JP2768160B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JP2768160B2 JP2768160B2 JP23320092A JP23320092A JP2768160B2 JP 2768160 B2 JP2768160 B2 JP 2768160B2 JP 23320092 A JP23320092 A JP 23320092A JP 23320092 A JP23320092 A JP 23320092A JP 2768160 B2 JP2768160 B2 JP 2768160B2
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- semiconductor chip
- insulator
- conductor
- film
- semiconductor device
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ディスクリート半導体
装置とその製造方法に関し、特に、表面実装型の小信号
用ダイオード、トランジスタの構造および製造方法に関
する。
装置とその製造方法に関し、特に、表面実装型の小信号
用ダイオード、トランジスタの構造および製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来のディスクリート半導体装置は、半
導体チップが固着されボンディングワイヤーで半導体チ
ップ上の電極と結線された金属リードフレームをエポキ
シ系の熱硬化樹脂で樹脂封止した構造になっている。図
４は、従来の表面実装型の小信号トランジスタを示して
おり、金属リードフレーム１１のアイランド部に半導体
チップ１２を固着した後、ボンティングワイヤー１３に
より半導体チップ１２上の電極と金属リードフレーム１
１のインナーリード部を結線し半導体チップを覆うよう
にエポキシ系の熱硬化樹脂で封止する。そして最後に封
止樹脂１４から露出した外部リード表面に半田メッキ等
の被覆処理をした後、切断・曲げ加工を行なうことによ
り製造されている。
導体チップが固着されボンディングワイヤーで半導体チ
ップ上の電極と結線された金属リードフレームをエポキ
シ系の熱硬化樹脂で樹脂封止した構造になっている。図
４は、従来の表面実装型の小信号トランジスタを示して
おり、金属リードフレーム１１のアイランド部に半導体
チップ１２を固着した後、ボンティングワイヤー１３に
より半導体チップ１２上の電極と金属リードフレーム１
１のインナーリード部を結線し半導体チップを覆うよう
にエポキシ系の熱硬化樹脂で封止する。そして最後に封
止樹脂１４から露出した外部リード表面に半田メッキ等
の被覆処理をした後、切断・曲げ加工を行なうことによ
り製造されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の樹脂封止構
造の表面実装型半導体装置では、金属リードフレーム１
１を金属薄板のプレス加工又はエッチング処理によって
製造しているため、各電極間で１００μｍ以上の距離を
必要とする。更に、ボンディングワイヤー１３は、半導
体チップ１２の端部及びリードフレームアイランド部に
接触しないようにするための、半導体チップ１２の上方
に高さ１００μｍ以上でワイヤーループを形成する必要
がある。また、樹脂封止は、金属リードフレームを形状
が型取りされた上下金型で挟みこみ、金型のキャビティ
内に溶融した熱硬化性樹脂を注入して行なっているた
め、封止樹脂端部とインナーリード結線部の距離が１５
０μｍ以上必要となる。
造の表面実装型半導体装置では、金属リードフレーム１
１を金属薄板のプレス加工又はエッチング処理によって
製造しているため、各電極間で１００μｍ以上の距離を
必要とする。更に、ボンディングワイヤー１３は、半導
体チップ１２の端部及びリードフレームアイランド部に
接触しないようにするための、半導体チップ１２の上方
に高さ１００μｍ以上でワイヤーループを形成する必要
がある。また、樹脂封止は、金属リードフレームを形状
が型取りされた上下金型で挟みこみ、金型のキャビティ
内に溶融した熱硬化性樹脂を注入して行なっているた
め、封止樹脂端部とインナーリード結線部の距離が１５
０μｍ以上必要となる。
【０００４】このような理由により、従来の樹脂封止半
導体装置においては、外形の小型化に際し縦・横・高さ
方向に限界がある。また、外部電極も露出した金属リー
ドフレームを曲げ加工して得ているため、ピッチ間隔で
０．３ｍｍ、リード幅で０．２ｍｍが限界となり、外形
の小型化を制約する要因の一つとなっている。
導体装置においては、外形の小型化に際し縦・横・高さ
方向に限界がある。また、外部電極も露出した金属リー
ドフレームを曲げ加工して得ているため、ピッチ間隔で
０．３ｍｍ、リード幅で０．２ｍｍが限界となり、外形
の小型化を制約する要因の一つとなっている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の表面実装型半導
体装置においては、半導体チップを導体膜が印刷された
第１および第２の絶縁性フィルムにより挟み、半導体チ
ップ及びリード接続部を覆うように絶縁体及びコーティ
ング樹脂を形成する。また、外部電極は、半導体チップ
電極に接続した導体膜に連結するようにスルーホール部
側面の導体膜により形成し、スルーホール部および半導
体チップ間を切断することにより個々の長方形状の半導
体装置を形成している。
体装置においては、半導体チップを導体膜が印刷された
第１および第２の絶縁性フィルムにより挟み、半導体チ
ップ及びリード接続部を覆うように絶縁体及びコーティ
ング樹脂を形成する。また、外部電極は、半導体チップ
電極に接続した導体膜に連結するようにスルーホール部
側面の導体膜により形成し、スルーホール部および半導
体チップ間を切断することにより個々の長方形状の半導
体装置を形成している。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図は本発明の第１の実施例の表面実装型小信号ダイ
オードを示しており、（ａ）は断面図、（ｂ）は上面
図、（ｃ）は側面図である。半導体チップ１の表面電極
としてＣｕ又はＡｕのバンプ電極２を有しており、あら
かじめパターニングされた絶縁性フィルム３の導体膜４
上に熱圧着等により半導体チップの裏面が固着されてい
る。半導体チップ１の周辺を囲むように形成された絶縁
体５を絶縁性フィルム３と重ね更に、導体リード７を有
する絶縁性フィルム６を絶縁体５の上に重ね、各種の接
着を行なう。また、導体リード７の先端部を半導体チッ
プ１上のバンプ電極２に熱圧着して接着させることによ
り、半導体チップ上下電極と導通がとられた状態とな
る。
る。図は本発明の第１の実施例の表面実装型小信号ダイ
オードを示しており、（ａ）は断面図、（ｂ）は上面
図、（ｃ）は側面図である。半導体チップ１の表面電極
としてＣｕ又はＡｕのバンプ電極２を有しており、あら
かじめパターニングされた絶縁性フィルム３の導体膜４
上に熱圧着等により半導体チップの裏面が固着されてい
る。半導体チップ１の周辺を囲むように形成された絶縁
体５を絶縁性フィルム３と重ね更に、導体リード７を有
する絶縁性フィルム６を絶縁体５の上に重ね、各種の接
着を行なう。また、導体リード７の先端部を半導体チッ
プ１上のバンプ電極２に熱圧着して接着させることによ
り、半導体チップ上下電極と導通がとられた状態とな
る。
【０００７】次に絶縁体５及び絶縁性フィルム３，６に
囲まれた半導体チップ１の周辺部に溶融コーティング樹
脂８を流し込み半導体チップ１及びバンプ電極２および
導体リード７を覆った後、高温ベークして硬化させるこ
とにより保護し半導体装置の外囲器が形成される。
囲まれた半導体チップ１の周辺部に溶融コーティング樹
脂８を流し込み半導体チップ１及びバンプ電極２および
導体リード７を覆った後、高温ベークして硬化させるこ
とにより保護し半導体装置の外囲器が形成される。
【０００８】次に、外部電極の形成方法について説明す
る。絶縁体５及び絶縁性フィルム３，６にはあらかじめ
円形状の穴が設けられており、前述のようにこれらを積
み重ねた後には、上下に貫通する穴が形成されるが、こ
の貫通穴以外の部分をレジスト膜で保護する等の処置を
し、半田又は錫等の金属を付着させて貫通穴側面に導体
膜を付け、導体膜４及び導体リード７の端部と連結する
外部電極９が形成される。その後、貫通穴部及び各半導
体チップ周辺を切断することにより、図１の構造を有す
る小信号ダイオードが得られる。
る。絶縁体５及び絶縁性フィルム３，６にはあらかじめ
円形状の穴が設けられており、前述のようにこれらを積
み重ねた後には、上下に貫通する穴が形成されるが、こ
の貫通穴以外の部分をレジスト膜で保護する等の処置を
し、半田又は錫等の金属を付着させて貫通穴側面に導体
膜を付け、導体膜４及び導体リード７の端部と連結する
外部電極９が形成される。その後、貫通穴部及び各半導
体チップ周辺を切断することにより、図１の構造を有す
る小信号ダイオードが得られる。
【０００９】図２（ａ）〜（ｃ）は、図１の実施例の小
信号ダイオードの製造方法の工程を示す断面図である。
本実施例の半導体装置の製造に使用される絶縁性フィル
ム３，６及び絶縁体５はシートになっており、縦横一定
間隔に半導体チップを設置する個所が設けられている。
図２（ａ）では絶縁性フィルム３上に印刷された導体膜
４の上に半導体チップ１を固着し、また、半導体チップ
１の周辺を囲むように絶縁体５が絶縁性フィルム６を絶
縁体５の上に重ねられる。図２（ｂ）では、導体リード
７が設けられた絶縁性フィルム６を絶縁体５の上に重ね
接着する。また導体リード７は、半導体チップ１のバン
プ電極２に熱圧着する。図２（ｃ）では半導体チップ及
び導体リードを覆うようにコーティング樹脂８を入れた
後、硬化させる。しかる後、貫通穴１０の側面にのみ導
体膜をメッキした後、板状の組立体からダイサーを用い
て貫通穴部と半導体チップ周辺を切断することにより、
２端子の小信号トランジスタが製造される。
信号ダイオードの製造方法の工程を示す断面図である。
本実施例の半導体装置の製造に使用される絶縁性フィル
ム３，６及び絶縁体５はシートになっており、縦横一定
間隔に半導体チップを設置する個所が設けられている。
図２（ａ）では絶縁性フィルム３上に印刷された導体膜
４の上に半導体チップ１を固着し、また、半導体チップ
１の周辺を囲むように絶縁体５が絶縁性フィルム６を絶
縁体５の上に重ねられる。図２（ｂ）では、導体リード
７が設けられた絶縁性フィルム６を絶縁体５の上に重ね
接着する。また導体リード７は、半導体チップ１のバン
プ電極２に熱圧着する。図２（ｃ）では半導体チップ及
び導体リードを覆うようにコーティング樹脂８を入れた
後、硬化させる。しかる後、貫通穴１０の側面にのみ導
体膜をメッキした後、板状の組立体からダイサーを用い
て貫通穴部と半導体チップ周辺を切断することにより、
２端子の小信号トランジスタが製造される。
【００１０】図３（ａ）（ｂ）は、本発明の第２の実施
例を示す断面図と上面図で、３端子の小信号トランジス
タの例である。本実施例においては、直方体の２つの対
面に半導体チップ１上の２電極と接続された外部電極９
を形成し、更にもう１つの面に半導体チップ１の裏面と
接続された外部電極を形成することにより、第１の実施
例と同一の製造方法で３端子トランジスタが製造でき
る。
例を示す断面図と上面図で、３端子の小信号トランジス
タの例である。本実施例においては、直方体の２つの対
面に半導体チップ１上の２電極と接続された外部電極９
を形成し、更にもう１つの面に半導体チップ１の裏面と
接続された外部電極を形成することにより、第１の実施
例と同一の製造方法で３端子トランジスタが製造でき
る。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、絶縁性フ
ィルム上に印刷し形成されたパターンを用いまた、半導
体チップ電極との接続も導体リードのバンプ電極で取ら
れ、外部電極もスルーホール側面の導体メッキ部で形成
されるため、従来の樹脂封止半導体装置に比較して大幅
に外形の小型化が可能となり、通常の小信号ダイオー
ド、トランジスタの半導体チップ０．３〜０．４ｍｍ角
の場合で、外形サイズ１．０×０．８ｍｍ以下の表面実
装型半導体装置の製造が可能となる。また、従来の金属
リードフレームを用いた外部リード電極の場合に起きる
リード曲り、リード折れ等の問題も解消される。
ィルム上に印刷し形成されたパターンを用いまた、半導
体チップ電極との接続も導体リードのバンプ電極で取ら
れ、外部電極もスルーホール側面の導体メッキ部で形成
されるため、従来の樹脂封止半導体装置に比較して大幅
に外形の小型化が可能となり、通常の小信号ダイオー
ド、トランジスタの半導体チップ０．３〜０．４ｍｍ角
の場合で、外形サイズ１．０×０．８ｍｍ以下の表面実
装型半導体装置の製造が可能となる。また、従来の金属
リードフレームを用いた外部リード電極の場合に起きる
リード曲り、リード折れ等の問題も解消される。
【図１】本発明の第１の実施例のダイオードを示し、
（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図、（ｃ）は側面図であ
る。
（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図、（ｃ）は側面図であ
る。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は図１に示したダイオードの製
造工程を示す断面図である。
造工程を示す断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例のトランジスタを示し、
（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図である。
（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図である。
【図４】従来の表面実装型トランジスタの断面図であ
る。
る。
【符号の説明】 １ 半導体チップ ２ バンプ電極 ３，６ 絶縁性フィルム ４ 導体膜 ５ 絶縁体 ７ 導体リード ８ コーティング樹脂 ９ 外部電極 １０ 貫通穴 １１ 金属リードフレーム １２ 半導体チップ １３ ボンディングワイヤー １４ 封止樹脂
Claims (2)
- 【請求項１】 導体膜が印刷された絶縁性フィルムによ
り半導体チップを上下から挟み各電極の接続を行い、前
記半導体チップと電極接続部を覆うように絶縁体及びコ
ーティング樹脂を形成した後、前記絶縁体と絶縁性フィ
ルムにより形成される貫通穴の側面部の導体膜により外
部電極を形成し、前記貫通穴部及び半導体チップ間を切
断することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 第１の絶縁性フィルムに形成された導電
膜上に半導体チップを固着し、半導体チップの外周を囲
むように絶縁体を設け、この絶縁体に重ねて導体リード
を有する第２の絶縁性フィルムを設け、半導体チップお
よび導体リードを樹脂で封止し、前記絶縁体および絶縁
性フィルムの外周に前記導電膜と導体リードに連結され
た外部電極を設けたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23320092A JP2768160B2 (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23320092A JP2768160B2 (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0685113A JPH0685113A (ja) | 1994-03-25 |
| JP2768160B2 true JP2768160B2 (ja) | 1998-06-25 |
Family
ID=16951320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23320092A Expired - Lifetime JP2768160B2 (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2768160B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4589375B2 (ja) * | 1998-12-17 | 2010-12-01 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
| JP2001237358A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-08-31 | Rohm Co Ltd | パッケージ型二端子半導体装置の構造 |
-
1992
- 1992-09-01 JP JP23320092A patent/JP2768160B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0685113A (ja) | 1994-03-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980310 |