JP3559432B2 - 半導体メタリゼイションシステムを形成する方法およびその構造 - Google Patents
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-
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般的には、集積回路に関しかつ、より特定的には、集積回路メタリゼイションシステム(metallization systems)に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の製造において、メタリゼイションシステムは典型的には半導体ダイの上に形成されて半導体ダイのセラミックまたはリードフレームのような金属構造への接合を促進する。一般に、メタリゼイションシステムは、クロミウム、ニッケルおよび金の層(CrNiAu)、チタン、プラチナおよび金の層(TiPtAu)、またはチタン、ニッケルおよび金の層(TiNiAu)のような、複数層の金属から構成される。第1の層は一般に半導体基板への接合の可能性のためクロミウムまたはチタンである。さらに、第1の層の金属は第2の金属層、例えば、NiまたはPt、を半導体ダイに結合する働きをなす。第2の金属層の上に金の保護層が形成される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
前記メタリゼイションシステムの重要な用途は半導体ダイをリードフレームに接合するためのものである。この接合工程を行う1つの技術ははんだリフロープロセスである。前記接合工程ははんだリフロープロセスを使用して行われるため、接合された半導体リードフレーム構造はその後接合温度より低い温度に維持されなければならない。さもなければ、半導体ダイはリードフレームから分離されることになる。従って、その後の処理工程は初めの接合温度より低い温度で行われなければならない。もしその後の処理工程がはんだリフロープロセスの温度より高い温度を必要とすれば、ダイ取付接合の完全性は危険にさらされるかもしれない。従来技術のメタリゼイションシステムの欠点はダイ取付接合の温度限界がその後のはんだリフロー処理の温度に非常に近いかあるいはより高いことである。
【0004】
従って、メタリゼイションシステムの形成の後に高い温度処理を可能にする温度限界を有する半導体メタリゼイションシステムを持つことが有利であろう。さらに、接合温度における金属の溶融を防ぐメタリゼイションシステムを持つことも有利であろう。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の一態様によれば、メタリゼイションシステムのための構造において、表面を有する基板、前記基板の前記表面上に配置されたチタンの第1の層、そして前記第1の層上に配置されたニッケルおよびバナジウム組成物の第2の層を設ける。
【0006】
本発明の別の態様では、半導体装置において、第1の面および第2の面を有する半導体基板であって、前記第1の面はそこから形成されたトランジスタを有するもの、前記第1の面および前記第2の面の内の少なくとも1つの上に配置されたチタンの接着層、そして前記接着層の上に配置されたバリア層であって、該バリア層はニッケルおよびバナジウム組成物からなる層を含むものを設ける。
【0007】
本発明のさらに別の態様では、リードフレームのためのメタリゼイションシステムにおいて、前記リードフレームの上に配置されたチタンの第1の層、前記第1の層の上に配置された第2の層であって、該第2の層はニッケルおよびバナジウム組成物を含むものを設ける。
【0008】
本発明のさらに別の態様では、半導体装置のメタリゼイションシステムを形成する方法であって、第1の表面を有する半導体基板を提供する段階、前記表面上にチタンの接着層を配置する段階、そして前記接着層上に第2の層を配置する段階であって、該第2の層はニッケルおよびバナジウム組成物を含む前記段階、を具備する半導体装置のメタリゼイションシステムを形成する方法が提供される。
【0010】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明に係わる処理の間における半導体装置23の断面図を示す。より詳細には、図1は頭部面21および底部面22を有する半導体基板20を示している。半導体基板20のための適切な材料はガリウムひ素(qallium arsenide)、シリコン、シリコン−ゲルマニウム、インジウムリン化物(indium phosphide)、その他を含む。半導体基板20はそこから製造された半導体装置23を含む。1例として、半導体装置23は頭部面21の上に形成されたゲート構造24を有する金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)である。ゲート構造24はゲート酸化物26によって頭部面21から間隔を空けたゲート電極25を含む。ゲート端子27はゲート電極25にコンタクトを行っている。ソース領域28はゲート構造24の第1の側部に隣接しておりかつドレイン領域29はゲート構造24の第2の側部に隣接している。ソース端子31はソース領域28にコンタクトを行っており、かつドレイン端子32はドレイン領域29にコンタクトを行っている。半導体装置23のような電界効果トランジスタを製造する技術は当業者によく知られている。半導体装置23はMOSFETに制限されるものではないことを理解すべきである。例えば、それはバイポーラトランジスタ、ダイオード、バイポーラ相補金属酸化物半導体(BiCMOS)、金属半導体電界効果トランジスタ(MESFET)、ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)、変調ドープ電界効果トランジスタ(Modulation Doped Field Effect Transistor:MODFET)その他とすることができる。
【0011】
図2は、本発明に係わる、その上に配置されたメタリゼイションシステム36を有する半導体基板20の断面図を示す。本発明の1実施形態では、メタリゼイションシステム36は3層メタリゼイションシステムであり、この場合各層はスパッタ被着(sputter deposition)技術を使用して形成される。接着層(adhesion layer)37は半導体基板20の底部面22の上に形成されあるいはスパッタ被着される。接着層37のための適切な材料はグループIVBおよびグループVBの元素からなる周期律表のグループから選択された遷移金属(transition element)を含む。1例として、接着層37はほぼ300オングストローム(A°)および3,000オングストロームの間に及ぶ厚さを有するチタンである。好ましくは、接着層37の厚さは500オングストロームである。接着層37は半導体基板20と後に説明するようなその後形成される金属層との間の接着を促進する。層37の熱膨張係数はその後形成される金属層のものと近密に整合し、従って高い温度における良質の機械的および化学的接合を保証することが注目されるべきである。
【0012】
バリア層38はスパッタ被着技術を使用して接着層37の上に形成される。1例として、バリア層37はほぼ1,000オングストロームおよび5,000オングストロームの間に及ぶ厚さを有するニッケルおよびバナジウム(vanadium)の混合物である。好ましくは、バリア層38の厚さは3,000オングストロームである。本発明によれば、バリア層38におけるバナジウムの濃度はほぼ重量で3%およびほぼ重量で31%の間に及んでいる。好ましくは、バナジウムの濃度は重量でほぼ7%でありかつニッケルの濃度は重量でほぼ93%である。バナジウムの重量パーセントは3%より小さくてもよくあるいは31%より大きくてもよいことが理解されるべきである。ニッケルおよびバナジウムの混合物ははんだリフロープロセスの間におけるニッケルの溶解および該ニッケルのその後の拡散を防止するバリアを形成する。
【0013】
バリア層38のための他の適切な混合物はニッケル−ニオブ(NiNb)、ニッケル−タンタル(NiTa)、ニッケル−硫黄(NiS)、ニッケル−アンチモン(NiSb)、ニッケル−スカンジウム(NiSc)、ニッケル−サマリウム(NiSm)、ニッケル−スズ(NiSn)、ニッケル−マグネシウム(NiMg)、ニッケル−イットリウム(NiY)、ニッケル−ハフニウム(NiHf)、およびニッケル−ジルコニウム(NiZr)のようなニッケル合金を含む。
【0014】
保護層39はスパッタ被着技術を使用してバリア層38の上に形成される。保護層39のための適切な材料は金および金合金を含む。1例として、保護層39はほぼ500オングストローム及び3,000オングストロームの間に及ぶ厚さを有する。好ましくは、保護層39の厚さは1,000オングストロームである。保護層39はバリア層38のニッケルが酸化されるのを防止する。
【0015】
層37,38および39はスパッタ被着技術を使用して形成されるものとして説明されているが、これは本発明を制限するものでないことが理解されるべきである。例えば、層37,38および39は真空蒸着技術を使用して形成できる。
【0016】
図3は、熱サイクルが前記金属合金における金属の再配分または再分布(redistribution)を引き起こした後の図2のメタリゼイションシステム36における金属の分布を説明するものである。本発明によれば、メタリゼイションシステム36は3層メタリゼイションシステムであり、第1の層37はチタンであり、第2の層38はニッケルおよびバナジウムの組合わせであり、そして第3の層39は金である。より詳細には、図3はメタリゼイションシステム36の各層の厚さおよび各層内の金属の分布を示している。0オングストロームの距離は図2の半導体基板20と接着層37との間の境界または界面を表している。500オングストロームの距離は図2の接着層37とバリア層38との間の境界または界面を表している。3,500オングストロームの距離は図2のバリア層38と保護層39の間の境界または界面を表している。4,500オングストロームの距離は図2のメタリゼイションシステム36の境界を表しておりかつはんだダイ取付材料の境界または界面である。
【0017】
熱サイクルはバリア層38においてはじめに被着されたニッケルおよびバナジウムの混合物を再分布させ、該混合物の濃度の中心を再配置する。NiV混合物のスパッタリング後の熱サイクルは処理工程またはアセンブリのはんだリフロー製造工程に帰するものとすることができる。ニッケルの濃度41はバリア層38内に分布しかつバリア層38内のほぼ中心にピーク濃度を有する。ニッケルの濃度は接着層38およびバリア層38の間の境界またはバリア層38と保護層39の間の境界の近くで低減する。ピークバナジウム濃度(参照数字40で示されている。)はバリア層38および保護層39の境界の近くで生じている。バリア層38においては、ニッケルはバナジウムがバリア層38と保護層39の間の境界に隣接してピークを生じているところで濃度が減少している。バナジウムのこのピーク濃度または山積(pile−up)はバリア層38からダイ取付材料のために使用されるはんだ内へのニッケルの溶解を防止する。
【0018】
例えば、保護層39における金ははんだリフロープロセスの間に生じる高温の間にはんだ内に溶解する。バリア金属、例えば,ニッケルおよびバナジウムは、はんだ成分が底部面22に向かって内部へ拡散することに対する保護を提供する。典型的には、メタリゼイションシステム36を有するダイは、任意選択的にニッケルでメッキされ、かつ次に金または銀でメッキされた、銅のリードフレーム(図示せず)に取り付けられる。ダイを半導体基板20からリードフレームに取り付けるために使用されるはんだ(solders)の例は、85%の鉛(Pb)/10%のアンチモン(Sb)/5%のスズ(Sn)、または80%の鉛(Pb)/10%のスズ(Sn)/10%のアンチモン(Sb)、または97.5%の鉛(Pb)/2.5%の銀(Ag)、または62%のスズ(Sn)/36%の鉛(Pb)/2%の銀(Ag)、のような組成を有する。メタリゼイションシステム36はほぼセ氏190度からセ氏410度に及ぶ温度ではんだをリフローすることによりリードフレームに接合される。温度が冷却するに応じて、はんだはメタリゼイションシステム36をリードフレームに接合する。
【0019】
【発明の効果】
以上から、本発明は高温処理において使用するのに適したメタリゼイションシステムを提供することが理解されるべきである。例えば、メタリゼイションシステム36は約セ氏190度からセ氏410度に及ぶ温度でダイ取付プロセスを行うのに適している。本メタリゼイションシステムは広い範囲のはんだ合金、リードフレームメッキ材料、接合技術、および半導体基板材料と共に使用するのに適している。さらに、本メタリゼイショシステムは基板に対し良好な接着を提供し、かつはんだ金属システム境界における低いボイド形成を有する。実験結果によれば実質的に何等のボイドも形成されないことが示されている。従って、本発明はリフロープロセスのような高温処理において使用するのに適したシステムを提供する。
【0020】
本発明の特定の実施形態が示されかつ説明されたが、当業者にはさらに他の修正および改善が可能であろう。例えば、本発明はバックメタルのためのメタリゼイショシステムに関して説明された。しかしながら、本発明はフロントメタルシステムにおいて使用するのにも適していることが理解される。本メタリゼイショシステムは基板20の頭部面21に対する相互接続としてパターニングされかつ使用することができる。例えば、半導体装置を相互接続しかつ頭部面のボンディングパッドを提供する本メタリゼイションシステムを備えた基板はフリップチップ(flip−chip)パッケージにおいてはんだ接合することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係わるプロセスの間における半導体装置を示す断面図である。
【図2】図1の半導体装置をその上に形成されたメタリゼイションシステムを有する状態で示す断面図である。
【図3】熱サイクルが金属合金における金属の再分布を生じさせた後の図2のメタリゼイションシステムにおける金属の分布を示す説明図である。
【符号の説明】
20 半導体基板
21 頭部面
22 底部面
23 半導体装置
24 ゲート構造
25 ゲート電極
26 ゲート酸化物
27 ゲート端子
28 ソース領域
29 ドレイン領域
31 ソース端子
32 ドレイン端子
36 メタリゼイションシステム
37 接着層
38 バリア層
39 保護層
Claims (4)
- メタリゼイションシステムのための構造であって、
表面を有する基板、
前記基板の前記表面上に配置されたチタンの第1の層、そして
前記第1の層上に配置されたニッケルおよびバナジウム組成物の第2の層、
を具備することを特徴とするメタリゼイショシステムのための構造。 - 半導体装置であって、
第1の面および第2の面を有する半導体基板であって、前記第1の面はそこから形成されたトランジスタを有するもの、
前記第1の面および前記第2の面の内の少なくとも1つの上に配置されたチタンの接着層、そして
前記接着層の上に配置されたバリア層であって、該バリア層はニッケルおよびバナジウム組成物からなる層を含むもの、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - リードフレームのためのメタリゼイションシステムであって、
前記リードフレームの上に配置されたチタンの第1の層、
前記第1の層の上に配置された第2の層であって、該第2の層はニッケルおよびバナジウム組成物を含むもの、
を具備することを特徴とするリードフレームのためのメタリゼイションシステム。 - 半導体装置のメタリゼイションシステムを形成する方法であって、
第1の表面を有する半導体基板を提供する段階、
前記表面上にチタンの接着層を配置する段階、そして
前記接着層上に第2の層を配置する段階であって、該第2の層はニッケルおよびバナジウム組成物を含む前記段階、
を具備することを特徴とする半導体装置のメタリゼイションシステムを形成する方法。
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