JP2762219B2 - 半導体装置およびその作製方法 - Google Patents
半導体装置およびその作製方法Info
- Publication number
- JP2762219B2 JP2762219B2 JP34671293A JP34671293A JP2762219B2 JP 2762219 B2 JP2762219 B2 JP 2762219B2 JP 34671293 A JP34671293 A JP 34671293A JP 34671293 A JP34671293 A JP 34671293A JP 2762219 B2 JP2762219 B2 JP 2762219B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon film
- tft
- region
- crystalline silicon
- peripheral circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリクス
型の液晶表示装置の構成に関する。
型の液晶表示装置の構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】画素電極にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
を配置し、画素電極のスイッチングを行なうアクティブ
マトリクス型の液晶表示装置が知られている。またさら
に画素電極に配置されたＴＦＴを駆動するための周辺回
路領域をも同一基板上に形成する一体化された構成も提
案されている。
を配置し、画素電極のスイッチングを行なうアクティブ
マトリクス型の液晶表示装置が知られている。またさら
に画素電極に配置されたＴＦＴを駆動するための周辺回
路領域をも同一基板上に形成する一体化された構成も提
案されている。
【０００３】このような画素領域と周辺回路領域とが一
体化されたアクティブマトリクス型の液晶表示装置にお
いては、それぞれの領域において必要とするＴＦＴの特
性は異ならせる必要がある。
体化されたアクティブマトリクス型の液晶表示装置にお
いては、それぞれの領域において必要とするＴＦＴの特
性は異ならせる必要がある。
【０００４】各画素に配置されるＴＦＴは、画素電極に
電荷を保持させる機能が必要とされる。従って大きな移
動度は要求されないが、ＯＦＦ電流が小さいことが必要
とされる。
電荷を保持させる機能が必要とされる。従って大きな移
動度は要求されないが、ＯＦＦ電流が小さいことが必要
とされる。
【０００５】一方、周辺回路領域に配置されるＴＦＴ
は、画素領域に配置されたＴＦＴをドライブするための
ものとなるので、大きなＯＮ電流を流すことができ、高
移動度を有することが必要とされる。、
は、画素領域に配置されたＴＦＴをドライブするための
ものとなるので、大きなＯＮ電流を流すことができ、高
移動度を有することが必要とされる。、
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、アクティブ
マトリクス型の液晶表示装置において、同一基板上に形
成される画素領域用のＴＦＴと周辺回路領域用のＴＦＴ
とをその必要とする特性を同一工程で得ることを課題と
する。
マトリクス型の液晶表示装置において、同一基板上に形
成される画素領域用のＴＦＴと周辺回路領域用のＴＦＴ
とをその必要とする特性を同一工程で得ることを課題と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、アクティブマ
トリクス型の液晶表示装置において、画素領域と周辺回
路領域とに配置されるＴＦＴとを異なる結晶状態の結晶
性珪素膜で構成したことを特徴とする。そして本発明は
上記構成を実現するために、周辺回路領域を構成する結
晶性珪素膜にレーザー光または強光を照射したものを用
いることを特徴とする。
トリクス型の液晶表示装置において、画素領域と周辺回
路領域とに配置されるＴＦＴとを異なる結晶状態の結晶
性珪素膜で構成したことを特徴とする。そして本発明は
上記構成を実現するために、周辺回路領域を構成する結
晶性珪素膜にレーザー光または強光を照射したものを用
いることを特徴とする。
【０００８】結晶性珪素膜を得る方法としては、加熱に
よって非晶質珪素膜を結晶化させる方法が知られている
が、本発明においては、非晶質珪素の結晶化を助長する
元素を非晶質珪素膜に導入することによって、５５０
℃、４時間程度の加熱工程によって結晶化させる方法を
採用することを特徴とする。
よって非晶質珪素膜を結晶化させる方法が知られている
が、本発明においては、非晶質珪素の結晶化を助長する
元素を非晶質珪素膜に導入することによって、５５０
℃、４時間程度の加熱工程によって結晶化させる方法を
採用することを特徴とする。
【０００９】結晶化を助長する触媒元素としては、Ｎ
ｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｄ
Ｐ、Ａｓ、Ｓｂから選ばれた一種または複数種類の元素
を用いることができる。またVIII族、IIIb族、IVｂ族、
Vb族元素から選ばれた一種または複数種類の元素を用い
ることもできる。
ｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｄ
Ｐ、Ａｓ、Ｓｂから選ばれた一種または複数種類の元素
を用いることができる。またVIII族、IIIb族、IVｂ族、
Vb族元素から選ばれた一種または複数種類の元素を用い
ることもできる。
【００１０】
〔実施例１〕本実施例は、アクティブマトリクス型の液
晶表示装置において、周辺回路領域と画素領域に結晶性
珪素膜を用いたＴＦＴを配置した構成に関する。上記周
辺回路領域および画素領域に形成されるＴＦＴは、結晶
化を助長する触媒元素を添加することによって基板垂直
な方向に結晶成長が行われた結晶性珪素膜を用いた構成
を有する。また、周辺回路領域に形成された結晶性珪素
膜はレーザー光または強光の照射によって結晶化がさら
に助長されており、より大きなＯＮ電流を探すことがで
き、またより大きな移動度を有する構成となっている。
晶表示装置において、周辺回路領域と画素領域に結晶性
珪素膜を用いたＴＦＴを配置した構成に関する。上記周
辺回路領域および画素領域に形成されるＴＦＴは、結晶
化を助長する触媒元素を添加することによって基板垂直
な方向に結晶成長が行われた結晶性珪素膜を用いた構成
を有する。また、周辺回路領域に形成された結晶性珪素
膜はレーザー光または強光の照射によって結晶化がさら
に助長されており、より大きなＯＮ電流を探すことがで
き、またより大きな移動度を有する構成となっている。
【００１１】図２および図３に本実施例の作製工程を示
す。図２に示すのは周辺回路用にＴＦＴの作製工程図で
あり、図３に示すのは画素領域に形成されるＴＦＴの作
製工程図である。それぞれの図において符号の同一なも
のは同一の箇所を示す。またそれぞれの作製工程は互い
に対応する。図１は本実施例で作製されるアクティブ型
の液晶表示装置を上面から見た概要図である。本実施例
で示す周辺領域用のＴＦＴと画素領域用のＴＦＴとは、
図１に示すような状態で同一基板上に形成される。図１
には、周辺回路領域Ａ、Ｂとその冗長回路であるＡ’、
Ｂ’が示されている。この冗長回路Ａ’、Ｂ’は、周辺
回路領域Ａ、Ｂに欠陥が存在する場合に利用される。
す。図２に示すのは周辺回路用にＴＦＴの作製工程図で
あり、図３に示すのは画素領域に形成されるＴＦＴの作
製工程図である。それぞれの図において符号の同一なも
のは同一の箇所を示す。またそれぞれの作製工程は互い
に対応する。図１は本実施例で作製されるアクティブ型
の液晶表示装置を上面から見た概要図である。本実施例
で示す周辺領域用のＴＦＴと画素領域用のＴＦＴとは、
図１に示すような状態で同一基板上に形成される。図１
には、周辺回路領域Ａ、Ｂとその冗長回路であるＡ’、
Ｂ’が示されている。この冗長回路Ａ’、Ｂ’は、周辺
回路領域Ａ、Ｂに欠陥が存在する場合に利用される。
【００１２】まず、基板２０１を洗浄し、ＴＥＯＳ（テ
トラ・エトキシ・シラン）と酸素を原料ガスとしてプラ
ズマＣＶＤ法によって厚さ２０００Åの酸化珪素の下地
膜２０２を形成する。
トラ・エトキシ・シラン）と酸素を原料ガスとしてプラ
ズマＣＶＤ法によって厚さ２０００Åの酸化珪素の下地
膜２０２を形成する。
【００１３】そして、プラズマＣＶＤ法によって、厚さ
５００〜１５００Å、例えば１０００Åの真性（Ｉ型）
の非晶質珪素膜２０３を成膜する。そして結晶化を助長
する触媒元素であるニッケル元素を含んだ溶液（ここで
は酢酸塩溶液）２０５塗布する。酢酸溶液中におけるニ
ッケルの濃度は１０ｐｐｍである。なお、酢酸溶液の塗
布前に極薄い酸化膜（数十Å以下）を形成し、酢酸溶液
の濡れ性を改善することは効果的である。
５００〜１５００Å、例えば１０００Åの真性（Ｉ型）
の非晶質珪素膜２０３を成膜する。そして結晶化を助長
する触媒元素であるニッケル元素を含んだ溶液（ここで
は酢酸塩溶液）２０５塗布する。酢酸溶液中におけるニ
ッケルの濃度は１０ｐｐｍである。なお、酢酸溶液の塗
布前に極薄い酸化膜（数十Å以下）を形成し、酢酸溶液
の濡れ性を改善することは効果的である。
【００１４】ここでは触媒元素を含有した溶液を塗布す
ることにより、非晶質珪素膜にその結晶化を助長する触
媒元素であるニッケルを導入したが、プラズマ処理や蒸
着法やスパッタ法やＣＶＤ法によってニッケル膜または
ニッケルを含有する膜を形成するこによって、ニッケル
を導入するのでもよい。
ることにより、非晶質珪素膜にその結晶化を助長する触
媒元素であるニッケルを導入したが、プラズマ処理や蒸
着法やスパッタ法やＣＶＤ法によってニッケル膜または
ニッケルを含有する膜を形成するこによって、ニッケル
を導入するのでもよい。
【００１５】この後、窒素雰囲気下で５００〜６２０
℃、例えば５５０℃、４時間の加熱アニールを行い、珪
素膜２０３の結晶化を行う。この際、ニッケルと珪素膜
が接触した部分ニッケルが拡散していき、結晶化が起こ
る。そして結晶化は、基板に対して概略垂直な方向に行
われることになる。（図２（Ａ）、図３（Ａ））
℃、例えば５５０℃、４時間の加熱アニールを行い、珪
素膜２０３の結晶化を行う。この際、ニッケルと珪素膜
が接触した部分ニッケルが拡散していき、結晶化が起こ
る。そして結晶化は、基板に対して概略垂直な方向に行
われることになる。（図２（Ａ）、図３（Ａ））
【００１６】上記加熱処理による結晶化工程の後にさら
にレーザー光２１６の照射により珪素膜２０３の結晶性
を高める。この工程は、図２（Ｂ）に示すように周辺回
路領域のＴＦＴを構成する珪素膜のみに対して行なう。
レーザー光は、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎ
ｍ、パルス幅２０ｎｓｅｃ）を用い、２５０ｍＪ／ｃｍ
2 のエネルギー密度で２ショト行なう。またレーザー光
としては他のレーザー光を用いてもよい。このレーザー
光の照射は基板を４００℃に加熱して行う。これは、レ
ーザー光の照射によるアニール効果をさらに高めるため
である。
にレーザー光２１６の照射により珪素膜２０３の結晶性
を高める。この工程は、図２（Ｂ）に示すように周辺回
路領域のＴＦＴを構成する珪素膜のみに対して行なう。
レーザー光は、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎ
ｍ、パルス幅２０ｎｓｅｃ）を用い、２５０ｍＪ／ｃｍ
2 のエネルギー密度で２ショト行なう。またレーザー光
としては他のレーザー光を用いてもよい。このレーザー
光の照射は基板を４００℃に加熱して行う。これは、レ
ーザー光の照射によるアニール効果をさらに高めるため
である。
【００１７】この工程は、強光の照射によるものでもよ
い。例えば波長１．２μｍの赤外光を照射することによ
って行なうことができる。赤外光の照射は、数分間で高
温加熱処理したものと同等の効果を得ることができる。
い。例えば波長１．２μｍの赤外光を照射することによ
って行なうことができる。赤外光の照射は、数分間で高
温加熱処理したものと同等の効果を得ることができる。
【００１８】結晶化が終了した状態において、珪素膜中
にニッケル濃度は約１０18／ｃｍ3であった。そして、
珪素膜２０３をパターニング後、ドライエッチングし
て、島状の活性層領域２０８を形成する。
にニッケル濃度は約１０18／ｃｍ3であった。そして、
珪素膜２０３をパターニング後、ドライエッチングし
て、島状の活性層領域２０８を形成する。
【００１９】その後、１００体積％の水蒸気を含む１０
気圧、５００〜６００℃の、代表的には５５０℃の雰囲
気中において、１時間放置することによって、活性層
（珪素膜）２０８の表面を酸化させ、酸化珪素膜２０９
を形成する。酸化珪素膜の厚さは１０００Åとする。熱
酸化によって酸化珪素膜２０９を形成したのち、基板
を、アンモニア雰囲気（１気圧、１００％）、４００℃
に保持させる。そして、この状態で基板に対して、波長
０．６〜４μｍ、例えば、０．８〜１．４μｍにピーク
をもつ赤外光を３０〜１８０秒照射し、酸化珪素膜２０
９に対して窒化処理を施す。なおこの際、雰囲気に０．
１〜１０％のＨＣｌを混入してもよい。
気圧、５００〜６００℃の、代表的には５５０℃の雰囲
気中において、１時間放置することによって、活性層
（珪素膜）２０８の表面を酸化させ、酸化珪素膜２０９
を形成する。酸化珪素膜の厚さは１０００Åとする。熱
酸化によって酸化珪素膜２０９を形成したのち、基板
を、アンモニア雰囲気（１気圧、１００％）、４００℃
に保持させる。そして、この状態で基板に対して、波長
０．６〜４μｍ、例えば、０．８〜１．４μｍにピーク
をもつ赤外光を３０〜１８０秒照射し、酸化珪素膜２０
９に対して窒化処理を施す。なおこの際、雰囲気に０．
１〜１０％のＨＣｌを混入してもよい。
【００２０】引き続いて、スパッタリング法によって、
厚さ３０００〜８０００Å、例えば６０００Åのアルミ
ニウム（０．０１〜０．２％のスカンジウムを含む）を
成膜する。そして、アルミニウム膜をパターニングし
て、ゲイト電極２１０を形成する。（図２（Ｃ）、図３
（Ｃ））
厚さ３０００〜８０００Å、例えば６０００Åのアルミ
ニウム（０．０１〜０．２％のスカンジウムを含む）を
成膜する。そして、アルミニウム膜をパターニングし
て、ゲイト電極２１０を形成する。（図２（Ｃ）、図３
（Ｃ））
【００２１】さらに、このアルミニウムの電極の表面を
陽極酸化して、表面に酸化物層２１１を形成する。この
陽極酸化は、酒石酸が１〜５％含まれたエチレングリコ
ール溶液中で行う。得られる酸化物層２１１の厚さは２
０００Åである。なお、この酸化物２１１は、後のイオ
ンドーピング工程において、オフセットゲイト領域を形
成する厚さとなるので、オフセットゲイト領域の長さを
上記陽極酸化工程で決めることができる。（図２
（Ｄ）、図３（Ｄ））
陽極酸化して、表面に酸化物層２１１を形成する。この
陽極酸化は、酒石酸が１〜５％含まれたエチレングリコ
ール溶液中で行う。得られる酸化物層２１１の厚さは２
０００Åである。なお、この酸化物２１１は、後のイオ
ンドーピング工程において、オフセットゲイト領域を形
成する厚さとなるので、オフセットゲイト領域の長さを
上記陽極酸化工程で決めることができる。（図２
（Ｄ）、図３（Ｄ））
【００２２】次に、イオンドーピング法（プラズマドー
ピング法とも言う）によって、活性層領域（ソース／ド
レイン、チャネルを構成する）にゲイト電極部、すなわ
ちゲイト電極２１０とその周囲の酸化層２１１をマスク
として、自己整合的にＮ導電型を付与する不純物（ここ
では燐）を添加する。ドーピングガスとして、フォスフ
ィン（ＰＨ3 ）を用い、加速電圧を６０〜９０ｋＶ、例
えば８０ｋＶとする。ドーズ量は１×１０15〜８×１０
15ｃｍ-2、例えば、４×１０15ｃｍ-2とする。この結
果、Ｎ型の不純物領域２１２と２１３を形成することが
できる。図からも明らかなように不純物領域とゲイト電
極とは距離ｘだけ放れたオフセット状態となる。このよ
うなオフセット状態は、特にゲイト電極に逆電圧（Ｎチ
ャネルＴＦＴの場合はマイナス）を印加した際のリーク
電流（オフ電流ともいう）を低減する上で有効である。
特に、本実施例のようにアクティブマトリクスの画素を
制御するＴＦＴにおいては良好な画像を得るために画素
電極に蓄積された電荷が逃げないようにリーク電流が低
いことが望まれるので、オフセットを設けることは有効
である。
ピング法とも言う）によって、活性層領域（ソース／ド
レイン、チャネルを構成する）にゲイト電極部、すなわ
ちゲイト電極２１０とその周囲の酸化層２１１をマスク
として、自己整合的にＮ導電型を付与する不純物（ここ
では燐）を添加する。ドーピングガスとして、フォスフ
ィン（ＰＨ3 ）を用い、加速電圧を６０〜９０ｋＶ、例
えば８０ｋＶとする。ドーズ量は１×１０15〜８×１０
15ｃｍ-2、例えば、４×１０15ｃｍ-2とする。この結
果、Ｎ型の不純物領域２１２と２１３を形成することが
できる。図からも明らかなように不純物領域とゲイト電
極とは距離ｘだけ放れたオフセット状態となる。このよ
うなオフセット状態は、特にゲイト電極に逆電圧（Ｎチ
ャネルＴＦＴの場合はマイナス）を印加した際のリーク
電流（オフ電流ともいう）を低減する上で有効である。
特に、本実施例のようにアクティブマトリクスの画素を
制御するＴＦＴにおいては良好な画像を得るために画素
電極に蓄積された電荷が逃げないようにリーク電流が低
いことが望まれるので、オフセットを設けることは有効
である。
【００２３】その後、レーザー光の照射によってアニー
ルを行う。レーザー光としては、ＫｒＦエキシマレーザ
ー（波長２４８ｎｍ、パルス幅２０ｎｓｅｃ）を用いる
が、他のレーザーであってもよい。レーザー光の照射条
件は、エネルギー密度が２００〜４００ｍＪ／ｃｍ2 、
例えば２５０ｍＪ／ｃｍ2 とし、一か所につき２〜１０
ショット、例えば２ショット照射した。このレーザー光
の照射時に基板を２００〜４５０℃程度に加熱すること
によって、効果を増大せしめてもよい。（図２（Ｅ）、
図３（Ｅ））
ルを行う。レーザー光としては、ＫｒＦエキシマレーザ
ー（波長２４８ｎｍ、パルス幅２０ｎｓｅｃ）を用いる
が、他のレーザーであってもよい。レーザー光の照射条
件は、エネルギー密度が２００〜４００ｍＪ／ｃｍ2 、
例えば２５０ｍＪ／ｃｍ2 とし、一か所につき２〜１０
ショット、例えば２ショット照射した。このレーザー光
の照射時に基板を２００〜４５０℃程度に加熱すること
によって、効果を増大せしめてもよい。（図２（Ｅ）、
図３（Ｅ））
【００２４】続いて、厚さ６０００Åの酸化珪素膜２１
４を層間絶縁物としてプラズマＣＶＤ法によって形成す
る。さらに、スピンコーティング法によって透明なポリ
イミド膜２１５を形成し、表面を平坦化する。
４を層間絶縁物としてプラズマＣＶＤ法によって形成す
る。さらに、スピンコーティング法によって透明なポリ
イミド膜２１５を形成し、表面を平坦化する。
【００２５】そして、図３（Ｆ）に示すように画素領域
に形成されるＴＦＴの出力の一端に連結されるＩＴＯ電
極３００を形成する。このＩＴＯ電極３００は画素電極
として機能する。
に形成されるＴＦＴの出力の一端に連結されるＩＴＯ電
極３００を形成する。このＩＴＯ電極３００は画素電極
として機能する。
【００２６】次に層間絶縁物２１４、２１５にコンタク
トホールを形成して、金属材料、例えば、窒化チタンと
アルミニウムの多層膜によってＴＦＴの電極・配線２１
７、２１８を形成する。この時図３（Ｆ）に示す如く画
素領域に形成されるＴＦＴの一方の電極２１８を画素電
極であるＩＴＯ電極３００に接続させる。
トホールを形成して、金属材料、例えば、窒化チタンと
アルミニウムの多層膜によってＴＦＴの電極・配線２１
７、２１８を形成する。この時図３（Ｆ）に示す如く画
素領域に形成されるＴＦＴの一方の電極２１８を画素電
極であるＩＴＯ電極３００に接続させる。
【００２７】最後に、１気圧の水素雰囲気で３５０℃、
３０分のアニールを行い、アクティブマトリクスの画素
回路と該画素回路を駆動する周辺駆動回路を同時に形成
させる。（図２（Ｆ）、図３（Ｆ））
３０分のアニールを行い、アクティブマトリクスの画素
回路と該画素回路を駆動する周辺駆動回路を同時に形成
させる。（図２（Ｆ）、図３（Ｆ））
【００２８】
【発明の効果】本発明の如くアクティブマトリクス型の
液晶表示装置の画素領域と周辺回路領域とに形成さえる
ＴＦＴを結晶化を助長する触媒元素の導入によって結晶
化させ、さらに周辺回路領域に形成されるＴＦＴを構成
する結晶性珪素膜に対してレーザー光または強光を照射
することによって、周辺回路領域に適したＴＦＴを選択
的に構成することができる。
液晶表示装置の画素領域と周辺回路領域とに形成さえる
ＴＦＴを結晶化を助長する触媒元素の導入によって結晶
化させ、さらに周辺回路領域に形成されるＴＦＴを構成
する結晶性珪素膜に対してレーザー光または強光を照射
することによって、周辺回路領域に適したＴＦＴを選択
的に構成することができる。
【図１】 アクティブマトリクス型の液晶表示装置の概
要を示す。
要を示す。
【図２】 ＴＦＴの作製工程を示す。
【図３】 ＴＦＴの作製工程を示す。
２０１・・・・ガラス基板 ２０２・・・・下地膜（酸化珪素膜） ２０３・・・・非晶質珪素膜 ２０５・・・・酢酸塩溶液 ２０８・・・・活性層 ２０９・・・・酸化珪素膜（ゲイト絶縁膜） ２１０・・・・ゲイト電極 ２１１・・・・陽極酸化物層 ２１２・・・・ソース／ドレイン領域 ２１３・・・・ドレイン／ソース領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−194518（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−45162（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−140915（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−280420（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 29/786 G02F 1/136 500 H01L 21/20 H01L 21/336 H01L 27/12
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁表面を有する基板上に形成された結
晶性珪素膜であって、 前記結晶性珪素膜は、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、
Ａｕ、Ｉｎ、Ａｓ、Ｓｂから選ばれた一種または複数種
類の結晶化を助長する触媒元素が添加されており、 前記結晶性珪素膜は基板に概略垂直な方向に結晶成長が
成されており、 前記結晶性珪素膜を用いてアクティブマトリクス型の液
晶表示装置の画素領域に配置されるＴＦＴと周辺回路領
域に配置されるＴＦＴとが形成されており、 前記周辺回路領域に配置されたＴＦＴを構成する結晶性
珪素膜は、レーザー光または強光を照射することにより
その結晶性が高められていることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項２】 アクティブマトリクス型の液晶表示装置
を構成する基板において、 前記基板の表面には、画素領域に配置されるＴＦＴと周
辺回路領域に配置されるＴＦＴとが形成されており、 前記画素領域に配置されるＴＦＴと前記周辺回路領域に
配置されるＴＦＴとは、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｉｎ、Ａｓ、Ｓｂから選ばれた一種または複
数種類の触媒元素が添加された領域を結晶化させた結晶
性珪素膜を用いて構成されており、 前記周辺回路領域の結晶性珪素膜はレーザー光または強
光の照射によりその結晶性が高められていることを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項３】 絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜
を形成する工程と、 前記非晶質珪素膜の結晶化を助長するＮｉ、Ｐｄ、Ｐ
ｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉｎ、Ａｓ、Ｓｂから選ばれた
一種または複数種類の触媒元素を前記非晶質珪素膜に直
接または間接的に接して設ける工程と、 前記非晶質珪素膜を加熱処理し、前記触媒元素が直接ま
たは間接的に接して設けられた領域を結晶化させる工程
と、 該工程において結晶成長が行なわれた領域の一部にレー
ザー光または強光を照射する工程と、 該工程においてレーザー光が照射された領域の結晶性珪
素膜を用いてアクティブマトリクス型の液晶表示装置の
周辺回路部分に配置されるＴＦＴを作製する工程と、 を有する半導体装置の作製方法。 - 【請求項４】 絶縁表面を有する基板上に配置された複
数のＴＦＴを有し、 前記ＴＦＴは、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、
Ｉｎ、Ａｓ、Ｓｂから選ばれた一種または複数種類の結
晶化を助長する触媒元素が添加され、基板に概略垂直な
方向に結晶成長した結晶性珪素膜で構成されており、 前記ＴＦＴの一部はアクティブマトリクス型の液晶表示
装置の画素領域に配置され、 前記ＴＦＴの他の一部はアクティブマトリクス型の液晶
表示装置の周辺回路領域に配置され、 前記周辺回路領域に配置されたＴＦＴを構成する結晶性
珪素膜はレーザー光または強光の照射によってその結晶
性が高められていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34671293A JP2762219B2 (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 半導体装置およびその作製方法 |
| KR1019940035849A KR100319332B1 (ko) | 1993-12-22 | 1994-12-22 | 반도체장치및전자광학장치 |
| US08/592,513 US5705829A (en) | 1993-12-22 | 1996-01-26 | Semiconductor device formed using a catalyst element capable of promoting crystallization |
| KR1020000022831A KR100315888B1 (ko) | 1993-12-22 | 2000-04-28 | 액티브 매트릭스 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
| US10/135,773 US6624445B2 (en) | 1993-12-22 | 2002-05-01 | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US10/747,165 US6955954B2 (en) | 1993-12-22 | 2003-12-30 | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US11/250,635 US7402471B2 (en) | 1993-12-22 | 2005-10-17 | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US12/175,481 US7700421B2 (en) | 1993-12-22 | 2008-07-18 | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34671293A JP2762219B2 (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 半導体装置およびその作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07183536A JPH07183536A (ja) | 1995-07-21 |
| JP2762219B2 true JP2762219B2 (ja) | 1998-06-04 |
Family
ID=18385305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34671293A Expired - Lifetime JP2762219B2 (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 半導体装置およびその作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2762219B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7232714B2 (en) | 2001-11-30 | 2007-06-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| CN100347820C (zh) * | 2002-05-22 | 2007-11-07 | 统宝香港控股有限公司 | 有源矩阵显示器件及其制作 |
| US8334536B2 (en) | 2007-03-16 | 2012-12-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor, organic light emitting diode display device having the same, flat panel display device, and semiconductor device, and methods of fabricating the same |
| JP5711565B2 (ja) | 2010-02-26 | 2015-05-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 蓄電装置 |
| JP5859746B2 (ja) | 2010-05-28 | 2016-02-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 蓄電装置およびその作製方法 |
| KR101899374B1 (ko) | 2010-11-26 | 2018-09-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체막, 반도체막의 형성 방법 및 축전 장치 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2507464B2 (ja) * | 1987-08-13 | 1996-06-12 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0760807B2 (ja) * | 1990-03-29 | 1995-06-28 | 株式会社ジーティシー | 半導体薄膜の製造方法 |
-
1993
- 1993-12-22 JP JP34671293A patent/JP2762219B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07183536A (ja) | 1995-07-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2860869B2 (ja) | 半導体装置およびその作製方法 | |
| JP3562590B2 (ja) | 半導体装置作製方法 | |
| US5693541A (en) | Method for manufacturing a semiconductor device using a silicon nitride mask | |
| KR0165140B1 (ko) | 반도체장치 제조방법 및 기판처리방법 | |
| US20080286950A1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| JPH0758339A (ja) | 半導体装置およびその作製方法 | |
| US7186601B2 (en) | Method of fabricating a semiconductor device utilizing a catalyst material solution | |
| JP2001028448A (ja) | 薄膜トランジスタの作製方法 | |
| JPH11204434A (ja) | 半導体装置およびその作製方法 | |
| JP2762219B2 (ja) | 半導体装置およびその作製方法 | |
| JP2762218B2 (ja) | 半導体装置およびその作製方法 | |
| JP4162727B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JPH07135324A (ja) | 薄膜状半導体集積回路 | |
| JP2753955B2 (ja) | ガラス基板処理方法 | |
| JP3025814B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3488361B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP3545289B2 (ja) | 半導体装置作製方法 | |
| JP3618604B2 (ja) | 半導体装置作製方法 | |
| JP3242884B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3488441B2 (ja) | アクティブ型液晶表示装置の作製方法 | |
| JP3602430B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP3435561B2 (ja) | 半導体装置およびその作製方法 | |
| JP3824898B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP3950307B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP3600092B2 (ja) | 半導体装置作製方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080327 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090327 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100327 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100327 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100327 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110327 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110327 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120327 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120327 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130327 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130327 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140327 Year of fee payment: 16 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |