JP2777027B2 - 光メモリ素子用フレキシブル基板の製造方法 - Google Patents
光メモリ素子用フレキシブル基板の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光により情報を記録、
再生、消去する光メモリ素子に用いられるフレキシブル
基板の製造方法に関するものである。
再生、消去する光メモリ素子に用いられるフレキシブル
基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、光メモリ素子は、一定の間隔で形
成された溝を有する基板の上に光記録媒体が形成された
構成からなっている。光ビームは、この溝を案内溝とし
て光メモリ素子の所望の位置に導かれ、情報の記録、再
生、消去が行なわれる。
成された溝を有する基板の上に光記録媒体が形成された
構成からなっている。光ビームは、この溝を案内溝とし
て光メモリ素子の所望の位置に導かれ、情報の記録、再
生、消去が行なわれる。
【０００３】この光メモリ素子の基板として、例えばガ
ラス及び硬質の樹脂材料が広く用いられている。しか
し、近年、生産性の向上及び基板の薄型化を目的とし
て、フィルム状あるいはシート状の柔軟な樹脂材料の使
用が検討されている。
ラス及び硬質の樹脂材料が広く用いられている。しか
し、近年、生産性の向上及び基板の薄型化を目的とし
て、フィルム状あるいはシート状の柔軟な樹脂材料の使
用が検討されている。
【０００４】柔軟な樹脂材料を基板として用いた場合、
切断を容易に行なえるため、光記録媒体を形成するため
の成膜を行なった後に打抜き加工を施して、所望の形状
をもつ個々の光メモリ素子を得ることができる。その結
果、連続した大面積の記録膜を成膜することが可能とな
る。また、大面積に形成された光記録媒体シートをロー
ル状に巻き取ることができるため、量産性が向上し、低
コストでの生産が可能となる。
切断を容易に行なえるため、光記録媒体を形成するため
の成膜を行なった後に打抜き加工を施して、所望の形状
をもつ個々の光メモリ素子を得ることができる。その結
果、連続した大面積の記録膜を成膜することが可能とな
る。また、大面積に形成された光記録媒体シートをロー
ル状に巻き取ることができるため、量産性が向上し、低
コストでの生産が可能となる。
【０００５】上記のような柔軟な樹脂材料からなるフレ
キシブル基板を用いた光メモリ素子の場合、基板の案内
溝は、例えば、プラスチックフィルムシートの表面に光
硬化性樹脂を塗布し、案内溝のパターンを形成したスタ
ンパを樹脂に押し付け、紫外線を照射して樹脂を硬化さ
せて形成される（通常２Ｐ法と呼ばれている）。光メモ
リ素子は、この案内溝が形成されたシートに記録膜を形
成した後に型抜きして作られるため、非常に安価な光メ
モリ素子が提供できることになる。
キシブル基板を用いた光メモリ素子の場合、基板の案内
溝は、例えば、プラスチックフィルムシートの表面に光
硬化性樹脂を塗布し、案内溝のパターンを形成したスタ
ンパを樹脂に押し付け、紫外線を照射して樹脂を硬化さ
せて形成される（通常２Ｐ法と呼ばれている）。光メモ
リ素子は、この案内溝が形成されたシートに記録膜を形
成した後に型抜きして作られるため、非常に安価な光メ
モリ素子が提供できることになる。
【０００６】溝が形成された基板の作成方法は上記以外
に熱プレス法も提案されている。この方法では、上記２
Ｐ法の光硬化性樹脂の代わりに熱可塑性樹脂又は熱硬化
性樹脂を用いてスタンパを押し付けると同時に加熱する
ことにより、樹脂に溝パターンを転写し溝付きの基板を
得る。また、熱可塑性プラスチックシートに直接スタン
パを押し付け加熱することで、溝パターンを転写し溝付
きの基板を得る方法もある。
に熱プレス法も提案されている。この方法では、上記２
Ｐ法の光硬化性樹脂の代わりに熱可塑性樹脂又は熱硬化
性樹脂を用いてスタンパを押し付けると同時に加熱する
ことにより、樹脂に溝パターンを転写し溝付きの基板を
得る。また、熱可塑性プラスチックシートに直接スタン
パを押し付け加熱することで、溝パターンを転写し溝付
きの基板を得る方法もある。
【０００７】ところで、上記の方法で作製したフレキシ
ブル基板を有する光ディスクに対する記録再生方法とし
て、いわゆるベルヌーイ方式が提案されている。この方
法は、平板の近傍で平板の面に平行に柔軟なフィルムを
高速で回転させると、フィルムの上下で圧力差が生じフ
ィルムが平板に吸い寄せられるために、フィルムの表面
の振れが抑えられ安定化する現象を利用するものであ
り、実際、光ビームで記録再生する場合に必要なフォー
カスサーボの能力を低減もしくはフォーカスサーボを無
くすことができるのではないかと期待されている。
ブル基板を有する光ディスクに対する記録再生方法とし
て、いわゆるベルヌーイ方式が提案されている。この方
法は、平板の近傍で平板の面に平行に柔軟なフィルムを
高速で回転させると、フィルムの上下で圧力差が生じフ
ィルムが平板に吸い寄せられるために、フィルムの表面
の振れが抑えられ安定化する現象を利用するものであ
り、実際、光ビームで記録再生する場合に必要なフォー
カスサーボの能力を低減もしくはフォーカスサーボを無
くすことができるのではないかと期待されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなベルヌー
イ方式を利用するためには、光ディスクに大きな柔軟性
が必要となる。しかし、上記のような製法により得られ
る溝付きの基板フィルムでは、光ディスクの径が小さく
なると次第に柔軟性がなくなり、ベルヌーイ方式が使い
にくくなるという問題点を有している。
イ方式を利用するためには、光ディスクに大きな柔軟性
が必要となる。しかし、上記のような製法により得られ
る溝付きの基板フィルムでは、光ディスクの径が小さく
なると次第に柔軟性がなくなり、ベルヌーイ方式が使い
にくくなるという問題点を有している。
【０００９】例えば、上記２Ｐ法で作製した基板では、
光硬化性樹脂層の厚みは１０μｍ前後であるため、ディ
スク径が３インチ以下の場合、柔軟性は殆どなくなって
いる。同様のことが、熱可塑性または熱硬化性樹脂をフ
ィルム表面に塗布し加熱する方式の熱プレス法により形
成された基板においても生じる。
光硬化性樹脂層の厚みは１０μｍ前後であるため、ディ
スク径が３インチ以下の場合、柔軟性は殆どなくなって
いる。同様のことが、熱可塑性または熱硬化性樹脂をフ
ィルム表面に塗布し加熱する方式の熱プレス法により形
成された基板においても生じる。
【００１０】また、プラスチックシートに直接熱プレス
する方法は、厚みが少ないために小さい径のディスクに
おいても柔軟性が失われず有望であるが、現在プラスチ
ックシートとして一般的に使われているＰＥＴ（ポリエ
チレンテレフタレート）フィルムは、この樹脂が結晶化
しやすいため、加熱後冷却した際にフィルムが白濁する
という問題点を有している。
する方法は、厚みが少ないために小さい径のディスクに
おいても柔軟性が失われず有望であるが、現在プラスチ
ックシートとして一般的に使われているＰＥＴ（ポリエ
チレンテレフタレート）フィルムは、この樹脂が結晶化
しやすいため、加熱後冷却した際にフィルムが白濁する
という問題点を有している。
【００１１】本発明は上記問題点に鑑み、ＰＥＴ等の安
価な結晶性フィルムに対しても溝形成ができ、溝形成後
もフィルム自体の柔軟性を有しているような溝付きのフ
レキシブル基板の作製方法を提供することにある。
価な結晶性フィルムに対しても溝形成ができ、溝形成後
もフィルム自体の柔軟性を有しているような溝付きのフ
レキシブル基板の作製方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の光メモリ素子用
フレキシブル基板は、上記の課題を解決するため、プラ
スチックからなるシートに光ビームを案内するための案
内溝が形成されたフレキシブル基板において、上記案内
溝がシート上に所定の間隔で形成された金属膜からなる
ことを特徴としている。
フレキシブル基板は、上記の課題を解決するため、プラ
スチックからなるシートに光ビームを案内するための案
内溝が形成されたフレキシブル基板において、上記案内
溝がシート上に所定の間隔で形成された金属膜からなる
ことを特徴としている。
【００１３】また、本発明のフレキシブル基板の作製方
法は、プラスチックからなるシートに溝が形成されたフ
レキシブル基板の製造方法において、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、
ポリフェニレンサルファイド、フッ素樹脂、ポリ塩化ビ
ニル、およびポリアクリレートからなる群より選ばれる
少なくとも１種からなるプラスチックシート上にＡｌ膜
からなる金属膜を形成する工程を含むとともに、プラス
チックシートをロールから送り出し、該プラスチックシ
ートをローラーに巻き取る間に、該金属膜上にフォトレ
ジストを塗布する工程と、上記フォトレジストに溝パタ
ーンが形成されたフォトマスクを用いて溝パターンを露
光転写する工程と、同一のアルカリ性の現像液により、
露光された部分のフォトレジストと露光された部分の金
属膜とを除去する工程と、未露光部のフォトレジストを
除去する工程とを含むことを特徴としている。
法は、プラスチックからなるシートに溝が形成されたフ
レキシブル基板の製造方法において、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、
ポリフェニレンサルファイド、フッ素樹脂、ポリ塩化ビ
ニル、およびポリアクリレートからなる群より選ばれる
少なくとも１種からなるプラスチックシート上にＡｌ膜
からなる金属膜を形成する工程を含むとともに、プラス
チックシートをロールから送り出し、該プラスチックシ
ートをローラーに巻き取る間に、該金属膜上にフォトレ
ジストを塗布する工程と、上記フォトレジストに溝パタ
ーンが形成されたフォトマスクを用いて溝パターンを露
光転写する工程と、同一のアルカリ性の現像液により、
露光された部分のフォトレジストと露光された部分の金
属膜とを除去する工程と、未露光部のフォトレジストを
除去する工程とを含むことを特徴としている。
【００１４】更に、上記作製方法において、プラスチッ
クからなるシートとして、ポリエチレンテレフタレート
からなるシートを用いてもよい。
クからなるシートとして、ポリエチレンテレフタレート
からなるシートを用いてもよい。
【００１５】
【作用】上記の構成により、本発明のフレキシブル基板
は、柔軟な金属膜により案内溝が形成されているので、
小型であっても柔軟性を損なわないフレキシブル基板と
なる。
は、柔軟な金属膜により案内溝が形成されているので、
小型であっても柔軟性を損なわないフレキシブル基板と
なる。
【００１６】また、上記の方法では、金属膜をＡｌから
なる膜としアルカリ性の現像液を用いることにより、露
光後の露光されたフォトレジストを現像液により除去す
る際に、露光された部分のＡｌ膜を除去する。
なる膜としアルカリ性の現像液を用いることにより、露
光後の露光されたフォトレジストを現像液により除去す
る際に、露光された部分のＡｌ膜を除去する。
【００１７】さらに、上記の方法においてポリエチレン
テレフタレートからなるシートを用いることにより、安
価にフレキシブル基板を製造できる。
テレフタレートからなるシートを用いることにより、安
価にフレキシブル基板を製造できる。
【００１８】
【実施例】本発明の一実施例について図１ないし図５に
基づいて説明すれば、以下の通りである。
基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００１９】本発明のフレキシブル基板１は、図１
（ｆ）に示すように、プラスチックフィルム２上に一定
の間隔を有する金属膜３ａ…が形成された構成である。
（ｆ）に示すように、プラスチックフィルム２上に一定
の間隔を有する金属膜３ａ…が形成された構成である。
【００２０】上記の基板１を作製する方法を以下に説明
する。
する。
【００２１】まず、図１（ａ）に示すように、プラスチ
ックフィルム２上に金属膜３を形成する。更に、図１
（ｂ）に示すように、金属膜３表面にフォトレジスト４
を塗布する。次に、図１（ｃ）に示すように、所望の溝
パターンを形成したフォトマスク５を使い、紫外線６に
より密着露光することで溝パターンをフォトレジスト４
に転写した後、現像液にて露光された部分のフォトレジ
スト４を除去し、金属膜３上に溝パターンに応じてフォ
トレジスト４ａ…が設けられたプラスチックフィルム２
を得る（図１（ｄ））。その後、図１（ｅ）に示すよう
に、露光部分の金属膜３を除去し、更に、未露光部のフ
ォトレジスト４ａを除去することにより、フレキシブル
基板１が得られる（図１（ｆ））。
ックフィルム２上に金属膜３を形成する。更に、図１
（ｂ）に示すように、金属膜３表面にフォトレジスト４
を塗布する。次に、図１（ｃ）に示すように、所望の溝
パターンを形成したフォトマスク５を使い、紫外線６に
より密着露光することで溝パターンをフォトレジスト４
に転写した後、現像液にて露光された部分のフォトレジ
スト４を除去し、金属膜３上に溝パターンに応じてフォ
トレジスト４ａ…が設けられたプラスチックフィルム２
を得る（図１（ｄ））。その後、図１（ｅ）に示すよう
に、露光部分の金属膜３を除去し、更に、未露光部のフ
ォトレジスト４ａを除去することにより、フレキシブル
基板１が得られる（図１（ｆ））。
【００２２】上記の作製工程で使用したフォトマスク５
は、例えば、図６に示すような方法で作製される。先
ず、石英基板４０にＴａ膜４１を形成し（図６
（ａ））、その上にスピンコート法によりレジスト膜４
２を形成し（図６（ｂ））、プリベーク後Ａｒレーザ光
４３を用いて所望の溝パターンをレジスト膜４２に形成
する（図６（ｃ））。現像、ポストベークの後（図６
（ｄ））、Ｔａ膜４１をＣＦ4 ガスでドライエッチング
し、残っているレジスト４２ａを酸素プラズマ下でアッ
シングにより除去すると、溝パターンが形成されたフォ
トマスク５が得られる（図６（ｅ））。
は、例えば、図６に示すような方法で作製される。先
ず、石英基板４０にＴａ膜４１を形成し（図６
（ａ））、その上にスピンコート法によりレジスト膜４
２を形成し（図６（ｂ））、プリベーク後Ａｒレーザ光
４３を用いて所望の溝パターンをレジスト膜４２に形成
する（図６（ｃ））。現像、ポストベークの後（図６
（ｄ））、Ｔａ膜４１をＣＦ4 ガスでドライエッチング
し、残っているレジスト４２ａを酸素プラズマ下でアッ
シングにより除去すると、溝パターンが形成されたフォ
トマスク５が得られる（図６（ｅ））。
【００２３】尚、上記のプラスチックフィルム２の材料
としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン
ナフタレート、ポリイミド、ポリフェニレンサルファイ
ド、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリアクリレート等
を使うことができる。
としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン
ナフタレート、ポリイミド、ポリフェニレンサルファイ
ド、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリアクリレート等
を使うことができる。
【００２４】また、金属膜の形成方法としては蒸着、ス
パッタリング法が用いられる。
パッタリング法が用いられる。
【００２５】本発明のフレキシブル基板を、ＰＥＴ（ポ
リエチレンテレフタレート）上にＡｌの金属膜が蒸着さ
れたＡｌ蒸着ＰＥＴフィルムを用いて作製する工程を、
以下に説明する。
リエチレンテレフタレート）上にＡｌの金属膜が蒸着さ
れたＡｌ蒸着ＰＥＴフィルムを用いて作製する工程を、
以下に説明する。
【００２６】図２に示すように、フィルム送出部のロー
ル１１から送り出されたＡｌ蒸着ＰＥＴフィルム１２
は、塗布部１３に送られ、そこでフォトレジスト（図示
せず）がフィルム１２のＡｌ膜表面に塗布される。
ル１１から送り出されたＡｌ蒸着ＰＥＴフィルム１２
は、塗布部１３に送られ、そこでフォトレジスト（図示
せず）がフィルム１２のＡｌ膜表面に塗布される。
【００２７】この時、形成されるフォトレジスト膜の膜
厚は０.1〜１μｍであり、好ましくは０.2〜０.5μｍで
ある。またフォトレジストは、例えばシップレイ社製ポ
ジ型レジスト（ＭＰ１４００−２７）が使用される。
厚は０.1〜１μｍであり、好ましくは０.2〜０.5μｍで
ある。またフォトレジストは、例えばシップレイ社製ポ
ジ型レジスト（ＭＰ１４００−２７）が使用される。
【００２８】フォトレジストが塗布されたフィルム１２
はプリベーク部１４に送られ、赤外線によりフォトレジ
ストが固められる。この後フィルム１２は露光部１６に
送られ、フォトレジストにフォトマスク１５のパターン
が転写される。
はプリベーク部１４に送られ、赤外線によりフォトレジ
ストが固められる。この後フィルム１２は露光部１６に
送られ、フォトレジストにフォトマスク１５のパターン
が転写される。
【００２９】ここでフォトマスク１５は、図３に示すよ
うに、フィルム１２の流れに沿って動き（図３
（ａ））、フィルム１２のフォトレジスト膜面に密着す
る（図３（ｂ））。この状態で、フォトマスク１５側か
ら紫外線が紫外線ランプ１６ａ…により照射され、フォ
トマスク１５のパターンがフォトレジスト面に露光転写
される（図３（ｃ））。露光終了後、フォトマスク１５
は元の位置に戻り（図３（ｄ））、同様の工程が繰り返
される。
うに、フィルム１２の流れに沿って動き（図３
（ａ））、フィルム１２のフォトレジスト膜面に密着す
る（図３（ｂ））。この状態で、フォトマスク１５側か
ら紫外線が紫外線ランプ１６ａ…により照射され、フォ
トマスク１５のパターンがフォトレジスト面に露光転写
される（図３（ｃ））。露光終了後、フォトマスク１５
は元の位置に戻り（図３（ｄ））、同様の工程が繰り返
される。
【００３０】次に、露光されたフィルム１２は、図２に
示すように、現像部１７に送られ、現像液２０に浸され
る。ここで現像液２０はアルカリ性であるので、露光さ
れた部分のフォトレジストは除去され、さらに除去され
たフォトレジストの下に形成されているＡｌ膜もフィル
ム１２から除去される。このため、この場合はフォトレ
ジストの除去工程と金属膜の除去工程は一つの工程にす
ることができる。
示すように、現像部１７に送られ、現像液２０に浸され
る。ここで現像液２０はアルカリ性であるので、露光さ
れた部分のフォトレジストは除去され、さらに除去され
たフォトレジストの下に形成されているＡｌ膜もフィル
ム１２から除去される。このため、この場合はフォトレ
ジストの除去工程と金属膜の除去工程は一つの工程にす
ることができる。
【００３１】フィルム１２はこの後、フォトレジスト剥
離部１８に送られ、未露光部のフォトレジストが除去さ
れる。フォトレジストを除去するための剥離液２１は、
一般にレジストリムーバとして市販されているものが用
いられる。このレジストリムーバ以外にアセトン等の有
機溶剤を使うことができるが、ＰＥＴフィルムを侵さな
いものを選択すべきことはいうまでもない。
離部１８に送られ、未露光部のフォトレジストが除去さ
れる。フォトレジストを除去するための剥離液２１は、
一般にレジストリムーバとして市販されているものが用
いられる。このレジストリムーバ以外にアセトン等の有
機溶剤を使うことができるが、ＰＥＴフィルムを侵さな
いものを選択すべきことはいうまでもない。
【００３２】フィルム１２は更に、乾燥部１９に送られ
赤外線等により熱乾燥され、最終的にローラー２２に巻
き取られる。
赤外線等により熱乾燥され、最終的にローラー２２に巻
き取られる。
【００３３】上記工程中、現像工程とフォトレジスト剥
離工程の間にフォトレジストのポストベーク工程を入れ
ても構わない。
離工程の間にフォトレジストのポストベーク工程を入れ
ても構わない。
【００３４】上記のようにして作製したフレキシブル基
板である溝パターン付フィルムに、情報が記録される光
記録媒体を形成し、必要に応じて反射金属膜、保護膜等
を形成し、最後に型抜きをすることにより、フレキシブ
ル光メモリ素子を得ることができる。また、先に溝パタ
ーン付フィルムの型抜きをし、その後光記録媒体を形成
し、必要に応じて反射金属膜、保護膜等を形成してもよ
い。
板である溝パターン付フィルムに、情報が記録される光
記録媒体を形成し、必要に応じて反射金属膜、保護膜等
を形成し、最後に型抜きをすることにより、フレキシブ
ル光メモリ素子を得ることができる。また、先に溝パタ
ーン付フィルムの型抜きをし、その後光記録媒体を形成
し、必要に応じて反射金属膜、保護膜等を形成してもよ
い。
【００３５】上記のようにして作製されたフレキシブル
基板を用いて、光記録媒体として光磁気記録媒体を形成
した例を次に示す。図４に示すように、光メモリ素子２
３は、上記の方法で作製したフレキシブル基板２４上に
磁性膜であるＤｙＦｅＣｏ膜２８をＡｌＮ膜２７・２７
で挟んだ形でスパッタリング形成され、その表面とフィ
ルム２５表面とに光硬化性樹脂膜３０・３１が保護膜と
して形成されている。
基板を用いて、光記録媒体として光磁気記録媒体を形成
した例を次に示す。図４に示すように、光メモリ素子２
３は、上記の方法で作製したフレキシブル基板２４上に
磁性膜であるＤｙＦｅＣｏ膜２８をＡｌＮ膜２７・２７
で挟んだ形でスパッタリング形成され、その表面とフィ
ルム２５表面とに光硬化性樹脂膜３０・３１が保護膜と
して形成されている。
【００３６】この構成の光メモリ素子２３では、情報の
記録、再生、消去は記録媒体面側、即ち図中上側から行
なわれ、Ａｌ膜２６は案内溝を形成すると共に反射膜の
役目も果たすことになる。
記録、再生、消去は記録媒体面側、即ち図中上側から行
なわれ、Ａｌ膜２６は案内溝を形成すると共に反射膜の
役目も果たすことになる。
【００３７】しかし、Ａｌ膜面は空気中及び種々の薬品
にさらされることにより表面が酸化され反射率の低下が
生じる。このため、高い反射率が必要とされる場合に
は、図５に示すように、ＡｌＮ膜２７の上にＡｌ，Ａ
ｕ，Ａｇ等の金属膜からなる反射膜３２を形成した構成
にすればよい。この場合は、情報の記録、再生、消去は
フィルム２５面側から行なわれることになる。
にさらされることにより表面が酸化され反射率の低下が
生じる。このため、高い反射率が必要とされる場合に
は、図５に示すように、ＡｌＮ膜２７の上にＡｌ，Ａ
ｕ，Ａｇ等の金属膜からなる反射膜３２を形成した構成
にすればよい。この場合は、情報の記録、再生、消去は
フィルム２５面側から行なわれることになる。
【００３８】
【発明の効果】本発明の光メモリ素子用フレキシブル基
板は、以上のように、案内溝がプラスチックシート上に
所定の間隔で形成された金属膜からなる構成である。
板は、以上のように、案内溝がプラスチックシート上に
所定の間隔で形成された金属膜からなる構成である。
【００３９】また、本発明の光メモリ素子用フレキシブ
ル基板の製造方法は、以上のように、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、
ポリフェニレンサルファイド、フッ素樹脂、ポリ塩化ビ
ニル、およびポリアクリレートからなる群より選ばれる
少なくとも１種からなるプラスチックシート上にＡｌ膜
からなる金属膜を形成する工程を含むとともに、プラス
チックシートをロールから送り出し、該プラスチックシ
ートをローラーに巻き取る間に、該金属膜上にフォトレ
ジストを塗布する工程と、上記フォトレジストに溝パタ
ーンが形成されたフォトマスクを用いて溝パターンを露
光転写する工程と、同一のアルカリ性の 現像液により、
露光された部分のフォトレジストと露光された部分の金
属膜とを除去する工程と、未露光部のフォトレジストを
除去する工程とを含む方法である。
ル基板の製造方法は、以上のように、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、
ポリフェニレンサルファイド、フッ素樹脂、ポリ塩化ビ
ニル、およびポリアクリレートからなる群より選ばれる
少なくとも１種からなるプラスチックシート上にＡｌ膜
からなる金属膜を形成する工程を含むとともに、プラス
チックシートをロールから送り出し、該プラスチックシ
ートをローラーに巻き取る間に、該金属膜上にフォトレ
ジストを塗布する工程と、上記フォトレジストに溝パタ
ーンが形成されたフォトマスクを用いて溝パターンを露
光転写する工程と、同一のアルカリ性の 現像液により、
露光された部分のフォトレジストと露光された部分の金
属膜とを除去する工程と、未露光部のフォトレジストを
除去する工程とを含む方法である。
【００４０】それゆえ、柔軟な金属膜により案内溝が形
成されているので、小型であっても柔軟性を損なわない
フレキシブル基板が得られるという効果を奏する。
成されているので、小型であっても柔軟性を損なわない
フレキシブル基板が得られるという効果を奏する。
【００４１】さらに、上記方法では、金属膜をＡｌから
なる膜としアルカリ性の現像液を用いることにより、露
光後の露光されたフォトレジストを現像液により除去す
る際に、Ａｌ膜を除去する。その結果、製造工程におい
て、工程数を減少させることができ、製造コストの削減
が図れるという効果も併せて奏する。
なる膜としアルカリ性の現像液を用いることにより、露
光後の露光されたフォトレジストを現像液により除去す
る際に、Ａｌ膜を除去する。その結果、製造工程におい
て、工程数を減少させることができ、製造コストの削減
が図れるという効果も併せて奏する。
【００４２】また、上記方法においてポリエチレンテレ
フタレートからなるシートを用いることにより、安価に
フレキシブル基板を製造できるという効果も奏する。
フタレートからなるシートを用いることにより、安価に
フレキシブル基板を製造できるという効果も奏する。
【図１】本発明のフレキシブル基板を作製する工程を示
す概略縦断面図である。
す概略縦断面図である。
【図２】本発明のフレキシブル基板を作製する工程を示
す説明図である。
す説明図である。
【図３】図２の工程の一部分を示す説明図である。
【図４】本発明のフレキシブル基板を用いた光ディスク
の構成を示す概略縦断面図である。
の構成を示す概略縦断面図である。
【図５】本発明のフレキシブル基板を用いた光ディスク
の構成を示す概略縦断面図である。
の構成を示す概略縦断面図である。
【図６】図１で用いられるフォトマスクを作製する工程
を示す概略縦断面図である。
を示す概略縦断面図である。
１ フレキシブル基板 ２ プラスチックフィルム ３ 金属膜 ４ フォトレジスト
フロントページの続き (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−195737（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−11326（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−14746（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 7/26 521 G11B 7/24 561 B41M 5/26
Claims (2)
- 【請求項１】プラスチックからなるシートに溝が形成さ
れたフレキシブル基板の製造方法において、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレー
ト、ポリイミド、ポリフェニレンサルファイド、フッ素
樹脂、ポリ塩化ビニル、およびポリアクリレートからな
る群より選ばれる少なくとも１種からなる プラスチック
シート上にＡｌ膜からなる金属膜を形成する工程を含む
とともに、プラスチックシートをロールから送り出し、該プラスチ
ックシートをローラーに巻き取る間に、 該金属膜上にフォトレジストを塗布する工程と、 上記フォトレジストに溝パターンが形成されたフォトマ
スクを用いて溝パターンを露光転写する工程と、同一のアルカリ性の現像液により、 露光された部分のフ
ォトレジストと露光された部分の金属膜とを除去する工
程と、 未露光部のフォトレジストを除去する工程とを含むこと
を特徴とする光メモリ素子用フレキシブル基板の製造方
法。 - 【請求項２】プラスチックがポリエチレンテレフタレー
トであることを特徴とする請求項１に記載の光メモリ素
子用フレキシブル基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4242935A JP2777027B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 光メモリ素子用フレキシブル基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4242935A JP2777027B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 光メモリ素子用フレキシブル基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0696473A JPH0696473A (ja) | 1994-04-08 |
| JP2777027B2 true JP2777027B2 (ja) | 1998-07-16 |
Family
ID=17096410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4242935A Expired - Fee Related JP2777027B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 光メモリ素子用フレキシブル基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2777027B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2373200A (en) * | 1999-02-05 | 2000-08-25 | Alien Technology Corporation | Apparatuses and methods for forming assemblies |
| US6620487B1 (en) | 2000-11-21 | 2003-09-16 | United States Gypsum Company | Structural sheathing panels |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62195737A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-28 | Canon Inc | 光記録媒体 |
| JPS6311326A (ja) * | 1986-07-02 | 1988-01-18 | Toray Ind Inc | 光学記録体用フイルム及びその製造方法 |
| JPS6414746A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-18 | Toshiba Corp | Production of optical memory pattern |
-
1992
- 1992-09-11 JP JP4242935A patent/JP2777027B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0696473A (ja) | 1994-04-08 |
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