JP2773369B2 - 炭化珪素膜を有する物品の製造方法 - Google Patents
炭化珪素膜を有する物品の製造方法Info
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- JP2773369B2 JP2773369B2 JP2073202A JP7320290A JP2773369B2 JP 2773369 B2 JP2773369 B2 JP 2773369B2 JP 2073202 A JP2073202 A JP 2073202A JP 7320290 A JP7320290 A JP 7320290A JP 2773369 B2 JP2773369 B2 JP 2773369B2
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Description
【発明の詳細な説明】 イ）発明の目的 〔本発明の利用分野〕 本発明は半導体基板等に有用な炭化珪素膜を有する物
品の製造方法に関するものである。
品の製造方法に関するものである。
［従来の技術］ 炭化珪素膜を有する物品、例えば半導体基板は機械
的、化学的にきわめて安定で、放射線損傷にも強い広い
禁制帯幅を有し、高温動作素子、高信頼性素子、耐放射
線素子用の基板として期待されている。また広い禁制帯
幅を有する事により、可視域での発光が可能であり、発
光素子としても注目され、またヘテロバイポーラトラン
ジスタ（HBT）の材料としても有用である。
的、化学的にきわめて安定で、放射線損傷にも強い広い
禁制帯幅を有し、高温動作素子、高信頼性素子、耐放射
線素子用の基板として期待されている。また広い禁制帯
幅を有する事により、可視域での発光が可能であり、発
光素子としても注目され、またヘテロバイポーラトラン
ジスタ（HBT）の材料としても有用である。
炭化珪素は結晶多形（ポリタイプと称される）型であ
り、半導体基板としてはα−SiCまたはβ−SiCが主に用
いられる。α−SiCは高温で成長する結晶構造であり、
β−SiCはα−SiCに比べ低温で成長する結晶構造であ
る。また成長に用いる基板の種類や成長温度によって、
多結晶の結晶構造をとったり、非晶質構造となることも
ある。
り、半導体基板としてはα−SiCまたはβ−SiCが主に用
いられる。α−SiCは高温で成長する結晶構造であり、
β−SiCはα−SiCに比べ低温で成長する結晶構造であ
る。また成長に用いる基板の種類や成長温度によって、
多結晶の結晶構造をとったり、非晶質構造となることも
ある。
化学気相成長法（CVD法）により炭化珪素膜を物品上
に成長させる方法では、成長温度や使用する物品等によ
り、上記の結晶構造の異なる炭化珪素膜が形成される。
に成長させる方法では、成長温度や使用する物品等によ
り、上記の結晶構造の異なる炭化珪素膜が形成される。
従来、炭化珪素膜を有する物品の製造においては、珪
素原料（例えばSiH4、Si2H6等）と炭化原料（C2H2、C3H
8等）を用いて物品上に気相成長を行っているが、この
方法では、炭化珪素の単結晶膜の形成においては1300℃
以上の高温が必要であり、また多結晶膜の形成において
も、均一な結晶性のよい多結晶膜を成長させるには1100
℃以上の高温が必要であった。そのため用いる物品に熱
負荷がかかり、炭化珪素膜と物品の界面に熱的な歪が発
生し、結晶欠陥の発生原因となっていた。
素原料（例えばSiH4、Si2H6等）と炭化原料（C2H2、C3H
8等）を用いて物品上に気相成長を行っているが、この
方法では、炭化珪素の単結晶膜の形成においては1300℃
以上の高温が必要であり、また多結晶膜の形成において
も、均一な結晶性のよい多結晶膜を成長させるには1100
℃以上の高温が必要であった。そのため用いる物品に熱
負荷がかかり、炭化珪素膜と物品の界面に熱的な歪が発
生し、結晶欠陥の発生原因となっていた。
また、シリコン等の、炭化珪素とは異種の素材からな
る物品上に炭化珪素膜を形成する場合は、直接炭化珪素
膜を物品上に形成させることは困難であり、前処理工程
として、物品表面を炭化水素等で高温で処理して炭化す
る必要があり、炭化珪素膜の製造工程が複雑となってい
た。
る物品上に炭化珪素膜を形成する場合は、直接炭化珪素
膜を物品上に形成させることは困難であり、前処理工程
として、物品表面を炭化水素等で高温で処理して炭化す
る必要があり、炭化珪素膜の製造工程が複雑となってい
た。
本発明者らは、物品への結晶性炭化珪素膜の成長温度
を大幅に低下させ、物品と成長膜との間の歪みや結晶欠
陥を無くし、更に炭化等の前処理工程を行わずして結晶
性炭化珪素膜を成長させ得る、効率的な結晶性炭化珪素
膜を有する物品の製造方法につき鋭意研究した結果、本
発明を完成した。
を大幅に低下させ、物品と成長膜との間の歪みや結晶欠
陥を無くし、更に炭化等の前処理工程を行わずして結晶
性炭化珪素膜を成長させ得る、効率的な結晶性炭化珪素
膜を有する物品の製造方法につき鋭意研究した結果、本
発明を完成した。
ロ）発明の構成 〔課題を解決するための手段］ 本発明は、シラン化合物と炭化水素からなる混合ガス
中にガス状のアルキルアルミニウムまたはそのハロゲン
化物を存在させ、800〜1250℃において熱化学気相成長
により、シリコン単結晶基板又は炭化珪素単結晶基板
に、結晶性炭化珪素膜を形成させることを特徴とする結
晶性炭化珪素膜を有する物品の製造方法である。
中にガス状のアルキルアルミニウムまたはそのハロゲン
化物を存在させ、800〜1250℃において熱化学気相成長
により、シリコン単結晶基板又は炭化珪素単結晶基板
に、結晶性炭化珪素膜を形成させることを特徴とする結
晶性炭化珪素膜を有する物品の製造方法である。
本発明において、結晶性炭化珪素膜を気相成長させる
為に用いる物品は、シリコン単結晶基板又は炭化珪素単
結晶基板である。
為に用いる物品は、シリコン単結晶基板又は炭化珪素単
結晶基板である。
結晶性炭化珪素膜の原料ガスであるシラン化合物およ
び炭化水素は、従来の炭化珪素膜のCVDに用いられてい
るものでよく、シラン化合物としては例えばモノシラ
ン、ジシラン等が挙げられ、特にジシランが好ましい。
炭化水素としてはメタン、エタン等の飽和炭化水素、エ
チレン、プロペン等の二重結合またはアセチレン、プロ
ピン等の三重結合を有する不飽和炭化水素等が挙げら
れ、更に好ましくは不飽和炭化水素、特に好ましくはア
セチレン、プロピン等の三重結合を有する不飽和炭化水
素であり、アセチレンが最適である。
び炭化水素は、従来の炭化珪素膜のCVDに用いられてい
るものでよく、シラン化合物としては例えばモノシラ
ン、ジシラン等が挙げられ、特にジシランが好ましい。
炭化水素としてはメタン、エタン等の飽和炭化水素、エ
チレン、プロペン等の二重結合またはアセチレン、プロ
ピン等の三重結合を有する不飽和炭化水素等が挙げら
れ、更に好ましくは不飽和炭化水素、特に好ましくはア
セチレン、プロピン等の三重結合を有する不飽和炭化水
素であり、アセチレンが最適である。
各原料ガスは単独で、あるいは希釈ガスと共に反応系
に供給することができる。希釈ガスとしては、水素、あ
るいは窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスが挙げ
られ、好ましくは水素が用いられる。希釈ガスを用いた
場合の各原料と希釈ガスの割合は、シラン化合物または
炭化水素と、希釈ガスの合計量基準で、シラン化合物に
ついては珪素原子換算で0.0001vol％〜10vol％、炭化水
素についてはメタン換算で0.0001vol％〜10vol％とする
ことが好ましい。
に供給することができる。希釈ガスとしては、水素、あ
るいは窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスが挙げ
られ、好ましくは水素が用いられる。希釈ガスを用いた
場合の各原料と希釈ガスの割合は、シラン化合物または
炭化水素と、希釈ガスの合計量基準で、シラン化合物に
ついては珪素原子換算で0.0001vol％〜10vol％、炭化水
素についてはメタン換算で0.0001vol％〜10vol％とする
ことが好ましい。
本発明のアルキルアルミニウムとしては、例えば一般
式AlmRnX3m-n（ただし、Ｒはアルキル基を表し、好まし
くは炭素数１〜４、特に好ましくは１〜２であり、Ｘは
水素またはハロゲン原子を表し、ハロゲン原子は好まし
くは弗素、塩素および臭素であり、特に好ましくは塩素
である。またｍは好ましくは１〜２であり、ｎは好まし
くは１〜６である。）で表わされるアルキルアルミニウ
ムまたはそのハロゲン化物が好適である。具体的には、
例えばAl（CH3）３、Al（C2H5）３）、AlH（CH3）２、A
lH（C2H5）２、AlH2（CH3）、AlH2（C2H5）、Al（CH3）
2Cl、Al（C2H5）2Cl、Al（CH3）Cl2、Al（C2H5）Cl2、A
l2（C2H5）3Cl3等が挙げられ、炭素数１〜２のトリアル
キルアルミニウムが特に好ましい。
式AlmRnX3m-n（ただし、Ｒはアルキル基を表し、好まし
くは炭素数１〜４、特に好ましくは１〜２であり、Ｘは
水素またはハロゲン原子を表し、ハロゲン原子は好まし
くは弗素、塩素および臭素であり、特に好ましくは塩素
である。またｍは好ましくは１〜２であり、ｎは好まし
くは１〜６である。）で表わされるアルキルアルミニウ
ムまたはそのハロゲン化物が好適である。具体的には、
例えばAl（CH3）３、Al（C2H5）３）、AlH（CH3）２、A
lH（C2H5）２、AlH2（CH3）、AlH2（C2H5）、Al（CH3）
2Cl、Al（C2H5）2Cl、Al（CH3）Cl2、Al（C2H5）Cl2、A
l2（C2H5）3Cl3等が挙げられ、炭素数１〜２のトリアル
キルアルミニウムが特に好ましい。
ガス状のアルキルアルミニウムの系内への供給は、原
料ガスと共にまたは単独で供給すればよいが、いずれの
場合でも、キャリアガスと共にその飽和蒸気として供給
することが工業的に有利である。キャリアガスとして水
素、あるいは窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス
が挙げられ、それらの中で好ましくは水素が用いられ
る。反応系へのアルキルアルミニウムの供給量の制御
は、キャリアガスに対するアルキルアルミニウムの飽和
蒸気圧と温度の関係を利用して、温度を適宜変化させる
ことにより供給量を制御する方法が一般的に用いられ
る。
料ガスと共にまたは単独で供給すればよいが、いずれの
場合でも、キャリアガスと共にその飽和蒸気として供給
することが工業的に有利である。キャリアガスとして水
素、あるいは窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス
が挙げられ、それらの中で好ましくは水素が用いられ
る。反応系へのアルキルアルミニウムの供給量の制御
は、キャリアガスに対するアルキルアルミニウムの飽和
蒸気圧と温度の関係を利用して、温度を適宜変化させる
ことにより供給量を制御する方法が一般的に用いられ
る。
アルキルアルミニウムをキャリアガスと共に反応系に
供給するときの混合ガスの濃度は、アルキルアルキル基
とキャリアガスの合計容量に対し、アルキルアルミニウ
ムがアルミニウム原子換算で好ましくは0.05vol％〜10v
ol％、更に好ましくは0.1〜5vol％であり、混合ガスの
温度は混合ガスの組成が上記の組成となるよう維持され
る。
供給するときの混合ガスの濃度は、アルキルアルキル基
とキャリアガスの合計容量に対し、アルキルアルミニウ
ムがアルミニウム原子換算で好ましくは0.05vol％〜10v
ol％、更に好ましくは0.1〜5vol％であり、混合ガスの
温度は混合ガスの組成が上記の組成となるよう維持され
る。
各原料およびアルキルアルミニウムの反応系への供給
割合は、炭素原子１モルに対し、珪素原子は0.1〜20モ
ルが好ましく、更に好ましくは１〜８モルであり、アル
ミニウム原子は0.005〜５モルが好ましく、更に好まし
い下限値は0.025モルである。
割合は、炭素原子１モルに対し、珪素原子は0.1〜20モ
ルが好ましく、更に好ましくは１〜８モルであり、アル
ミニウム原子は0.005〜５モルが好ましく、更に好まし
い下限値は0.025モルである。
本発明において得られる結晶性炭化珪素膜（以下、単
に炭化珪素膜と略す）は、前記原料混合ガスにアルキル
アルミニウムを存在させて、物品上に炭化珪素膜を熱化
学気相成長させてなるものであるが、炭化珪素膜が単結
晶膜、多結晶膜のいずれの製造にも適用可能であり、そ
の選択を可能とする第一要因は成長温度に依存する。
に炭化珪素膜と略す）は、前記原料混合ガスにアルキル
アルミニウムを存在させて、物品上に炭化珪素膜を熱化
学気相成長させてなるものであるが、炭化珪素膜が単結
晶膜、多結晶膜のいずれの製造にも適用可能であり、そ
の選択を可能とする第一要因は成長温度に依存する。
炭化珪素膜の成長において、単結晶膜、多結晶膜いず
れを目的とする場合も、成長温度の上限は物品の融点以
下であるが、例えばシリコン基板上に炭化珪素膜を成長
させる場合、単結晶膜を所望する場合の成長温度は1050
℃〜1250℃が望ましく、多結晶膜を所望する場合は800
〜1050℃未満が望ましい。
れを目的とする場合も、成長温度の上限は物品の融点以
下であるが、例えばシリコン基板上に炭化珪素膜を成長
させる場合、単結晶膜を所望する場合の成長温度は1050
℃〜1250℃が望ましく、多結晶膜を所望する場合は800
〜1050℃未満が望ましい。
反応系の加熱方法は、高周波加熱、抵抗による加熱、
直接加熱等、熱化学気相成長法において通常採用される
加熱方法を用いて差支えない。
直接加熱等、熱化学気相成長法において通常採用される
加熱方法を用いて差支えない。
反応系内の圧力は特に問わないが、装置の構造及び膜
厚の均一性等を考えると、0.1Torr〜常圧が望ましい。
厚の均一性等を考えると、0.1Torr〜常圧が望ましい。
本発明は、炭化珪素膜を成長させる為の物品の素材が
炭化珪素と同種であるか異種であるかを問わず、従来の
如く、物品の表面を炭化する等の前処理を行う必要がな
いことが、大きな特長の一つとして挙げられるが、更に
結晶性を良くする為に、必要に応じて前処理することは
何ら差支えない。
炭化珪素と同種であるか異種であるかを問わず、従来の
如く、物品の表面を炭化する等の前処理を行う必要がな
いことが、大きな特長の一つとして挙げられるが、更に
結晶性を良くする為に、必要に応じて前処理することは
何ら差支えない。
本発明において、ガス状のアルキルアルミニウムを原
料ガス中に存在させて熱CVD（以下、単にCVDと略す）を
行うと、なぜ物品の前処理が不用であり、炭化珪素膜の
低温成長が可能となるのか、その理由は定かではない
が、アルキルアルミニウムは、物品の表面反応を活性化
するための触媒の様な働きをするのではないかと考えら
れる。なお、テトラメチルシラン、トリクロロメチルシ
ラン等のアルキルシラン系化合物を用いて、分解反応に
より炭化珪素膜のCVDを行う場合においても、アルキル
アルミニウムを存在させる事が出来る。
料ガス中に存在させて熱CVD（以下、単にCVDと略す）を
行うと、なぜ物品の前処理が不用であり、炭化珪素膜の
低温成長が可能となるのか、その理由は定かではない
が、アルキルアルミニウムは、物品の表面反応を活性化
するための触媒の様な働きをするのではないかと考えら
れる。なお、テトラメチルシラン、トリクロロメチルシ
ラン等のアルキルシラン系化合物を用いて、分解反応に
より炭化珪素膜のCVDを行う場合においても、アルキル
アルミニウムを存在させる事が出来る。
また、本発明によれば、膜の成長速度はシラン化合物
の流量を変化させることによって制御することができ
る。
の流量を変化させることによって制御することができ
る。
本発明におけるその他の操作方法および操作条件など
は、化学蒸着の技術分野において知られているところに
従えばよい。
は、化学蒸着の技術分野において知られているところに
従えばよい。
［実施例および比較例］ 以下，本発明の好ましい実施態様を具体例によって詳
しく説明する。
しく説明する。
なお、以下の各例で用いたCVD装置は、石英で出来た
炭化珪素膜の成長を行う横型反応管と、原料およびアル
キルアルミニウムの反応部への供給量を制御する部分よ
って構成される。基板は石英反応管内に設置されたサセ
プター上に置かれ、高周波加熱により加熱され、基板温
度の制御は高周波電力の制御で行われる。
炭化珪素膜の成長を行う横型反応管と、原料およびアル
キルアルミニウムの反応部への供給量を制御する部分よ
って構成される。基板は石英反応管内に設置されたサセ
プター上に置かれ、高周波加熱により加熱され、基板温
度の制御は高周波電力の制御で行われる。
実施例１ CVD装置サセプター上に洗浄後の単結晶珪素基板：面
方位（100）と（111）を載置した。
方位（100）と（111）を載置した。
反応器内を水素で置換した後、基板を1150℃まで加熱
し、塩化水素を流量15cc/minで10分間流し、基板表面の
エッチングを行った。
し、塩化水素を流量15cc/minで10分間流し、基板表面の
エッチングを行った。
塩化水素の供給を停止し、５分間放置した後、基板の
温度を1150℃に維持しつつ、アセチレンを流量0.1cc/mi
nの一定量で、またジシランは、その流量を第１表のご
とく0.1〜0.8cc/minに変化させて、各10分間、流量300c
c/minの水素と共に、希釈原料混合ガスとして反応系に
供給した。
温度を1150℃に維持しつつ、アセチレンを流量0.1cc/mi
nの一定量で、またジシランは、その流量を第１表のご
とく0.1〜0.8cc/minに変化させて、各10分間、流量300c
c/minの水素と共に、希釈原料混合ガスとして反応系に
供給した。
一方、20℃の恒温槽に貯蔵された液体トリメチルアル
ミニウムを、水素ガスにより飽和蒸気となし、水素に随
伴させて0.1cc/minの流量で前記希釈原料混合ガスに含
有させ、反応系に供給し、膜を成長させた。
ミニウムを、水素ガスにより飽和蒸気となし、水素に随
伴させて0.1cc/minの流量で前記希釈原料混合ガスに含
有させ、反応系に供給し、膜を成長させた。
炭化珪素膜の成長速度は、ジシランの流量の変化に応
じ、第１表の如くなった。
じ、第１表の如くなった。
堆積した炭化珪素膜は、ジシランの流量の変化に係わ
りなく、表面は鏡面であり、反射電子回析の結果、β−
SiCのスポットパターンが見られ、完全な単結晶である
ことが判った。ジシランの流量0.6cc/minにおける炭化
珪素単結晶膜の反射電子回析は第１図の通りである。
りなく、表面は鏡面であり、反射電子回析の結果、β−
SiCのスポットパターンが見られ、完全な単結晶である
ことが判った。ジシランの流量0.6cc/minにおける炭化
珪素単結晶膜の反射電子回析は第１図の通りである。
比較例１ トリメチルアルミニウムを含有させないこと以外は、
実施例１と同一にして単結晶の炭化珪素膜を形成させる
べく気相成長を行った。
実施例１と同一にして単結晶の炭化珪素膜を形成させる
べく気相成長を行った。
膜の成長速度は実施例１とほぼ同じであり、ジシラン
の流量の変化に係わりなく、堆積した膜の表面は鏡面で
あったが、結晶状態は実施例１と異なり、配向した多結
晶であり、一部単結晶が混在していた。
の流量の変化に係わりなく、堆積した膜の表面は鏡面で
あったが、結晶状態は実施例１と異なり、配向した多結
晶であり、一部単結晶が混在していた。
実施例２ 基板の温度を900℃とし、ジシランの流量を0.6cc/min
とした以外は実施例１と同一にして炭化珪素膜の気相成
長を行った。
とした以外は実施例１と同一にして炭化珪素膜の気相成
長を行った。
膜の成長速度は150Å/minで、堆積した膜の表面は鏡
面であり、β−SiCのリング状のパターンが見られ、多
結晶の炭化珪素膜が成長していた。
面であり、β−SiCのリング状のパターンが見られ、多
結晶の炭化珪素膜が成長していた。
比較例２ トリメチルアルミニウムを含有させないこと以外は、
実施例２と同一にして炭化珪素膜の気相成長を行った。
実施例２と同一にして炭化珪素膜の気相成長を行った。
堆積した膜の表面は鏡面であり、多結晶が成長してい
たが、膜の成長速度は25Å/minで実施例２のほぼ1/6で
あった。
たが、膜の成長速度は25Å/minで実施例２のほぼ1/6で
あった。
ハ）発明の効果 本発明によれば、シラン化合物と炭化水素からなる混
合ガスを用いて熱化学気相成長法により炭化珪素膜を有
する物品を製造する方法において、前記混合ガス中にガ
ス状のアルキルアルミニウムを存在させることにより、
物品上への炭化珪素膜の成長温度を大幅に低下し、物品
と成長膜との間の歪みをなくし、均一で結晶欠陥のない
結晶性膜を製造することが可能であり、更に、成長させ
る為の物品の素材が炭化珪素と同種であると異種である
とを問わず、前処理工程として物品表面の炭化処理を行
うことなく、目的とする結晶系の炭化珪素膜を成長させ
得、工業的に非常に有利な炭化珪素膜を有する物品の製
造方法である。
合ガスを用いて熱化学気相成長法により炭化珪素膜を有
する物品を製造する方法において、前記混合ガス中にガ
ス状のアルキルアルミニウムを存在させることにより、
物品上への炭化珪素膜の成長温度を大幅に低下し、物品
と成長膜との間の歪みをなくし、均一で結晶欠陥のない
結晶性膜を製造することが可能であり、更に、成長させ
る為の物品の素材が炭化珪素と同種であると異種である
とを問わず、前処理工程として物品表面の炭化処理を行
うことなく、目的とする結晶系の炭化珪素膜を成長させ
得、工業的に非常に有利な炭化珪素膜を有する物品の製
造方法である。
【図面の簡単な説明】 第１図は実施例１で得られたジシランの流量0.6cc/min
における炭化珪素単結晶膜の反射電子回析である。
における炭化珪素単結晶膜の反射電子回析である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−45115（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 16/32,16/42 C01B 31/36
Claims (1)
- 【請求項１】シラン化合物と炭化水素からなる混合ガス
中にガス状のアルキルアルミニウムまたはそのハロゲン
化物を存在させ、800〜1250℃において熱化学気相成長
により、シリコン単結晶基板又は炭化珪素単結晶基板
に、結晶性炭化珪素膜を形成させることを特徴とする結
晶性炭化珪素膜を有する物品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2073202A JP2773369B2 (ja) | 1990-03-26 | 1990-03-26 | 炭化珪素膜を有する物品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2073202A JP2773369B2 (ja) | 1990-03-26 | 1990-03-26 | 炭化珪素膜を有する物品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03274273A JPH03274273A (ja) | 1991-12-05 |
| JP2773369B2 true JP2773369B2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=13511326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2073202A Expired - Lifetime JP2773369B2 (ja) | 1990-03-26 | 1990-03-26 | 炭化珪素膜を有する物品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2773369B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5465680A (en) * | 1993-07-01 | 1995-11-14 | Dow Corning Corporation | Method of forming crystalline silicon carbide coatings |
| CN108166058A (zh) * | 2016-12-07 | 2018-06-15 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 4H-SiC晶体生长方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6445115A (en) * | 1987-08-14 | 1989-02-17 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | Manufacture of hydrogen-bonded amorphous silicon carbide film |
-
1990
- 1990-03-26 JP JP2073202A patent/JP2773369B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03274273A (ja) | 1991-12-05 |
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