で高信頼性、安価に集
積回路装置を実現することが可能となる。
【００１６】
【実施例】次に、図１から図３を用いて本発明の実施例
の構成および動作を順次詳細に説明する。
の構成および動作を順次詳細に説明する。
【００１７】図１は、本発明の１実施例構成図を示す。
図１の（ａ）は断面図を示し、図１の（ｂ）は平面図を
示す。放熱板１は、セラミック基板３を非導電性の樹脂
２を介して接触し、熱を放熱するものである。この放熱
板１は、板厚１．０〜３．０ｍｍの銅系素材からなる板
状材料を打ち抜き加工して作製し、表面に銅系素材の酸
化防止のためにＮｉメッキを施し、図１の（ｂ）に示す
ように両端にパッケージを別の放熱部材に固定するビス
を挿通するための円形の貫通孔を形成したものである。
図１の（ａ）は断面図を示し、図１の（ｂ）は平面図を
示す。放熱板１は、セラミック基板３を非導電性の樹脂
２を介して接触し、熱を放熱するものである。この放熱
板１は、板厚１．０〜３．０ｍｍの銅系素材からなる板
状材料を打ち抜き加工して作製し、表面に銅系素材の酸
化防止のためにＮｉメッキを施し、図１の（ｂ）に示す
ように両端にパッケージを別の放熱部材に固定するビス
を挿通するための円形の貫通孔を形成したものである。
【００１８】樹脂２は、セラミック基板３を放熱板１に
接触させて熱を伝導させるものであって、例えば熱拡散
用のシリコン樹脂である。この樹脂２は、放熱板１上に
均一に薄く塗布したり、印刷したりする。ここでは、非
導電性の熱拡散用シリコン樹脂を用い、スクリーン印刷
機を使って放熱板１上に厚さ２０μｍ以下に均一に塗布
する。
接触させて熱を伝導させるものであって、例えば熱拡散
用のシリコン樹脂である。この樹脂２は、放熱板１上に
均一に薄く塗布したり、印刷したりする。ここでは、非
導電性の熱拡散用シリコン樹脂を用い、スクリーン印刷
機を使って放熱板１上に厚さ２０μｍ以下に均一に塗布
する。
【００１９】セラミック基板３は、板厚０．２〜１．０
ｍｍのアルミナ（Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ）素材からなり、裏
面に銀パラジウム層（ＧＮＤ）を形成し、表面に回路網
を構成するための金属厚膜からなる多数の回路導体４を
形成する。回路導体４は、例えば銅ペーストのスクリー
ン印刷法によって描画し、要部を除いて絶縁膜によって
保護する。セラミック基板３の両端には、Ｕ字型切欠き
１１を形成し、このＵ字型切欠き１１の中に放熱板１に
形成した位置合わせ突起７がセラミック基板３と放熱板
１との位置合わせとして納まる。Ｕ字型切欠き１１は、
金型成形あるいはレーザ加工にて作成する。
ｍｍのアルミナ（Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ）素材からなり、裏
面に銀パラジウム層（ＧＮＤ）を形成し、表面に回路網
を構成するための金属厚膜からなる多数の回路導体４を
形成する。回路導体４は、例えば銅ペーストのスクリー
ン印刷法によって描画し、要部を除いて絶縁膜によって
保護する。セラミック基板３の両端には、Ｕ字型切欠き
１１を形成し、このＵ字型切欠き１１の中に放熱板１に
形成した位置合わせ突起７がセラミック基板３と放熱板
１との位置合わせとして納まる。Ｕ字型切欠き１１は、
金型成形あるいはレーザ加工にて作成する。
【００２０】回路導体４は、セラミック基板３上に金属
厚膜を形成して素子５などを接続するものである。素子
５は、半導体チップなどの素子であって、ＮＰＮトラン
ジスタ、ＰＮＰトランジスタなどの動作に発熱を伴うも
のであり、熱伝導性の優れた銅系素材からなる板厚０．
２〜０．５ｍｍのヒートスプレッダ６上にＡｕ−Ｓｉ共
晶で固着するものである。ヒートスプレッダ６上に固着
された素子５は、セラミック基板３の表面に構成された
回路導体４にＡｕ−Ｓｎ共晶にて固着する。そして、素
子５の表面に形成した電極パッドと、回路導体４とを金
線８でワイヤボンドし、電気接続する。
厚膜を形成して素子５などを接続するものである。素子
５は、半導体チップなどの素子であって、ＮＰＮトラン
ジスタ、ＰＮＰトランジスタなどの動作に発熱を伴うも
のであり、熱伝導性の優れた銅系素材からなる板厚０．
２〜０．５ｍｍのヒートスプレッダ６上にＡｕ−Ｓｉ共
晶で固着するものである。ヒートスプレッダ６上に固着
された素子５は、セラミック基板３の表面に構成された
回路導体４にＡｕ−Ｓｎ共晶にて固着する。そして、素
子５の表面に形成した電極パッドと、回路導体４とを金
線８でワイヤボンドし、電気接続する。
【００２１】位置合わせ突起７は、放熱板１上にセラミ
ック基板３を位置合わせするための突起である。金線８
は、素子５の電極パッドと、回路導体４とを接続する接
続線である。
ック基板３を位置合わせするための突起である。金線８
は、素子５の電極パッドと、回路導体４とを接続する接
続線である。
【００２２】金属ケース９は、凸型の形状をし、厚さ
０．２〜０．３ｍｍ程度のバネ性の高いステンレス鋼を
用い、プレス加工にて作製したものである。金属ケース
９の取付けは、当該金属ケース９のプレス加工にて作製
した円筒を、放熱板１のビス穴１０に挿入し、このビス
穴１０の６０〜９０°程度のテーパ部にかしめて締めつ
けて固定する。この際、金属ケース９の内部に設けたバ
ネ性の接触板１３がセラミック基板３上の半田付けした
回路導体１２に突き刺さるように押下し、金属ケース９
とセラミック基板３の回路導体１２と同電位に接続す
る。
０．２〜０．３ｍｍ程度のバネ性の高いステンレス鋼を
用い、プレス加工にて作製したものである。金属ケース
９の取付けは、当該金属ケース９のプレス加工にて作製
した円筒を、放熱板１のビス穴１０に挿入し、このビス
穴１０の６０〜９０°程度のテーパ部にかしめて締めつ
けて固定する。この際、金属ケース９の内部に設けたバ
ネ性の接触板１３がセラミック基板３上の半田付けした
回路導体１２に突き刺さるように押下し、金属ケース９
とセラミック基板３の回路導体１２と同電位に接続す
る。
【００２３】ビス穴１０は、放熱板１を他の放熱板など
に固定するためのビス穴である。ここでは、ビス穴１０
の下部に６０〜９０°のテーパを設け、この部分に金属
ケース９の円筒部分を挿入してかしめて固定する。そし
て、この金属ケース９をかしめた状態で、ビスで他の放
熱板などに固定すると、金属ケース、ビス、他の金属ケ
ースという経路で自動的に電気的に接続することができ
る。
に固定するためのビス穴である。ここでは、ビス穴１０
の下部に６０〜９０°のテーパを設け、この部分に金属
ケース９の円筒部分を挿入してかしめて固定する。そし
て、この金属ケース９をかしめた状態で、ビスで他の放
熱板などに固定すると、金属ケース、ビス、他の金属ケ
ースという経路で自動的に電気的に接続することができ
る。
【００２４】Ｕ字型切欠き１１は、セラミック基板３を
Ｕ字型に切り欠いたものであって、ここに、位置合わせ
突起７がくる部分である。回路導体１２は、セラミック
基板３上に設けた金属の厚膜であって、接触板１３によ
り電気的に接続するためのものである。
Ｕ字型に切り欠いたものであって、ここに、位置合わせ
突起７がくる部分である。回路導体１２は、セラミック
基板３上に設けた金属の厚膜であって、接触板１３によ
り電気的に接続するためのものである。
【００２５】接触板１３は、金属ケース９に設けたもの
であって、バネ性であり、金属ケース９の円筒部分を放
熱板１のビス穴１０に挿入してかしめて固定したとき
に、セラミック基板３の半田付けした回路導体１２上の
半田に食い込み電気的に当該金属ケース９と回路導体１
２とを接続するものである。通常は、回路導体１２をア
ースに接続する。
であって、バネ性であり、金属ケース９の円筒部分を放
熱板１のビス穴１０に挿入してかしめて固定したとき
に、セラミック基板３の半田付けした回路導体１２上の
半田に食い込み電気的に当該金属ケース９と回路導体１
２とを接続するものである。通常は、回路導体１２をア
ースに接続する。
【００２６】次に、図２のフローチャートに示す順序に
従い、図１の構成の動作を詳細に説明する。図２におい
て、Ｓ１は、ハイブリッドＩＣを作製する。これは、例
えば図１の（ａ）のセラミック基板３上に素子５として
半導体チップを実装したハイブリッドＩＣを作製する。
Ｓ２は、Ｓ１で作製したハイブリッドＩＣを測定する。
測定の結果、良品のハイブリットＩＣのみが、次のＳ３
の工程へ送られ、不良品はこの工程で除外される。
従い、図１の構成の動作を詳細に説明する。図２におい
て、Ｓ１は、ハイブリッドＩＣを作製する。これは、例
えば図１の（ａ）のセラミック基板３上に素子５として
半導体チップを実装したハイブリッドＩＣを作製する。
Ｓ２は、Ｓ１で作製したハイブリッドＩＣを測定する。
測定の結果、良品のハイブリットＩＣのみが、次のＳ３
の工程へ送られ、不良品はこの工程で除外される。
【００２７】Ｓ３は、放熱板１にシリコーン樹脂印刷す
る。これは、右側に記載したように、軟らかい樹脂、例
えば厚さが２０μｍ以下のシリコーン樹脂で放熱板１上
にセラミック基板３を乗せる部分に印刷する。
る。これは、右側に記載したように、軟らかい樹脂、例
えば厚さが２０μｍ以下のシリコーン樹脂で放熱板１上
にセラミック基板３を乗せる部分に印刷する。
【００２８】Ｓ４は、ハイブリッドＩＣを放熱板１上に
仮付けする。これは、Ｓ３で放熱板１上に厚さが２０μ
ｍ以下のシリコーン樹脂を印刷した上に、当該放熱板１
の位置合わせ突起７にセラミック基板３（ハイブリッド
ＩＣ）のＵ字型切欠き１１を納め仮付けする。
仮付けする。これは、Ｓ３で放熱板１上に厚さが２０μ
ｍ以下のシリコーン樹脂を印刷した上に、当該放熱板１
の位置合わせ突起７にセラミック基板３（ハイブリッド
ＩＣ）のＵ字型切欠き１１を納め仮付けする。
【００２９】Ｓ５は、金属ケース９を、Ｓ４で仮付けし
たセラミック基板３の上から乗せる。Ｓ６は、金属ケー
ス９をカシメて回路基板を放熱板１に圧接する。これ
は、Ｓ５の状態で、金属ケース９の円筒を放熱板１のビ
ス穴１０に挿入した状態で、カシメて金属ケース９を放
熱板１に固定する。これにより、金属ケース９によって
セラミック基板３が樹脂２を介して放熱板１に圧接さ
れ、両者の熱伝導性が良い状態に保持されることとな
る。また、金属ケース９の接触板１３がセラミック基板
３の回路導体１２上の半田に食い込んで同電位にする。
これらにより、右側に記述したように、 ・電気的接続：金属ケース９−接触板１−回路導体４に
よって金属ケース９が例えば接地電位に接続される。
たセラミック基板３の上から乗せる。Ｓ６は、金属ケー
ス９をカシメて回路基板を放熱板１に圧接する。これ
は、Ｓ５の状態で、金属ケース９の円筒を放熱板１のビ
ス穴１０に挿入した状態で、カシメて金属ケース９を放
熱板１に固定する。これにより、金属ケース９によって
セラミック基板３が樹脂２を介して放熱板１に圧接さ
れ、両者の熱伝導性が良い状態に保持されることとな
る。また、金属ケース９の接触板１３がセラミック基板
３の回路導体１２上の半田に食い込んで同電位にする。
これらにより、右側に記述したように、 ・電気的接続：金属ケース９−接触板１−回路導体４に
よって金属ケース９が例えば接地電位に接続される。
【００３０】・基板圧接：セラミック基板３が非導電性
の薄い樹脂２を介して放熱板１に圧接される。 ・回路基板と放熱板との熱伝導性を向上させる。
の薄い樹脂２を介して放熱板１に圧接される。 ・回路基板と放熱板との熱伝導性を向上させる。
【００３１】以上によって、図１の放熱板１上に非導電
性の樹脂２を薄く印刷し、この上にセラミック基板３を
乗せ、更にこの上から金属ケース９を乗せてその円筒部
分を放熱板１のビス穴１０に挿入してカシメて固定する
という簡単な工程により、ハイブリッドＩＣを搭載した
セラミック基板３を放熱板１に伝導性良好に圧接すると
共に、金属ケース９を自動的にセラミック基板３の接地
電位に接続したり、放熱板１に接続したりすることが可
能となる。
性の樹脂２を薄く印刷し、この上にセラミック基板３を
乗せ、更にこの上から金属ケース９を乗せてその円筒部
分を放熱板１のビス穴１０に挿入してカシメて固定する
という簡単な工程により、ハイブリッドＩＣを搭載した
セラミック基板３を放熱板１に伝導性良好に圧接すると
共に、金属ケース９を自動的にセラミック基板３の接地
電位に接続したり、放熱板１に接続したりすることが可
能となる。
【００３２】図３は、本発明の要部構成図を示す。図３
の（ａ）は要部の断面図を示し、図３の（ｂ）は接触板
１３をＡから見た斜視図を示す。図３において、接触板
１３は、金属ケース９に取付けバネ性の板であって、金
属ケース９の円筒部分を放熱板１のビス穴１０に挿入し
てかしめたときに、セラミック基板３の回路導体１２の
半田の部分に突き刺さるものである。これにより、金属
ケース９を放熱板１にかしめるという簡単な操作によっ
て、金属ケース９の接触板１３を自動的にセラミック基
板３の回路導体１２に接続して同電位（接地電位）に当
該金属ケース９を保持することが可能となる。
の（ａ）は要部の断面図を示し、図３の（ｂ）は接触板
１３をＡから見た斜視図を示す。図３において、接触板
１３は、金属ケース９に取付けバネ性の板であって、金
属ケース９の円筒部分を放熱板１のビス穴１０に挿入し
てかしめたときに、セラミック基板３の回路導体１２の
半田の部分に突き刺さるものである。これにより、金属
ケース９を放熱板１にかしめるという簡単な操作によっ
て、金属ケース９の接触板１３を自動的にセラミック基
板３の回路導体１２に接続して同電位（接地電位）に当
該金属ケース９を保持することが可能となる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
回路導体４を形成および素子５を実装するセラミック基
板３と、放熱板１と、接触板１３を設けた金属ケース９
とを設け、この金属ケース９の一部を曲げてセラミック
基板３と放熱板１とを非導電性の樹脂２を介して圧接さ
せると共に、金属ケース９の接触板１３をセラミック基
板３上の回路導体１２に接触して同電位にする構成を採
用しているため、従来のセラミック基板３の全体の反り
やセラミック基板３の割れを無くすことができ、従来の
半田によってセラミック基板３と放熱基板１を接続した
ときに生じる溶解がなくなり、しかも構造が極めて簡単
で高信頼性、安価に集積回路装置を実現することができ
る。これらにより、 （１） セラミック基板３と放熱板１との電気接続に、
半田や導電性の接着材を使わなくても、金属ケース９を
介して両者を接続でき、電子機器から発生する電磁波ノ
イズをＥＭＩフィルタなしで実用上問題ならない程度ま
で減衰させることができる利点がある。
回路導体４を形成および素子５を実装するセラミック基
板３と、放熱板１と、接触板１３を設けた金属ケース９
とを設け、この金属ケース９の一部を曲げてセラミック
基板３と放熱板１とを非導電性の樹脂２を介して圧接さ
せると共に、金属ケース９の接触板１３をセラミック基
板３上の回路導体１２に接触して同電位にする構成を採
用しているため、従来のセラミック基板３の全体の反り
やセラミック基板３の割れを無くすことができ、従来の
半田によってセラミック基板３と放熱基板１を接続した
ときに生じる溶解がなくなり、しかも構造が極めて簡単
で高信頼性、安価に集積回路装置を実現することができ
る。これらにより、 （１） セラミック基板３と放熱板１との電気接続に、
半田や導電性の接着材を使わなくても、金属ケース９を
介して両者を接続でき、電子機器から発生する電磁波ノ
イズをＥＭＩフィルタなしで実用上問題ならない程度ま
で減衰させることができる利点がある。
【００３４】（２） 金属ケース９は、ゴミなどから保
護する役割の他にセラミック基板３と放熱板１との接着
材による硬化時の押さえを、金属ケース９自体に板バネ
を持たせているので、治工具を使わなくてもできる利点
がある。
護する役割の他にセラミック基板３と放熱板１との接着
材による硬化時の押さえを、金属ケース９自体に板バネ
を持たせているので、治工具を使わなくてもできる利点
がある。
【００３５】（３） 金属ケース９の取付けは、放熱板
１のビス穴１０を利用してカシメて行っているため、簡
単な工程で済み、しかもビス穴１０を通して導電性のビ
スで他の放熱板に固定すると自動的に電気接続できる利
点がある。
１のビス穴１０を利用してカシメて行っているため、簡
単な工程で済み、しかもビス穴１０を通して導電性のビ
スで他の放熱板に固定すると自動的に電気接続できる利
点がある。
【００３６】（４） 放熱板１上に円筒状の位置合わせ
突起７を設け、セラミック基板３の両端にＵ字型切欠き
１１を設けてこの穴を位置合わせ突起７に挿入して両者
を簡単に位置合わせすることができ、セラミック基板３
のずれや脱落を防ぎ、作業性が向上する利点がある。
突起７を設け、セラミック基板３の両端にＵ字型切欠き
１１を設けてこの穴を位置合わせ突起７に挿入して両者
を簡単に位置合わせすることができ、セラミック基板３
のずれや脱落を防ぎ、作業性が向上する利点がある。
【００３７】（５） セラミック基板３と放熱板１との
接続に従来の半田を使用しないので、セラミック基板３
の裏面のスルーホール部の厚膜導体（Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ
など）の溶解が無くなり、信頼性が向上する利点があ
る。そして、従来の半田や導電性接着材の使用が無くな
り、組立時の短絡による修正削除および歩留りが向上す
る利点がある。また、洗浄工程が削減でき、製品の低コ
スト化が可能となる。
接続に従来の半田を使用しないので、セラミック基板３
の裏面のスルーホール部の厚膜導体（Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ
など）の溶解が無くなり、信頼性が向上する利点があ
る。そして、従来の半田や導電性接着材の使用が無くな
り、組立時の短絡による修正削除および歩留りが向上す
る利点がある。また、洗浄工程が削減でき、製品の低コ
スト化が可能となる。
【図１】本発明の１実施例構成図である。
【図２】本発明の動作説明フローチャートである。
【図３】本発明の要部構成図である。
【図４】従来技術の説明図である。
１：放熱板 ２：樹脂 ３：セラミック基板 ４、１２：回路導体 ５：素子（半導体チップなど） ６：ヒートスプレッダ ７：位置合わせ突起 ８：金線 ９：金属ケース １０：ビス穴 １１：Ｕ字型切欠き １３：接触板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 一吉 東京都港区新橋５丁目36番11号 いわき 電子株式会社内 (72)発明者 佐藤 亨 東京都港区新橋５丁目36番11号 いわき 電子株式会社内 (56)参考文献 実開 昭59−138239（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 25/04 H01L 23/40
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に素子を実装して放熱板に取り付け
る集積回路装置において、 回路導体（４）を形成すると共に素子（５）を実装する
セラミック基板（３）と、 このセラミック基板（３）を非導電性の樹脂（２）を介
して接触する放熱板（１）と、 上記セラミック基板（３）を覆うと共に当該セラミック
基板（３）に設けた回路導体（１２）を押圧する接触板
（１３）を設けた金属ケース（９）とを備え、 この金属ケース（９）の一部を曲げて上記セラミック基
板（３）と上記放熱板（１）とを非導電性の樹脂（２）
を介して圧接させると共に、金属ケース（９）の接触板
（１３）を上記セラミック基板（３）上の回路導体（１
２）に接触して同電位にするように構成したことを特徴
とする集積回路装置。 - 【請求項２】上記放熱板（１）にビス穴（１０）を設
け、このビス穴（１０）に上記金属ケース（９）の円筒
部分を挿入してカシメて上記セラミック基板（３）と上
記放熱板（１）とを非導電性の樹脂（２）を介して圧接
させると共に、金属ケース（９）の接触板（１３）を上
記セラミック基板（３）上の回路導体（１２）に接触し
て同電位にするように構成したことを特徴とする請求項
１記載の集積回路装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12662693A JP2789563B2 (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 集積回路装置 |
| TW83111008A TW282573B (ja) | 1993-05-28 | 1994-11-26 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12662693A JP2789563B2 (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338577A JPH06338577A (ja) | 1994-12-06 |
| JP2789563B2 true JP2789563B2 (ja) | 1998-08-20 |
Family
ID=14939852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12662693A Expired - Fee Related JP2789563B2 (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 集積回路装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2789563B2 (ja) |
| TW (1) | TW282573B (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6181006B1 (en) * | 1998-05-28 | 2001-01-30 | Ericsson Inc. | Thermally conductive mounting arrangement for securing an integrated circuit package to a heat sink |
| JP5382049B2 (ja) | 2010-06-30 | 2014-01-08 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
| JP6316731B2 (ja) * | 2014-01-14 | 2018-04-25 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法、並びに半導体パッケージ |
-
1993
- 1993-05-28 JP JP12662693A patent/JP2789563B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-11-26 TW TW83111008A patent/TW282573B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06338577A (ja) | 1994-12-06 |
| TW282573B (ja) | 1996-08-01 |
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Legal Events
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