JP2758542B2 - 低熱抵抗高出力半導体装置 - Google Patents
低熱抵抗高出力半導体装置Info
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- JP2758542B2 JP2758542B2 JP4352723A JP35272392A JP2758542B2 JP 2758542 B2 JP2758542 B2 JP 2758542B2 JP 4352723 A JP4352723 A JP 4352723A JP 35272392 A JP35272392 A JP 35272392A JP 2758542 B2 JP2758542 B2 JP 2758542B2
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- semiconductor device
- heat
- semiconductor substrate
- low
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
- H01L2924/3511—Warping
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は低熱抵抗高出力半導体
装置に関し、特に低熱抵抗を得るためにヒートシンク構
造を設けた高出力半導体装置において、高歩留り，高信
頼性を実現させるための構造に関するものである。
装置に関し、特に低熱抵抗を得るためにヒートシンク構
造を設けた高出力半導体装置において、高歩留り，高信
頼性を実現させるための構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の低熱抵抗高出力半導体装置
の一例を示したもので、１はヒートシンク、２は該ヒー
トシンク１をその裏面に接着してなるＧａＡｓ半導体基
板、３は上記半導体基板２上に形成されたトランジスタ
等の能動素子である。また、図４は上記低熱抵抗高出力
半導体装置の製造方法を示したもので、１，２，３は上
記と同じものを示し、７はヒートシンク１と半導体基板
２との間の剥がれである。
の一例を示したもので、１はヒートシンク、２は該ヒー
トシンク１をその裏面に接着してなるＧａＡｓ半導体基
板、３は上記半導体基板２上に形成されたトランジスタ
等の能動素子である。また、図４は上記低熱抵抗高出力
半導体装置の製造方法を示したもので、１，２，３は上
記と同じものを示し、７はヒートシンク１と半導体基板
２との間の剥がれである。
【０００３】次に従来の低熱抵抗高出力半導体装置の製
造方法について説明する。図４(a) において、ＧａＡｓ
半導体基板２の主面にトランジスタ等の能動素子３を作
り込む。次に、図４(b) において、半導体基板２をその
裏面から５０μｍ以下の厚みになるよう研磨等すること
により薄化する。次に、図４(c) において、半導体基板
２の裏面にヒートシンク１、例えばＡｕ等を電解メッキ
等の手法により形成する。
造方法について説明する。図４(a) において、ＧａＡｓ
半導体基板２の主面にトランジスタ等の能動素子３を作
り込む。次に、図４(b) において、半導体基板２をその
裏面から５０μｍ以下の厚みになるよう研磨等すること
により薄化する。次に、図４(c) において、半導体基板
２の裏面にヒートシンク１、例えばＡｕ等を電解メッキ
等の手法により形成する。
【０００４】このようにして形成してなる半導体装置
は、ウエハプロセス中、もしくはチップ分離，組立工程
中において熱処理が加えられると、ＧａＡｓ半導体基板
部２とヒートシンク部１との熱膨張係数の違いから、図
４(d) のようにそのバイメタル効果によってチップは大
きくそることとなる。そして、このようにチップが大き
くそると、該そりの応力によって、半導体部２とヒート
シンク１とが接する部分で剥がれ７が生じることとな
る。
は、ウエハプロセス中、もしくはチップ分離，組立工程
中において熱処理が加えられると、ＧａＡｓ半導体基板
部２とヒートシンク部１との熱膨張係数の違いから、図
４(d) のようにそのバイメタル効果によってチップは大
きくそることとなる。そして、このようにチップが大き
くそると、該そりの応力によって、半導体部２とヒート
シンク１とが接する部分で剥がれ７が生じることとな
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の低熱抵抗高出力
半導体装置は以上のように構成されているので、ウエハ
プロセス中や、チップ分離，組立工程中において、Ｇａ
Ａｓ半導体基板部２とヒートシンク部１との熱膨張係数
の違いによってその両者の接合部で剥がれが生じるとい
う問題があった。
半導体装置は以上のように構成されているので、ウエハ
プロセス中や、チップ分離，組立工程中において、Ｇａ
Ａｓ半導体基板部２とヒートシンク部１との熱膨張係数
の違いによってその両者の接合部で剥がれが生じるとい
う問題があった。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ウエハプロセス中や組立工程中
において熱処理が加わっても、ヒートシンクが半導体基
板から剥がれることのない低熱抵抗高出力半導体装置を
提供することを目的としている。
ためになされたもので、ウエハプロセス中や組立工程中
において熱処理が加わっても、ヒートシンクが半導体基
板から剥がれることのない低熱抵抗高出力半導体装置を
提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る低熱抵抗
高出力半導体装置は、ヒートシンクの付着力向上のため
に、ヒートシンク材の半導体基板と接する側の金属に、
半導体に対して拡散係数が０．１cm 2 /s 以上と大きい材
料を採用したものである。
高出力半導体装置は、ヒートシンクの付着力向上のため
に、ヒートシンク材の半導体基板と接する側の金属に、
半導体に対して拡散係数が０．１cm 2 /s 以上と大きい材
料を採用したものである。
【０００８】また、ヒートシンク材と半導体基板間の熱
応力を緩和するために、ヒートシンク材料を２層以上の
金属層からなるものとし、そのうちの一層の熱膨張係数
が、ＧａＡｓ半導体基板のそれに近く、５×１０-6／°
Ｃ以上、７×１０-6／°Ｃ以下の範囲内にあるものを採
用したものである。
応力を緩和するために、ヒートシンク材料を２層以上の
金属層からなるものとし、そのうちの一層の熱膨張係数
が、ＧａＡｓ半導体基板のそれに近く、５×１０-6／°
Ｃ以上、７×１０-6／°Ｃ以下の範囲内にあるものを採
用したものである。
【０００９】
【作用】この発明においては、半導体とヒートシンクの
接着強度改善のために、少なくとも半導体基板と接する
側に、拡散係数の大きい金属を用いてヒートシンクを構
成したから、半導体内に金属が浸入し、この部分の接合
強度を大幅に向上させることができる。
接着強度改善のために、少なくとも半導体基板と接する
側に、拡散係数の大きい金属を用いてヒートシンクを構
成したから、半導体内に金属が浸入し、この部分の接合
強度を大幅に向上させることができる。
【００１０】また、少なくとも半導体基板と接する側
に、熱膨張係数が半導体基板のそれに近い金属材料を用
いてヒートシンクを構成したから、半導体基板とヒート
シンク間の熱応力そのものを緩和することができる。
に、熱膨張係数が半導体基板のそれに近い金属材料を用
いてヒートシンクを構成したから、半導体基板とヒート
シンク間の熱応力そのものを緩和することができる。
【００１１】
【実施例】実施例１． 以下、この発明の一実施例を図について説明する。図１
(a) はこの発明の一実施例による低熱抵抗高出力半導体
装置を示し、図において、２はＧａＡｓ半導体基板であ
り、その厚みは２０〜１５０μｍである。３は半導体基
板２上に形成されたトランジスタ等の能動素子、１はＡ
ｕよりなるヒートシンクであり、その厚みは約３〜４０
μｍであり、その熱膨張係数は１４×１０-6／°Ｃであ
る。４は上記ヒートシンク１と半導体基板２との間に形
成された、ＧａＡｓ半導体中への拡散係数が大なる、例
えばＮｉ，Ｚｎ等の金属層である。ここで、ＮｉのＧａ
Ａｓ中での拡散係数は０．８cm 2 /s であり、ＺｎのＧａ
Ａｓ中での拡散係数は０．２５cm 2 /s であり、請求項１
記載の発明は、ヒートシンク材の半導体基板と接する側
の金属に、半導体に対して拡散係数が０．１cm 2 /s 以上
である材料を採用したものである。また、ＮｉのＡｕ中
での拡散係数は０．０２cm 2 /s であり、ＺｎのＡｕ中で
の拡散係数は０．２９cm 2 /s である。
(a) はこの発明の一実施例による低熱抵抗高出力半導体
装置を示し、図において、２はＧａＡｓ半導体基板であ
り、その厚みは２０〜１５０μｍである。３は半導体基
板２上に形成されたトランジスタ等の能動素子、１はＡ
ｕよりなるヒートシンクであり、その厚みは約３〜４０
μｍであり、その熱膨張係数は１４×１０-6／°Ｃであ
る。４は上記ヒートシンク１と半導体基板２との間に形
成された、ＧａＡｓ半導体中への拡散係数が大なる、例
えばＮｉ，Ｚｎ等の金属層である。ここで、ＮｉのＧａ
Ａｓ中での拡散係数は０．８cm 2 /s であり、ＺｎのＧａ
Ａｓ中での拡散係数は０．２５cm 2 /s であり、請求項１
記載の発明は、ヒートシンク材の半導体基板と接する側
の金属に、半導体に対して拡散係数が０．１cm 2 /s 以上
である材料を採用したものである。また、ＮｉのＡｕ中
での拡散係数は０．０２cm 2 /s であり、ＺｎのＡｕ中で
の拡散係数は０．２９cm 2 /s である。
【００１２】図１(b) は図１(a) の低熱抵抗高出力半導
体装置を製造した後の状態を示し、図１(b) において、
５は上記拡散用金属４がＧａＡｓ半導体基板２中に浸入
した部分、６は上記拡散用金属４がＡｕよりなるヒート
シンク１中に浸入した部分である。
体装置を製造した後の状態を示し、図１(b) において、
５は上記拡散用金属４がＧａＡｓ半導体基板２中に浸入
した部分、６は上記拡散用金属４がＡｕよりなるヒート
シンク１中に浸入した部分である。
【００１３】次に本実施例１の低熱抵抗高出力半導体装
置の製造方法について説明する。図１(a) に示す本実施
例１の低熱抵抗高出力半導体装置は、半導体基板２の裏
面にヒートシンク１を形成する前に、例えばＮｉ，Ｚｎ
等の拡散用金属４をスパッタ法またはメッキ法により形
成し、その後Ａｕよりなるヒートシンク１をスパッタ法
またはメッキ法により形成する。
置の製造方法について説明する。図１(a) に示す本実施
例１の低熱抵抗高出力半導体装置は、半導体基板２の裏
面にヒートシンク１を形成する前に、例えばＮｉ，Ｚｎ
等の拡散用金属４をスパッタ法またはメッキ法により形
成し、その後Ａｕよりなるヒートシンク１をスパッタ法
またはメッキ法により形成する。
【００１４】次いで、この半導体装置に対し、チップそ
りが生じない程度の低温の熱処理（５０°Ｃ〜２００°
Ｃ，３０分〜４８時間程度）を実施すると、図１(b) に
示されるように、拡散用金属４が半導体基板２に浸入し
（浸入部５）、またヒートシンク１側にも浸入する（浸
入部６）。このように拡散用金属４がとなりあわせた層
２，１に浸入し、各層との間にその拡散による層５，６
を形成することで、従来の図３に示すように、ヒートシ
ンク１を半導体基板２に直接形成したものと比較して、
半導体基板２とヒートシンク１との付着力が大幅に向上
し、この場合、１０ｋｇ／ｍｍ2 から４０ｋｇ／ｍｍ2
以上の付着力に改善される。
りが生じない程度の低温の熱処理（５０°Ｃ〜２００°
Ｃ，３０分〜４８時間程度）を実施すると、図１(b) に
示されるように、拡散用金属４が半導体基板２に浸入し
（浸入部５）、またヒートシンク１側にも浸入する（浸
入部６）。このように拡散用金属４がとなりあわせた層
２，１に浸入し、各層との間にその拡散による層５，６
を形成することで、従来の図３に示すように、ヒートシ
ンク１を半導体基板２に直接形成したものと比較して、
半導体基板２とヒートシンク１との付着力が大幅に向上
し、この場合、１０ｋｇ／ｍｍ2 から４０ｋｇ／ｍｍ2
以上の付着力に改善される。
【００１５】このようにして、ヒートシンクと半導体基
板の付着力が大幅に向上するので、ウエハプロセス中、
もしくはチップ分離，組立工程中において高温熱処理を
行っても、従来のようにヒートシンク／半導体基板間の
剥離が生じることはなく、製造歩留りを大きく向上する
ことができる。
板の付着力が大幅に向上するので、ウエハプロセス中、
もしくはチップ分離，組立工程中において高温熱処理を
行っても、従来のようにヒートシンク／半導体基板間の
剥離が生じることはなく、製造歩留りを大きく向上する
ことができる。
【００１６】実施例２．図５は本発明の第２の実施例に
よる低熱抵抗高出力半導体装置を示す。図５において、
１，２，３は図１と同一のものを示し、９はヒートシン
クを構成する半導体基板２に接する側の金属層であり、
これはロジウム（Ｒｈ）からなり、その熱膨張係数は
６．０×１０-6／°Ｃである。なお、ＧａＡｓの熱膨張
係数は６．５×１０-6／°Ｃであり、Ａｕの熱膨張係数
は１４×１０-6／°Ｃである。請求項２の発明は、この
金属層に熱膨張係数が５．０×１０-6／°Ｃより大であ
り、７．０×１０-6／°Ｃより小であるものを用いたも
のである。
よる低熱抵抗高出力半導体装置を示す。図５において、
１，２，３は図１と同一のものを示し、９はヒートシン
クを構成する半導体基板２に接する側の金属層であり、
これはロジウム（Ｒｈ）からなり、その熱膨張係数は
６．０×１０-6／°Ｃである。なお、ＧａＡｓの熱膨張
係数は６．５×１０-6／°Ｃであり、Ａｕの熱膨張係数
は１４×１０-6／°Ｃである。請求項２の発明は、この
金属層に熱膨張係数が５．０×１０-6／°Ｃより大であ
り、７．０×１０-6／°Ｃより小であるものを用いたも
のである。
【００１７】本実施例２の製造方法は、上記実施例１の
それとほとんど同様であり、半導体基板２の裏面にＲｈ
よりなる金属層９をスパッタ法により形成し、その後Ａ
ｕよりなるヒートシンク１をスパッタ法またはメッキ法
により形成する。本実施例においては、金属を半導体基
板中に拡散させるものではないので、実施例１における
ような低温熱処理は必要としない。
それとほとんど同様であり、半導体基板２の裏面にＲｈ
よりなる金属層９をスパッタ法により形成し、その後Ａ
ｕよりなるヒートシンク１をスパッタ法またはメッキ法
により形成する。本実施例においては、金属を半導体基
板中に拡散させるものではないので、実施例１における
ような低温熱処理は必要としない。
【００１８】このような本実施例２の半導体装置では、
半導体基板と接する側に、熱膨張係数が半導体基板のそ
れに近い金属材料を用いてヒートシンクを構成したか
ら、両者間の熱応力そのものを緩和することができる。
このため、ウエハプロセス中、もしくはチップ分離，組
立工程中において高温熱処理を加えた場合において、図
５(b) に示すように、半導体装置にそりが生じることが
あっても、ヒートシンク／半導体基板間の剥離が生じる
ことはなく、製造歩留りを大きく向上することができ
る。
半導体基板と接する側に、熱膨張係数が半導体基板のそ
れに近い金属材料を用いてヒートシンクを構成したか
ら、両者間の熱応力そのものを緩和することができる。
このため、ウエハプロセス中、もしくはチップ分離，組
立工程中において高温熱処理を加えた場合において、図
５(b) に示すように、半導体装置にそりが生じることが
あっても、ヒートシンク／半導体基板間の剥離が生じる
ことはなく、製造歩留りを大きく向上することができ
る。
【００１９】実施例３．図２は本発明の第３の実施例に
よる低熱抵抗高出力半導体装置を示す。図２において、
８は半導体基板２の裏面にエッチング法により周期的に
形成した溝、即ち繰り返しの凹凸である。
よる低熱抵抗高出力半導体装置を示す。図２において、
８は半導体基板２の裏面にエッチング法により周期的に
形成した溝、即ち繰り返しの凹凸である。
【００２０】次に製造方法について説明する。図２(a)
に示すように、従来の製造方法による図４(b) の工程の
後、選択エッチング法により半導体基板２の裏面に周期
的に幅０．５μｍ以上、深さ０．５μｍ以上の溝８を形
成する。
に示すように、従来の製造方法による図４(b) の工程の
後、選択エッチング法により半導体基板２の裏面に周期
的に幅０．５μｍ以上、深さ０．５μｍ以上の溝８を形
成する。
【００２１】その後、図２(b) に示すように、ヒートシ
ンク１であるＡｕを上記溝８を埋めるように半導体基板
２裏面にスパッタ法またはメッキ法により形成すること
により、高出力半導体装置を完成する。
ンク１であるＡｕを上記溝８を埋めるように半導体基板
２裏面にスパッタ法またはメッキ法により形成すること
により、高出力半導体装置を完成する。
【００２２】本実施例３の半導体装置では、このように
半導体基板２とヒートシンク１との接触面に繰り返しの
凹凸を形成した構造を採用することで、いわゆる錨を降
ろしたのと同じような投錨効果が生じ、半導体基板２に
対するヒートシンク１の付着力を大幅に向上することが
できる。
半導体基板２とヒートシンク１との接触面に繰り返しの
凹凸を形成した構造を採用することで、いわゆる錨を降
ろしたのと同じような投錨効果が生じ、半導体基板２に
対するヒートシンク１の付着力を大幅に向上することが
できる。
【００２３】従って、ウエハプロセス中、もしくはチッ
プ分離，組立工程中において高温熱処理を加えた場合に
おいて、図２(c) に示すように、半導体装置にそりが生
じることがあっても、上記従来例における図４(d) に示
すように、ヒートシンク１と半導体基板２との間に剥が
れが発生するようなことはなく、製造歩留りを大きく向
上することができる。
プ分離，組立工程中において高温熱処理を加えた場合に
おいて、図２(c) に示すように、半導体装置にそりが生
じることがあっても、上記従来例における図４(d) に示
すように、ヒートシンク１と半導体基板２との間に剥が
れが発生するようなことはなく、製造歩留りを大きく向
上することができる。
【００２４】
【発明の効果】以上のように、この発明にかかる低熱抵
抗高出力半導体装置によれば、トランジスタ等の能動素
子を形成した半導体基板とヒートシンクとの間に拡散用
金属を挿入し、これに低温の熱処理を加えることによ
り、上記拡散用金属が上記半導体基板およびヒートシン
ク中に拡散し浸入するようにしたので、上記半導体基板
とヒートシンク間の付着力は大幅に増大することとな
り、両者間の剥がれが生じなくなり、製造歩留りを大き
く向上することができる。
抗高出力半導体装置によれば、トランジスタ等の能動素
子を形成した半導体基板とヒートシンクとの間に拡散用
金属を挿入し、これに低温の熱処理を加えることによ
り、上記拡散用金属が上記半導体基板およびヒートシン
ク中に拡散し浸入するようにしたので、上記半導体基板
とヒートシンク間の付着力は大幅に増大することとな
り、両者間の剥がれが生じなくなり、製造歩留りを大き
く向上することができる。
【００２５】またこの発明では、半導体基板の裏面の半
導体基板と接する側に、熱膨張係数が半導体基板のそれ
に近い金属材料を用いてヒートシンクを構成したから、
半導体基板とヒートシンク間の熱応力そのものを緩和す
ることができ、ウエハプロセス中の高温熱処理によって
も剥がれが生じなくなり、歩留りを大きく向上できると
いう効果がある。
導体基板と接する側に、熱膨張係数が半導体基板のそれ
に近い金属材料を用いてヒートシンクを構成したから、
半導体基板とヒートシンク間の熱応力そのものを緩和す
ることができ、ウエハプロセス中の高温熱処理によって
も剥がれが生じなくなり、歩留りを大きく向上できると
いう効果がある。
【００２６】
【図１】この発明の第１の実施例による低熱抵抗高出力
半導体装置を示す断面図である。
半導体装置を示す断面図である。
【図２】この発明の第３の実施例による低熱抵抗高出力
半導体装置を示す断面図である。
半導体装置を示す断面図である。
【図３】従来の高出力半導体装置の説明図である。
【図４】従来の高出力半導体装置の製造フローを示す図
である。
である。
【図５】この発明の第２の実施例による低熱抵抗高出力
半導体装置を示す断面図である。
半導体装置を示す断面図である。
１ ヒートシンク ２ 半導体基板 ３ 能動素子 ４ 拡散用金属 ５ 拡散用金属が半導体基板に浸入した部分 ６ 拡散用金属がヒートシンクに浸入した部分 ７ ヒートシンクの剥がれ部分 ８ 半導体基板に形成した溝（凹凸） ９ 所定の範囲の熱膨張係数を有する金属層
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体基板の裏面に放熱作用を有するヒ
ートシンクを有する構造のＧａＡｓチップを有する、出
力電力が３００ｍＷ以上である低熱抵抗高出力半導体装
置において、 上記半導体基板の裏面に２層以上の金属層からなるヒー
トシンクを形成してなり、かつ半導体基板に接する側の
金属層は該半導体中において０．１cm 2 /s 以上の拡散係
数を持つ金属からなることを特徴とする低熱抵抗高出力
半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の低熱抵抗高出力半導体装
置において、 上記ヒートシンクを構成する上記半導体基板に接する側
の金属層は、ＮｉまたはＺｎからなり、該ヒートシンク
を構成するもう１つの金属層はＡｕからなることを特徴
とする低熱抵抗高出力半導体装置。 - 【請求項３】 請求項２記載の低熱抵抗高出力半導体装
置において、 上記半導体基板の裏面に上記２層の金属層からなるヒー
トシンクを形成した後、５０°Ｃ〜２００°Ｃ，３０分
〜４８時間程度の低温の熱処理を行ってなるものである
ことを特徴とする低熱抵抗高出力半導体装置。 - 【請求項４】 基板裏面に放熱作用を有するヒートシン
クを有する構造のＧａＡｓチップを有する、出力電力が
３００ｍＷ以上である低熱抵抗高出力半導体装置におい
て、 上記ヒートシンクが２層以上の金属層からなり、半導体
基板に接する側の金属層は、その熱膨張係数が、５×１
０-6／°Ｃ以上、７×１０-6／°Ｃ以下の範囲内にある
ことを特徴とする低熱抵抗高出力半導体装置。 - 【請求項５】 請求項４記載の低熱抵抗高出力半導体装
置において、 上記ヒートシンクを構成する上記半導体基板に接する側
の金属層は、Ｒｈからなり、該ヒートシンクを構成する
もう１つの金属層はＡｕからなることを特徴とする低熱
抵抗高出力半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4352723A JP2758542B2 (ja) | 1992-12-09 | 1992-12-09 | 低熱抵抗高出力半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4352723A JP2758542B2 (ja) | 1992-12-09 | 1992-12-09 | 低熱抵抗高出力半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177291A JPH06177291A (ja) | 1994-06-24 |
| JP2758542B2 true JP2758542B2 (ja) | 1998-05-28 |
Family
ID=18425999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4352723A Expired - Lifetime JP2758542B2 (ja) | 1992-12-09 | 1992-12-09 | 低熱抵抗高出力半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2758542B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100328251B1 (ko) * | 1999-07-02 | 2002-03-16 | 이형도 | 패키지 기판 |
| AU2002315755B2 (en) * | 2001-07-09 | 2004-10-21 | Daikin Industries, Ltd. | Power module and air conditioner |
-
1992
- 1992-12-09 JP JP4352723A patent/JP2758542B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06177291A (ja) | 1994-06-24 |
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