JP2759344B2 - 画像形成方法及びその装置 - Google Patents

画像形成方法及びその装置

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JP2759344B2 JP1173739A JP17373989A JP2759344B2 JP 2759344 B2 JP2759344 B2 JP 2759344B2 JP 1173739 A JP1173739 A JP 1173739A JP 17373989 A JP17373989 A JP 17373989A JP 2759344 B2 JP2759344 B2 JP 2759344B2
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【発明の詳細な説明】 イ.産業上の利用分野 本発明は画像形成方法及びその装置に関し、例えば、
像担持体である感光体上に順次色の異なるトナー像を形
成して多色像を得る多色画像形成装置(カラーコピー)
や、モノクロのプリンタ、電子写真複写機に好適な画像
形成方法及びその装置に関するものである。
ロ.従来技術 従来の多色画像形成方法において、760〜800nmの波長
光でデジタル画像露光を行い、ドット状に画像構成単位
を形成するデジタルコピー又はプリンタが知られてい
る。
ところが、上記露光時の露光エネルギーが7erg/cm2
超えると(例えば15erg/cm2の光を照射すると)、光感
度の大きい感光体の場合はエネルギーが強すぎてそれだ
け光疲労度が大きくなり、耐久性も悪くなる。これを避
けるには露光エネルギーを低くすればよいが、これでは
却って感度を出しにくいという問題が生じる。また、露
光エネルギーが上記のように大きいと、感光層下の導電
性支持体からの反射光による影響でいわゆるモアレが生
じ易くなり、画像が見にくくなる。
ハ.発明の目的 本発明の目的は、モアレ等の画像欠陥を減少させ、光
疲労を少なくし、耐久性を向上させることのできる方法
及び装置を提供することにある。
ニ.発明の構成 即ち、本発明は、帯電及びレーザーによる像露光によ
って像担持体上に静電潜像を形成し、この静電潜像を反
転現像により可視像化する画像形成方法において、 前記像担持体の感光層の光導電性物質として、CuKα
特性X線(波長1.541Å)に対するX線回折スペクトル
のブラッグ角2θが少なくとも27.2度±0.2度において
X線強度のピークを示す結晶状態のチタニルフタロシア
ニンを含有し、 前記像露光を7erg/cm2以下の像露光エネルギーで行
い、 かつ、この際に前記像担持体の導電性支持体としてR
maxが(0.5−0.01)Sの表面粗さのものを使用すること
を特徴とする画像形成方法に係るものである。
また、本発明は、Rmaxが(0.5−0.01)Sの表面粗さ
を有する導電性支持体に、CuKα特性X線(波長1.541
Å)に対するX線回折スペクトルのブラッグ角2θが少
なくとも27.2度±0.2度においてX線強度のピークを示
す結晶状態のチタニルフタロシアニンを含有する感光層
を設けた像担持体に沿って、帯電手段と、像露光エネル
ギーが7erg/cm2以下のレーザーにより静電潜像を形成す
る露光手段と、前記露光手段により形成された静電潜像
を反転現像する現像手段とが配置されていることを特徴
とする画像形成装置に係るものである。
まず、本発明に使用可能な画像形成装置(例えばデジ
タルコピー方式の多色画像形成装置)の一例を第1図〜
第3図について説明する。
この装置によれば、第2図に示すように、画像読取り
部LEにおいて、原稿台19上に置かれた原稿18はX方向に
移動する照明光源13からの光を受け、その反射光20はミ
ラー14、レンズ15及び色分解フィルタ16を介して赤、
緑、青用の各CCD撮像素子17R、17G、17Bに結像される。
これらのCCD撮像素子では、光情報を時系列の電気信号
に変えて画像データ処理部TR1(第3図参照)へ送り、
ここで記録画像データが形成される。レーザー光学系10
ではビデオ信号処理部TR2からの記録画像データに基づ
いて変調部MDで半導体レーザー21のレーザー光がPWM変
調される(図中、22はポリゴンミラーである)。一方、
像担持体1はスコロトロン帯電極2により表面が均一に
帯電される。続いてレーザー光学系10からの像露光Lが
像担持体(感光体ドラム)1上に照射される。このよう
にして静電潜像が形成される。例えば色分解フィルタ16
として青フィルタが設定された場合には、この静電潜像
はイエロートナーが収納されている現像器31により反転
現像される。トナー像を形成された像担持体1は、再び
スコロトロン帯電極2により均一に帯電され、次に例え
ば色分解フィルタ16として緑フィルタが設定されると、
このフィルタを介して読取られた光情報に基く像露光L
を受ける。形成された静電潜像はマゼンタトナーが収納
されている現像器32により反転現像される。この結果、
像担持体1上には、イエロートナーとマゼンタトナーに
よる2色トナー像が形成される。以下同様にして現像器
33、34にてシアントナー、黒トナーが重ねて反転現像さ
れ、像担持体1上に4色トナー像が形成される。4色ト
ナー像は必要に応じて転写前帯電極により電荷を与えら
れて転写極4で記録紙Pに一度に転写される。記録紙P
は分離極5により像担持体1から分離され、定着器6で
定着される。一方、像担持体1はクリーニング装置8に
より清掃される。
上記においては4色トナー像を説明したが、場合によ
って2色トナー像又は単色トナー像を形成してもよい。
第2図によれば、操作部OPにより制御部CTを作動さ
せ、この制御部で動作制御される像読取り部LEにおい
て、原稿18の光学情報を色別の時系列信号に変換し、得
られたデータを画像データ処理部TR1で処理し、更にビ
デオ信号処理部TR2で記録に適したデータに変換する。
画像形成部REは制御信号に基づいて画像形成のための上
記したプロセスを実行し、複写紙上にトナー像を転写
し、記録物を形成する。この画像形成部REは電子写真方
式を採用したものである。
上記のほか、予め設定された各種情報、特に既述した
複写倍率、色等の機能動作内容のデータをROM(Read On
ly Memory)、フロッピーディスク、磁気テープ等の画
像メモリMEに記憶させ、必要に応じて画像メモリME内の
情報を取り出して画像形成部REへ出力させることができ
る。
上記の装置において、現像器31〜34として第2図に拡
大図示したような基本構成の現像器が用いられる。これ
らの現像器はいずれも、現像剤搬送担体である非磁性の
現像スリーブ41が左回転し、内部磁石体42が右回転し
て、現像剤溜り43の現像剤50を現像スリーブ41の表面に
吸着して磁石体42の回転と逆方向に搬送するものであ
る。現像スリーブ41上に搬送される現像剤は、途中にお
いて層厚規制ブレード44により厚さを規制され、現像剤
層を形成する。
現像を行うときは、バイアス電源52によって、直流バ
イアス電圧及び/又は交流電圧を現像スリーブ41に印加
する。これによって現像域Eにおいて現像が行われ、現
像域Eを通過した現像剤層はクリーニングブレード45に
よって現像スリーブ41から除かれ、現像剤溜り43に還元
される。現像剤溜り43にはトナー補給ローラによってト
ナーホッパー(いずれも図示せず)からトナーが補給さ
れる。また、現像剤溜り43の現像剤50は、撹拌又は搬送
手段46、47、48によって均一に撹拌されると共に、トナ
ー粒子に充分な電荷が与えられる。
上記において、現像剤層の搬送は、現像スリーブ41を
静止又は右回転させて行っても、あるいは、磁石体42を
左回転又は静止させて行ってもよい。
また、現像剤50には、磁性トナー粒子からなる一成分
現像剤も用い得るが、磁性キャリア粒子と非磁性トナー
粒子の混合した二成分現像剤が色の鮮明性やトナーの帯
電制御等の点から好ましく用いられる。
第2図の現像器による現像は、非接触現像法で行われ
るのがよいが、その詳細な現像条件は特開昭57−147652
号又は同59−181362号公報に記載のもの(但し、いずれ
も二成分現像剤を使用)と同様であってよい。また、一
成分現像剤を使用する場合は、特開昭55−18656号又は
特公昭41−9475号公報に記載のものと同様であってよ
い。
現像器31〜34による現像に際しては、現像スリーブ41
にバイアス電圧を印加してトナーの飛翔制御を効果的に
行うためには、像担持体1と現像スリーブ41との間に印
加する交番電界を100Hz〜5KHzとし、直流バイアスは100
V〜2KVとするのがよい。また、像担持体1と現像スリー
ブ41との間隙51は10〜2000μmの範囲とし、従って層厚
規制ブレード44によって規制する現像剤層の層厚を上記
間隙より薄くするのが好ましい。
現像器31〜34に以上の好ましい条件を用いることによ
って、それぞれの現像器による色別の静電潜像の現像を
カブリなく鮮明に行うことができる。従って、記録紙P
に鮮明な単色画像や多色カラー画像の記録が行われる。
なお、現像剤50を二成分とする場合は、キャリアとト
ナーの粒径は、前者を5〜50μm、後者を20μm以下と
するのがよい。キャリアは磁性キャリア、絶縁物質をコ
ーティングした絶縁性キャリアが使用可能である。現像
剤50を一成分とする場合は、公知の絶縁性トナーが使用
可能である。
また、本発明は上述の装置に限らず、他のタイプの複
写機等にも勿論適用可能である。
本発明者は、上記した画像形成において、デジタル露
光時の半導体レーザー21(波長は特に760〜800nmとす
る)により像露光エネルギーを7erg/cm2以下と小さめの
範囲に特定し、かつ、像担持体1の導電性支持体71の表
面粗さ(Rmax)を(0.5−0.01)Sとすることによっ
て、既述した問題をことごとく克服できることを見い出
した。
即ち、露光エネルギーを7erg/cm2以下としたことによ
って、導電性支持体71からの反射光が弱められ、モアレ
を効果的に防止でき、しかも、感光体の光疲労度も小さ
く抑えることができる。この場合、導電性支持体71の表
面粗さ(Rmax)は0.5μmS以下であるから、そこへの入
射光の反射がむしろ増えることになるが、上記のように
露光エネルギーが弱いために問題はなく、モアレ等は大
きく減少する。このRmaxは0.5S以下であるため、導電性
支持体71の表面性が良好であり、感光層との間の密着性
が良くなり、導電性支持体からのキャリア注入による感
光体表面電位の低下→反転現像時の黒ポチの発生といっ
た画像欠陥を防止することができる(0.5μmSを超える
と、導電性支持体の表面凹凸が大きくなり、洗浄性が悪
くなり、画像欠陥を生じる)。
上記の像露光エネルギーは更に6erg/cm2以下が好まし
く、また導電性支持体のRmaxは(0.4−0.01)Sが好ま
しい(0.1μmS程度が実用的である。)。このRmaxはあ
まりに小さくすることは加工上からみて困難であり、そ
の下限は0.01μmSとすべきである。
上記のように像露光エネルギーを小さくした場合、感
光体の光感光を高める必要があるが、既述したように像
露光エネルギーを高くすると却って光疲労が増えるため
に、像露光エネルギーは7erg/cm2以下とすべきである。
しかし、光量不足が生じるために、本発明では特に、次
のチタニルフタロシアニンを感光層の光導電性物質とし
て使用することが望ましい。
即ち、このチタニルフタロシアニンは、CuKα特性X
線(波長1.541Å)に対するX線回折スペクトルのブラ
ッグ角2θが少なくとも9.6度±0.2度及び27.2度±0.2
度において夫々X線強度のピークを示す結晶状態にあっ
て、半導体レーザー光等の比較的長波長の光によるドッ
ト露光に対して高感度を示し、かつ高γ(帯電電位の光
減衰特性が急激であること)なものである。このチタニ
ルフタロシアニンはまた、9.6度±0.2度でのピークのX
線強度が27.2度±0.2度でのピークのX線強度の40%以
上であるのが望ましい。
こうしたチタニルフタロシアニンを用いることによっ
て、高感度の感光体となり、7erg/cm2以下と少ない露光
量でも十分な電位低下がみられ、十分なトナー付着量が
得られ、上記したドット露光によって各ドットが高濃度
に形成される。また、ドットによる画像形成において
は、1ドットの再現性が高いことが要求されるが、この
要求に対しては、本発明のチタニルフタロシアニンが適
度にγの立った(いわゆるオン・オフ型の)特性を備え
ているので、ドットの再現性が良好となる。
本発明のチタニルフタロシアニンの基本構造は、次の
一般式で表されてよい。
式中、X1、X2、X3及びX4はそれぞれ水素原子、ハロゲ
ン原子、アルキル基又はアルコキシ基を表し、n、m、
l及びkはそれぞれ0〜4の整数を表す。
X線回折スペクトルは次の条件で測定される(以下同
様)。ここでのピークとは、ノイズとは異なった明瞭な
鋭角の突出部のことである。
X線管球 Cu 電圧 40.0 KV 電流 100.0 mA スタート角度 6.0 deg. ストップ角度 35.0 deg. ステップ角度 0.02 deg. 測定時間 0.50 sec. また、上記のX線回折スペクトルは「JDX−8200」
(日本電子社製)を用いて測定した。
前記チタニルフタロシアニンの測定方法を次に説明す
る。例えば、1,3−ジイミノイソインドリンとスルホラ
ンを混合し、これらにチタニウムテトラプロポキシドを
加え、窒素雰囲気下に反応させる。反応温度は80〜300
℃で、特に100〜260℃が好ましい。反応終了後、放冷し
た後析出物を濾取し、チタニルフタロシアニンを得るこ
とができる。次にこれを溶媒処理することによって、第
10図に示す目的の結晶型のチタニルフタロシアニンを得
ることができる。
この処理に用いられる装置としては一般的な撹拌装置
の他に、ホモミキサー、ディスパーザー、アジター、或
いはボールミル、サンドミル、アトライタ等を用いるこ
とができる。
本発明では、上記のチタニルフタロシアニンの外に他
のキャリア発生物質を併用してもよい。そのようなキャ
リア発生物質としては、本発明のチタニルフタロシアニ
ンとは結晶型において異なる、例えばα型、β型、α,
β混合型、アモルファス型等のチタニルフタロシアニン
をはじめ、他のフタロシアニン顔料、アゾ顔料、アント
ラキノン顔料、ペリレン顔料、多環キノン顔料、スクエ
アリウム顔料等が挙げられる。
本発明の感光体におけるキャリア輸送物質としては、
種々のものが使用できるが、代表的なものとしては例え
ば、オキサゾール、オキサジアゾール、チアゾール、チ
アジアゾール、イミダゾール等に代表される含窒素複素
環核及びその縮合環核を有する化合物、ポリアリールア
ルカン系の化合物、ピラゾリン系化合物、ヒドラゾン系
化合物、トリアリールアミン系化合物、スチリル系化合
物、スチリルトリフェニルアミン系化合物、α−フェニ
ルスチリルトリフェニルアミン系化合物、ブタジエン系
化合物、ヘキサトリエン系化合物、カルバゾール系化合
物、縮合多環系化合物等が挙げられる。これらのキャリ
ア輸送物質の具体例としては、例えば特開昭61−107356
号に記載のキャリア輸送物質をはじめ、多くのものを挙
げることができるが、特に代表的なものの構造を次に示
す。
感光体の構成は種々の形態が知られている。本発明の
感光体はそれらのいずれの形態をもとりうるが、積層型
もしくは分散型の機能分離型感光体とするのが望まし
い。この場合、通常は第4図から第9図のような構成と
なる。第4図に示す層構成は、導電性支持体71上にキャ
リア発生層72を形成し、これにキャリア輸送層73を積層
して感光層74を形成したものであり、第5図はこれらの
キャリア発生層72とキャリア輸送層73を逆にした感光層
74を形成したものである。第6図は第4図の層構成の感
光層74と導電性支持体71の間に中間層75を設け、第7図
は第5図の層構成の感光層74と導電性支持体71との間に
中間層5を設けたものである。第8図の層構成はキャリ
ア発生物質76とキャリア輸送物質77を含有する感光層74
を形成したものであり、第9図はこのような感光層74と
導電性支持体71との間に中間層75を設けたものである。
また、感光体の最表面には保護層(図示せず)を設けて
もよい。
感光層の形成においては、キャリア発生物質或いはキ
ャリア輸送物質を単独で、もしくはバインダや添加剤と
ともに溶解させた溶液を塗布する方法が有効である。し
かしまた、一般にキャリア発生物質の溶解度は低いた
め、そのような場合、キャリア発生物質を、超音波分散
機、ボールミル、サンドミル、ホモミキサー等の分散装
置を用いて適当な分散媒中に微粒子分散させた液を塗布
する方法が有効となる。この場合、バインダや添加剤は
分散液中に添加して用いられるのが通常である。
感光層の形成に使用される溶剤或いは分散媒としては
広く任意のものを用いることができる。例えば、ブチル
アミン、エチレンジアミン、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノ
ン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、酢酸エチル、酢
酸ブチル、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、エチ
レングリコールジメチルエーテル、トルエン、キシレ
ン、アセトフェノン、クロロホルム、ジクロルメタン、
ジクロルエタン、トリクロルエタン、メタノール、エタ
ノール、プロパノール、ブタノール等が挙げられる。
キャリア発生層もしくはキャリア輸送層、或いは感光
層の形成にバインダを用いる場合に、バインダとして任
意のものを選ぶことができるが、特に疎水性でかつフィ
ルム形成能を有する高分子重合体が望ましい。このよう
な重合体としては例えば次のものを挙げることができる
が、これらに限定されるものではない。
ポリカーボネート ポリカーボネートZ樹脂 アクリル樹脂 メタルクリル樹脂 ポリ塩化ビニル ポリ塩化ビニリデン ポリスチレン スチレン−ブタジエン共重合 体 ポリ酢酸ビニル ポリビニルホルマール ポリビニルブチラール ポリビニルアセタール ポリビニルカルバゾール スチレン−アルキッド樹脂 シリコーン樹脂 シリコン−アルキッド樹脂 ポリエステル フェノール樹脂 ポリウレタン エポキシ樹脂 塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体 塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体 塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体 バインダに対するキャリア発生物質の割合は10〜600w
t%が望ましく、更には50〜400wt%が好ましい。バイン
ダに対するキャリア輸送物質の割合は10〜500wt%とす
るのが望ましい。キャリア発生層の厚さは、0.01〜20μ
mとされてよいが、更には0.05〜5μmが好ましい。キ
ャリア輸送層の厚みは1〜100μmとされてよいが、更
には5〜30μmが好ましい。
上記感光層には感度の向上や残留電位の減少、或いは
反復使用時の疲労の低減を目的として、電子受容性物質
を含有させることができる。このような電子受容性物質
としては例えば、無水琥珀酸、無水マレイン酸、ジブロ
ム無水琥珀酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル
酸、テトラブロム無水フタル酸、3−ニトロ無水フタル
酸、4−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無
水メリット酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキ
ノジメタン、o−ジニトロベンズ、m−ジニトロベン
ズ、1,3,5−トリニトロベンゼン、p−ニトロベンゾニ
トリル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド、ク
ロラニル、ブロマニル、ジクロルジシアノ−p−ベンゾ
キノン、アントラキノン、ジニトロアントラキノン、9
−フルオレニリデンマロノジニトリル、ポリニトロ−9
−フルオレニリデンマロノジニトリル、ピクリン酸、o
−ニトロ安息香酸、p−ニトロ安息香酸、3,5−ジニト
ロ安息香酸、ペンタフルオル安息香酸、5−ニトロサル
チル酸、3,5−ジニトロサリチル酸、フタル酸、メリッ
ト酸、その他の電子親和力の大きい化合物を挙げること
ができる。電子受容性物質の添加割合はキャリア発生物
質の重量100に対して0.01〜200が望ましく、更には0.1
〜100が好ましい。
また、上記感光層中には保存性、耐久性、耐環境依存
性を向上させる目的で、酸化防止剤や光安定剤等の劣化
防止剤を含有させることができる。そのような目的に用
いられる化合物として例えば、トコフェロール等のクロ
マノール誘導体及びそのエーテル化化合物もしくはエス
テル化化合物、ポリアリールアルカン化合物、ハイドロ
キノン誘導体及びそのモノ及びジエーテル化化合物、ベ
ンゾフェノン誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体、チオ
エーテル化合物、ホスホン酸エステル、亜燐酸エステ
ル、フェニレンジアミン誘導体、フェノール化合物、ヒ
ンダードフェノール化合物、直鎖アミン化合物、環状ア
ミン化合物、ヒンダードアミン化合物などが有効であ
る。特に有効な化合物の具体例としては、「IRGANOX 1
010」、「IRGANOX 565」、(以下、チバ・ガイギー社
製)、「スミライザー BHT」、「スミライザー MDP」
(以上、住友化学工業社製)等のヒンダードフェノール
化合物、「サノール LS−2626」、「サノール LS−62
2LD」(以上、三共社製)の等のヒンダードアミン化合
物が挙げられる。
中間層、保護層等に用いられるバインダとしては、上
記のキャリア発生層及びキャリア輸送層用に挙げたもの
を用いることができるが、その他にポリアミド樹脂、ナ
イロン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン
−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、エチレン−酢
酸ビニル−メタクリル酸共重合体等のエチレン系樹脂、
ポリビニルアルコール、セルロース誘導体等が有効であ
る。
導電性支持体71としては、金属板、金属ドラムが用い
られる他、導電性ポリマーや酸化インジウム等の導電性
化合物、もしくはアルミニウム、パラジウム等の金属の
薄層を塗布、蒸着、ラミネート等の手段により紙やプラ
スチックフィルムなどの基体の上に設けてなるものを用
いることができる。
ホ.実施例 (合成例1) 1,3−ジイミノイソインドリン29.2gとスルホラン200m
lを混合し、チタニウムテトライソプロポキシド17.0gを
加え、窒素雰囲気下に140℃で2時間反応させた。放冷
した後、析出物を濾取し、クロロホルムで洗浄、2%の
塩酸水溶液で洗浄、水洗、メタノール洗浄して、乾燥の
後、25.5g(88.5%)のチタニルフタロシアニンを得
た。この生成物は20倍量の濃硫酸に溶解し、100倍量の
水にあけて析出させて、濾取した後に、ウェットケーキ
を1,2−ジクロルエタンにて50℃で10時間加熱して第10
図に示すX線回折スペクトルをもつ結晶型とした。この
結晶はブラッグ角2θの9.6度のピーク強度が27.2度の
それの102%であった。
実施例1 合成例1において得られた、第10図のX線回折パター
ンを有するチタニルフタロシアニン3部、バインダ樹脂
としてのシリコーン樹脂(「KR−5240の15%キシレン−
ブタノール溶液」信越化学社製)35部、分散媒としての
メチルエチルケトン100部をサンドミルを用いて分散
し、これを、表面粗さを下記表−1の粗さに調整したア
ルミニウムドラムで且つ0.3μ厚のポリアミド樹脂層を
塗布したドラムに浸漬塗布により塗布し、膜厚0.2μm
のキャリア発生層を形成した。次いで、キャリア輸送物
質(2)1部とポリカーボネート樹脂「ユーピロン Z2
00」(三菱瓦斯化学社製)1.3部及び微量のシリコーン
オイル「KF−54」(信越化学社製)を1,2−ジクロルエ
タン10部に溶解した液をブレード塗布機を用いて塗布
し、乾燥の後、膜厚20μmのキャリア輸送層を形成し
た。このようにして得られた感光体をサンプル1とす
る。他に、上記感光層を、アルミニウムを蒸着したポリ
エステルベース上にワイヤーバーを用いて塗布し、シー
ト用のサンプルも作成した。
なお、このサンプル1の感光体の分光感度分布は第11
図の如くになり、特に長波長感度が良好であった。
なお、第11図に示した分光感度(Sλ)は、次のよう
に定義されるものである。即ち、波長λの単色光で露光
して受容電位800Vが400Vにおちるまでの必要な光量であ
り、この時の露光強度は0.5μW/cm2と規定した。露光量
E(μJ/cm2)はこの時の露光強度と露光時間(t(se
c))の積である。また、800Vにおける暗減衰量(DD)
は、同じ感光体を露光せずに800V帯電から時間tsec放
置した場合の電位低下量である。分光感度Sλは下記の
式で規定した。
実施例2 実施例1におけるチタニルフタロシアニンに代えて公
知のτ型無金属フタロシアニン(特開昭58−182639号参
照)を用い、同様にして感光体(サンプル2)を得た。
この実施例2のフタロシアニンのX線回折スペクトル
は、第12図に示すように、CuKα(1.541Å)のX線に対
するブラッグ角は7.6度、9.2度、16.8度、17.4度、20.4
度、20.9度にピークを有する。また、赤外線吸収スペク
トルでは、700〜760cm-1の間に752±2cm-1が最も強い4
本の吸収帯、1320〜1340cm-1の間に2本のほぼ同じ強さ
の吸収帯、3288±2cm-1に特徴的な吸収帯がある。
(評価) 上記シート用のサンプルを川口電機社製EPA−8100に
より評価し、露光エネルギーに対する表面電位の変化を
測定したところ、第13図のようになった。(VHは帯電電
位、VLは露光後の電位)。サンプル1の感光体は高感度
を示すことが分る。第13図の結果から、露光エネルギー
が7erg/cm2以上、例えば15erg/cm2の光を照射すると、
チタニルフタロシアニンを用いた感光体の場合は通常の
感光体より3倍以上感度が良好なため、通常の感光体が
受ける見かけのエネルギーの3倍となる。つまり、3倍
強い光を受けるため、それだけ光疲労度は大きく、耐久
性も短くなる。又、モアレについても、光が強いとモア
レが出やすい。しかし、このことは、露光エネルギーを
本発明に基いて7erg/cm2以下と抑えることによって、効
果的に防止できる。
次に、上記のドラム状感光体を用いて1万コピーの実
写耐久性評価を行った。
実写耐久性評価は、Lips−10(コニカ社製)反転改造
機を用い、露光エネルギーを4erg/cm2、6erg/cm2、7erg
/cm2、9erg/cm2の4種類とした場合について行い、導電
性支持体は、Rmaxで0.005μm、0.01μm、0.03μm、
0.4μm、0.5μm、0.6μm、1.2μmのAlドラムを用い
て評価を行った(但し、VH=−600V、VDCバイアス=−5
00Vとした)。その結果を下記表−1に示す。黒ポチ、
モアレの評価は次の通りの基準で行った。
モアレ: ◎ 全くなし(ハーフトーン画像、黒ベタ 画像) ○ ハーフトーン画像のみ若干有、黒ベタ なし × ハーフトーン、黒ベタともかなり強い モアレ有 この結果から、Rmaxが大、露光エネルギーが大となれ
ばモアレが大となるが、本発明に基くサンプル1、2の
感光体に於いては、Rmax=(0.5−0.01)S、露光エネ
ルギー≦7erg/cm2とすると、良好な画像が得られた。
次に、感光体サンプル1、2について1万回プリント
耐久性の評価を行った。その結果を下記表−2に記す。
評価機はLips−10(コニカ社製)反転改造機を用いた。
この結果から、本発明の条件では、VH、VLの変化が少
ないことが分る。
ヘ.発明の作用効果 本発明は、帯電及びレーザーによる像露光によって像
担持体上に静電潜像を形成し、この静電潜像を反転現像
により可視像化する画像形成において、前記像担持体の
感光層の光導電性物質として、CuKα特性X線(波長1.5
41Å)に対するX線回折スペクトルのブラッグ角2θが
少なくとも27.2度±0.2度においてX線強度のピークを
示す結晶状態のチタニルフタロシアニンを含有し、像露
光を7erg/cm2以下の像露光エネルギーで行い、かつ、像
担持体の導電性支持体としてRmaxが(0.5−0.01)Sの
表面粗さのものを使用したものであるから、高感度で、
繰り返し光疲労が少なく、黒ポチ、モアレ等の画像欠陥
が少ない画像が得られる特長を奏する。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の実施例を示すものであって、 第1図は複写機の概略断面図、 第2図は現像器の要部断面図、 第3図は複写動作のブロック図、 第4図、第5図、第6図、第7図、第8図、第9図は本
発明に用いる感光体の層構成の具体例を示した各断面
図、 第10図は合成例1によって得られるチタニルフタロシア
ニンの各X線回折図、 第11図はチタニルフタロシアニンの分光感度分布図、 第12図はτ型無金属フタロシアニンのX線回折図、 第13図は感光体の露光時の表面電位変化を示すグラフ である。 なお、図面に示す符号において、 1……感光体 2……帯電器 4……転写極 5……分離極 6……定着器 8……クリーニング装置 10……レーザー光学系 17R、17G、17B……CCD撮像素子 18……原稿 21……半導体レーザー 31、32、33、34……現像器 41……現像スリーブ 42……磁石体 43……現像剤溜り 44……層厚規制ブレード 61……デジタルデータ出力装置 62……D/Aコンバータ 63……三角波発生回路 64……コンパレータ 65……水平同期信号発生回路 67……タイミング信号発生回路 68……ラスタ走査プリント部 71……導電性支持体 72……キャリア発生層 73……キャリア輸送層 74、74′、74″……感光層 75……中間層 L……像露光 E……現像域 である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤巻 義英 東京都八王子市石川町2970番地 コニカ 株式会社内 (56)参考文献 特開 平1−123246(JP,A) 特開 昭63−77059(JP,A) 特開 昭63−197957(JP,A) 特開 昭63−220250(JP,A) 特開 昭60−189753(JP,A) 特開 昭64−17066(JP,A)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】帯電及びレーザーによる像露光によって像
    担持体上に静電潜像を形成し、この静電潜像を反転現像
    により可視像化する画像形成方法において、 前記像担持体の感光層の光導電性物質として、CuKα特
    性X線(波長1.541Å)に対するX線回折スペクトルの
    ブラッグ角2θが少なくとも27.2度±0.2度においてX
    線強度のピークを示す結晶状態のチタニルフタロシアニ
    ンを含有し、 前記像露光を7erg/cm2以下の像露光エネルギーで行い、 かつ、この際に前記像担持体の導電性支持体としてRmax
    が(0.5−0.01)Sの表面粗さのものを使用することを
    特徴とする画像形成方法。
  2. 【請求項2】Rmaxが(0.5−0.01)Sの表面粗さを有す
    る導電性支持体に、CuKα特性X線(波長1.541Å)に対
    するX線回折スペクトルのブラッグ角2θが少なくとも
    27.2度±0.2度においてX線強度のピークを示す結晶状
    態のチタニルフタロシアニンを含有する感光層を設けた
    像担持体に沿って、帯電手段と、像露光エネルギーが7e
    rg/cm2以下のレーザーにより静電潜像を形成する露光手
    段と、前記露光手段により形成された静電潜像を反転現
    像する現像手段とが配置されていることを特徴とする画
    像形成装置。
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