JP2758775B2 - 半導体ウェーハ装填治具 - Google Patents
半導体ウェーハ装填治具Info
- Publication number
- JP2758775B2 JP2758775B2 JP8677392A JP8677392A JP2758775B2 JP 2758775 B2 JP2758775 B2 JP 2758775B2 JP 8677392 A JP8677392 A JP 8677392A JP 8677392 A JP8677392 A JP 8677392A JP 2758775 B2 JP2758775 B2 JP 2758775B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- semiconductor wafer
- loading jig
- groove
- jig
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- Expired - Lifetime
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- Packaging For Recording Disks (AREA)
- Specific Conveyance Elements (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェーハ装填治具
に関し、特にソフトランディング入出炉方式に対応する
ウェーハ２点支持の半導体ウェーハ装填治具に関する。
に関し、特にソフトランディング入出炉方式に対応する
ウェーハ２点支持の半導体ウェーハ装填治具に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、図５（ａ），（ｂ）の状態図に示
すように、半導体ウェーハ装填治具１はカンチパドル４
上でも、反応炉５内に置いた状態でも、ウェーハ３を一
方向に傾け、ウェーハ間隔を一定に保つために図６の正
面図に示すようにウェーハ支持溝７を垂直に対し３°傾
けて刻んである。
すように、半導体ウェーハ装填治具１はカンチパドル４
上でも、反応炉５内に置いた状態でも、ウェーハ３を一
方向に傾け、ウェーハ間隔を一定に保つために図６の正
面図に示すようにウェーハ支持溝７を垂直に対し３°傾
けて刻んである。
【０００３】次に、ウェーハの移載動作について説明す
る。図６のＡ−Ａ断面図である図７に示すように、半導
体ウェーハ装填治具１の下からウェーハ一括移載機プッ
シャー６が垂直に上昇し、プッシャーウェーハ支持溝８
で半導体ウェーハ３を半導体ウェーハ装填治具１から取
り上げながら上昇する。その際、プッシャーウェーハ支
持溝８の溝方向及びウェーハ一括移載機プッシャー６の
軌道方向に対し、ウェーハ支持溝７が３°の傾斜角度を
もつため半導体ウェーハ３がウェーハ支持溝の溝壁を擦
りながら上昇する。
る。図６のＡ−Ａ断面図である図７に示すように、半導
体ウェーハ装填治具１の下からウェーハ一括移載機プッ
シャー６が垂直に上昇し、プッシャーウェーハ支持溝８
で半導体ウェーハ３を半導体ウェーハ装填治具１から取
り上げながら上昇する。その際、プッシャーウェーハ支
持溝８の溝方向及びウェーハ一括移載機プッシャー６の
軌道方向に対し、ウェーハ支持溝７が３°の傾斜角度を
もつため半導体ウェーハ３がウェーハ支持溝の溝壁を擦
りながら上昇する。
【０００４】また、半導体ウェーハ３を半導体ウェーハ
装填治具１に装填する場合には、半導体ウェーハ３を支
持しているウェーハ一括移載機プッシャー６が下降し、
半導体ウェーハ３をウェーハ支持溝７が受け取る。その
際、図６の平面図である図８に示すように、半導体ウェ
ーハ装填治具１のウェーハ支持溝７はプッシャーウェー
ハ支持溝８に対し傾斜角度を持ち、かつ挿入位置がずれ
ているためウェーハ支持溝７が半導体ウェーハ３を受け
取れない。
装填治具１に装填する場合には、半導体ウェーハ３を支
持しているウェーハ一括移載機プッシャー６が下降し、
半導体ウェーハ３をウェーハ支持溝７が受け取る。その
際、図６の平面図である図８に示すように、半導体ウェ
ーハ装填治具１のウェーハ支持溝７はプッシャーウェー
ハ支持溝８に対し傾斜角度を持ち、かつ挿入位置がずれ
ているためウェーハ支持溝７が半導体ウェーハ３を受け
取れない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体ウェ
ーハ装填治具では、ウェーハ一括移載機でウェーハを移
載させようとすると、ウェーハ支持溝がプッシャーウェ
ーハ支持溝８を溝方向及びウェーハ一括移載機プッシャ
ーの軌道方向に対し傾斜角度をもつため、ウェーハディ
スチャージの場合、半導体ウェーハとウェーハ支持溝の
擦れによる傷、ごみの発生、場合によっては欠け、割れ
が発生する。また、ウェーハチャージの場合、ウェーハ
支持溝にウェーハが正確に入らないため、ウェーハが倒
れたりする問題点があった。
ーハ装填治具では、ウェーハ一括移載機でウェーハを移
載させようとすると、ウェーハ支持溝がプッシャーウェ
ーハ支持溝８を溝方向及びウェーハ一括移載機プッシャ
ーの軌道方向に対し傾斜角度をもつため、ウェーハディ
スチャージの場合、半導体ウェーハとウェーハ支持溝の
擦れによる傷、ごみの発生、場合によっては欠け、割れ
が発生する。また、ウェーハチャージの場合、ウェーハ
支持溝にウェーハが正確に入らないため、ウェーハが倒
れたりする問題点があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウェーハ
装填治具は、半導体ウェーハが支持溝内で数度傾くだけ
の溝幅を有する垂直の支持溝と、カンチパドル上では本
体を水平に対し数度傾斜させるためのスペーサーとを有
する。
装填治具は、半導体ウェーハが支持溝内で数度傾くだけ
の溝幅を有する垂直の支持溝と、カンチパドル上では本
体を水平に対し数度傾斜させるためのスペーサーとを有
する。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１（ａ）は本発明の一実施例の半導体ウェーハ装
填治具をカンチパドル上に置いた状態図、図１（ｂ）は
炉内に置いた状態図である。図１（ａ）のように、本実
施例の半導体ウェーハ装填治具１は裏側にスペーサ２を
設けている。まず、装填治具１がカンチパドル４上にあ
る状態では、スペーサ２により半導体ウェーハ装填治具
１本体を水平なカンチパドル４に対し、例えは５°傾け
る。ウェーハ支持溝７は垂直に刻まれ、かつこの溝に対
して半導体ウェーハ３が３°傾斜するだけの溝幅を有し
ている。次いで、図１（ｂ）のようにカンチパドル４を
下げ、装填治具１を水平な反応炉５内に降ろすことによ
り、半導体ウェーハ３の傾きを一方向に揃えたまま本体
は水平となる。
る。図１（ａ）は本発明の一実施例の半導体ウェーハ装
填治具をカンチパドル上に置いた状態図、図１（ｂ）は
炉内に置いた状態図である。図１（ａ）のように、本実
施例の半導体ウェーハ装填治具１は裏側にスペーサ２を
設けている。まず、装填治具１がカンチパドル４上にあ
る状態では、スペーサ２により半導体ウェーハ装填治具
１本体を水平なカンチパドル４に対し、例えは５°傾け
る。ウェーハ支持溝７は垂直に刻まれ、かつこの溝に対
して半導体ウェーハ３が３°傾斜するだけの溝幅を有し
ている。次いで、図１（ｂ）のようにカンチパドル４を
下げ、装填治具１を水平な反応炉５内に降ろすことによ
り、半導体ウェーハ３の傾きを一方向に揃えたまま本体
は水平となる。
【０００８】図２は本発明の一実施例の正面図、図３は
図２のＡ−Ａ断面図、図４は図２の平面図である。図
２，図３，図４に示すように、ウェーハ支持溝７は垂直
に刻んであり、かつプッシャーウェーハ支持溝８の溝方
向及びウェーハ一括移載機プッシャー６の軌道方向と同
一垂直線上にあるため、ウェーハ一括移載機プッシャー
６を上昇させると、容易に半導体ウェーハ３を半導体ウ
ェーハ装填治具１からウェーハ一括移載機プッシャー６
にスムーズに移載できる。また、ウェーハ一括移載機プ
ッシャー６を下降させると、ウェーハ一括移載機プッシ
ャー６に保持された半導体ウェーハ３を半導体ウェーハ
装填治具１にスムーズに移載できる。
図２のＡ−Ａ断面図、図４は図２の平面図である。図
２，図３，図４に示すように、ウェーハ支持溝７は垂直
に刻んであり、かつプッシャーウェーハ支持溝８の溝方
向及びウェーハ一括移載機プッシャー６の軌道方向と同
一垂直線上にあるため、ウェーハ一括移載機プッシャー
６を上昇させると、容易に半導体ウェーハ３を半導体ウ
ェーハ装填治具１からウェーハ一括移載機プッシャー６
にスムーズに移載できる。また、ウェーハ一括移載機プ
ッシャー６を下降させると、ウェーハ一括移載機プッシ
ャー６に保持された半導体ウェーハ３を半導体ウェーハ
装填治具１にスムーズに移載できる。
【０００９】ここで、ウェーハの垂直に対する傾斜角度
３°及びウェーハ装填治具のスペーサによる水平方向に
対する傾斜角度５°は、特に限定された数値ではなく、
実験的に最適値を選ぶことが可能である。
３°及びウェーハ装填治具のスペーサによる水平方向に
対する傾斜角度５°は、特に限定された数値ではなく、
実験的に最適値を選ぶことが可能である。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体ウ
ェーハ装填治具にスペーサを備えることにより、カンチ
パドル上で半導体ウェーハの傾きをウェーハ支持構内で
一方向に揃え、水平の炉内に降ろすと治具本体は水平に
なり、半導体ウェーハの傾きを一方向に揃えたまま保持
するので、半導体ウェーハの間隔を一定にし反応炉にお
けるウェーハ間均一性を維持できる。
ェーハ装填治具にスペーサを備えることにより、カンチ
パドル上で半導体ウェーハの傾きをウェーハ支持構内で
一方向に揃え、水平の炉内に降ろすと治具本体は水平に
なり、半導体ウェーハの傾きを一方向に揃えたまま保持
するので、半導体ウェーハの間隔を一定にし反応炉にお
けるウェーハ間均一性を維持できる。
【００１１】また、ウェーハ支持溝は、半導体ウェーハ
を支持溝内で数度傾斜可能な溝幅を有し、かつ垂直であ
るため、半導体ウェーハを半導体ウェーハ装填治具の下
からプッシャーで垂直にチャージ、ディスチャージする
方式のウェーハ一括移載機による移載がスムーズに行な
われ、移載動作によるウェーハの擦れ、傷が減少し、無
理な力がかからないのでウェーハの割れが発生しないと
いう効果を有する。
を支持溝内で数度傾斜可能な溝幅を有し、かつ垂直であ
るため、半導体ウェーハを半導体ウェーハ装填治具の下
からプッシャーで垂直にチャージ、ディスチャージする
方式のウェーハ一括移載機による移載がスムーズに行な
われ、移載動作によるウェーハの擦れ、傷が減少し、無
理な力がかからないのでウェーハの割れが発生しないと
いう効果を有する。
【図１】本発明の一実施例の使用状態を示す図で、同図
（ａ）は炉内で傾斜させた状態図、同図（ｂ）は同じく
水平に置いた状態図である。
（ａ）は炉内で傾斜させた状態図、同図（ｂ）は同じく
水平に置いた状態図である。
【図２】本発明の一実施例の正面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ断面図である。
【図４】図２の平面図である。
【図５】従来の装填治具の使用状態を示す図で、同図
（ａ）はカンチパドル上にある状態図、同図（ｂ）は炉
内に置いた状態図である。
（ａ）はカンチパドル上にある状態図、同図（ｂ）は炉
内に置いた状態図である。
【図６】従来の装填治具の正面図である。
【図７】図６のＡ−Ａ断面図である
【図８】図６の平面図である。
１ 半導体ウェーハ装填治具 ２ スペーサ ３ 半導体ウェーハ ４ カンチパドル ５ 反応炉 ６ ウェーハ一括移載機プッシャー ７ ウェーハ支持溝 ８ プッシャーウェーハ支持溝
Claims (1)
- 【請求項１】 横型反応炉のソフトランディング入出炉
方式に対応するウェーハ二点支持の半導体ウェーハ装填
治具において、半導体ウェーハが支持溝内で数度傾斜す
るだけの溝幅を有する垂直な前記支持溝と、カンチパド
ル上では治具本体を水平に対し数度傾斜させるためのス
ペーサとを備えることを特徴とする半導体ウェーハ装填
治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8677392A JP2758775B2 (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | 半導体ウェーハ装填治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8677392A JP2758775B2 (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | 半導体ウェーハ装填治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291385A JPH05291385A (ja) | 1993-11-05 |
| JP2758775B2 true JP2758775B2 (ja) | 1998-05-28 |
Family
ID=13896077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8677392A Expired - Lifetime JP2758775B2 (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | 半導体ウェーハ装填治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2758775B2 (ja) |
-
1992
- 1992-04-08 JP JP8677392A patent/JP2758775B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05291385A (ja) | 1993-11-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980224 |