JP2778103B2 - 光学活性なスレオージヒドロキシフェニルセリン誘導体の製造方法 - Google Patents
光学活性なスレオージヒドロキシフェニルセリン誘導体の製造方法Info
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- JP2778103B2 JP2778103B2 JP1102834A JP10283489A JP2778103B2 JP 2778103 B2 JP2778103 B2 JP 2778103B2 JP 1102834 A JP1102834 A JP 1102834A JP 10283489 A JP10283489 A JP 10283489A JP 2778103 B2 JP2778103 B2 JP 2778103B2
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Description
【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> 本発明は、各種の薬理作用を示すことで知られている
L−スレオ−3−(3′,4′−ジヒドロキシフェニル)
−セリンの中間体として有用な光学活性なスレオ−ジヒ
ドロキシフェニルセリン誘導体の製造方法に関する。
L−スレオ−3−(3′,4′−ジヒドロキシフェニル)
−セリンの中間体として有用な光学活性なスレオ−ジヒ
ドロキシフェニルセリン誘導体の製造方法に関する。
<従来の技術および発明が解決しようとする課題> L−スレオ−ジヒドロキシフェニルセリン誘導体は、
従来スレオ−ジヒドロキシフェニルセリン誘導体の光学
分割により得ていた。
従来スレオ−ジヒドロキシフェニルセリン誘導体の光学
分割により得ていた。
しかし、この方法では、収率が50%以下であり、不用
物であるD−スレオ−ジヒドロキシフェニルセリン誘導
体を回収、再使用する必要があった。
物であるD−スレオ−ジヒドロキシフェニルセリン誘導
体を回収、再使用する必要があった。
しかも、スレオ−ジヒドロキシフェニルセリン誘導体
は不斉炭素原子を2個有する為に、例えば前記不要物で
あるD−スレオ−ジヒドロキシフェニルセリン誘導体を
ラセミ化(不要物の回収、再使用法としては最も一般的
な手段である)することは、2位および3位の立体配置
の制御が困難であり、事実上不可能であった。
は不斉炭素原子を2個有する為に、例えば前記不要物で
あるD−スレオ−ジヒドロキシフェニルセリン誘導体を
ラセミ化(不要物の回収、再使用法としては最も一般的
な手段である)することは、2位および3位の立体配置
の制御が困難であり、事実上不可能であった。
本発明は、上記の従来技術の欠点を克服して、工業的
有利な光学活性なスレオ−ジヒドロキシフェニルセリン
誘導体の製造方法を提供するものである。
有利な光学活性なスレオ−ジヒドロキシフェニルセリン
誘導体の製造方法を提供するものである。
<課題を解決するための手段> 本発明は、一般式(II) (式中、R1およびR2はそれぞれまたは両者が一緒になっ
てフェノール性水酸基の保護基を、R3はアミノ基の保護
基を、R4はカルボキシル基の保護基をそれぞれ表わ
す。) で示されるケトンを、溶媒中、一般式(III) (式中、Xは塩素原子、臭素原子またはアセトキシル基
を、R5は低級アルキル基を、Zはフェニル基またはp−
トリル基をそれぞれ表わす。nは0または1である。) で示される光学活性なルテニウムホスフィン錯体の存在
下に、不斉水素化することを特徴とする一般式(I) (式中、R1、R2、R3およびR4は前記と同じ意味であ
る。) で示される光学活性なスレオ−ジヒドロキシフェニルセ
リン誘導体の製造方法である。
てフェノール性水酸基の保護基を、R3はアミノ基の保護
基を、R4はカルボキシル基の保護基をそれぞれ表わ
す。) で示されるケトンを、溶媒中、一般式(III) (式中、Xは塩素原子、臭素原子またはアセトキシル基
を、R5は低級アルキル基を、Zはフェニル基またはp−
トリル基をそれぞれ表わす。nは0または1である。) で示される光学活性なルテニウムホスフィン錯体の存在
下に、不斉水素化することを特徴とする一般式(I) (式中、R1、R2、R3およびR4は前記と同じ意味であ
る。) で示される光学活性なスレオ−ジヒドロキシフェニルセ
リン誘導体の製造方法である。
本発明に用いる一般式(II)で示されるケトンにおい
て、フェノール性水酸基、アミノ基およびカルボキシル
基の保護基としては不斉水素化反応に不活性であって、
かつ、この反応によって得られるセリン誘導体(I)を
L−スレオ−3−(3′,4′−ジヒドロキシフェニル)
−セリンに導く際に容易に脱保護基できるものであれば
よく、R1およびR2で示されるフェノール性水酸基の保護
基としては、具体的には、単独の保護基としてベンジル
基もしくはp−クロルベンジル基等のアラルキル基また
はアリル基もしくは3−ブテニル基等の低級アルケニル
基が、また、両者が一緒になって形成される保護基とし
てメチレン基が挙げられ、R3で示されるアミノ基の保護
基としては、具体的には、ホルミル基、アセチル基、プ
ロピオニル基もしくはトリフルオロアセチル基などのア
ミドを生成する保護基またはアリルオキシカルボニル基
もしくはベンジルオキシカルボニル基などのカーバメイ
トを生成する保護基が挙げられ、R4で示されるカルボキ
シル基の保護基として具体的には、メチル基もしくはエ
チル基等の炭素数1〜5のアルキル基またはベンジル基
もしくはp−クロルベンジル基等のアラルキル基または
アリル基もしくは3−ブテニル基等の低級アルケニル基
などが挙げられる。
て、フェノール性水酸基、アミノ基およびカルボキシル
基の保護基としては不斉水素化反応に不活性であって、
かつ、この反応によって得られるセリン誘導体(I)を
L−スレオ−3−(3′,4′−ジヒドロキシフェニル)
−セリンに導く際に容易に脱保護基できるものであれば
よく、R1およびR2で示されるフェノール性水酸基の保護
基としては、具体的には、単独の保護基としてベンジル
基もしくはp−クロルベンジル基等のアラルキル基また
はアリル基もしくは3−ブテニル基等の低級アルケニル
基が、また、両者が一緒になって形成される保護基とし
てメチレン基が挙げられ、R3で示されるアミノ基の保護
基としては、具体的には、ホルミル基、アセチル基、プ
ロピオニル基もしくはトリフルオロアセチル基などのア
ミドを生成する保護基またはアリルオキシカルボニル基
もしくはベンジルオキシカルボニル基などのカーバメイ
トを生成する保護基が挙げられ、R4で示されるカルボキ
シル基の保護基として具体的には、メチル基もしくはエ
チル基等の炭素数1〜5のアルキル基またはベンジル基
もしくはp−クロルベンジル基等のアラルキル基または
アリル基もしくは3−ブテニル基等の低級アルケニル基
などが挙げられる。
一般式(II)で示されるケトンは、公知方法〔Syn.Co
mmun.2、237(1972)等〕に準じて例えば、3,4−ジヒ
ドロキシベンゾイルハライドのエーテル誘導体およびイ
ソシアノ酢酸エステルを塩基の存在下に縮合させてオキ
サゾール誘導体を得、ついで該誘導体を酸性条件下で加
水分解して3−(3′,4′−ジヒドロキシフェニル)−
3−オキソ−アラニンエステルのエーテル誘導体を得、
ついで該誘導体のアミノ基をアミド化またはカーバメイ
ト化して保護する方法により製造することができる。
mmun.2、237(1972)等〕に準じて例えば、3,4−ジヒ
ドロキシベンゾイルハライドのエーテル誘導体およびイ
ソシアノ酢酸エステルを塩基の存在下に縮合させてオキ
サゾール誘導体を得、ついで該誘導体を酸性条件下で加
水分解して3−(3′,4′−ジヒドロキシフェニル)−
3−オキソ−アラニンエステルのエーテル誘導体を得、
ついで該誘導体のアミノ基をアミド化またはカーバメイ
ト化して保護する方法により製造することができる。
次に、一般式(III)で示される光学活性なルテニウ
ムホスフィン錯体は公知方法により製造することがで
き、例えばRuBr2(BINAP)についてはJ.A.C.S.110 629
−631(1988)およびJ.C.S Chem.Cnommun.922(1985)
に記載の方法、すなわち、RuCl2(COD)、BINAPおよび
トリエチルアミンを反応させてRuCl2(BINAP)・N(C2
H5)3錯体を得、ついで酢酸ナトリウムを反応させてRu
(BINAP)・(CH3COO2)とした後、臭化水素を反応させ
ることにより得られる。
ムホスフィン錯体は公知方法により製造することがで
き、例えばRuBr2(BINAP)についてはJ.A.C.S.110 629
−631(1988)およびJ.C.S Chem.Cnommun.922(1985)
に記載の方法、すなわち、RuCl2(COD)、BINAPおよび
トリエチルアミンを反応させてRuCl2(BINAP)・N(C2
H5)3錯体を得、ついで酢酸ナトリウムを反応させてRu
(BINAP)・(CH3COO2)とした後、臭化水素を反応させ
ることにより得られる。
但し、CODはシクロ−オクタ−1,5−ジエンを、BINAP
は を示す。
は を示す。
このようにして得られる光学活性なルテニウムホスフ
ィン錯体(III)は、光学活性なホスフィン誘導体とル
テニウム塩とからなる錯体であって、光学活性なホスフ
ィン誘導体としては、前記のBINAPまたは が挙げられ、ルテニウム塩としては、塩化ルテニウムも
しくは臭化ルテニウム等のハロゲン化ルテニウムまたは
これらのハロゲン化ルテニウムとトリメチルアミンもし
くはトリエチルアミン等の3級アミンとの錯塩または酢
酸ルテニウムが挙げられる。
ィン錯体(III)は、光学活性なホスフィン誘導体とル
テニウム塩とからなる錯体であって、光学活性なホスフ
ィン誘導体としては、前記のBINAPまたは が挙げられ、ルテニウム塩としては、塩化ルテニウムも
しくは臭化ルテニウム等のハロゲン化ルテニウムまたは
これらのハロゲン化ルテニウムとトリメチルアミンもし
くはトリエチルアミン等の3級アミンとの錯塩または酢
酸ルテニウムが挙げられる。
本発明において好ましく用いられる光学活性なルテニ
ウムホスフィン錯体(III)としては、RuCl2(BINA
P)、RuCl2(BINAP)・N(C2H5)3、RuBr2(BINAP)
および酢酸ルテニウム・(BINAP)が挙げられる。
ウムホスフィン錯体(III)としては、RuCl2(BINA
P)、RuCl2(BINAP)・N(C2H5)3、RuBr2(BINAP)
および酢酸ルテニウム・(BINAP)が挙げられる。
本発明において用いる錯体(III)は、ケトン(II)
に対して0.0001モル%〜10モル%好ましくは、0.001%
〜10モル%使用される。
に対して0.0001モル%〜10モル%好ましくは、0.001%
〜10モル%使用される。
本発明の不斉水素化反応における水素圧は、1kg/cm2
以上であるが、反応時間の観点からは、好ましくは50〜
159kg/cm2である。
以上であるが、反応時間の観点からは、好ましくは50〜
159kg/cm2である。
反応温度は20〜200℃であり、反応時間は通常20〜150
時間である。
時間である。
本発明の不斉水素化反応における反応溶媒としては、
反応に不活性な溶媒であれば良く、例えばメタノール、
エタノール、プロピルアルコール、ブチルアルコール等
のアルコール類、クロロホルム、塩化メチレン、1,2−
ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素などが挙げられ
る。
反応に不活性な溶媒であれば良く、例えばメタノール、
エタノール、プロピルアルコール、ブチルアルコール等
のアルコール類、クロロホルム、塩化メチレン、1,2−
ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素などが挙げられ
る。
錯体(III)の回収は、通常、セオライト、シリカゲ
ルなどに吸着させるか、あるいは結晶化により行われ、
回収した錯体は次回の反応に再使用することもできる。
ルなどに吸着させるか、あるいは結晶化により行われ、
回収した錯体は次回の反応に再使用することもできる。
一般式(I)で示される光学活性なスレオ−ジヒドロ
キシフェニルセリン誘導体の取出しは、不斉水素化反応
終了後、例えば錯体(III)を除去した後、反応溶媒を
留去して単離される。
キシフェニルセリン誘導体の取出しは、不斉水素化反応
終了後、例えば錯体(III)を除去した後、反応溶媒を
留去して単離される。
このようにして得られる光学活性なスレオ−ジヒドロ
キシフェニルセリン誘導体(I)としては、L−スレオ
−N−アセチル−3−(3′,4′−メチレンジオキシフ
ェニル)セリンメチルエステル、L−スレオ−N−ベン
ジルオキシカルボニル−3−(3′,4′−メチレンジオ
キシフェニル)−セリンメチルエステル、L−スレオ−
N−ベンジルオキシカルボニル−3−(3′,4′−ジベ
ンジルオキシフェニル)−セリンベンジルエステル、L
−スレオ−N−ベンジルオキシカルボニル−3−
(3′,4′−ジベンジルオキシフェニル)−セリンメチ
ルエステル、L−スレオ−N−ベンジルオキシカルボニ
ル−3−(3′,4′−ジアリルオキシフェニル)−セリ
ン アリルエステル、L−スレオ−N−アリルオキシカ
ルボニル−3−(3′,4′−ジアリルオキシフェニル)
−セリンアリルエステル、L−スレオ−N−プロピオニ
ル−3−(3′,4′−メチレンジオキシフェニル)セリ
ンエチルエステル、L−スレオ−N−プロピオニル−3
−{3′,4′−ジ(3−ブテニル)オキシフェニル}−
セリンエチルエステル、L−スレオ−N−(3−ブテニ
ル)オキシカルボニル−3−{3′,4′−ジ(3−ブテ
ニル)オキシフェニル}−セリン(3−ブテニル)エス
テル、L−スレオ−N−p−クロルベンジルオキシカル
ボニル−3−{3′,4′−ジ−(p−クロルベンジル)
オキシフェニル}−セリンp−クロルベンジルエステル
等が例示される。
キシフェニルセリン誘導体(I)としては、L−スレオ
−N−アセチル−3−(3′,4′−メチレンジオキシフ
ェニル)セリンメチルエステル、L−スレオ−N−ベン
ジルオキシカルボニル−3−(3′,4′−メチレンジオ
キシフェニル)−セリンメチルエステル、L−スレオ−
N−ベンジルオキシカルボニル−3−(3′,4′−ジベ
ンジルオキシフェニル)−セリンベンジルエステル、L
−スレオ−N−ベンジルオキシカルボニル−3−
(3′,4′−ジベンジルオキシフェニル)−セリンメチ
ルエステル、L−スレオ−N−ベンジルオキシカルボニ
ル−3−(3′,4′−ジアリルオキシフェニル)−セリ
ン アリルエステル、L−スレオ−N−アリルオキシカ
ルボニル−3−(3′,4′−ジアリルオキシフェニル)
−セリンアリルエステル、L−スレオ−N−プロピオニ
ル−3−(3′,4′−メチレンジオキシフェニル)セリ
ンエチルエステル、L−スレオ−N−プロピオニル−3
−{3′,4′−ジ(3−ブテニル)オキシフェニル}−
セリンエチルエステル、L−スレオ−N−(3−ブテニ
ル)オキシカルボニル−3−{3′,4′−ジ(3−ブテ
ニル)オキシフェニル}−セリン(3−ブテニル)エス
テル、L−スレオ−N−p−クロルベンジルオキシカル
ボニル−3−{3′,4′−ジ−(p−クロルベンジル)
オキシフェニル}−セリンp−クロルベンジルエステル
等が例示される。
本発明により得られるフェニルセリン誘導体(I)
は、保護基を脱離させてL−スレオ−3−(3′,4′−
ジヒドロキシフェニル)−セリンへ導くことができる
が、脱保護基の観点からはフェノール性水酸基の保護基
およびカルボキシル基の保護基が同一であって、かつ、
アミノ基の保護基がフェノール性水酸基およびカルボキ
シル基の保護基に対応したカーバメイトを生成する保護
基であることが望ましい。
は、保護基を脱離させてL−スレオ−3−(3′,4′−
ジヒドロキシフェニル)−セリンへ導くことができる
が、脱保護基の観点からはフェノール性水酸基の保護基
およびカルボキシル基の保護基が同一であって、かつ、
アミノ基の保護基がフェノール性水酸基およびカルボキ
シル基の保護基に対応したカーバメイトを生成する保護
基であることが望ましい。
<発明の効果> 本発明によれば、L−スレオ−3−(3′,4′−ジヒ
ドリキシフェニル)−セリンの中間体として有用な光学
活性なスレオ−ジヒドロキシフェニルセリン誘導体
(I)が、ラセミ体の原料化合物であるケトン(II)か
ら一段で、かつ、高収率で製造することができる。
ドリキシフェニル)−セリンの中間体として有用な光学
活性なスレオ−ジヒドロキシフェニルセリン誘導体
(I)が、ラセミ体の原料化合物であるケトン(II)か
ら一段で、かつ、高収率で製造することができる。
しかも、高化学純度、高スレオ体比、好光学純度の上
記誘導体(I)が得られるので、適当な反応条件で保護
基を脱離させれば、容易に各種の薬理作用を有するL−
スレオ−3−(3′,4′−ジヒドロキシフェニル)−セ
リンへと導くことができる。
記誘導体(I)が得られるので、適当な反応条件で保護
基を脱離させれば、容易に各種の薬理作用を有するL−
スレオ−3−(3′,4′−ジヒドロキシフェニル)−セ
リンへと導くことができる。
<実施例> 以下、実施例により本発明を説明する。
参考例1 (1) 3,4−メチレンジオキシベンゾイルグリシンメ
チルエステルの合成 α−イソシアノ酢酸メチル(14.2g)のテトラヒドロ
フラン溶液(250ml)にトリエチルアミン(59ml)及び
ピペロニル酸クロライド(23.3g)のテトラヒドロフラ
ン溶液(40m)を滴下した後、室温で2日間撹拌した。
溶媒を減圧留去後、残渣を酢酸エチルに溶かし飽和食塩
水で洗浄した。酢酸エチル層を硫酸マグネシウムで乾燥
後、溶媒を減圧留去し、残渣をメタノールより再結晶し
て5−(3,4−メチレンジオキシ)フェニル−4−カル
ボメトキシオキサゾールを得た。
チルエステルの合成 α−イソシアノ酢酸メチル(14.2g)のテトラヒドロ
フラン溶液(250ml)にトリエチルアミン(59ml)及び
ピペロニル酸クロライド(23.3g)のテトラヒドロフラ
ン溶液(40m)を滴下した後、室温で2日間撹拌した。
溶媒を減圧留去後、残渣を酢酸エチルに溶かし飽和食塩
水で洗浄した。酢酸エチル層を硫酸マグネシウムで乾燥
後、溶媒を減圧留去し、残渣をメタノールより再結晶し
て5−(3,4−メチレンジオキシ)フェニル−4−カル
ボメトキシオキサゾールを得た。
融点130〜132℃ このオキサゾール誘導体(2.47g)を3N−塩酸(50m
l)とメタノール(100ml)の混合液に懸濁させ50〜60℃
で2時間撹拌した。溶媒を減圧留去し、残渣をメタノー
ル−酢酸エチルから再結晶して3,4−メチレンジオキシ
ベンゾイルグリシンメチルエステルの塩酸塩を得た。
l)とメタノール(100ml)の混合液に懸濁させ50〜60℃
で2時間撹拌した。溶媒を減圧留去し、残渣をメタノー
ル−酢酸エチルから再結晶して3,4−メチレンジオキシ
ベンゾイルグリシンメチルエステルの塩酸塩を得た。
融点170〜171℃ (2) DL−N−アセチル−3−(3′,4′−メチレン
ジオキシフェニル)−3−オキソ−アラニンメチルエス
テルの合成 (1)で得たグリシンメチルエステルの塩酸塩1gに無
水酢酸(5ml)を20〜30℃で滴下した。80℃で10分間撹
拌した、反応混合物に水を加え、酢酸エチルで抽出した
後、有機層を重曹水で洗浄し、分液した。溶媒を減圧留
去してDL−N−アセチル−3−(3′,4′−メチレンジ
オキシフェニル)−3−オキソ−アラニンメチルエステ
ルを得た。融点99〜101℃ 実施例1 DL−N−アセチル−3−(3′,4′−メチレンジオキ
シフェニル)−3−オキソ−アラニンメチルエステル1
g、RuBr2[(R)−BINAP]12mgおよび塩化メチレン20m
lをオートクレープ内にアルゴンガス気流下で仕込み、
水素圧100kg/cm2で撹拌しながら50℃で120時間反応させ
た。
ジオキシフェニル)−3−オキソ−アラニンメチルエス
テルの合成 (1)で得たグリシンメチルエステルの塩酸塩1gに無
水酢酸(5ml)を20〜30℃で滴下した。80℃で10分間撹
拌した、反応混合物に水を加え、酢酸エチルで抽出した
後、有機層を重曹水で洗浄し、分液した。溶媒を減圧留
去してDL−N−アセチル−3−(3′,4′−メチレンジ
オキシフェニル)−3−オキソ−アラニンメチルエステ
ルを得た。融点99〜101℃ 実施例1 DL−N−アセチル−3−(3′,4′−メチレンジオキ
シフェニル)−3−オキソ−アラニンメチルエステル1
g、RuBr2[(R)−BINAP]12mgおよび塩化メチレン20m
lをオートクレープ内にアルゴンガス気流下で仕込み、
水素圧100kg/cm2で撹拌しながら50℃で120時間反応させ
た。
反応終了後、溶媒を留去し、濃縮残渣をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー(溶出液……クロロホルム/メ
タノール10/1)で精製してL−スレオ−N−アセチル−
3−(3′,4′−メチレンジオキシフェニル)セリンメ
チルエステルを得た。(収率99.3%、スレオ/エリスロ
比99.6/0.4、L体比/D体比 97.1/2.9)融点182〜183
℃、▲〔α〕14 D▼+26.4゜ (c=0.504、クロロホルム/メタノール=1/1) 尚、RuBr2[(R)−BINAP]は 参考例2 DL−N−ベンジルオキシカルボニル−3−(3′,4′−
メチレンジオキシフェニル)−3−オキソ−アラニンメ
チルエステルの合成 テトラヒドロフランの代わりにベンゼンを用いる以外
は参考例1の(1)と同様に反応および後処理を行って
3,4−メチレンジオキシベンゾイルグリシンメチルエス
テル塩酸塩を得た。
ラムクロマトグラフィー(溶出液……クロロホルム/メ
タノール10/1)で精製してL−スレオ−N−アセチル−
3−(3′,4′−メチレンジオキシフェニル)セリンメ
チルエステルを得た。(収率99.3%、スレオ/エリスロ
比99.6/0.4、L体比/D体比 97.1/2.9)融点182〜183
℃、▲〔α〕14 D▼+26.4゜ (c=0.504、クロロホルム/メタノール=1/1) 尚、RuBr2[(R)−BINAP]は 参考例2 DL−N−ベンジルオキシカルボニル−3−(3′,4′−
メチレンジオキシフェニル)−3−オキソ−アラニンメ
チルエステルの合成 テトラヒドロフランの代わりにベンゼンを用いる以外
は参考例1の(1)と同様に反応および後処理を行って
3,4−メチレンジオキシベンゾイルグリシンメチルエス
テル塩酸塩を得た。
このグリシンメチルエステル塩酸塩(547mg)および
メタノール(30ml)の混合物に、氷冷下にKOH(264mg)
のメタノール(10ml)溶液を滴下した。次に、ベンジル
クロロホルメート(341mg)を滴下した。
メタノール(30ml)の混合物に、氷冷下にKOH(264mg)
のメタノール(10ml)溶液を滴下した。次に、ベンジル
クロロホルメート(341mg)を滴下した。
5℃で2時間撹拌後、不溶物を濾去し、溶媒を減圧留
去した。残渣をシリカゲルカラムクロマト(溶出液ジク
ロロメタン)で精製し、更にメタノールから結晶化して
DL−N−ベンジルオキシカルボニル−3−(3′,4′−
メチレンジオキシフェニル)−3−オキソ−アラニンメ
チルエステルを得た。融点95℃〜95.5℃ 実施例2 DL−N−アセチル−3−(3′,4′−メチレンジオキ
シフェニル)−3−オキソ−アラニンメチルエステルに
代えてDL−N−ベンジルオキシカルボニル−3−
(3′,4′−メチレンジオキシフェニル)−3−オキソ
−アラニンメチルエステルを使用する以外は、実施例1
と同様にして反応および後処理してL−スレオ−N−ベ
ンジルオキシカルボニル−3−(3′,4′−メチレンジ
オキシフェニル)−セリンメチルエステルを得た。
去した。残渣をシリカゲルカラムクロマト(溶出液ジク
ロロメタン)で精製し、更にメタノールから結晶化して
DL−N−ベンジルオキシカルボニル−3−(3′,4′−
メチレンジオキシフェニル)−3−オキソ−アラニンメ
チルエステルを得た。融点95℃〜95.5℃ 実施例2 DL−N−アセチル−3−(3′,4′−メチレンジオキ
シフェニル)−3−オキソ−アラニンメチルエステルに
代えてDL−N−ベンジルオキシカルボニル−3−
(3′,4′−メチレンジオキシフェニル)−3−オキソ
−アラニンメチルエステルを使用する以外は、実施例1
と同様にして反応および後処理してL−スレオ−N−ベ
ンジルオキシカルボニル−3−(3′,4′−メチレンジ
オキシフェニル)−セリンメチルエステルを得た。
(収率97.3%、スレオ/エリスト比 99.0/1.0、L体比
/D体比 95.8/4.2) 融点119〜120℃、▲〔α〕14 D▼−36.8゜(c=0.544,
クロロホルム)
/D体比 95.8/4.2) 融点119〜120℃、▲〔α〕14 D▼−36.8゜(c=0.544,
クロロホルム)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石墨 紀久夫 大阪府大阪市此花区春日出中3丁目1番 98号 住友製薬株式会社内 (72)発明者 寺島 徹 大阪府大阪市此花区春日出中3丁目1番 98号 住友製薬株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C07C 229/36,227/16 B01J 31/24 X C07B 53/00 B C07B 61/00 300 CAS ONLINE(STN)
Claims (3)
- 【請求項1】一般式 (式中、R1およびR2はそれぞれまたは両者が一緒になっ
てフェノール性水酸基の保護基を、R3はアミノ基の保護
基を、R4はカルボキシル基の保護基をそれぞれ表わ
す。) で示されるケトンを、溶媒中、一般式 (式中、Xは塩素原子、臭素原子またはアセトキシル基
を、R5は低級アルキル基を、Zはフェニル基またはp−
トリル基をそれぞれ表わす。nは0または1である。) で示される光学活性なルテニウムホスフィン錯体の存在
下に、不斉水素化することを特徴とする一般式 (式中、R1、R2、R3およびR4は前記と同じ意味であ
る。) で示される光学活性なスレオ−ジヒドロキシフェニルセ
リン誘導体の製造方法。 - 【請求項2】アミノ基の保護基がアミドを生成する保護
基である特許請求の範囲第1項に記載の光学活性なスレ
オ−ジヒドロキシフェニルセリン誘導体の製造方法。 - 【請求項3】アミノ基の保護基がカーバメイトを生成す
る保護基である特許請求の範囲第1項に記載の光学活性
なスレオ−ジヒドロキシフェニルセリン誘導体の製造方
法。
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-
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- 1989-12-21 EP EP89403599A patent/EP0375554B1/en not_active Expired - Lifetime
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JP2021528069A (ja) * | 2018-06-21 | 2021-10-21 | エッフェ・イ・エッセ − ファッブリカ・イタリアーナ・シンテテイチ・ソチエタ・ペル・アツィオーニF.I.S. − Fabbrica Italiana Sintetici S.p.A. | ドロキシドパ製造のための酵素法 |
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DE68906372D1 (de) | 1993-06-09 |
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EP0375554A2 (en) | 1990-06-27 |
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