JPH01101694A - 無機質配線板の製造方法 - Google Patents
無機質配線板の製造方法Info
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- JPH01101694A JPH01101694A JP62259954A JP25995487A JPH01101694A JP H01101694 A JPH01101694 A JP H01101694A JP 62259954 A JP62259954 A JP 62259954A JP 25995487 A JP25995487 A JP 25995487A JP H01101694 A JPH01101694 A JP H01101694A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は無機質配線板の製造方法に関する。さらに詳し
くは、超電導回路を有する無機質配線板の製造方法に関
する。
くは、超電導回路を有する無機質配線板の製造方法に関
する。
[従来の技術]
配線板は搭載される部品の相互接続回路としての機能を
有するもので、広く電気・電子機器の分野で用いられて
おり、その中でも無機質配線板はモジュール基板として
LSI、 ICなどのチップを直接搭載した機能部品
の形で使用されている。
有するもので、広く電気・電子機器の分野で用いられて
おり、その中でも無機質配線板はモジュール基板として
LSI、 ICなどのチップを直接搭載した機能部品
の形で使用されている。
無機質配線板は通常、アルミナ、シリカ、炭化ケイ素、
酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、酸化ホウ素など
の無機粉体を焼結してえられる無機質基板上に、導体、
誘導体、抵抗体を印刷・焼成することによりえられる(
特開昭57−30835号)。
酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、酸化ホウ素など
の無機粉体を焼結してえられる無機質基板上に、導体、
誘導体、抵抗体を印刷・焼成することによりえられる(
特開昭57−30835号)。
導体は、通常、金、銀・パラジウム、銀、銅などの金属
粉を有機バインダーに混合したものを印刷し、600〜
1000℃で焼成することにより形成される。
粉を有機バインダーに混合したものを印刷し、600〜
1000℃で焼成することにより形成される。
[発明が解決しようとする問題点]
このようにして形成される導体は、低抵抗ではあるが抵
抗値を有し、とくに高速伝送、高周波伝送時に損失が発
生するため、より低抵抗の導体材料が求められている。
抗値を有し、とくに高速伝送、高周波伝送時に損失が発
生するため、より低抵抗の導体材料が求められている。
本発明はかかる実情に鑑みなされたものである。
[問題点を解決するための手段1
本発明は、三層ペロブスカイト型セラミックス超電導体
粉末を有機エマルジョン中に分散してなる電着液中に、
所定のパターンの導体を形成した無機絶縁基板を浸漬し
、該導体に直流電圧を印加して電気泳動法により所定の
パターン上に電着析出層を形成させ、ついで焼成するこ
とを特徴とする超電導回路を有する無機質配線板の製造
方法に関する。
粉末を有機エマルジョン中に分散してなる電着液中に、
所定のパターンの導体を形成した無機絶縁基板を浸漬し
、該導体に直流電圧を印加して電気泳動法により所定の
パターン上に電着析出層を形成させ、ついで焼成するこ
とを特徴とする超電導回路を有する無機質配線板の製造
方法に関する。
[実施例]
本発明に用いる三層ペロブスカイト型セラミックス超電
導体粉末は、一般式(1) %式%() (式中、AはCa、 Sr、 Baなどのl[a族元素
の1種以上、RはY、しaなどの希土類元素の1種以上
、Xは0、Fの1種以上、a、b、cはそれぞれ1〜3
.2〜4.6〜7である)で表わされる実験式を有し、
三層ペロブスカイト型構造を有する粉末であり、この粉
末の段階では必ずしも超電導特性を示さなくてもよいが
、超電導回路を有する無機質配線板として無機絶縁基板
上に回路として形成されたばあいには超電導特性を示す
粉末である。
導体粉末は、一般式(1) %式%() (式中、AはCa、 Sr、 Baなどのl[a族元素
の1種以上、RはY、しaなどの希土類元素の1種以上
、Xは0、Fの1種以上、a、b、cはそれぞれ1〜3
.2〜4.6〜7である)で表わされる実験式を有し、
三層ペロブスカイト型構造を有する粉末であり、この粉
末の段階では必ずしも超電導特性を示さなくてもよいが
、超電導回路を有する無機質配線板として無機絶縁基板
上に回路として形成されたばあいには超電導特性を示す
粉末である。
前記三層ペロブスカイト型セラミックス超電導体粉末の
好ましい具体例としては、たとえばBa YCu O1
Ba YCu306.28.2 3 6.84
2 Ba1.5 La1.s Cu 06.74−Ba
La Cu 0 0.5 0.5 3 6.85などの実験式を有する
三層ペロブスカイト型セラミックス超電導体で、緻密な
焼結体がえられやすい平均粒径0,02〜10ρ程度の
粉末があげられる。
好ましい具体例としては、たとえばBa YCu O1
Ba YCu306.28.2 3 6.84
2 Ba1.5 La1.s Cu 06.74−Ba
La Cu 0 0.5 0.5 3 6.85などの実験式を有する
三層ペロブスカイト型セラミックス超電導体で、緻密な
焼結体がえられやすい平均粒径0,02〜10ρ程度の
粉末があげられる。
前記超電導体末は、たとえばっぎの方法によりえられる
。
。
(ω所定の混合比でA、R,QL、好ましくはBa、
Y、Qの化合物を同相混合し、500〜1000℃、
酸素の存在下で焼成したのち粉枠する方法。
Y、Qの化合物を同相混合し、500〜1000℃、
酸素の存在下で焼成したのち粉枠する方法。
このばあいの所定の混合比は、たとえばBa=Y=Cu
系のばあい、各元素の原子比がBa/Y/CD−2/1
/3になるように混合すればよく、使用する化合物とし
てはA、 R%偽の酸化物、フッ化物などがあげられ
る。
系のばあい、各元素の原子比がBa/Y/CD−2/1
/3になるように混合すればよく、使用する化合物とし
てはA、 R%偽の酸化物、フッ化物などがあげられ
る。
(b) A% R1負、好ましくはBa、 Y、へそ
れぞれの化合物の水溶液を所定の混合比になるように混
合したのち、中和剤を投入して共沈させ、ついで500
〜1000℃、酸素の存在下で焼成し粉枠する方法。
れぞれの化合物の水溶液を所定の混合比になるように混
合したのち、中和剤を投入して共沈させ、ついで500
〜1000℃、酸素の存在下で焼成し粉枠する方法。
このばあいの各元素の混合比は、共沈した時点で同相混
合のばあいと同様の混合比になることが好ましく、使用
する化合物としては、たとえばA。
合のばあいと同様の混合比になることが好ましく、使用
する化合物としては、たとえばA。
R,Cuの硝酸塩、塩化物、アルコキシドなど、また中
和剤としては、たとえばNH4OH、Na2COsなど
があげられる。
和剤としては、たとえばNH4OH、Na2COsなど
があげられる。
本発明に用いる有機エマルジョンは前記超電導体粉末が
分散せしめられた電着液の基体となるものであり、有機
高分子が溶媒中に分散・乳化されたものである。
分散せしめられた電着液の基体となるものであり、有機
高分子が溶媒中に分散・乳化されたものである。
前記有機高分子の好ましい具体例としては、たとえばポ
リウレタン、ポリアセタール、ポリテトラフルオロエチ
レン、ポリメタクリル酸エステルなどがあげられ、これ
らは、電気泳動法により前記超電導体粉末を含む所望の
電着析出層が形成されやすい、焼成によってバインダー
として作用する有機高分子が分解・散逸しやすいため形
成される超電導体層中に残渣が残らず、良好な超電導特
性を有する超電導体層がえられやすいなどの点から好適
に用いられる。
リウレタン、ポリアセタール、ポリテトラフルオロエチ
レン、ポリメタクリル酸エステルなどがあげられ、これ
らは、電気泳動法により前記超電導体粉末を含む所望の
電着析出層が形成されやすい、焼成によってバインダー
として作用する有機高分子が分解・散逸しやすいため形
成される超電導体層中に残渣が残らず、良好な超電導特
性を有する超電導体層がえられやすいなどの点から好適
に用いられる。
また、前記溶媒としては、前記超電導体粉末および有機
高分子を均質に分散させ、電着後は除去されやすいもの
が好ましく、そのような溶媒の具体例としては、たとえ
ばアセトン、ジオキサン、メチルエチルケトン、クレゾ
ール、トルエン、ヘキサンなどの有機溶媒があげられる
。
高分子を均質に分散させ、電着後は除去されやすいもの
が好ましく、そのような溶媒の具体例としては、たとえ
ばアセトン、ジオキサン、メチルエチルケトン、クレゾ
ール、トルエン、ヘキサンなどの有機溶媒があげられる
。
なお、前記超電導体粉末は一般に水により分解を受けや
すいので、該溶媒は水を含まない系であるのが好ましい
。
すいので、該溶媒は水を含まない系であるのが好ましい
。
このような有機エマルジョンの具体例としては、前記有
機溶媒中にポリウレタン・ポリアセタール、ポリテトラ
フルオロエチレンなどの有機高分子を分散・乳化したも
のがあげられるが、このときのエマルジョン粒子の平均
粒径は安定な電着被膜をうるという観点から0.01〜
10−の範囲であることが望ましい。また、溶媒と有機
高分子との配合割合は重量比で1/1〜100/ 1で
あるのが電着効率の点から好ましく、さらには2/1〜
20/1であるのが好ましい。
機溶媒中にポリウレタン・ポリアセタール、ポリテトラ
フルオロエチレンなどの有機高分子を分散・乳化したも
のがあげられるが、このときのエマルジョン粒子の平均
粒径は安定な電着被膜をうるという観点から0.01〜
10−の範囲であることが望ましい。また、溶媒と有機
高分子との配合割合は重量比で1/1〜100/ 1で
あるのが電着効率の点から好ましく、さらには2/1〜
20/1であるのが好ましい。
本発明に用いる電着液は、前記超電導体粉末を前記有機
エマルジョン中に分散させることによってえられる。こ
のばあいの配合割合は超電導体粉末と有機高分子との配
合割合として重量比で60/40〜9515が好ましく
、80/20〜90/10がさらに好ましい。前記配
合割合が60/ 40未満゛になると焼成後の超電導体
粉末被膜の均質性が確保できず、9515をこえると被
膜形成性がわるくなる傾向が生ずる。
エマルジョン中に分散させることによってえられる。こ
のばあいの配合割合は超電導体粉末と有機高分子との配
合割合として重量比で60/40〜9515が好ましく
、80/20〜90/10がさらに好ましい。前記配
合割合が60/ 40未満゛になると焼成後の超電導体
粉末被膜の均質性が確保できず、9515をこえると被
膜形成性がわるくなる傾向が生ずる。
本発明に用いる所定のパターンの導体を形成した無機絶
縁基板とは、無機絶縁基板に、たとえば金、銀・パラジ
ウム、銀、銅などの導体材料で配線パターンを形成した
ものであり、該無機絶縁基板の材料・構造などにはとく
に制約はなく、パターン状に導体を形成した通常の無機
絶縁基板であれば使用しうる。
縁基板とは、無機絶縁基板に、たとえば金、銀・パラジ
ウム、銀、銅などの導体材料で配線パターンを形成した
ものであり、該無機絶縁基板の材料・構造などにはとく
に制約はなく、パターン状に導体を形成した通常の無機
絶縁基板であれば使用しうる。
本発明においては、第1図に示すように、前記電着液に
所定のパターン(6)を導体で形成した無機絶縁基板(
4)が浸漬せしめられ、該導体が陽極になるように直流
電圧を印加して電気泳動法により所定のパターン上に電
着析出層が形成される。
所定のパターン(6)を導体で形成した無機絶縁基板(
4)が浸漬せしめられ、該導体が陽極になるように直流
電圧を印加して電気泳動法により所定のパターン上に電
着析出層が形成される。
直流電圧の印加は通常1〜100Vで1秒〜10分程度
保持するのが所定の膜厚を所定時間でうるなどの点から
好ましく、このような条件で電着を行なうことにより膜
厚1〜50虜程度で均質な構造を有する電着析出層が形
成される。
保持するのが所定の膜厚を所定時間でうるなどの点から
好ましく、このような条件で電着を行なうことにより膜
厚1〜50虜程度で均質な構造を有する電着析出層が形
成される。
なお、第1図中の(1)は超電導体粉末、(2は有機エ
マルジョン粒子、(3)は溶媒、(9は電着槽を表わす
。
マルジョン粒子、(3)は溶媒、(9は電着槽を表わす
。
電着層の膜厚としては焼成後に良好な超電導回路をうる
などの点から、1〜50−であるのが好ましく、3〜3
0摩であるのがさらに好ましい。
などの点から、1〜50−であるのが好ましく、3〜3
0摩であるのがさらに好ましい。
えられた電着層が形成された無機絶縁基板は50〜15
0℃に加熱して溶媒が除去されたのち、さらに高温で加
熱焼成して超電導回路を有する無機質配線板が製造され
る。
0℃に加熱して溶媒が除去されたのち、さらに高温で加
熱焼成して超電導回路を有する無機質配線板が製造され
る。
前記焼成温度は500〜1000℃、さらには550〜
900℃が望ましく、焼成回数は2〜5回が望ましい。
900℃が望ましく、焼成回数は2〜5回が望ましい。
前記電着層が形成された無機絶縁基板は不活性ガスまた
は所定の酸素濃度にコントロールされた雰囲気の焼成炉
内で焼成されるが、レーザなどによる焼成も可能である
。この焼成の過程で前記基板上に形成された電着層中の
有機成分は分解・散逸し、焼成した電着層内に残らない
。
は所定の酸素濃度にコントロールされた雰囲気の焼成炉
内で焼成されるが、レーザなどによる焼成も可能である
。この焼成の過程で前記基板上に形成された電着層中の
有機成分は分解・散逸し、焼成した電着層内に残らない
。
このようにしてえられた超電導回路を有する無機質配線
板は、液体チッ素温度またはそれ以上の温度で導体抵抗
がゼロとなり、高速演算処理デバイスなどに有用な配線
板を与える。
板は、液体チッ素温度またはそれ以上の温度で導体抵抗
がゼロとなり、高速演算処理デバイスなどに有用な配線
板を与える。
以下、本発明の方法を実施例に基づいて説明する。
実施例1
芳香族ジイソシアネートとポリエーテルポリオールから
なるポリウレタン155Fをジオキサン1359に溶解
し、750gのトルエン中に攪拌しつつ投入して分散さ
せて、ポリウレタンのジオキサン−トルエン分散液(平
均粒径的o、os、t)を製造した。
なるポリウレタン155Fをジオキサン1359に溶解
し、750gのトルエン中に攪拌しつつ投入して分散さ
せて、ポリウレタンのジオキサン−トルエン分散液(平
均粒径的o、os、t)を製造した。
′えられた分散液に三層ペロブスカイト型セラミックス
超電導体粉末としてBa/Y/Cu10が原子比で2/
1/3/ 6.84で、平均粒径が3項であるBa−Y
−Cu−0基材料85gを加え、室温で安定な共分散電
着液を調製した。
超電導体粉末としてBa/Y/Cu10が原子比で2/
1/3/ 6.84で、平均粒径が3項であるBa−Y
−Cu−0基材料85gを加え、室温で安定な共分散電
着液を調製した。
この電着液に銀・パラジウム製の配線パターンを有する
無機絶縁基板を浸漬し、直流電圧10Vを10秒間印加
し、配線パターン上に厚さ10摩の電着析出層を形成し
た。この基板を100℃で30分間加熱して溶媒を除去
したのち、チッ素雰囲気中、550℃で焼成し、配線パ
ターン上に厚さ7虜の緻密な構造の超電導体層を形成し
た。
無機絶縁基板を浸漬し、直流電圧10Vを10秒間印加
し、配線パターン上に厚さ10摩の電着析出層を形成し
た。この基板を100℃で30分間加熱して溶媒を除去
したのち、チッ素雰囲気中、550℃で焼成し、配線パ
ターン上に厚さ7虜の緻密な構造の超電導体層を形成し
た。
形成された超電導体層についてのオージェ分光分析によ
って、C,N、Hなどの元素が存在しないことが確認さ
れた。
って、C,N、Hなどの元素が存在しないことが確認さ
れた。
この超電導回路は85°にで超伝導を示すことが確認さ
れた。
れた。
実施例2
ポリメタクリル酸メチル10gをトルエン50gに溶解
し、509のアセトン中に攪拌しつつ投入して分散させ
て、ポリメタクリル酸メチルのトルエン−アセトン分散
液を製造した。
し、509のアセトン中に攪拌しつつ投入して分散させ
て、ポリメタクリル酸メチルのトルエン−アセトン分散
液を製造した。
えられた分散液に、三層ペロブスカイト型セラミックス
超電導体粉末としてBa/Y/Cu10/Fが原子比で
2/1/3/ 6,5/ 0.35で、平均粒径が2逆
であるBa−Y−Cu−0−F糸材料90gを加え共分
散電着液を調製した この電着液に銀製の配線パターンを有する無機絶縁基板
を浸漬し、直流電圧20Vを10秒間印加し、配線パタ
ーン上に厚さ20ρの電着析出層を形成した。この基板
を100℃で30分間加熱して溶媒を除去したのち、チ
ッ素雰囲気中、550℃で焼成し、配線パターン上に厚
さ15虜の緻密な構造の超電導体層を形成した。
超電導体粉末としてBa/Y/Cu10/Fが原子比で
2/1/3/ 6,5/ 0.35で、平均粒径が2逆
であるBa−Y−Cu−0−F糸材料90gを加え共分
散電着液を調製した この電着液に銀製の配線パターンを有する無機絶縁基板
を浸漬し、直流電圧20Vを10秒間印加し、配線パタ
ーン上に厚さ20ρの電着析出層を形成した。この基板
を100℃で30分間加熱して溶媒を除去したのち、チ
ッ素雰囲気中、550℃で焼成し、配線パターン上に厚
さ15虜の緻密な構造の超電導体層を形成した。
形成された超電導体層についてのオージェ分光分析によ
って、C,N%Hなどの元素が存在しないことが確認さ
れた。
って、C,N%Hなどの元素が存在しないことが確認さ
れた。
この超伝導体層は90°にで超電導を示した。
実施例3
ポリアセタール(デルリン:デュポン社商品名)5gを
トクレゾール100gに溶解し、300gのアセトン中
に攪拌しつつ投入し、分散させて、ポリアセタールのク
レゾール−アセトン分散液を製造した。
トクレゾール100gに溶解し、300gのアセトン中
に攪拌しつつ投入し、分散させて、ポリアセタールのク
レゾール−アセトン分散液を製造した。
えられた分散液に三層ペロブスカイト型セラミックス超
電導体粉末としてSr/Y /Cu10が原子比で2/
1/3/ 6.45で、平均粒径が5虜である5r−Y
−Cu−0糸材料95gを加え、共分散電着液をil製
した。
電導体粉末としてSr/Y /Cu10が原子比で2/
1/3/ 6.45で、平均粒径が5虜である5r−Y
−Cu−0糸材料95gを加え、共分散電着液をil製
した。
この2着液に銅製の配線パターンを有する無機絶縁基板
を浸漬し、直流電圧50Vを3秒間印加し、配線パター
ン上に厚さ25遇の電着析出層を形成した。この基板を
100℃で30分間加熱して溶媒を除去したのち、チッ
素雰囲気中、550℃で焼成し、配線パターン上に厚さ
20JAの緻密な構造の超電導体層を形成した。
を浸漬し、直流電圧50Vを3秒間印加し、配線パター
ン上に厚さ25遇の電着析出層を形成した。この基板を
100℃で30分間加熱して溶媒を除去したのち、チッ
素雰囲気中、550℃で焼成し、配線パターン上に厚さ
20JAの緻密な構造の超電導体層を形成した。
形成された超電導体層についてのオージェ分光分析によ
って、C,N、Hなどの元素が存在しないことが確認さ
れた。
って、C,N、Hなどの元素が存在しないことが確認さ
れた。
この超伝導体層は85°にで超電導を示すことが確認さ
れた。
れた。
実施例4
実施例2と同様にして製造したポリメタクリル酸メチル
のトルエン−アセトン分散液を用いた。
のトルエン−アセトン分散液を用いた。
15gのポリメタクリル酸メチルを含む分散液に、三層
ペロブスカイト型セラミックス超電導体粉末としてBa
/Y /CD10が原子比で2/1/3/6.74あり
、平均粒径が3虜であるBa−Y−Cu−0系材料85
9を加え、室温で安定な共分散電着液を調製した。
ペロブスカイト型セラミックス超電導体粉末としてBa
/Y /CD10が原子比で2/1/3/6.74あり
、平均粒径が3虜であるBa−Y−Cu−0系材料85
9を加え、室温で安定な共分散電着液を調製した。
この電着液に銀・パラジウム類の配線パターンを有する
無機絶縁基板を浸漬し、直流電流10Vを5秒間印加し
、配線パターン上に厚さ30虜のM着析出層を形成した
。この基板を110℃で30分間加熱して溶媒を除去し
たのち、チッ素雰囲気中600℃で焼成し、配線パター
ン上に厚さ20屡の緻密な構造の超電導体層を形成した
。
無機絶縁基板を浸漬し、直流電流10Vを5秒間印加し
、配線パターン上に厚さ30虜のM着析出層を形成した
。この基板を110℃で30分間加熱して溶媒を除去し
たのち、チッ素雰囲気中600℃で焼成し、配線パター
ン上に厚さ20屡の緻密な構造の超電導体層を形成した
。
形成された超電導体層についての分光分析によって、C
,N、Hなどの元素が存在しないことが確認された。
,N、Hなどの元素が存在しないことが確認された。
この超伝導体層は90°にで超電導を示すことが確認さ
れた。
れた。
[発明の効果]
本発明の方法によれば電着法により超電導体回路を有す
る無機質絶縁基板を容易に製造することができる。
る無機質絶縁基板を容易に製造することができる。
第1図は本発明の方法により所定のパターンの導体を形
成した無機絶縁基板上に電着析出層を形成する方法に関
する説明図である。 (図面の主要符号) (1):超電導体粉末 (2) :有機エマルジョン粒子 (3):溶 媒
成した無機絶縁基板上に電着析出層を形成する方法に関
する説明図である。 (図面の主要符号) (1):超電導体粉末 (2) :有機エマルジョン粒子 (3):溶 媒
Claims (3)
- (1)三層ペロブスカイト型セラミックス超電導体粉末
を有機エマルジョン中に分散してなる電着液中に、所定
のパターンの導体を形成した無機絶縁基板を浸漬し、該
導体に直流電圧を印加して電気泳動法により所定のパタ
ーン上に電着析出層を形成させ、ついで焼成することを
特徴とする超電導回路を有する無機質配線板の製造方法
。 - (2)有機エマルジョン粒子が、ポリウレタン、ポリテ
トラフルオロエチレン、ポリアセタール、ポリメタクリ
ル酸エステルからの粒子である特許請求の範囲第(1)
項記載の方法。 - (3)有機エマルジョンの媒体として有機溶媒を用いる
特許請求の範囲第(1)項記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62259954A JPH01101694A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 無機質配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62259954A JPH01101694A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 無機質配線板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01101694A true JPH01101694A (ja) | 1989-04-19 |
Family
ID=17341225
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62259954A Pending JPH01101694A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 無機質配線板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01101694A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0425308A2 (en) * | 1989-10-27 | 1991-05-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a device having a superconducting film |
JPH04130015A (ja) * | 1989-01-13 | 1992-05-01 | Hitachi Ltd | ハロゲンを含む銅酸化物超伝導体 |
JP2007021409A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Chokoon Zairyo Kenkyusho:Kk | ディーゼルパティキュレートフィルターの製造方法 |
-
1987
- 1987-10-14 JP JP62259954A patent/JPH01101694A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04130015A (ja) * | 1989-01-13 | 1992-05-01 | Hitachi Ltd | ハロゲンを含む銅酸化物超伝導体 |
EP0425308A2 (en) * | 1989-10-27 | 1991-05-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a device having a superconducting film |
JP2007021409A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Chokoon Zairyo Kenkyusho:Kk | ディーゼルパティキュレートフィルターの製造方法 |
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