JP2932604B2 - 炭化珪素膜を有する物品の製造方法 - Google Patents
炭化珪素膜を有する物品の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 イ）発明の目的 〔本発明の利用分野〕 本発明は半導体基板等に有用である炭化珪素膜を有す
る物品の製造方法に関するものである。
る物品の製造方法に関するものである。
［従来の技術］ 炭化珪素膜を有する物品、例えば半導体基板は、機械
的、化学的にきわめて安定で、放射線損傷にも強く、広
い禁制帯幅を有し、高温動作素子、高信頼性素子、耐放
射線素子用の基板として期待されている。また広い禁制
帯幅を有する事により、可視域での発光が可能であり、
発光素子としても注目され、またヘテロバイポーラトラ
ンジスタ（HBT）の材料としても有用である。
的、化学的にきわめて安定で、放射線損傷にも強く、広
い禁制帯幅を有し、高温動作素子、高信頼性素子、耐放
射線素子用の基板として期待されている。また広い禁制
帯幅を有する事により、可視域での発光が可能であり、
発光素子としても注目され、またヘテロバイポーラトラ
ンジスタ（HBT）の材料としても有用である。
炭化珪素は結晶多形型であり、半導体基板としてはα
−SiCまたはβ−SiCが主に用いられる。α−SiCは高温
で成長する結晶構造であり、β−SiCはα−SiCに比べ低
温で成長する結晶構造である。また成長に用いる基板の
種類や成長温度によって、多結晶となったり、非晶質構
造となることもあり、化学気相成長法（CVD法）により
炭化珪素膜を物品上に成長させる方法では、成長温度や
基板である物品の種類により、結晶構造の異なる炭化珪
素膜が形成される。
−SiCまたはβ−SiCが主に用いられる。α−SiCは高温
で成長する結晶構造であり、β−SiCはα−SiCに比べ低
温で成長する結晶構造である。また成長に用いる基板の
種類や成長温度によって、多結晶となったり、非晶質構
造となることもあり、化学気相成長法（CVD法）により
炭化珪素膜を物品上に成長させる方法では、成長温度や
基板である物品の種類により、結晶構造の異なる炭化珪
素膜が形成される。
従来、炭化珪素膜を有する物品の製造においては、珪
素原料（例えばSiH4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiCl4等）と炭
素原料（C4、C2H6、C3H8等）を用いて物品上に気相成長
を行う方法が知られているが、この方法では、炭素源と
炭素源を反応系内へ供給する際、二種類の原料の供給条
件を設定する必要がある。
素原料（例えばSiH4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiCl4等）と炭
素原料（C4、C2H6、C3H8等）を用いて物品上に気相成長
を行う方法が知られているが、この方法では、炭素源と
炭素源を反応系内へ供給する際、二種類の原料の供給条
件を設定する必要がある。
また有機シランガス、例えば（CH3)WSiH4-w、（C2H5)
wSiH4-w（ただし４≧ｗ≧１）等のモノシラン誘導体を
用いてα−SiCの単結晶を基板上に成長させる方法が知
られている（特開昭63−103893号公報）。
wSiH4-w（ただし４≧ｗ≧１）等のモノシラン誘導体を
用いてα−SiCの単結晶を基板上に成長させる方法が知
られている（特開昭63−103893号公報）。
前記の従来技術も同様であるが、この従来技術では炭
化珪素の単結晶膜を形成させるためには1300℃以上の高
温が必要であり、また多結晶膜の形成においても、均一
な結晶性のよい多結晶膜を成長させるには1100℃以上の
高温が必要で、その為、対象となる物品に熱負荷がかか
り、炭化珪素膜と物品の界面に熱的な歪が発生して、結
晶欠陥を生じる原因となっていた。
化珪素の単結晶膜を形成させるためには1300℃以上の高
温が必要であり、また多結晶膜の形成においても、均一
な結晶性のよい多結晶膜を成長させるには1100℃以上の
高温が必要で、その為、対象となる物品に熱負荷がかか
り、炭化珪素膜と物品の界面に熱的な歪が発生して、結
晶欠陥を生じる原因となっていた。
また従来の方法では膜の成長速度が遅く、例えばテト
ラメチルシランを用いて単結晶の炭化珪素膜を得ようと
する場合、対象となる物品、例えば基板の温度を1300℃
以上にする必要があるが、その様な高温においても、良
質の単結晶膜を得ようとする場合、成長速度は100〜250
Å/min程度であり、工業的に充分満足のいくもではな
く、成長速度を上げるためには、更に基板の温度を上げ
る必要があった。
ラメチルシランを用いて単結晶の炭化珪素膜を得ようと
する場合、対象となる物品、例えば基板の温度を1300℃
以上にする必要があるが、その様な高温においても、良
質の単結晶膜を得ようとする場合、成長速度は100〜250
Å/min程度であり、工業的に充分満足のいくもではな
く、成長速度を上げるためには、更に基板の温度を上げ
る必要があった。
また、シリコン等の、炭化珪素膜とは異種の素材から
なる物品上に炭化珪素単結晶膜等を形成する場合は、炭
化珪素膜を直接物品上に形成させることは困難であり、
前処理工程として、物品表面を炭化水素等で高温炭化処
理する必要があり、炭化珪素膜の製造工程が複雑となっ
ていた。
なる物品上に炭化珪素単結晶膜等を形成する場合は、炭
化珪素膜を直接物品上に形成させることは困難であり、
前処理工程として、物品表面を炭化水素等で高温炭化処
理する必要があり、炭化珪素膜の製造工程が複雑となっ
ていた。
本発明者らは、炭化珪素単結晶膜の物品上への成長温
度を大幅に低下させ、物品と成長膜との間の歪みや結晶
欠陥を無くし、しかも成長速度が速く、更に物品の素材
の種類に係わらず炭化等の前処理工程を行わずして炭化
珪素単結晶膜を成長させ得る、効率的な炭化珪素単結晶
膜を有する物品の製造方法につき鋭意研究した結果、本
発明を完成した。
度を大幅に低下させ、物品と成長膜との間の歪みや結晶
欠陥を無くし、しかも成長速度が速く、更に物品の素材
の種類に係わらず炭化等の前処理工程を行わずして炭化
珪素単結晶膜を成長させ得る、効率的な炭化珪素単結晶
膜を有する物品の製造方法につき鋭意研究した結果、本
発明を完成した。
ロ）発名の構成 〔課題を解決するための手段〕 本発明は、気体状の有機珪素化合物を用いて化学気相
成長法により炭化珪素膜を有する物品を製造する方法に
おいて、有機珪素化合物として一般式RnSimHxXy（ただ
し、Ｒは炭素数１〜６のアルキル基であり、Ｘはハロゲ
ン原子を表わす。またｍ≧２であり、2m＋２≧ｎ≧１で
あり、2m＋２−ｎ＝ｘ＋ｙ≧０である。）で表わされる
化合物を用いて、1050〜1250℃において熱化学気相成長
により、シリコン単結晶基板又は炭化珪素単結晶基板に
炭化珪素単結晶膜を形成させることを特徴とする炭化珪
素単結晶膜を有する物品の製造方法である。
成長法により炭化珪素膜を有する物品を製造する方法に
おいて、有機珪素化合物として一般式RnSimHxXy（ただ
し、Ｒは炭素数１〜６のアルキル基であり、Ｘはハロゲ
ン原子を表わす。またｍ≧２であり、2m＋２≧ｎ≧１で
あり、2m＋２−ｎ＝ｘ＋ｙ≧０である。）で表わされる
化合物を用いて、1050〜1250℃において熱化学気相成長
により、シリコン単結晶基板又は炭化珪素単結晶基板に
炭化珪素単結晶膜を形成させることを特徴とする炭化珪
素単結晶膜を有する物品の製造方法である。
本発明において、炭化珪素単結晶膜を気相成長させる
為に用いる物品は、シリコン単結晶基板又は炭化珪素単
結晶基板である。
為に用いる物品は、シリコン単結晶基板又は炭化珪素単
結晶基板である。
本発明の有機珪素化合物は上記の通りであり、一般式
RnSimHxXyにおいて、Ｒは好ましくは炭素数１〜４、更
に好ましくは１〜２の飽和アルキル基であり、Ｘは好ま
しくは塩素原子である。また2m＋２−ｎ＝ｘ＋ｙである
ことを前提として、ｍは好ましくは２〜３、更に好まし
くは２であり、ｎは好ましくは１〜８、更に好ましくは
５〜６であり、ｘは０〜１が好ましく、ｙは０〜３が好
ましい。
RnSimHxXyにおいて、Ｒは好ましくは炭素数１〜４、更
に好ましくは１〜２の飽和アルキル基であり、Ｘは好ま
しくは塩素原子である。また2m＋２−ｎ＝ｘ＋ｙである
ことを前提として、ｍは好ましくは２〜３、更に好まし
くは２であり、ｎは好ましくは１〜８、更に好ましくは
５〜６であり、ｘは０〜１が好ましく、ｙは０〜３が好
ましい。
本発明の有機珪素化合物の具体例としては、(CH3)6Si
2、(C2H5)6Si2、(CH3)8Si3、(C2H5)8Si3、(CH3)5Si2H、
(C2H5)5Si2H、(CH3)5Si2Cl、(C2H5)5Si2Cl、(CH3)4Si2C
l2、(C2H5)4Si2Cl2、(CH3)3Si2Cl3、(C2H5)3Si2Cl3等が
挙げられ、特に好ましくは(CH3)6Si2、(C2H5)6Si2、(CH
3)5Si2Cl、(C2H5)5Si2Cl等である。
2、(C2H5)6Si2、(CH3)8Si3、(C2H5)8Si3、(CH3)5Si2H、
(C2H5)5Si2H、(CH3)5Si2Cl、(C2H5)5Si2Cl、(CH3)4Si2C
l2、(C2H5)4Si2Cl2、(CH3)3Si2Cl3、(C2H5)3Si2Cl3等が
挙げられ、特に好ましくは(CH3)6Si2、(C2H5)6Si2、(CH
3)5Si2Cl、(C2H5)5Si2Cl等である。
有機珪素化合物は単独で、あるいは希釈ガスと共に反
応系内へ供給する事が出来るが、有機珪素化合物が液体
の場合は、キャリアガスと共にその飽和蒸気として供給
することが工業的に有利である。キャリアガスとしては
水素、あるいは窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガ
スが挙げられ、それらの中で好ましくは水素が用いられ
る。反応系への有機珪素化合物の供給量の制御は、キャ
リアガスに対する有機珪素化合物の飽和蒸気圧と温度の
関係を利用して、温度を適宜変化させることにより供給
量を制御する方法が一般的に用いられる。
応系内へ供給する事が出来るが、有機珪素化合物が液体
の場合は、キャリアガスと共にその飽和蒸気として供給
することが工業的に有利である。キャリアガスとしては
水素、あるいは窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガ
スが挙げられ、それらの中で好ましくは水素が用いられ
る。反応系への有機珪素化合物の供給量の制御は、キャ
リアガスに対する有機珪素化合物の飽和蒸気圧と温度の
関係を利用して、温度を適宜変化させることにより供給
量を制御する方法が一般的に用いられる。
有機珪素化合物をキャリアガスと共に反応系に供給す
るときの混合ガスの濃度は、有機珪素化合物とキャリア
ガスの合計容量に対し、有機珪素化合物が珪素原子換算
で好ましくは0.05vol％〜10vol％、更に好ましくは0.1
〜5vol％であり、混合ガスの温度は混合ガスの組成が上
記の組成となるよう維持される。
るときの混合ガスの濃度は、有機珪素化合物とキャリア
ガスの合計容量に対し、有機珪素化合物が珪素原子換算
で好ましくは0.05vol％〜10vol％、更に好ましくは0.1
〜5vol％であり、混合ガスの温度は混合ガスの組成が上
記の組成となるよう維持される。
有機珪素化合物を希釈ガスと共に反応系に供給する場
合の希釈ガスとしては、水素、あるいは窒素、アルゴ
ン、ヘリウム等の不活性ガスが挙げられ、好ましくは水
素が用いられる。希釈ガスを用いた場合の有機珪素化合
物と希釈ガスの割合は、有機珪素化合物と希釈ガスの合
計量基準で、有機珪素化合物の珪素原子換算で0.0001vo
l％〜10vol％とすることが好ましい。
合の希釈ガスとしては、水素、あるいは窒素、アルゴ
ン、ヘリウム等の不活性ガスが挙げられ、好ましくは水
素が用いられる。希釈ガスを用いた場合の有機珪素化合
物と希釈ガスの割合は、有機珪素化合物と希釈ガスの合
計量基準で、有機珪素化合物の珪素原子換算で0.0001vo
l％〜10vol％とすることが好ましい。
また、目的とする炭化珪素単結晶膜（以下、炭化珪素
膜と略す）の珪素と炭素の組成を所望の割合とするため
に、反応系に珪素原料（例えばSiH4）や炭素原料（例え
ばアセチレン）等の有機化合物を導入してもよい。
膜と略す）の珪素と炭素の組成を所望の割合とするため
に、反応系に珪素原料（例えばSiH4）や炭素原料（例え
ばアセチレン）等の有機化合物を導入してもよい。
本発明において単結晶膜の形成を可能とする第一要因
は1050〜1250℃という特定の成長温度である。1250℃を
越えると基板との界面に熱的歪みが発生し易くなる他、
成長速度が温度に比例して速くならないので、有利とは
言えない。
は1050〜1250℃という特定の成長温度である。1250℃を
越えると基板との界面に熱的歪みが発生し易くなる他、
成長速度が温度に比例して速くならないので、有利とは
言えない。
反応系の加熱方法は、高周波加熱、抵抗による加熱、
直接加熱等、熱化学気相成長法において通常採用される
加熱方法をいずれも用いることが出来る。
直接加熱等、熱化学気相成長法において通常採用される
加熱方法をいずれも用いることが出来る。
反応系内の圧力は特に問わないが、装置の構造及び膜
厚の均一性等を考えると、0.1Torr〜常圧が望ましい。
厚の均一性等を考えると、0.1Torr〜常圧が望ましい。
本発明における膜の成長速度は、有機珪素化合物の流
量によって制御することが可能である。しかも本発明に
おいては、非常に速い速度で炭化珪素膜を成長させ得る
ことが特長の一つである。例えば炭化珪素の単結晶膜を
基板上に成長させる場合、基板温度が1100℃の場合を例
にとると、有機珪素化合物の流量を0.2から1.2cc/minに
変化させることにより、膜の成長速度を流量に比例して
200Å/minから2000Å/minに変化させる事が可能であ
る。
量によって制御することが可能である。しかも本発明に
おいては、非常に速い速度で炭化珪素膜を成長させ得る
ことが特長の一つである。例えば炭化珪素の単結晶膜を
基板上に成長させる場合、基板温度が1100℃の場合を例
にとると、有機珪素化合物の流量を0.2から1.2cc/minに
変化させることにより、膜の成長速度を流量に比例して
200Å/minから2000Å/minに変化させる事が可能であ
る。
また、本発明は、炭化珪素膜を成長させる為の物品の
素材が炭化珪素と同種であるか異種であるかを問わず、
従来のように物品の表面を炭化する等の前処理を行う必
要はないが、シリコンのような異種素材の物品上に成長
させる場合、更に結晶性を良くする為に、必要に応じて
表面の炭化処理等の前処理することは何ら差支えない。
素材が炭化珪素と同種であるか異種であるかを問わず、
従来のように物品の表面を炭化する等の前処理を行う必
要はないが、シリコンのような異種素材の物品上に成長
させる場合、更に結晶性を良くする為に、必要に応じて
表面の炭化処理等の前処理することは何ら差支えない。
本発明におけるその他の操作方法および操作条件など
は、化学蒸着の技術分野において知られているところに
従えばよい。
は、化学蒸着の技術分野において知られているところに
従えばよい。
［実施例および比較例］ 以下，本発明の好ましい実施態様を具体例によって詳
しく説明する． なお、以下の各例で用いた熱CVD（以下,CVDと略す）
装置は、石英で出来た炭化珪素膜の成長を行う横型反応
管と、原料の反応部への供給量を制御する部分によって
構成される。基板は石英反応管内に設置されたサセプタ
ー上に置かれ、高周波加熱により加熱され、基板温度の
制御は高周波電力の制御で行われる。
しく説明する． なお、以下の各例で用いた熱CVD（以下,CVDと略す）
装置は、石英で出来た炭化珪素膜の成長を行う横型反応
管と、原料の反応部への供給量を制御する部分によって
構成される。基板は石英反応管内に設置されたサセプタ
ー上に置かれ、高周波加熱により加熱され、基板温度の
制御は高周波電力の制御で行われる。
実施例１ CVD装置サセプター上に洗浄後の単結晶珪素基板：面
方位（100）と（111）を載置した。
方位（100）と（111）を載置した。
反応器内を水素で置換した後、基板を1100℃まで加熱
し、塩化水素を流量15cc/minで10分間流し、基板表面の
エッチングを行った。
し、塩化水素を流量15cc/minで10分間流し、基板表面の
エッチングを行った。
塩化水素の供給を停止し、５分間放置した後、基板の
温度を1100℃に維持しつつ、希釈原料ガスを10分間供給
した。この希釈原料ガスは、20℃の恒温槽に貯蔵された
液体ヘキサメチルジシラン中に、水素ガスを吹き込んで
ヘキサメチルジシランの飽和蒸気となし、ヘキサメチル
ジシラン自体の流量が第１表のごとく0.2〜1.2cc/minと
なるよう飽和ガスの流量を変化させると共に、前記飽和
ガス中の水素ガスとの合計量で3000cc/minとなる量の水
素ガスで希釈することにより調製した。
温度を1100℃に維持しつつ、希釈原料ガスを10分間供給
した。この希釈原料ガスは、20℃の恒温槽に貯蔵された
液体ヘキサメチルジシラン中に、水素ガスを吹き込んで
ヘキサメチルジシランの飽和蒸気となし、ヘキサメチル
ジシラン自体の流量が第１表のごとく0.2〜1.2cc/minと
なるよう飽和ガスの流量を変化させると共に、前記飽和
ガス中の水素ガスとの合計量で3000cc/minとなる量の水
素ガスで希釈することにより調製した。
炭化珪素膜の成長速度は、ヘキサメチルジシランの流
量の変化に応じ、第１表の如くとなった。
量の変化に応じ、第１表の如くとなった。
堆積した炭化珪素膜の表面は、ヘキサメチルジシラン
の流量の変化とは無関係に鏡面であり、反射電子回折の
結果、β−SiCのスポットパターンが見られ、完全な単
結晶であることが判った。ヘキサメチルジシランの流量
0.6cc/minにおける炭化珪素単結晶膜の反射電子回折は
第１図の通りである。
の流量の変化とは無関係に鏡面であり、反射電子回折の
結果、β−SiCのスポットパターンが見られ、完全な単
結晶であることが判った。ヘキサメチルジシランの流量
0.6cc/minにおける炭化珪素単結晶膜の反射電子回折は
第１図の通りである。
比較例１ ヘキサメチルジシランに替えてテトラメチルシランと
した以外は、実施例１と同様にして単結晶の炭化珪素膜
を形成さた。
した以外は、実施例１と同様にして単結晶の炭化珪素膜
を形成さた。
膜の成長速度はテトラメチルシランの流量を1.2CC/mi
nとした場合でも100Å/min程度と非常に遅く、また堆積
した膜の表面は鏡面であったが、結晶状態は実施例１と
異なり、多結晶であった。
nとした場合でも100Å/min程度と非常に遅く、また堆積
した膜の表面は鏡面であったが、結晶状態は実施例１と
異なり、多結晶であった。
実施例２及び比較例 ヘキサメチルジシランの流量を0.6cc/minと一定と
し、基板の温度を800℃〜1200℃に変化させた以外は、
実施例１と同様にして炭化珪素膜の気相成長を行った。
し、基板の温度を800℃〜1200℃に変化させた以外は、
実施例１と同様にして炭化珪素膜の気相成長を行った。
膜の成長速度および結晶状態の変化は第２図の通りで
あり、800〜1000℃の温度範囲では多結晶が生成する
が、（比較例）、1050〜1250℃の温度範囲では単結晶を
成長させ得ることを確認した（実施例２）。単結晶膜の
性長速度は十分に満足出来るものであり、低温で単結晶
膜を得ることが出来た。
あり、800〜1000℃の温度範囲では多結晶が生成する
が、（比較例）、1050〜1250℃の温度範囲では単結晶を
成長させ得ることを確認した（実施例２）。単結晶膜の
性長速度は十分に満足出来るものであり、低温で単結晶
膜を得ることが出来た。
ハ）発明の効果 本発明によれば、熱化学気相成長法により炭化珪素膜
を有する物品を製造する際、特定の有機珪素化合物を原
料とすることにより、物品上への炭化珪素膜の成長温度
を大幅に低下させ、物品と成長膜との間の歪みをなく
し、均一で結晶欠陥のない単結晶膜を成長させることが
可能である。また単結晶膜の成長速度が非常に速く、か
つ、物品の素材が炭化珪素と同種であると異種であると
を問わず、前処理工程を行うことなく所望とする結晶の
種類の炭化珪素膜を物品上に形成させることが出来、工
業的に非常に有利な炭化珪素膜を有する物品の製造方法
である。
を有する物品を製造する際、特定の有機珪素化合物を原
料とすることにより、物品上への炭化珪素膜の成長温度
を大幅に低下させ、物品と成長膜との間の歪みをなく
し、均一で結晶欠陥のない単結晶膜を成長させることが
可能である。また単結晶膜の成長速度が非常に速く、か
つ、物品の素材が炭化珪素と同種であると異種であると
を問わず、前処理工程を行うことなく所望とする結晶の
種類の炭化珪素膜を物品上に形成させることが出来、工
業的に非常に有利な炭化珪素膜を有する物品の製造方法
である。
第１図は実施例１におけるヘキサメチルジシランの流量
0.6cc/minにおいて得られた炭化珪素単結晶膜の反射電
子回折であり、第２図は実施例２における基板の温度変
化に伴う炭化珪素膜の成長速度および結晶状態の変化を
示す図である。
0.6cc/minにおいて得られた炭化珪素単結晶膜の反射電
子回折であり、第２図は実施例２における基板の温度変
化に伴う炭化珪素膜の成長速度および結晶状態の変化を
示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 浩 愛知県名古屋市港区船見町１番地の１ 東亞合成化学工業株式会社名古屋総合研 究所内 審査官 城所 宏 (56)参考文献 特開 昭60−16810（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−111875（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/32
Claims (1)
- 【請求項１】気体状の有機珪素化合物を用いて化学気相
成長法により炭化珪素膜を有する物品を製造する方法に
おいて、有機珪素化合物として一般式RnSimHxXy（ただ
し、Ｒは炭素数１〜６のアルキル基であり、Ｘはハロゲ
ン原子を表わす。またｍ≧２であり、2m＋２≧ｎ≧１で
あり、2m＋２−ｎ＝ｘ＋ｙ≧０である。）で表わされる
化合物を用いて、1050〜1250℃において熱化学気相成長
により、シリコン単結晶基板又は炭化珪素単結晶基板に
炭化珪素単結晶膜を形成させることを特徴とする炭化珪
素単結晶膜を有する物品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2124345A JP2932604B2 (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | 炭化珪素膜を有する物品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2124345A JP2932604B2 (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | 炭化珪素膜を有する物品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0472067A JPH0472067A (ja) | 1992-03-06 |
| JP2932604B2 true JP2932604B2 (ja) | 1999-08-09 |
Family
ID=14883067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2124345A Expired - Lifetime JP2932604B2 (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | 炭化珪素膜を有する物品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2932604B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6016810A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 表面被覆膜の製造方法 |
| JPH01111875A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-28 | Mitsubishi Metal Corp | 遊離炭素を含むＳｉＣ被膜の製造方法 |
-
1990
- 1990-05-15 JP JP2124345A patent/JP2932604B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0472067A (ja) | 1992-03-06 |
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