JP2776517B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JP2776517B2 JP2776517B2 JP63241410A JP24141088A JP2776517B2 JP 2776517 B2 JP2776517 B2 JP 2776517B2 JP 63241410 A JP63241410 A JP 63241410A JP 24141088 A JP24141088 A JP 24141088A JP 2776517 B2 JP2776517 B2 JP 2776517B2
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- Japan
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- turned
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- switch
- transistor
- output
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、特に出力トランジスタに
NチャネルMOSトランジスタを用いたソースタイプ出力
のパワーMOS回路のゲートドライブ回路に関する。
NチャネルMOSトランジスタを用いたソースタイプ出力
のパワーMOS回路のゲートドライブ回路に関する。
従来、この種のゲートドライブ回路は、一例として第
4図に示す回路があり、コントロール回路1、チャージ
ポンプ回路13およびトランジスタ6,7とで構成してい
た。
4図に示す回路があり、コントロール回路1、チャージ
ポンプ回路13およびトランジスタ6,7とで構成してい
た。
このゲートドライブ回路は、出力トランジスタ6をオ
ン(ON)にするときはチャージポンプ回路13を作動して
出力トランジスタ6のゲート容量4(CGD),5(CGS)を
充電していき、トランジスタ6が十分オンできる電圧ま
で充電し、出力トランジスタ6がオンの間はチャージポ
ンプ回路13の動作を継続し、トランジスタ7はオフ(OF
F)にしておく。
ン(ON)にするときはチャージポンプ回路13を作動して
出力トランジスタ6のゲート容量4(CGD),5(CGS)を
充電していき、トランジスタ6が十分オンできる電圧ま
で充電し、出力トランジスタ6がオンの間はチャージポ
ンプ回路13の動作を継続し、トランジスタ7はオフ(OF
F)にしておく。
また、トランジスタ6をオフにするときは、チャージ
ポンプ回路13の動作を停止し、トランジスタ7をオンに
して出力トランジスタ6のゲート11の電位を下げる。
ポンプ回路13の動作を停止し、トランジスタ7をオンに
して出力トランジスタ6のゲート11の電位を下げる。
上述した従来のゲートドライブ回路は、その回路動作
において、出力トランジスタ6をオフするときは高速に
オフすることができるが、出力トランジスタ6をオンす
るときはチャージポンプ回路13によるゲート容量4,5へ
の充電を行うため高速にオンできないという欠点があ
り、また出力トランジスタ6がオンの間は常にチャージ
ポンプ回路13が動作しているため消費電力が大きいとい
う欠点があった。
において、出力トランジスタ6をオフするときは高速に
オフすることができるが、出力トランジスタ6をオンす
るときはチャージポンプ回路13によるゲート容量4,5へ
の充電を行うため高速にオンできないという欠点があ
り、また出力トランジスタ6がオンの間は常にチャージ
ポンプ回路13が動作しているため消費電力が大きいとい
う欠点があった。
本発明の目的は、このような欠点を除き、チャージポ
ンプ回路を用いた回路の出力トランジスタをオンにする
動作時間(ターンオン時間)を速くすると共に、出力ト
ランジスタのオンの間の消費電力の小さくした半導体装
置を提供することにある。
ンプ回路を用いた回路の出力トランジスタをオンにする
動作時間(ターンオン時間)を速くすると共に、出力ト
ランジスタのオンの間の消費電力の小さくした半導体装
置を提供することにある。
本発明の半導体装置は、MOSトランジスタをソースフ
ォロア出力トランジスタとして用い、前記MOSトランジ
スタをオンさせるときはそのゲートをチャージポンプ回
路の出力で充電し、オフさせるときはそのゲートに充電
された電荷を放電させる半導体装置において、前記チャ
ージポンプ回路として自己電圧補償型チャージポンプ回
路を使用し、前記MOSトランジスタがオンするに先だっ
て前記自己電圧補償型チャージポンプ回路を動作させて
その出力端子に接続されたコンデンサに出力電荷を蓄え
ておき、前記自己電圧補償型チャージポンプ回路の出力
端子と前記MOSトランジスタのゲートを接続する第1の
スイッチと、前記MOSトランジスタのゲートを放電させ
る第2のスイッチとを設け、前記MOSトランジスタをオ
ンさせるときは前記第1のスイッチをオンし第2のスイ
ッチをオフし、前記MOSトランジスタをオフさせるとき
は前記第1のスイッチをオフし前記第2のスイッチをオ
ンすることを特徴とする。
ォロア出力トランジスタとして用い、前記MOSトランジ
スタをオンさせるときはそのゲートをチャージポンプ回
路の出力で充電し、オフさせるときはそのゲートに充電
された電荷を放電させる半導体装置において、前記チャ
ージポンプ回路として自己電圧補償型チャージポンプ回
路を使用し、前記MOSトランジスタがオンするに先だっ
て前記自己電圧補償型チャージポンプ回路を動作させて
その出力端子に接続されたコンデンサに出力電荷を蓄え
ておき、前記自己電圧補償型チャージポンプ回路の出力
端子と前記MOSトランジスタのゲートを接続する第1の
スイッチと、前記MOSトランジスタのゲートを放電させ
る第2のスイッチとを設け、前記MOSトランジスタをオ
ンさせるときは前記第1のスイッチをオンし第2のスイ
ッチをオフし、前記MOSトランジスタをオフさせるとき
は前記第1のスイッチをオフし前記第2のスイッチをオ
ンすることを特徴とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例のブロック図、第2図は第
1図の自己電圧補償型チャージポンプの回路図である。
自己電圧補償型チャージポンプ2は、その出力8が出力
トランジスタ6を十分オンとできる電圧になっているこ
とをモニターし、ある電圧より低くなればチャージポン
プ2を作動させて信号8の電位を上げ、そしてある電圧
より高くなれはチャージポンプ2は動作を停止するもの
とする。スイッチ3及びトランジスタ7はコントロール
回路1でON−OFFをコントロールしている。
1図の自己電圧補償型チャージポンプの回路図である。
自己電圧補償型チャージポンプ2は、その出力8が出力
トランジスタ6を十分オンとできる電圧になっているこ
とをモニターし、ある電圧より低くなればチャージポン
プ2を作動させて信号8の電位を上げ、そしてある電圧
より高くなれはチャージポンプ2は動作を停止するもの
とする。スイッチ3及びトランジスタ7はコントロール
回路1でON−OFFをコントロールしている。
この回路の動作を出力トランジスタ6のオン状態、
オンからオフの状態、オフ状態、オフからオン状
態の4つの場合につけて説明する。
オンからオフの状態、オフ状態、オフからオン状
態の4つの場合につけて説明する。
まず、第1の出力トランジスタ6のオン状態では、ト
ランジスタ7はオフ、スイッチ3はオン(導通状態)し
ており、スイッチ3の入力端8の電位が出力トランジス
タ6のゲートに伝えられており、前述のように入力端8
の電位は出力トランジスタ6を十分オンできる電圧に充
電されている。
ランジスタ7はオフ、スイッチ3はオン(導通状態)し
ており、スイッチ3の入力端8の電位が出力トランジス
タ6のゲートに伝えられており、前述のように入力端8
の電位は出力トランジスタ6を十分オンできる電圧に充
電されている。
次に、第2の出力トランジスタ6のオンからオフの状
態では、スイッチ3をオフとし、トランジスタ7をオン
にする。出力トランジスタ6のゲート11の電位は接地レ
ベルになり、出力トランジスタ6はオフとなる。
態では、スイッチ3をオフとし、トランジスタ7をオン
にする。出力トランジスタ6のゲート11の電位は接地レ
ベルになり、出力トランジスタ6はオフとなる。
次に、出力トランジスタ6のオフ状態はスイッチ3が
オフ、トランジスタ7がオンの状態にあるが、チャージ
ポンプ2の出力端8の電位は出力トランジスタ6を十分
オンできる電圧を保持している。もし何らかの影響で出
力端8の電位が下がったとしても自己電圧補償型チャー
ジポンプ回路2が自己電圧補償を行って所定電圧を常に
保っている。
オフ、トランジスタ7がオンの状態にあるが、チャージ
ポンプ2の出力端8の電位は出力トランジスタ6を十分
オンできる電圧を保持している。もし何らかの影響で出
力端8の電位が下がったとしても自己電圧補償型チャー
ジポンプ回路2が自己電圧補償を行って所定電圧を常に
保っている。
次に、出力トランジスタ6がオフからオンとなる状態
では、トランジスタ7がオフしスイッチ3がオンにな
る、このとき接地レベルにあった出力トランジスタ6の
ゲート11の電位は、コンデンサ9に蓄えられた電荷によ
り急速に充電され出力トランジスタ6は高速にオンとな
る。
では、トランジスタ7がオフしスイッチ3がオンにな
る、このとき接地レベルにあった出力トランジスタ6の
ゲート11の電位は、コンデンサ9に蓄えられた電荷によ
り急速に充電され出力トランジスタ6は高速にオンとな
る。
ここでコンデンサ9の他端が本実施例では接地されて
いるが、これは電源VDDに接続されても、他の固定電位
に接続されてもよいことは明らかである。
いるが、これは電源VDDに接続されても、他の固定電位
に接続されてもよいことは明らかである。
第3図は第1図の自己電圧制御補償型チャージポンプ
回路2の一例のブロック図である。この回路は、発振回
路21,チャージポンプ回路22および電圧検出器23から構
成される。チャージポンプ回路22の出力電圧が昇圧する
時、その電圧を電圧検出器23で監視しておき、所定電圧
より低くなった時には発振回路21を作動させてチャージ
ポンプ回路22を駆動して電圧を上昇させる。この電圧が
十分昇圧したことを電圧検出器23が確認すると、発振回
路21を休止させる。このようにしてスタンバイ時の消費
電力を低減させることが出来る。
回路2の一例のブロック図である。この回路は、発振回
路21,チャージポンプ回路22および電圧検出器23から構
成される。チャージポンプ回路22の出力電圧が昇圧する
時、その電圧を電圧検出器23で監視しておき、所定電圧
より低くなった時には発振回路21を作動させてチャージ
ポンプ回路22を駆動して電圧を上昇させる。この電圧が
十分昇圧したことを電圧検出器23が確認すると、発振回
路21を休止させる。このようにしてスタンバイ時の消費
電力を低減させることが出来る。
第2図は本発明の第2の実施例のブロック図である。
本実施例は、自己電圧補償型のチャージポンプ2とコン
デンサ9とスイッチ回路3を備える点が、第1の実施例
と同様であるが、本実施例では出力トランジスタ6をOF
Fさせるためのトランジスタ(第1図のトランジスタ7
とインバータ10)をなくし、出力トランジスタ6をOFF
させる動作もスイッチ回路3′に含めた構成としてい
る。このスイッチ回路3′の動作は、出力トランジスタ
6がONのときはスイッチ3の出力端11と入力端8とが導
通し、出力トランジスタ6がOFFのときは出力端11が接
地に導通するように働く。
本実施例は、自己電圧補償型のチャージポンプ2とコン
デンサ9とスイッチ回路3を備える点が、第1の実施例
と同様であるが、本実施例では出力トランジスタ6をOF
Fさせるためのトランジスタ(第1図のトランジスタ7
とインバータ10)をなくし、出力トランジスタ6をOFF
させる動作もスイッチ回路3′に含めた構成としてい
る。このスイッチ回路3′の動作は、出力トランジスタ
6がONのときはスイッチ3の出力端11と入力端8とが導
通し、出力トランジスタ6がOFFのときは出力端11が接
地に導通するように働く。
このゲートドライブ回路としての動作は第1の実施例
と同様である。
と同様である。
以上説明したように本発明は、チャージポンプ回路
と、チャージポンプの出力電荷を蓄えておくためのコン
デンサと、チャージポンプの出力と出力トランジスタの
ゲートの間にスイッチ回路を設けた構成とすることによ
り、ターンオン時間を速くする効果がある。更にチャー
ジポンプ回路を自己電圧補償型にすることにより、ゲー
トドライブ回路としての消費電力を低減することができ
るという効果がある。
と、チャージポンプの出力電荷を蓄えておくためのコン
デンサと、チャージポンプの出力と出力トランジスタの
ゲートの間にスイッチ回路を設けた構成とすることによ
り、ターンオン時間を速くする効果がある。更にチャー
ジポンプ回路を自己電圧補償型にすることにより、ゲー
トドライブ回路としての消費電力を低減することができ
るという効果がある。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の第1の実施例のブロック図、第2図は
第1図に用いる自己電圧補償型チャージポンプ回路のブ
ロック図、第3図は本発明の第2の実施例のブロック
図、第4図は従来のゲートドライブ回路の一例のブロッ
ク図である。 1……コントロール回路、2……自己電圧補償型チャー
ジポンプ回路、3……スイッチ回路、4,5……ゲート容
量、6……出力トランジスタ(NチャンネルMOSFET)、
7……MOSトランジスタ、9……コンデンサ、10……イ
ンバータ、13,22……チャージポンプ回路、15……入力
端子、11,16……出力端子、21……発振回路、23……電
圧検出器。
第1図に用いる自己電圧補償型チャージポンプ回路のブ
ロック図、第3図は本発明の第2の実施例のブロック
図、第4図は従来のゲートドライブ回路の一例のブロッ
ク図である。 1……コントロール回路、2……自己電圧補償型チャー
ジポンプ回路、3……スイッチ回路、4,5……ゲート容
量、6……出力トランジスタ(NチャンネルMOSFET)、
7……MOSトランジスタ、9……コンデンサ、10……イ
ンバータ、13,22……チャージポンプ回路、15……入力
端子、11,16……出力端子、21……発振回路、23……電
圧検出器。
Claims (1)
- 【請求項1】MOSトランジスタをソースフォロア出力ト
ランジスタとして用い、前記MOSトランジスタをオンさ
せるときはそのゲートをチャージポンプ回路の出力で充
電し、オフさせるときはそのゲートに充電された電荷を
放電させる半導体装置において、前記チャージポンプ回
路として自己電圧補償型チャージポンプ回路を使用し、
前記MOSトランジスタがオンするに先だって前記自己電
圧補償型チャージポンプ回路を動作させてその出力端子
に接続されたコンデンサに出力電荷を蓄えておき、前記
自己電圧補償型チャージポンプ回路の出力端子と前記MO
Sトランジスタのゲートを接続する第1のスイッチと、
前記MOSトランジスタのゲートを放電させる第2のスイ
ッチとを設け、前記MOSトランジスタをオンさせるとき
は前記第1のスイッチをオンし第2のスイッチをオフ
し、前記MOSトランジスタをオフさせるときは前記第1
のスイッチをオフし前記第2のスイッチをオンすること
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63241410A JP2776517B2 (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63241410A JP2776517B2 (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0287818A JPH0287818A (ja) | 1990-03-28 |
JP2776517B2 true JP2776517B2 (ja) | 1998-07-16 |
Family
ID=17073876
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63241410A Expired - Lifetime JP2776517B2 (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2776517B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3325697B2 (ja) * | 1994-01-20 | 2002-09-17 | 三菱電機株式会社 | パワーデバイスの制御装置およびモータの駆動制御装置 |
CN1522495A (zh) * | 2000-02-23 | 2004-08-18 | 坡契夫斯脱罗姆基督教大学 | 金属氧化物半导体场效应晶体管的驱动电路和方法 |
JP4199706B2 (ja) | 2004-07-13 | 2008-12-17 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 降圧回路 |
JP6208504B2 (ja) * | 2013-09-12 | 2017-10-04 | ローム株式会社 | 出力回路、出力トランジスタの駆動回路、電子機器 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6113594A (ja) * | 1984-06-27 | 1986-01-21 | ホ−ヤ株式会社 | 薄膜el素子の封止方法 |
JPS61210596A (ja) * | 1985-03-15 | 1986-09-18 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリ装置 |
-
1988
- 1988-09-26 JP JP63241410A patent/JP2776517B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0287818A (ja) | 1990-03-28 |
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