JPH02132650A - 相変化型光ディスク - Google Patents
相変化型光ディスクInfo
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- JPH02132650A JPH02132650A JP63284969A JP28496988A JPH02132650A JP H02132650 A JPH02132650 A JP H02132650A JP 63284969 A JP63284969 A JP 63284969A JP 28496988 A JP28496988 A JP 28496988A JP H02132650 A JPH02132650 A JP H02132650A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、相変化型光ディスクに関する。
背景技術
消去／再書込み可能な光ディスクが実用化されつつある
。この種の光ディスクには光磁気型と相変化型の２種類
がある。そのうち相変化型光ディスクは、記録層へのレ
ーザビームの照射による温度変化に基づく、記録層の結
晶状態及びアモルファス状態間の相変化に伴う反射率の
相違を利用した光ディスクである。
。この種の光ディスクには光磁気型と相変化型の２種類
がある。そのうち相変化型光ディスクは、記録層へのレ
ーザビームの照射による温度変化に基づく、記録層の結
晶状態及びアモルファス状態間の相変化に伴う反射率の
相違を利用した光ディスクである。
かかる相変化型光ディスクの構造を第２図に示す。図に
おいて、基板１はポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメタ
クリレート（ＰＭＭＡ）等の透明樹脂からできている。
おいて、基板１はポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメタ
クリレート（ＰＭＭＡ）等の透明樹脂からできている。
透明基板１上には情報を記録する際のレーザ光を導くト
ラッキングのためのプリグルーブ（案内溝）２が予め形
成されている。
ラッキングのためのプリグルーブ（案内溝）２が予め形
成されている。
そして、Ｓｉ０２等の保護層３を介してＴｅＧｅＳｅＳ
ｂの薄膜からなる相変化型の記録層４が形成され、さら
にその上にＳｉＣｈ等の保護層５が形成されている。保
護層５の上には再生出力レベルを光学的に増強させるた
めの反射層６が設けられ、さらにその上に紫外線硬化型
樹脂等の接着剤層７を介して保護板８が設けられている
。
ｂの薄膜からなる相変化型の記録層４が形成され、さら
にその上にＳｉＣｈ等の保護層５が形成されている。保
護層５の上には再生出力レベルを光学的に増強させるた
めの反射層６が設けられ、さらにその上に紫外線硬化型
樹脂等の接着剤層７を介して保護板８が設けられている
。
この光ディスクにおいて、記録再生のためのレ−ザビー
ムは、透明基板１側から記録層４へ向けて照射され、反
射層６にて反射される。レーザビームにより記録層４が
加熱、冷却され記録層４に相変化が生じる。
ムは、透明基板１側から記録層４へ向けて照射され、反
射層６にて反射される。レーザビームにより記録層４が
加熱、冷却され記録層４に相変化が生じる。
かかる構造の光ディスクにおいては、基板１と保護層３
との密着強度が弱いため、耐湿試験を行うとＳｉ０２の
保護層３にクラックが発生し易いという問題があった。
との密着強度が弱いため、耐湿試験を行うとＳｉ０２の
保護層３にクラックが発生し易いという問題があった。
発明の概要
そこで、本発明は、保護層のクラックが発生し難い相変
化型光ディスクを提供することを目的とする。
化型光ディスクを提供することを目的とする。
本発明による相変化型光ディスクは、基板と、前記基板
上に形成した反射層と、前記反射層上に形成した相変化
型記録層及びこれを挟む一対の保護層とを有する相変化
型光ディスクであって、前記記録層に対して前記反射層
とは反対側の前記保護層上に平坦な透明板を有すること
を特徴とする。
上に形成した反射層と、前記反射層上に形成した相変化
型記録層及びこれを挟む一対の保護層とを有する相変化
型光ディスクであって、前記記録層に対して前記反射層
とは反対側の前記保護層上に平坦な透明板を有すること
を特徴とする。
実施例
以下、本発明の実施例を図に基づいて詳細に説明する。
本発明の一実施例を示す第１図において、基板１１はＰ
Ｃからできている。ＰＣはＰＭＭＡより吸湿性が小さい
ために基板に用いられるが、ＰＭＭＡを基板１１として
もよい。この基板１１上にはトラッキングのためのプリ
グルーブ１２が予め形成され、その上にはレーザビーム
を反射させるためのＡｌからなる反射層１３が設けらで
いる。
Ｃからできている。ＰＣはＰＭＭＡより吸湿性が小さい
ために基板に用いられるが、ＰＭＭＡを基板１１として
もよい。この基板１１上にはトラッキングのためのプリ
グルーブ１２が予め形成され、その上にはレーザビーム
を反射させるためのＡｌからなる反射層１３が設けらで
いる。
そして、ＳｉＯｚの保護層１４を介してＴｅＧｅＳｅＳ
ｂの薄膜の記録層１５が形成され、さらにその上にＳｉ
０２の保護層１６が形成されている。
ｂの薄膜の記録層１５が形成され、さらにその上にＳｉ
０２の保護層１６が形成されている。
ここでＴｅＧｅＳｅＳｂの記録層１５の他に相変化材料
としてＴｅＧｅＳｂ，ＩｎＳｅ等のカルコゲン系元素を
含む薄膜を記録層１５としてもよい。
としてＴｅＧｅＳｂ，ＩｎＳｅ等のカルコゲン系元素を
含む薄膜を記録層１５としてもよい。
その上に紫外線硬化型樹脂等の接着剤層１７を介して平
坦な透明板１８が設けられている。すなわち、記録層１
５に対して反射層１３とは反対側の保護層としての接着
剤層１７上に平坦な透明板１８を設けている。平坦な透
明板１８の材質は、ガラス、ＰＣ，ＰＭＭＡ又はエボキ
シ樹脂である。
坦な透明板１８が設けられている。すなわち、記録層１
５に対して反射層１３とは反対側の保護層としての接着
剤層１７上に平坦な透明板１８を設けている。平坦な透
明板１８の材質は、ガラス、ＰＣ，ＰＭＭＡ又はエボキ
シ樹脂である。
これらは、光透過性の優れた材質であるから用いられる
。
。
この光ディスクにおいては、記録再生用レーザビームは
、平坦な透明板１８側から記録層１５へ向けて照射され
、反射層１３にて反射される。照射されたレーザビーム
により記録層１５が加熱、冷却され記録層に相変化が生
じる。
、平坦な透明板１８側から記録層１５へ向けて照射され
、反射層１３にて反射される。照射されたレーザビーム
により記録層１５が加熱、冷却され記録層に相変化が生
じる。
なお、上記実施例では、反射層１３としては、ＡＩから
なる反射層が設けられているが、，放熱性を良くするた
めにＡｕ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｎｉ等の金属を用
いても良い。また、保護層１４，１６の材料としてＳｉ
０２の誘電体薄膜が用いられているが、ＡΩ２ ０３
，ＺｎＳ，ＭｇＦ２ 、ＳｉＯ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、
ＺｎＳｅ，Ａ，ＱＮ，Ｓｉ３Ｎ４等の誘電体を用いても
良い。また、耐湿性及び放熱性を向上させるために一対
の保護層１３．１５の材質には、例えばＳｉ０２及びＡ
Ｎ２０３を用いる等お互いに異ならしめても良く、また
、一対の保護層１３．１５の膜厚を変化させても良い。
なる反射層が設けられているが、，放熱性を良くするた
めにＡｕ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｎｉ等の金属を用
いても良い。また、保護層１４，１６の材料としてＳｉ
０２の誘電体薄膜が用いられているが、ＡΩ２ ０３
，ＺｎＳ，ＭｇＦ２ 、ＳｉＯ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、
ＺｎＳｅ，Ａ，ＱＮ，Ｓｉ３Ｎ４等の誘電体を用いても
良い。また、耐湿性及び放熱性を向上させるために一対
の保護層１３．１５の材質には、例えばＳｉ０２及びＡ
Ｎ２０３を用いる等お互いに異ならしめても良く、また
、一対の保護層１３．１５の膜厚を変化させても良い。
このように、本実施例によれば第２図に示すごときＰＣ
からなる基板１からレーザビームを照射する光ディスク
構造ではないので、ＰＣをＭ板とした場合の複屈折の影
響から解放される。更に、基板１１と反射層１３との密
着強度、反射層１３と保護層１４との密着強度、並びに
保護層１６と接着剤層１７の密着強度が、基板１１と保
護層１４とを直接積層した場合におけるそれらの密着強
度より強く、更にプラスチック基板１１とＳｉＯ２等の
保護層１４とが直接触れていないので、基板と保護層と
の熱膨張の差により発生すると考えられる保護層のクラ
ックに伴う記録層の破壊が回避できる。
からなる基板１からレーザビームを照射する光ディスク
構造ではないので、ＰＣをＭ板とした場合の複屈折の影
響から解放される。更に、基板１１と反射層１３との密
着強度、反射層１３と保護層１４との密着強度、並びに
保護層１６と接着剤層１７の密着強度が、基板１１と保
護層１４とを直接積層した場合におけるそれらの密着強
度より強く、更にプラスチック基板１１とＳｉＯ２等の
保護層１４とが直接触れていないので、基板と保護層と
の熱膨張の差により発生すると考えられる保護層のクラ
ックに伴う記録層の破壊が回避できる。
発明の効果
以上説明したように、本発明によれば、基板上に形成し
た反射層と、この反射層上に形成した相変化型記録層及
びこれを挟む一対の保護層とを有する相変化型光ディス
クにおいて、かかる記録層に対して反射層とは反対側の
保護層上にレーザ入射用の平坦透明板を設けたので、保
護層と基板とが直接接触しない故に保護層のクラックが
発生し難い相変化型光ディスクが得られる。
た反射層と、この反射層上に形成した相変化型記録層及
びこれを挟む一対の保護層とを有する相変化型光ディス
クにおいて、かかる記録層に対して反射層とは反対側の
保護層上にレーザ入射用の平坦透明板を設けたので、保
護層と基板とが直接接触しない故に保護層のクラックが
発生し難い相変化型光ディスクが得られる。
第１図は本発明による相変化型光ディスクの一実施例を
示す構造図、第２図は相変化型光ディスクの従来例を示
す構造図である。 主要部分の符号の説明 １１・・・・・・基板 １３・・・・・・反射層
１４．１６・・・・・・保護層 １５・・・・・・記録層 １７・・・・・・接着剤
層１８・・・・・・保護板 出願人 パイオニア株式会社
示す構造図、第２図は相変化型光ディスクの従来例を示
す構造図である。 主要部分の符号の説明 １１・・・・・・基板 １３・・・・・・反射層
１４．１６・・・・・・保護層 １５・・・・・・記録層 １７・・・・・・接着剤
層１８・・・・・・保護板 出願人 パイオニア株式会社
Claims (7)
- （１）基板と、前記基板上に形成した反射層と、前記反
射層上に形成した相変化型記録層及びこれを挟む一対の
保護層とを有する相変化型光ディスクであって、前記記
録層に対して前記反射層とは反対側の前記保護層上に平
坦な透明板を有することを特徴とする相変化型光ディス
ク。 - （２）前記平坦な透明板は、ガラス、ポリカーボネート
、ポリメタクリレート及びエポキシからなる群から選ば
れる光透過性物質からなることを特徴とする請求項１記
載の相変化型光ディスク。 - （３）前記基板上にプリアドレス及びプリグルーブが予
め形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載
の相変化型光ディスク。 - （４）前記相変化型記録層は、ＴｅＧｅＳｅＳｂ、Ｔｅ
ＧｅＳｂ、ＩｎＳｅ等のカルコゲン系元素からなる薄膜
からなることを特徴とする請求項１、２又は３記載の相
変化型光ディスク。 - （５）前記保護層は、ＳｉＯ＿２、Ａｌ＿２Ｏ＿３、Ｍ
ｇＦ＿２、ＳｉＯ、ＳｎＯ＿２、ＴｉＯ＿２、ＺｎＳｅ
、ＡｌＮ、Ｓｉ＿３Ｎ＿４及びＺｎＳからなる群から選
ばれる誘電体薄膜からなることを特徴とする請求項１な
いし４のいずれか１記載の相変化型光ディスク。 - （６）前記反射層は、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｔ、
Ｎｉ及びＣｒからなる群から選ばれる金属薄膜からなる
ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１記載の
相変化型光ディスク。 - （７）前記基板は、ポリカーボネート又はポリメタクリ
レートからなることを特徴とする請求項１ないし６のい
ずれか１記載の相変化型光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63284969A JP2768702B2 (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 相変化型光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63284969A JP2768702B2 (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 相変化型光ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02132650A true JPH02132650A (ja) | 1990-05-22 |
| JP2768702B2 JP2768702B2 (ja) | 1998-06-25 |
Family
ID=17685427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63284969A Expired - Fee Related JP2768702B2 (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 相変化型光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2768702B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61184743A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-08-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録媒体 |
| JPS63161545A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-05 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
-
1988
- 1988-11-11 JP JP63284969A patent/JP2768702B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61184743A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-08-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録媒体 |
| JPS63161545A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-05 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2768702B2 (ja) | 1998-06-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |