JP2770815B2

JP2770815B2 - バンドパスフィルタ

Info

Publication number: JP2770815B2
Application number: JP8138449A
Authority: JP
Inventors: 雅志布施; 研志斎藤; 正信鈴木
Original assignee: IDOTAI TSUSHIN SENTAN GIJUTSU KENKYUSHO KK
Current assignee: IDOTAI TSUSHIN SENTAN GIJUTSU KENKYUSHO KK
Priority date: 1996-05-31
Filing date: 1996-05-31
Publication date: 1998-07-02
Anticipated expiration: 2016-05-31
Also published as: JPH09321502A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、広義のマイクロス
トリップライン型の共振器、すなわち誘電体基板の片側
に１／２波長またはそれを短縮した長さの共振器パター
ンを、誘電体基板の反対側にグランドプレーンを有する
バンドパスフィルタに関する。

【０００２】

【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従
来、マイクロストリップライン型の共振器を用いた平面
フィルタでは、１枚の誘電体基板の一方の面に共振器パ
ターンが形成され、他方の面にグランドパターンが形成
されている。この平面フィルタとしては、共振器パター
ンの端部間に微小ギャップを設けてその端部間での容量
結合を用いたエンドカップル方式、あるいは隣接する共
振器パターンを１／４波長の長さだけ平面上でオーバー
ラップさせて側面での電磁界結合を用いた方式などがあ
る。

【０００３】しかしながら、いずれの方式にしても、１
枚の誘電体基板上に、単層で全ての共振器パターンが形
成されているため、そのレイアウトに制約が生じる。ま
た、その制約により特性を最適化できない場合がある。
本発明は上記問題に鑑みたもので、共振器パターンのレ
イアウトの制約を少なくすることを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明においては、超伝導材で構成
された第１の共振器パターン（２）が一方の面に同一平
面上にのみ複数形成され他方の面に第１のグランドプレ
ーン（３）が形成された第１の誘電体基板（１）と、超
伝導材で構成された第２の共振器パターン（５）が一方
の面に同一平面上にのみ複数形成され他方の面に第２の
グランドプレーン（８）が形成された第２の誘電体基板
（４）とを、それぞれの一方の面が対向するように離間
配置し、この離間配置によって形成される第１、第２の
誘電体基板（１、４）の間の空間を、真空、あるいは空
気、不活性気体が存在した状態にし、第１の共振器パタ
ーン（２）により構成される第１の共振器と第２の共振
器パターン（５）により構成される第２の共振器との間
で交互に信号の伝達が行われるようにしたことを特徴と
している。

【０００５】従って、第１、第２の共振器パターンを、
第１、第２の誘電体基板に別々に形成することができる
ため、共振器パターンのレイアウトの制約を少なくする
ことができる。請求項２に記載の発明においては、超伝
導材で構成された第１の誘電体基板（１）を固定する第
１のケース部材と、超伝導材で構成された第２の誘電体
基板（４）を固定する第２のケース部材と、第１、第２
のケース部材を固定する第３のケース部材を有する導電
性ケース（９）を備え、第１のグランドプレーン（３）
と第２のグランドプレーン（８）が、第１、第２、第３
のケース部材を介して電気的に接続されるようになって
おり、また、第１、第２、第３のケース部材によって、
第１の誘電体基板（１）と第２の誘電体基板（４）と
を、それぞれの一方の面が対向するように離間配置する
ようにし、この離間配置によって形成される第１、第２
の誘電体基板（１、４）の間の空間を、真空、あるいは
空気、不活性気体が存在した状態にしたことを特徴とし
ている。なお、第１のケース部材、第２のケース部材、
第３のケース部材は、後述する実施形態において、上側
ケース部材、下側ケース部材、横側ケース部材にそれぞ
れ相当している。この場合、請求項３に記載の発明のよ
うに、第１、第２の誘電体基板（１、４）のいずれか一
方に外部と電気接続するための入出力パッド（６、７）
を形成し、第３のケース部材にコネクタ（１０、１１）
を設け、コネクタ（１０、１１）と入出力パッド（６、
７）を電気的接続手段（１２、１３）により接続するよ
うに構成することができる。

【０００６】請求項４に記載の発明においては、超伝導
材で構成された第１の共振器パターン（２）が一方の面
に形成された第１の誘電体基板（１）と、超伝導材で構
成された第２の共振器パターン（５）が一方の面に形成
され他方の面にグランドプレーン（８）が形成された第
２の誘電体基板（４）とを、それぞれの一方の面が対向
するように離間配置し、この離間配置によって形成され
る第１、第２の誘電体基板（１、４）の間の空間を、真
空、あるいは空気、不活性気体が存在した状態にし、第
１の共振器パターン（２）により構成される第１の共振
器と第２の共振器パターン（５）により構成される第２
の共振器との間で信号の伝達が行われるようにし、さら
に、第１、第２の誘電体基板（１、４）を、分割された
基板で構成して、それぞれの分割位置をオフセットさせ
るようにしたことを特徴としている。従って、大型のフ
ィルタを構成するために誘電体基板を分割して構成する
場合であっても、信号を互いに対向する２つの基板間で
交互に伝達することができるため、基板の分割による分
割部分での共振器間の結合度の減少の影響を小さくする
ことができる。

【０００７】請求項５に記載の発明においては、第１の
共振器パターン（２）と第２の共振器パターン（５）を
オーバーラップして形成しているから、第１の共振器と
第２の共振器パターン間の容量結合に加えて、磁界結合
も加わり、結合度を大きくすることができる。なお、上
記した第１、第２の共振器パターンとしては、後述する
実施形態に示すように、帯状の共振器パターンの他、円
形状の共振器パターンとすることができる。また、請求
項２乃至５のいずれか１つに記載の発明において、請求
項６に記載の発明のように、第１の共振器パターン
（２）が第１の誘電体基板（１）の一方の面において同
一平面上にのみ複数形成され、第２の共振器パターン
（５）が第２の誘電体基板（４）の一方の面において同
一平面上にのみ複数形成されるようにすることができ
る。

【０００８】

【０００９】請求項７に記載の発明においては、第１、
第２の誘電体基板（１、４）間に、離間距離を一定に保
つための部材（１７、１８）を介在させているから、共
振器間のギャップが一定になって、所望のフィルタ特性
を得ることができる。

【００１０】

【発明の実施の形態】

（第１実施形態）図１に、本発明の第１実施形態に係る
バンドパスフィルタの模式的断面構成を示す。図１にお
いて、上側誘電体基板（以下、単に上側基板という）１
には、一方の面に共振器パターン２が形成され、他方の
面に上側グランドプレーン３が形成されている。また、
下側誘電体基板（以下、単に下側基板という）４には、
一方の面に共振器パターン５と入出力パッド６、７が形
成され、他方の面に下側グランドプレーン８が形成され
ている。そして、上側基板１と下側基板４は、微小のギ
ャップを有して対向配置されている。

【００１１】図２に、図１に示すものを上面から見た模
式的な平面図を示す。共振器パターン２、５は、基板
１、４に対し垂直方向から見て端部がオーバラップする
ように形成されている。この図２において、下側基板４
上に形成された共振器パターン５と入出力パッド６、７
についてはハッチングを付して示し、上側基板１上に形
成された共振器パターン２については破線で示してい
る。

【００１２】なお、共振器パターン２、５は、図１、２
では模式的に３つ示しているが、実際はバンドパスフィ
ルタを構成するに必要な数だけ形成されている。共振器
パターン２、５は、ラインの長さが１／２波長の整数倍
のマイクロストリップライン型伝送線路となっている。
ここで、１つの共振器パターンと誘電体基板とグランド
プレーンにて１つの共振器を構成しており、図３の等価
回路に示すように、各共振器間は容量結合されている。
従って、その容量結合を用いて共振器間で信号の伝達が
行われる。

【００１３】共振器パターン２、５を上下に配置した場
合には、共振器パターン２、５に流れる電流によって発
生する磁界により磁界結合も生じており、従って、共振
器間は容量結合に加えて磁界結合も加わった電磁界結合
となっている。この場合、本実施形態に示すように、共
振器パターン２、５の端部をオーバラップさせて離間配
置することにより、磁界結合を大きくすることができ、
共振器間での結合度を大きくすることができる。

【００１４】誘電体基板１、４は、金属製のケース９の
内側に取り付けられており、ケース９に設けられたコネ
クタ１０、１１と入出力パッド６、７とがボンディング
ワイヤ等の電気的接続手段１２、１３を介して接続され
ている。なお、ケース９は、上側ケース部材と下側ケー
ス部材を横側ケース部材にねじ止め固定することによっ
て構成されている。

【００１５】本実施形態では、グランドプレーン３、８
のそれぞれに、はんだの溶食に対するバリヤー層を成膜
し、その上にはんだの濡れ性を改善する接着層を成膜し
て、誘電体基板１、４をケース９の内側にはんだ付けし
ている。従って、ケース９自体をグランドとして各々の
グランドプレーン３、８が電気的に接続されている。こ
の場合、ケース９の内壁に誘導電流が流れるため、ケー
ス９の内側を可能な限り低抵抗とする必要がある。マイ
クロ波帯の周波数ではケース９の内部の導電率は問題に
ならず、ケース９の内側の表面から数マイクロメートル
の導電率が重要である。そこで、本実施形態では、ケー
ス９の内面を金メッキし、低抵抗にするとともに、内部
の酸化を防止するようにしている。なお、ケース９を気
密にできる場合には、金よりも導電率の大きい銀メッキ
が有効である。

【００１６】また、共振器パターンとグランドプレーン
に金属膜を用いる場合、フィルタが取り扱う電流密度が
大きいと、共振器パターンの温度が上昇する。金属の導
体では、抵抗の温度係数がプラスでほぼ絶対温度に比例
するため、共振器パターンの温度上昇が更に損失を増加
させることになるが、ケース９を金属製のものとし、ケ
ース９の内壁に基板１、４をはんだ付けすることによ
り、共振器パターンとケース９間の熱伝導性が良好にな
り、共振器パターンの温度上昇による損失増加を抑制す
ることができる。

【００１７】ケース９の内部空間は、気密性を持たせず
に外部と同じ雰囲気としても、不活性気体を封入して
も、真空にしてもよい。また、所定の誘電率を有する誘
電体を封入してもよい。この場合、共振器の実効誘電率
を大きくするとともに、外部から水分や腐食性の気体が
侵入するのを阻止することができる。上記したように、
上下２つの基板１、４に共振器パターン２、５をそれぞ
れ形成しており、それぞれの基板で共振器パターンを形
成することができるため、共振器パターンのレイアウト
の制約を少なくすることができる。また、フィルタの構
造が上下対称のため、共振器パターンの設計条件が２層
共等しくなり、設計が容易になる。また、基板１、４間
のギャップ、ギャップ間の誘電率、共振器パターン２、
５のオーバーラップを調整することにより、共振器間の
結合度を任意に設定することができる。

【００１８】また、共振器パターン２、５同士をオーバ
ーラップして配置できるため、実装の面積を縮小するこ
とができる。さらに、グランドプレーン３、８が上下に
配置されるため、ストリップライン型伝送線路に類似し
た構造を有することになり、電磁波を２枚のグランドプ
レーン３、８間に効果的に閉じ込め、放射損失を大幅に
低減することができる。（第２実施形態）第１実施形態では、上側基板１をケー
ス９に取り付けるものを示したが、上側基板１をケース
９に取り付けないように構成することもできる。

【００１９】図４に、その場合の、バンドパスフィルタ
の模式的断面構成を示す。上側基板１上にはケース９が
設けられておらず、上側基板１が、シリコーンゴム系や
フッ素樹脂系の絶縁性ポッティング材１４により下側基
板４上に固定されている。グランドプレーン３はケース
９とは電気的に接続されている必要はなく、グランドプ
レーン３をなくすことも可能である。グランドプレーン
３をなくした場合には、共振器パターン２は、グランド
プレーン８との間で共振器を構成する。

【００２０】また、グランドプレーン３をケースに電気
的に接続する必要がある場合には、図５に示すように、
導電性接着剤１５を用いて上側グランドプレーン３をケ
ース９に電気的に接続したり、あるいは図６に示すよう
に、リボンボンディング等の電気的接続手段１６を用い
てケース９に電気的に接続するようにすればよい。な
お、図５は、側壁方向から見た模式的断面図であり、図
６は上面から見た模式的平面図である。

【００２１】さらに、上側基板１と下側基板４間の間隔
を一定に保つため、図７に示すように、ポッティング材
１４中に球状のシリカによるスペーサ１７を混入させる
ようにしてもよい。また、上側基板１と下側基板４間の
スペースが１０μｍ〜５００μｍ程度の場合、図８に示
すように、厚さが制御されたフィルム１８を間に挟んで
圧接するようにしてもよい。なお、これら基板間の厚さ
を調節する方法は、第１実施形態のものにも同様に適用
することができる。（第３実施形態）第１、第２実施形態では、帯状の共振
器パターンを用いるものを示したが、図９に示すよう
に、直径が１／２波長の円板形の共振器パターン２、５
を用いて、マイクロストリップライン型伝送線路を構成
するようにしてもよい。共振器パターンを円形にするこ
とにより帯状の共振器パターンに比べて電流容量を大き
く取れるという利点がある。

【００２２】同一平面上に円板形の共振器パターンを形
成した従来のものでは、１／４波長の長さの側面結合を
用いることは困難であるため、専らエンドカップル方式
が用いられている。このため、共振器同士の結合度の上
限が円板の間のギャップの下限で制約されることにな
る。これに対し、本実施形態のように、上側基板１と下
側基板４のそれぞれに共振器パターンを形成することに
より、円板の端部を任意の寸法でオーバーラップさせる
ことができ、任意の結合度を設定することができる。（第４実施形態）本実施形態では、基板の大きさの制約
なしに大型のフィルタを作るため、図１０に示すよう
に、上側基板１、下側基板４を複数の基板に分割し、そ
の分割位置をオフセットさせて構成している。

【００２３】同一平面上に全ての共振器パターンを配置
する従来の構成においては、基板を分割する部分で基板
の端面間にギャップが生じるため、その部分で結合度の
違いが発生しやすいが、本実施形態のように、分割され
た２つの基板１、４に共振器パターンをそれぞれ形成
し、分割位置をオフセットさせることにより、図中の点
線の矢印で示すように、信号を２つの平面間に交互に伝
達することができ、分割部分での結合度の影響を小さく
することができる。

【００２４】なお、この第４実施形態に示すものは、第
１〜第３実施形態に示したいずれの構成に対しても適用
することができる。（第５実施形態）上述した種々の実施形態においては、
本発明を分布定数型フィルタに適用するものを示した
が、集中定数型フィルタにも適用することができる。

【００２５】図１１に、上側基板１、下側基板４に形成
される共振器パターンを示す。上側基板１には、容量結
合パッド２１およびスパイラルインダクタ２２が１層の
導体にて形成されている。下側基板４には、入出力パッ
ド６、７、容量結合パッド５１、およびスパイラルイン
ダクタ５２が１層の導体にて形成されている。なお、そ
の他の構成は、図１等に示すものと同じである。

【００２６】図１２に、その等価回路を示す。入出力パ
ッド６、７と容量結合パッド２１の間、および容量結合
パッド２１と５１の間はそれぞれ容量結合されているた
め、容量Ｃ₂で示している。また、各パッドとグランド
プレーン３、８の間の容量をＣ₁で示し、スパイラルイ
ンダクタ２２、５２をＬで示している。スパイラルイン
ダクタを用いた集中定数型フィルタを形成する場合、従
来のものでは、図１３（ａ）に示すように、スパイラル
イダクタ１０１の内周端１０１ａと接続配線１０２とを
クロスオーバー配線１０５にて接続している。すなわ
ち、図１３（ａ）のＡ−Ａ断面を示す図１３（ｂ）にお
いて、誘電体基板１００上にスパイラルイダクタ１０１
と接続配線１０２を形成し、その上に誘電体膜１０３を
形成してスルーホール１０４を形成し、その後、クロス
オーバー配線１０５を形成して、スパイラルイダクタ１
０１の内周端１０１ａと接続配線１０２とを接続するよ
うにしている。

【００２７】これに対し、本実施形態のように、スパイ
ラルインダクタの内周部に容量結合パッドを設けて、対
向する面の容量結合パッドとの間で容量結合させること
により、信号の伝達を行うことができ、従来のもののよ
うなクロスオーバー配線をなくすことができる。なお、
共振器パターンを設計する場合、対向する基板上のパタ
ーンと重なる部分の面積を容量結合パッドを除いてでき
るだけ小さくし、配線パターンは上下層のパターンで平
行する配線を避け、重なる部分は直交させるようにする
のが望ましい。

【００２８】上記した種々の実施形態において、共振器
パターンとグランドパターンは、金属導体で形成する
他、超伝導体にて形成することもできる。この場合、信
号の伝達は共振器同士の容量結合によって行われるた
め、超伝導体同士や超伝導体と常伝導体との抵抗性の結
合（オーミックコンタクト）は、入出力部を除いて存在
しない。狭帯域のバンドパスフィルタでは、フィルタの
共振器に蓄えられる電力はフィルタを通過する電力に対
して「中心周波数／帯域幅」倍となる。フィルタ内部の
共振器は高い電力密度にさらされるが、フィルタの入出
力部の電力密度は相対的に小さくなる。従って、入出力
部のみにオーミックコンタクトが存在しても、フィルタ
全体の特性に対する影響は小さく、フィルタの損失を低
減することができる。

【００２９】特に、従来の集中定数型フィルタにおいて
は、スパイラルインダクタの内周と外部とを接続するた
めのクロスオーバー配線が必要であり、超伝導体同士の
接続が難しいため、通常は、クロスオーバー配線は常伝
導体で形成されている。従って、超伝導体で構成したス
パイラルインダクタと常伝導体で構成されたクロスオー
バー配線との間にオーミックコンタクトが存在してしま
うことになる。しかしながら、第５実施形態に示す集中
定数型フィルタに対し超伝導体を用いて構成した場合に
は、クロスオーバー配線をなくすことができるため、配
線部分でのオーミックコンタクトをなくすことができ、
フィルタ特性を良好にする効果は非常に大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係るバンドパスフィル
タの模式的な断面構成図である。

【図２】図１に示すものを上面から見た模式的な平面図
である。

【図３】図１に示すものの等価回路図である。

【図４】本発明の第２実施形態に係るバンドパスフィル
タの模式的な断面構成図である。

【図５】第２実施形態の変形例に係る模式的な断面構成
図である。

【図６】第２実施形態の他の変形例に係る模式的な平面
図である。

【図７】第２実施形態のさらに他の変形例に係る模式的
な断面構成図である。

【図８】第２実施形態のさらに他の変形例に係る模式的
な断面構成図である。

【図９】本発明の第３実施形態に係るバンドパスフィル
タの模式的な平面図である。

【図１０】本発明の第４実施形態に係るバンドパスフィ
ルタの模式的な断面構成図である。

【図１１】本発明の第５実施形態に係るバンドパスフィ
ルタの共振器パターンを示す図である。

【図１２】図１１に示すものの等価回路図である。

【図１３】従来のスパイラルインダクタの配線構成を示
す図である。

【符号の説明】

１、４…誘電体基板、２、５…共振器パターン、３、８
…グランドプレーン、６、７…入出力パッド、９…ケー
ス、１０、１１…コネクタ、１４…ポッティング材、１
７…スペーサ、１８…フィルム。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開昭60−186107（ＪＰ，Ａ) 特開平７−336106（ＪＰ，Ａ) 特開平２−290303（ＪＰ，Ａ) 特開平３−154401（ＪＰ，Ａ) 米国特許4701727（ＵＳ，Ａ) Ｇ．Ｌ．ＭＡＴＴＨＡＥＩ，Ｌ．ＹＯＵＮＧ，ＡＮＤＥ．ＪＯＮＥＳ，”ＭＩＣＲＯＷＡＶＥＦＩＬＴＥＲＳＩＭＰＥＤＡＮＣＥＭＡＴＣＨＩＮＧＮＥＴＷＯＲＫＡＮＤＣＯＵＰＬＩＮＧＳＴＲＵＣＴＵＲＥ”，ＮＥＷＹＯＲＫ，ＭＣＧＲＡＷ−ＨＩＬＬ, 1964．（第588頁のＦＩＧ10．02−３) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01P 1/203

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】超伝導材で構成された第１の共振器パタ
ーン（２）が一方の面に同一平面上にのみ複数形成さ
れ、他方の面に第１のグランドプレーン（３）が形成さ
れた第１の誘電体基板（１）と、超伝導材で構成された第２の共振器パターン（５）が一
方の面に同一平面上にのみ複数形成され、他方の面に第
２のグランドプレーン（８）が形成された第２の誘電体
基板（４）とを備え、前記第１、第２の誘電体基板（１、４）は、それぞれの
一方の面が対向するように離間して配置されており、こ
の離間配置によって形成される前記第１、第２の誘電体
基板（１、４）の間の空間が、真空、あるいは空気、不
活性気体が存在した状態になっており、前記第１の共振器パターン（２）により構成される第１
の共振器と前記第２の共振器パターン（５）により構成
される第２の共振器との間で交互に信号の伝達が行われ
るようにしたことを特徴とするバンドパスフィルタ。
【請求項２】超伝導材で構成された第１の共振器パタ
ーン（２）が一方の面に形成され、他方の面に第１のグ
ランドプレーン（３）が形成された第１の誘電体基板
（１）と、超伝導材で構成された第２の共振器パターン（５）が一
方の面に形成され、他方の面に第２のグランドプレーン
（８）が形成された第２の誘電体基板（４）と、前記第１の誘電体基板（１）を固定する第１のケース部
材と、前記第２の誘電体基板（４）を固定する第２のケ
ース部材と、前記第１、第２のケース部材を固定する第
３のケース部材を有する導電性ケース（９）とを備え、前記第１のグランドプレーン（３）は、前記第１のケー
ス部材に電気的に導通し、前記第２のグランドプレーン
（８）は、前記第２のケース部材に電気的に導通して、
前記第１のグランドプレーン（３）と前記第２のグラン
ドプレーン（８）が、前記第１、第２、第３のケース部
材を介して電気的に接続されるようになっており、前記第１のケース部材に固定された前記第１の誘電体基
板（１）と前記第２のケース部材に固定された前記第２
の誘電体基板（４）は、それぞれの一方の面が対向する
ように離間して配置されており、この離間配置によって
形成される前記第１、第２の誘電体基板（１、４）の間
の空間が、真空、あるいは空気、不活性気体が存在した
状態になっており、前記第１の共振器パターン（２）により構成される第１
の共振器と前記第２の共振器パターン（５）により構成
される第２の共振器との間で信号の伝達が行われるよう
にしたことを特徴とするバンドパスフィルタ。
【請求項３】前記第１、第２の誘電体基板（１、４）
のいずれか一方に外部と電気接続するための入出力パッ
ド（６、７）が形成され、前記第３のケース部材にコネ
クタ（１０、１１）が設けられており、前記コネクタ
（１０、１１）と前記入出力パッド（６、７）が電気的
接続手段（１２、１３）により接続されていることを特
徴とする請求項２に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項４】超伝導材で構成された第１の共振器パタ
ーン（２）が一方の面に形成された第１の誘電体基板
（１）と、超伝導材で構成された第２の共振器パターン（５）が一
方の面に形成され、他方の面にグランドプレーン（８）
が形成された第２の誘電体基板（４）とを備え、前記第１、第２の誘電体基板（１、４）は、それぞれ分
割された基板で構成されており、それぞれの分割位置が
オフセットされ、かつそれぞれの一方の面が対向するよ
うに離間して配置されており、この離間配置によって形
成される前記第１、第２の誘電体基板（１、４）の間の
空間が、真空、あるいは空気、不活性気体が存在した状
態になっており、前記第１の共振器パターン（２）により構成される第１
の共振器と前記第２の共振器パターン（５）により構成
される第２の共振器との間で信号の伝達が行われるよう
にしたことを特徴とするバンドパスフィルタ。
【請求項５】前記第１の共振器パターン（２）の一部
と前記第２の共振器パターン（５）の一部がオーバーラ
ップして形成されていることを特徴とする請求項１乃至
４のいずれか１つに記載のバンドパスフィルタ。
【請求項６】前記第１の共振器パターン（２）は、前
記第１の誘電体基板（１）の一方の面において同一平面
上にのみ複数形成され、前記第２の共振器パターン
（５）は、前記第２の誘電体基板（４）の一方の面にお
いて同一平面上にのみ複数形成されていることを特徴と
する請求項２乃至５のいずれか１つに記載のバンドパス
フィルタ。
【請求項７】前記第１、第２の誘電体基板（１、４）
間に、離間距離を一定に保つための部材（１７、１８）
が介在されていることを特徴とする請求項１乃至６のい
ずれか１つに記載のバンドパスフィルタ。