JP2768702B2 - 相変化型光ディスク - Google Patents
相変化型光ディスクInfo
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- JP2768702B2 JP2768702B2 JP63284969A JP28496988A JP2768702B2 JP 2768702 B2 JP2768702 B2 JP 2768702B2 JP 63284969 A JP63284969 A JP 63284969A JP 28496988 A JP28496988 A JP 28496988A JP 2768702 B2 JP2768702 B2 JP 2768702B2
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- Japan
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- optical disk
- phase change
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- phase
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、相変化型光ディスクに関する。
背景技術 消去／再書込み可能な光ディスクが実用化されつつあ
る。この種の光ディスクには光磁気型と相変化型の２種
類がある。そのうち相変化型光ディスクは、記録層への
レーザビームの照射による温度変化に基づく、記録層の
結晶状態及びアモルファス状態間の相変化に伴う反射率
の相違を利用した光ディスクである。
る。この種の光ディスクには光磁気型と相変化型の２種
類がある。そのうち相変化型光ディスクは、記録層への
レーザビームの照射による温度変化に基づく、記録層の
結晶状態及びアモルファス状態間の相変化に伴う反射率
の相違を利用した光ディスクである。
かかる相変化型光ディスクの構造を第２図に示す。図
において、基板１はポリカーボネート（PC）、ポリメタ
クリレート（PMMA）等の透明樹脂からできている。透明
基板１上には情報を記録する際のレーザ光を導くトラッ
キングのためのプリグルーブ（案内溝）２が予め形成さ
れている。そして、SiO2等の保護層３を介してTeGeSeSb
の薄膜からなる相変化型の記録層４が形成され、さらに
その上にSiO2等の保護層５が形成されている。保護層５
の上には再生出力レベルを光学的に増強させるための反
射層６が設けられ、さらにその上に紫外線硬化型樹脂等
の接着剤層７を介して保護板８が設けられている。
において、基板１はポリカーボネート（PC）、ポリメタ
クリレート（PMMA）等の透明樹脂からできている。透明
基板１上には情報を記録する際のレーザ光を導くトラッ
キングのためのプリグルーブ（案内溝）２が予め形成さ
れている。そして、SiO2等の保護層３を介してTeGeSeSb
の薄膜からなる相変化型の記録層４が形成され、さらに
その上にSiO2等の保護層５が形成されている。保護層５
の上には再生出力レベルを光学的に増強させるための反
射層６が設けられ、さらにその上に紫外線硬化型樹脂等
の接着剤層７を介して保護板８が設けられている。
この光ディスクにおいて、記録再生のためのレーザビ
ームは、透明基板１側から記録層４へ向けて照射され、
反射層６にて反射される。レーザビームにより記録層４
が加熱、冷却され記録層４に相変化が生じる。
ームは、透明基板１側から記録層４へ向けて照射され、
反射層６にて反射される。レーザビームにより記録層４
が加熱、冷却され記録層４に相変化が生じる。
かかる構造の光ディスクにおいては、基板１と保護層
３との密着郷土が弱いため、耐湿試験を行うとSiO2の保
護層３にクラックが発生し易いという問題があった。
３との密着郷土が弱いため、耐湿試験を行うとSiO2の保
護層３にクラックが発生し易いという問題があった。
発明の概要 そこで、本発明は、保護層のクラックが発生し難い相
変化型光ディスクを提供することを目的とする。
変化型光ディスクを提供することを目的とする。
本発明による相変化型光ディスクは、基板と、前記基
板上に形成した反射面と、前記反射層上に形成した相変
化型記録層及びこれを挟む一対の保護層とを有する相変
化型光ディスクであって、前記記録層に対して前記反射
層とは反対側の前記保護層上に平坦な透明板を有するこ
とを特徴とする。
板上に形成した反射面と、前記反射層上に形成した相変
化型記録層及びこれを挟む一対の保護層とを有する相変
化型光ディスクであって、前記記録層に対して前記反射
層とは反対側の前記保護層上に平坦な透明板を有するこ
とを特徴とする。
実 施 例 以下、本発明の実施例を図に基づいて詳細に説明す
る。
る。
本発明の一実施例を示す第１図において、基板11はPC
からできている。PCはPMMAより吸湿性が小さいために基
板に用いられるが、PMMAを基板11としてもよい。この基
板11上にはトラッキングのためのプリグルーブ12が予め
形成され、その上にはレーザビームを反射させるための
A1からなる反射層13が設けられている。そして、SiO2の
保護層14を介してTeGeSeSbの薄膜の記録層15が形成さ
れ、さらにその上にSiO2の保護層16が形成されている。
ここでTeGeSeSbの記録層15の他の相変化材料としてTeGe
SeSb,InSe等のカルコゲン系元素を含む薄膜を記録層15
としてもよい。その上に紫外線硬化型樹脂等の接着剤層
17を介して平坦な透明板18が設けられている。すなわ
ち、記録層15に対して反射層13とは反対側の保護層とし
ての接着剤層17上に平坦な透明板18を設けている。平坦
な透明板18の材質は、ガラス、PC,PMMA又はエポキシ樹
脂である。これらは、光透過性の優れた材質であるから
用いられる。
からできている。PCはPMMAより吸湿性が小さいために基
板に用いられるが、PMMAを基板11としてもよい。この基
板11上にはトラッキングのためのプリグルーブ12が予め
形成され、その上にはレーザビームを反射させるための
A1からなる反射層13が設けられている。そして、SiO2の
保護層14を介してTeGeSeSbの薄膜の記録層15が形成さ
れ、さらにその上にSiO2の保護層16が形成されている。
ここでTeGeSeSbの記録層15の他の相変化材料としてTeGe
SeSb,InSe等のカルコゲン系元素を含む薄膜を記録層15
としてもよい。その上に紫外線硬化型樹脂等の接着剤層
17を介して平坦な透明板18が設けられている。すなわ
ち、記録層15に対して反射層13とは反対側の保護層とし
ての接着剤層17上に平坦な透明板18を設けている。平坦
な透明板18の材質は、ガラス、PC,PMMA又はエポキシ樹
脂である。これらは、光透過性の優れた材質であるから
用いられる。
この光ディスクにおいては、記録再生用レーザビーム
は、平坦な透明板18側から記録層15へ向けて照射され、
反射層13にて反射される。照射されたレーザビームによ
り記録層15が加熱、冷却され記録層に相変化が生じる。
は、平坦な透明板18側から記録層15へ向けて照射され、
反射層13にて反射される。照射されたレーザビームによ
り記録層15が加熱、冷却され記録層に相変化が生じる。
なお、上記実施例では、反射層13としては、Alからな
る反射層が設けられているが、放熱性を良くするために
Au,Cr,Cu,Ag,Pt,Ni等の金属を用いても良い。また、保
護層14,16の材料としてSiO2の誘電体薄膜が用いられて
いるが、Al2O3,ZnS,MgF2,SiO,SnO2,TiO2,ZnSe,AlN,Si3N
4等の誘電体を用いても良い。また、耐湿性及び放熱性
を向上させるために一対の保護層13,15の材質には、例
えばSiO2及びAl2O3を用いる等お互いに異ならしめても
良く、また、一対の保護層13,15の膜厚を変化させても
良い。
る反射層が設けられているが、放熱性を良くするために
Au,Cr,Cu,Ag,Pt,Ni等の金属を用いても良い。また、保
護層14,16の材料としてSiO2の誘電体薄膜が用いられて
いるが、Al2O3,ZnS,MgF2,SiO,SnO2,TiO2,ZnSe,AlN,Si3N
4等の誘電体を用いても良い。また、耐湿性及び放熱性
を向上させるために一対の保護層13,15の材質には、例
えばSiO2及びAl2O3を用いる等お互いに異ならしめても
良く、また、一対の保護層13,15の膜厚を変化させても
良い。
このように、本実施例によれば第２図に示すごときPC
からなる基板１からレーザビームを照射する光ディスク
構造ではないので、PCを基板とした場合の複屈折の影響
から解放される。更に、基板11と反射層13との密着強
度、反射層13と保護層14との密着強度、並びに保護層16
と接着剤層17の密着強度が、基板11と保護層14とを直接
積層した場合におけるそれらの密着強度より強く、更に
プラスチック基板11とSiO2等の保護層14とが直接触れて
いないので、基板と保護層との熱膨張の差により発生す
ると考えられる保護層のクラックに伴う記録層の破壊が
回避できる。
からなる基板１からレーザビームを照射する光ディスク
構造ではないので、PCを基板とした場合の複屈折の影響
から解放される。更に、基板11と反射層13との密着強
度、反射層13と保護層14との密着強度、並びに保護層16
と接着剤層17の密着強度が、基板11と保護層14とを直接
積層した場合におけるそれらの密着強度より強く、更に
プラスチック基板11とSiO2等の保護層14とが直接触れて
いないので、基板と保護層との熱膨張の差により発生す
ると考えられる保護層のクラックに伴う記録層の破壊が
回避できる。
発明の効果 以上説明したように、本発明によれば、基板上に形成
した反射層と、この反射層上に形成した相変化型記録層
及びこれを挟む一対の保護層とを有する相変化型光ディ
スクにおいて、かかる記録層に対して反射層とは反対側
の保護層上にレーザ入射用の平坦透明板を設けたので、
保護層と基板とが直接接触しない故に保護層のクラック
が発生し難い相変化型光ディスクが得られる。
した反射層と、この反射層上に形成した相変化型記録層
及びこれを挟む一対の保護層とを有する相変化型光ディ
スクにおいて、かかる記録層に対して反射層とは反対側
の保護層上にレーザ入射用の平坦透明板を設けたので、
保護層と基板とが直接接触しない故に保護層のクラック
が発生し難い相変化型光ディスクが得られる。
第１図は本発明による相変化型光ディスクの一実施例を
示す構造図、第２図は相変化型光ディスクの従来例を示
す構造図である。 主要部分の符号の説明 11……基板、13……反射層 14,16……保護層 15……記録層、17……接着剤層 18……保護板
示す構造図、第２図は相変化型光ディスクの従来例を示
す構造図である。 主要部分の符号の説明 11……基板、13……反射層 14,16……保護層 15……記録層、17……接着剤層 18……保護板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 横関 伸一 埼玉県入間郡鶴ケ島町富士見６丁目１番 １号 パイオニア株式会社総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−184743（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−161545（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 7/24
Claims (7)
- 【請求項１】基板上に、相変化型記録層及びこれを挟む
一対の保護層とを有する相変化型光ディスクであって、
前記保護層の一方と前記基板との間にそれぞれ接し積層
された反射層と、前記相変化型記録層に対して前記反射
層とは反対側の前記保護層の他方の上に接着された平坦
な透明板と、を有し、前記透明板側からレーザビームが
入射されることを特徴とする相変化型光ディスク。 - 【請求項２】前記平坦な透明板は、ガラス，ポリカーボ
ネート，ポリメタクリレート及びエポキシからなる群か
ら選ばれる光透過性物質からなることを特徴とする請求
項１記載の相変化型光ディスク。 - 【請求項３】前記基板上にプリアドレス及びプリグルー
プが予め形成されていることを特徴とする請求項１又は
２記載の相変化型光ディスク。 - 【請求項４】前記相変化型記録層は、TeGeSeSb,TeGeSb,
InSe等のカルコゲン系元素からなる薄膜からなることを
特徴とする請求項1,2又は３記載の相変化型光ディス
ク。 - 【請求項５】前記保護層は、SiO2,Al2O3,MgF2,SiO,Sn
O2,TiO2,ZnSe,AlN,Si3N4及びZnSからなる群から選ばれ
る誘導体薄膜からなることを特徴とする請求項１ないし
４のいずれか１記載の相変化型光ディスク。 - 【請求項６】前記反射層は、Al,Au,Cu,Ag,Pt,Ni及びCr
からなる群から選ばれる金属薄膜からなることを特徴と
する請求項１ないし５のいずれか１記載の相変化型光デ
ィスク。 - 【請求項７】前記基板は、ポリカーボネート又はポリメ
タクリレートからなることを特徴とする請求項１ないし
６のいずれか１記載の相変化型光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63284969A JP2768702B2 (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 相変化型光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63284969A JP2768702B2 (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 相変化型光ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02132650A JPH02132650A (ja) | 1990-05-22 |
| JP2768702B2 true JP2768702B2 (ja) | 1998-06-25 |
Family
ID=17685427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63284969A Expired - Fee Related JP2768702B2 (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 相変化型光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2768702B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61184743A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-08-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録媒体 |
| JPS63161545A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-05 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
-
1988
- 1988-11-11 JP JP63284969A patent/JP2768702B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02132650A (ja) | 1990-05-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |