JP2786292B2 - ハロゲンを含む銅酸化物超伝導体 - Google Patents
ハロゲンを含む銅酸化物超伝導体Info
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はハロゲンを含む酸化物超伝導体に係り液体ヘ
リウム温度（4K）以上の温度で利用するのに好適な超伝
導体に関する。
リウム温度（4K）以上の温度で利用するのに好適な超伝
導体に関する。
従来の銅を含む酸化物超伝導体は特開昭63−176353号
に記載のように、銅への配位元素として、酸素をとるも
ののみが知られていた。また、ペロブスカイト関連構造
を有しハロゲンで総称される7A族元素が銅に配位した構
造を有する酸化物としては、ツァイトシュリフト・ヒュ
ーア・アンオルガニッシュ・アルゲマイネ・ヘミー、41
7巻、68頁（1975年）（Z.annorg.allg.Chem.417,68,（1
975））において述べられているように、M2CuO2X2,（Ｍ
＝Ca,Sr;X＝Cl,Br）が知られていたが、これらには超伝
導性は無かった。
に記載のように、銅への配位元素として、酸素をとるも
ののみが知られていた。また、ペロブスカイト関連構造
を有しハロゲンで総称される7A族元素が銅に配位した構
造を有する酸化物としては、ツァイトシュリフト・ヒュ
ーア・アンオルガニッシュ・アルゲマイネ・ヘミー、41
7巻、68頁（1975年）（Z.annorg.allg.Chem.417,68,（1
975））において述べられているように、M2CuO2X2,（Ｍ
＝Ca,Sr;X＝Cl,Br）が知られていたが、これらには超伝
導性は無かった。
以上のように、これまで知られている銅酸化物超伝導
体では、銅に配位する元素として酸素以外の元素をとる
ものは知られていなかった。
体では、銅に配位する元素として酸素以外の元素をとる
ものは知られていなかった。
本発明の目的は、銅への配位元素として酸素のほかに
ハロゲンで総称される7A族元素を含む構造を有する新規
な銅酸化物超伝導体を提供することにある。
ハロゲンで総称される7A族元素を含む構造を有する新規
な銅酸化物超伝導体を提供することにある。
これまでに知られている銅酸化物超伝導体としてLa
2-xBaxCuO4,YBa2Cu3O７−δ,Bi2Sr2Ca2Cu3O10,Nd2-xCex
CuO4等が挙げられる。これらの化合物はいずれもCuO2か
らなる平面構造を有しており、このCuO2平面に正電荷
（ホール）或は負電荷（電子）をドープし、部分的にCu
3+あるいはCu1+を生じせしめることにより超伝導性が生
じることが知られている。正電荷（ホール）或は負電荷
（電子）のどちらがドープされ易いかは銅原子の周りの
配位状態と深く関係しており、例えば正八面体型６配位
或はピラミッド型５配位の酸素を有するLa2-xBaxCuO4,Y
Ba2Cu3O７−δあるいはBi2Sr2Ca2Cu3O10においては正電
荷がドープされ易いのに対し、平面型４配位のNd2-xCex
CuO4では負電荷がドープされ易いことが知られている。
2-xBaxCuO4,YBa2Cu3O７−δ,Bi2Sr2Ca2Cu3O10,Nd2-xCex
CuO4等が挙げられる。これらの化合物はいずれもCuO2か
らなる平面構造を有しており、このCuO2平面に正電荷
（ホール）或は負電荷（電子）をドープし、部分的にCu
3+あるいはCu1+を生じせしめることにより超伝導性が生
じることが知られている。正電荷（ホール）或は負電荷
（電子）のどちらがドープされ易いかは銅原子の周りの
配位状態と深く関係しており、例えば正八面体型６配位
或はピラミッド型５配位の酸素を有するLa2-xBaxCuO4,Y
Ba2Cu3O７−δあるいはBi2Sr2Ca2Cu3O10においては正電
荷がドープされ易いのに対し、平面型４配位のNd2-xCex
CuO4では負電荷がドープされ易いことが知られている。
本発明における親化合物、Mn+1CunO2nX2（但しＭはM
g,Ca,Sr,Ba及びRaの中から選ばれる１種以上５種以下の
混合物、ＸはF,Cl,Br及びＩの中から選ばれる１種以上
４種以下の混合物、ｎ＝１、２あるいは３）においても
CuO2平面構造を有しており、電荷をドープすることによ
り超伝導性を持たせることが可能性である。この化合物
の場合、CuO2平面に垂直な方向からの配位子として酸素
よりも共有結合性の小さなハロゲンが配位していること
から、銅の電子状態、特にCuO2平面に垂直な方向をｚ軸
としたときのdz2軌道のエネルギー準位は、酸素が正八
面体型６配位あるいはピラミッド型５配位した場合に比
べて、平面型４配位した状態により近いものと考えられ
る。即ち、本発明における親化合物においては電荷ドー
プを行う際の元素を選択することにより正電荷及び負電
荷のいずれをもドープすることが可能である。
g,Ca,Sr,Ba及びRaの中から選ばれる１種以上５種以下の
混合物、ＸはF,Cl,Br及びＩの中から選ばれる１種以上
４種以下の混合物、ｎ＝１、２あるいは３）においても
CuO2平面構造を有しており、電荷をドープすることによ
り超伝導性を持たせることが可能性である。この化合物
の場合、CuO2平面に垂直な方向からの配位子として酸素
よりも共有結合性の小さなハロゲンが配位していること
から、銅の電子状態、特にCuO2平面に垂直な方向をｚ軸
としたときのdz2軌道のエネルギー準位は、酸素が正八
面体型６配位あるいはピラミッド型５配位した場合に比
べて、平面型４配位した状態により近いものと考えられ
る。即ち、本発明における親化合物においては電荷ドー
プを行う際の元素を選択することにより正電荷及び負電
荷のいずれをもドープすることが可能である。
例えば、Mn+1CunO2nX2（但しＭはMg,Ca,Sr,Ba及びRa
の中から選ばれる１種以上５種以下の混合物、ＸはF,C
l,Br及びＩの中から選ばれる１種以上４種以下の混合
物、ｎ＝１、２あるいは３）においてＭサイトの一部を
Na,K等のアルカリ金属,Aで置換し（M1-yAy）n+1CunO2nX
2とすることによりホールをドープすれば、超伝導性を
持たせることができる。このとき、ｙの範囲としては０
より大きく0.5以下が望ましい。0.5を超えると超伝導性
が劣化するため好ましくない。又、Ａとしてアルカリ金
属の代わりに空位を導入することによっても、CuO2平面
にホールを供給することが可能である。しかしながら場
合によってはこれらの方法では銅の価数が２より大きく
なる代わりに酸素が欠損して電荷を補償する結果、ホー
ルドープが有効に行われない場合がある。この様な場合
にはこれらの化合物に対して、さらに１〜1000気圧の酸
素中で1000℃以下の温度で１〜100時間の熱処理を施し
過剰に酸素を導入することによって有効にホールドープ
を行うことができる。酸素圧が1000気圧を越えると取扱
時に危険であるため好ましくなく、又温度が1000℃を越
えると化合物が分解するため好ましくない。またこの高
圧酸素中熱処理は、親化合物Mn+1CunO2nX2（ｎ＝１、２
あるいは３）に対しても有効にホールドープを行うこと
が可能である。
の中から選ばれる１種以上５種以下の混合物、ＸはF,C
l,Br及びＩの中から選ばれる１種以上４種以下の混合
物、ｎ＝１、２あるいは３）においてＭサイトの一部を
Na,K等のアルカリ金属,Aで置換し（M1-yAy）n+1CunO2nX
2とすることによりホールをドープすれば、超伝導性を
持たせることができる。このとき、ｙの範囲としては０
より大きく0.5以下が望ましい。0.5を超えると超伝導性
が劣化するため好ましくない。又、Ａとしてアルカリ金
属の代わりに空位を導入することによっても、CuO2平面
にホールを供給することが可能である。しかしながら場
合によってはこれらの方法では銅の価数が２より大きく
なる代わりに酸素が欠損して電荷を補償する結果、ホー
ルドープが有効に行われない場合がある。この様な場合
にはこれらの化合物に対して、さらに１〜1000気圧の酸
素中で1000℃以下の温度で１〜100時間の熱処理を施し
過剰に酸素を導入することによって有効にホールドープ
を行うことができる。酸素圧が1000気圧を越えると取扱
時に危険であるため好ましくなく、又温度が1000℃を越
えると化合物が分解するため好ましくない。またこの高
圧酸素中熱処理は、親化合物Mn+1CunO2nX2（ｎ＝１、２
あるいは３）に対しても有効にホールドープを行うこと
が可能である。
一方、Ｍの一部をＹやランタニド元素、或はBi,Tl等
の３価以上の価数をとる元素であるＬにより置換し（M
1-yLy）n+1CunO2n＋δＸ２−δ（ｎ＝１、２あるいは
３、０＜ｙ≦0.5、０≦δ≦0.6）とすることによっても
超伝導体とすることができる。この場合には銅の価数は
２より小さくなり、CuO2平面には電子がドープされ、電
子キャリヤの超伝導体となる。
の３価以上の価数をとる元素であるＬにより置換し（M
1-yLy）n+1CunO2n＋δＸ２−δ（ｎ＝１、２あるいは
３、０＜ｙ≦0.5、０≦δ≦0.6）とすることによっても
超伝導体とすることができる。この場合には銅の価数は
２より小さくなり、CuO2平面には電子がドープされ、電
子キャリヤの超伝導体となる。
また、ハロゲンを含まない銅酸化物系ペロブスカイト
化合物においては、Bi,Tl,Pb等を用いて複合プロブスカ
イト構造とすることにより超伝導性を示すことが知られ
ている。そこで上述のハロゲンを含む親化合物において
もＭ′としてBi,Tl,Pb等を元素を添加することにより、
複合プロブスカイト型の化合物にすることが可能であ
り、この場合にも超伝導性を示すようになる。例えば
Ｍ′ｍ（M1-yAy）n+1CunO2n＋ｍ＋δＸ２−δの系で
Ｍ′とアルカリ金属Ａを導入することにより複合ペロブ
スカイト型の化合物となり、超伝導性を示すようにな
る。この時ｍとしては１或は２をとることが可能であ
り、ｙは０より大きく0.8以下が望ましい。より望まし
くは0.5〜0.6である。
化合物においては、Bi,Tl,Pb等を用いて複合プロブスカ
イト構造とすることにより超伝導性を示すことが知られ
ている。そこで上述のハロゲンを含む親化合物において
もＭ′としてBi,Tl,Pb等を元素を添加することにより、
複合プロブスカイト型の化合物にすることが可能であ
り、この場合にも超伝導性を示すようになる。例えば
Ｍ′ｍ（M1-yAy）n+1CunO2n＋ｍ＋δＸ２−δの系で
Ｍ′とアルカリ金属Ａを導入することにより複合ペロブ
スカイト型の化合物となり、超伝導性を示すようにな
る。この時ｍとしては１或は２をとることが可能であ
り、ｙは０より大きく0.8以下が望ましい。より望まし
くは0.5〜0.6である。
親化合物、Mn+1CunO2nX2（ｎ＝１、２あるいは３）に
対して上述のようなＭサイトのアルカリ金属元素置換や
高圧酸素処理、或は複合プロブスカイト型構造の形成等
を行うことにより、そのCuO2平面内にホールをドープす
ることができる。一方、同じＭサイトをＹやランタニド
元素等の３価以上の価数をとる元素により置換すること
によりCuO2平面内に電子をドープすることができる。ド
ープされたこれらのホールや電子等の電荷担体はCuO2平
面内を自由に移動することが可能で、これによりある臨
界温度Tc以下で超伝導性を示すようになる。こうしてCu
O2平面構造を有するものの超伝導性を示さない化合物に
対してホールや電子等の電荷担体をドープすることによ
り、超伝導体とすることが可能である。更に、これらの
超伝導体は、通常の固相反応法による製法のみならず、
スパッタ法、イオンビームスパッタ法、蒸着法、MOCVD
法等の薄膜プロセスによっても製造することが出来る。
以下、実施例に従って本発明を具体的に説明する。
対して上述のようなＭサイトのアルカリ金属元素置換や
高圧酸素処理、或は複合プロブスカイト型構造の形成等
を行うことにより、そのCuO2平面内にホールをドープす
ることができる。一方、同じＭサイトをＹやランタニド
元素等の３価以上の価数をとる元素により置換すること
によりCuO2平面内に電子をドープすることができる。ド
ープされたこれらのホールや電子等の電荷担体はCuO2平
面内を自由に移動することが可能で、これによりある臨
界温度Tc以下で超伝導性を示すようになる。こうしてCu
O2平面構造を有するものの超伝導性を示さない化合物に
対してホールや電子等の電荷担体をドープすることによ
り、超伝導体とすることが可能である。更に、これらの
超伝導体は、通常の固相反応法による製法のみならず、
スパッタ法、イオンビームスパッタ法、蒸着法、MOCVD
法等の薄膜プロセスによっても製造することが出来る。
以下、実施例に従って本発明を具体的に説明する。
1.MCO3,MCl2（Ｍ＝Ca,Sr）,CuO,A2O2あるいはA2CO3（Ａ
＝Na,K）を原料として（M1-yAy）2CuO2Cl2（ｙ＝０〜0.
5）となるような組成比で混合し、酸素中500〜900℃で
１〜100時間の焼成を行なった。得られた焼結体を乳鉢
で粉砕し再度混合を行なった後、圧粉成形し酸素中500
℃〜900℃で１〜100時間の焼成を行なった。Ｘ線回折の
測定から、各試料はK2NiF4型の結晶構造を保っていたが
ｙが0.5以上では異なる結晶構造を有する第２相が主生
成物となった。これらの試料の交流帯磁率を測定し、反
磁性が現われ始めた温度をTc（onset）として定義し、
第１表に示した。
＝Na,K）を原料として（M1-yAy）2CuO2Cl2（ｙ＝０〜0.
5）となるような組成比で混合し、酸素中500〜900℃で
１〜100時間の焼成を行なった。得られた焼結体を乳鉢
で粉砕し再度混合を行なった後、圧粉成形し酸素中500
℃〜900℃で１〜100時間の焼成を行なった。Ｘ線回折の
測定から、各試料はK2NiF4型の結晶構造を保っていたが
ｙが0.5以上では異なる結晶構造を有する第２相が主生
成物となった。これらの試料の交流帯磁率を測定し、反
磁性が現われ始めた温度をTc（onset）として定義し、
第１表に示した。
2.MCO3,MCl2（Ｍ＝Ca,Sr）,CuOを原料として（M1-yAy）
2CuO2Cl2（ｙ＝０〜0.5）となるような組成比で混合
し、酸素中500〜900℃で１〜100時間の焼成を行なっ
た。得られた焼結体を乳鉢で粉砕し再度混合を行なった
後、圧粉成形し酸素中500℃〜900℃で１〜100時間の焼
成を行なった。Ｘ線回折の測定から、各試料はK2NiF4型
の結晶構造を保っていたがｙが0.5以上では異なる結晶
構造を有する第２相が主生成物となった。次につれらの
試料に対して高圧酸素中で600℃10時間の熱処理を行な
った。これらの試料の交流帯磁率を測定し、Tc（onse
t）を第２表に示した。
2CuO2Cl2（ｙ＝０〜0.5）となるような組成比で混合
し、酸素中500〜900℃で１〜100時間の焼成を行なっ
た。得られた焼結体を乳鉢で粉砕し再度混合を行なった
後、圧粉成形し酸素中500℃〜900℃で１〜100時間の焼
成を行なった。Ｘ線回折の測定から、各試料はK2NiF4型
の結晶構造を保っていたがｙが0.5以上では異なる結晶
構造を有する第２相が主生成物となった。次につれらの
試料に対して高圧酸素中で600℃10時間の熱処理を行な
った。これらの試料の交流帯磁率を測定し、Tc（onse
t）を第２表に示した。
3.CaCO3,SrCO3,CaCl2,CuOを原料として、（Ca1-xSrx）3
Cu2O4Cl2（ｘ＝０〜0.4）の組成となるように混合し、
実施例１と同様の過程で焼成した。第１図にｘ＝０の場
合のＸ線回折図形を示したが、これらの試料はいずれも
Sr2Ti2O7型の結晶構造から一部酸素が欠損した構造（第
２図）を有している。これらの試料を、１〜900気圧の
酸素雰囲気中で600℃、10時間の焼成を行なった後、帯
磁率の測定からTc（onset）を求めた。このTcをｘの変
化に伴う格子定数の変化と共に第３表に示した。
Cu2O4Cl2（ｘ＝０〜0.4）の組成となるように混合し、
実施例１と同様の過程で焼成した。第１図にｘ＝０の場
合のＸ線回折図形を示したが、これらの試料はいずれも
Sr2Ti2O7型の結晶構造から一部酸素が欠損した構造（第
２図）を有している。これらの試料を、１〜900気圧の
酸素雰囲気中で600℃、10時間の焼成を行なった後、帯
磁率の測定からTc（onset）を求めた。このTcをｘの変
化に伴う格子定数の変化と共に第３表に示した。
4.CaCO3,CaCl2,CuO,L2O3（Ｌ＝Y,La）を原料として（Ca
1-yLy）3Cu2O4Cl2（ｙ＝０〜0.5）となるような組成比
で混合し、アルゴン中500〜800℃で１〜100時間の焼成
を行なった。得られた焼結体を乳鉢で粉砕し再度混合を
行なった後、圧粉成形しアルゴン中500〜800℃で１〜10
0時間の焼成を行なった。Ｘ線回折の測定から、各試料
はSr3Ti2O7型の結晶構造を保っていたがｙが0.5以上で
は異なる結晶構造を有する第２相が主生成物となった。
これらの試料の交流帯磁率を測定し、Tc（onset）を第
４表に示した。
1-yLy）3Cu2O4Cl2（ｙ＝０〜0.5）となるような組成比
で混合し、アルゴン中500〜800℃で１〜100時間の焼成
を行なった。得られた焼結体を乳鉢で粉砕し再度混合を
行なった後、圧粉成形しアルゴン中500〜800℃で１〜10
0時間の焼成を行なった。Ｘ線回折の測定から、各試料
はSr3Ti2O7型の結晶構造を保っていたがｙが0.5以上で
は異なる結晶構造を有する第２相が主生成物となった。
これらの試料の交流帯磁率を測定し、Tc（onset）を第
４表に示した。
5.CaCO3,CaCl2,CuO,M′2O3（Ｍ′＝Bi,Pb）,A2O2あるい
はA2CO3（Ａ＝Na,K）を原料としてＭ′２（Ca1-yAy）3C
u2O4Cl2（ｙ＝０〜0.8）となるような組成比で混合し、
空気中500〜900℃で１〜100時間の焼成を行なった。得
られた焼結体を乳鉢で粉砕し再度混合を行なった後、圧
粉成形し空気中500〜900℃で１〜100時間の焼成を行な
った。Ｘ線回折の測定から、ｙが0.5〜0.7の範囲では複
合ペロブスカイト型構造が主生成物であった。これらの
試料の交流帯磁率を測定し、Tc（onset）を第５表に示
した。第３図には一例としてのBi2（Ca0.3Na0.7）3Cu2O
4Cl2の交流帯磁率の温度変化を示した。
はA2CO3（Ａ＝Na,K）を原料としてＭ′２（Ca1-yAy）3C
u2O4Cl2（ｙ＝０〜0.8）となるような組成比で混合し、
空気中500〜900℃で１〜100時間の焼成を行なった。得
られた焼結体を乳鉢で粉砕し再度混合を行なった後、圧
粉成形し空気中500〜900℃で１〜100時間の焼成を行な
った。Ｘ線回折の測定から、ｙが0.5〜0.7の範囲では複
合ペロブスカイト型構造が主生成物であった。これらの
試料の交流帯磁率を測定し、Tc（onset）を第５表に示
した。第３図には一例としてのBi2（Ca0.3Na0.7）3Cu2O
4Cl2の交流帯磁率の温度変化を示した。
6.（Ca0.85Ｋ0.15）2CuO2Cl2の組成を有するターゲット
用を用いMgO及びSrTiO3の基板上にイオンビームスパッ
タ法により厚さ0.5μｍの薄膜を形成した。得られた薄
膜の組成はいずれもほぼターゲット組成と同一であり、
またＸ線回折からK2NiF4型の結晶構造を有していること
が明らかとなった。交流帯磁率の測定から、これらの試
料はいずれも20KのTc（onset）を有していた。
用を用いMgO及びSrTiO3の基板上にイオンビームスパッ
タ法により厚さ0.5μｍの薄膜を形成した。得られた薄
膜の組成はいずれもほぼターゲット組成と同一であり、
またＸ線回折からK2NiF4型の結晶構造を有していること
が明らかとなった。交流帯磁率の測定から、これらの試
料はいずれも20KのTc（onset）を有していた。
本発明により、これまでに知られていなかった、ハロ
ゲンを含む銅酸化物超伝導体を提供することが可能とな
った。
ゲンを含む銅酸化物超伝導体を提供することが可能とな
った。
第１図はCa3Cu2O4Cl2のCu−Ｋα線によるＸ線回折図形
を示すものである。第２図はCa3Cu2O4Cl2の結晶構造を
示すものである。第３図はBi2（Ca0.3Na0.7）3Cu2O4Cl2
の交流帯磁率の温度変化を示すものである。
を示すものである。第２図はCa3Cu2O4Cl2の結晶構造を
示すものである。第３図はBi2（Ca0.3Na0.7）3Cu2O4Cl2
の交流帯磁率の温度変化を示すものである。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 39/12 ＺＡＡ Ｃ０４Ｂ 35/00 ＺＡＡＫ (72)発明者 宮内 克己 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭64−28224（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C01G 1/00 ZAA
Claims (2)
- 【請求項１】組成式が（M1-yAy）n+1CunO2n＋δＸ
２−δ（但しＭはMg,Ca,Sr,Ba及びRaの中から選ばれる
１種以上５種以下の混合物、ＡはLi,Na,K及びRbの中か
ら選ばれる１種以上４種以下の混合物或は空位、ＸはF,
Cl,Br及びＩの中から選ばれる１種以上４種以下の混合
物、ｎ＝１、２あるいは３、０≦ｙ≦0.5、０≦δ≦0.
6）で表されることを特徴とするハロゲンを含む銅酸化
物超伝導体。 - 【請求項２】組成式がＭ′ｍ（M1-yAy）n+1CunO
2n＋ｍ＋δＸ２−δ（但しＭはMg,Ca,Sr,Ba及びRaの中
から選ばれる１種以上５種以下の混合物、ＡはLi,Na,K
及びRbの中から選ばれる１種以上４種以下の混合物Ｍ′
は3B,4B,5B族元素の中から選ばれる１種以上５種以下の
混合物、ＸはF,Cl,Br及びＩの中から選ばれる１種以上
４種以下の混合物、ｎ＝１、２あるいは３、ｍ＝１ある
いは２、０≦ｙ≦0.8、０≦δ≦0.6）で表されることを
特徴とするハロゲンを含む銅酸化物超伝導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004598A JP2786292B2 (ja) | 1989-01-13 | 1990-01-16 | ハロゲンを含む銅酸化物超伝導体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP496889 | 1989-01-13 | ||
| JP1-4968 | 1989-01-13 | ||
| JP2004598A JP2786292B2 (ja) | 1989-01-13 | 1990-01-16 | ハロゲンを含む銅酸化物超伝導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04130015A JPH04130015A (ja) | 1992-05-01 |
| JP2786292B2 true JP2786292B2 (ja) | 1998-08-13 |
Family
ID=26338405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004598A Expired - Lifetime JP2786292B2 (ja) | 1989-01-13 | 1990-01-16 | ハロゲンを含む銅酸化物超伝導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2786292B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9411055D0 (en) * | 1994-06-02 | 1994-07-20 | Univ Birmingham | Metal oxyhalide materials, their use and methods for their production |
| JPH08259230A (ja) * | 1995-03-24 | 1996-10-08 | Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center | 酸化物超電導体およびその製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2567386B2 (ja) * | 1987-02-26 | 1996-12-25 | 住友電気工業株式会社 | 超電導導体 |
| JPS63242920A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-07 | Komatsu Ltd | 超電導体 |
| JPS63242922A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導材料 |
| JP2656531B2 (ja) * | 1987-04-08 | 1997-09-24 | 株式会社日立製作所 | 酸化物超電導体 |
| JPH01101694A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | 無機質配線板の製造方法 |
-
1990
- 1990-01-16 JP JP2004598A patent/JP2786292B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04130015A (ja) | 1992-05-01 |
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