JP2757570B2 - 金属基板の実装構造 - Google Patents
金属基板の実装構造Info
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- JP2757570B2 JP2757570B2 JP3013088A JP1308891A JP2757570B2 JP 2757570 B2 JP2757570 B2 JP 2757570B2 JP 3013088 A JP3013088 A JP 3013088A JP 1308891 A JP1308891 A JP 1308891A JP 2757570 B2 JP2757570 B2 JP 2757570B2
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- semiconductor element
- resin
- hole
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体素子を搭載す
る金属基板の実装構造に関する。
る金属基板の実装構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の金属基板の実装構造としては、例
えば、図４に示すようなものがある。図４において、金
属基板１上には、チップ部品を含めた半導体素子２が搭
載される。半導体素子２の電極部と金属基板１の配線層
３はワイヤ４によって電気的に結線される。また、半導
体素子２は保護用の封止樹脂（チップコートレジン）５
でコーティングされている。この際、封止樹脂を選択的
に塗布できるようにするため、樹脂止め用のリング６を
用いている。また、金属基板１のエッジコネクタ部（外
部電極部）７を除く基板全体をケース８によって包装し
ている。このケース８は通常樹脂等によって形成されて
いる。上記の実装例は、金属基板の実装として最も一般
的な構造である。
えば、図４に示すようなものがある。図４において、金
属基板１上には、チップ部品を含めた半導体素子２が搭
載される。半導体素子２の電極部と金属基板１の配線層
３はワイヤ４によって電気的に結線される。また、半導
体素子２は保護用の封止樹脂（チップコートレジン）５
でコーティングされている。この際、封止樹脂を選択的
に塗布できるようにするため、樹脂止め用のリング６を
用いている。また、金属基板１のエッジコネクタ部（外
部電極部）７を除く基板全体をケース８によって包装し
ている。このケース８は通常樹脂等によって形成されて
いる。上記の実装例は、金属基板の実装として最も一般
的な構造である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の金属基板の実装構造においては、半導体
素子の封止に樹脂止め用のリング６を用いているため、
製造工数がかかり、また、予め樹脂などによってケース
を製造することが必要である等の理由によって実装コス
トが高くなる。樹脂製のケースで覆っているため、素
子からの放熱性が悪く、そのため素子の信頼性が低下す
る。ケースが樹脂等で形成されるため、半導体素子へ
の熱応力が大きく、そのため素子が劣化して信頼性が低
下する。実装形状が厚くなるため薄型化、軽量化が困
難である。等の問題があった。本発明は、上記のごとき
従来技術の種々の問題を解決することを目的とするもの
である。
ような従来の金属基板の実装構造においては、半導体
素子の封止に樹脂止め用のリング６を用いているため、
製造工数がかかり、また、予め樹脂などによってケース
を製造することが必要である等の理由によって実装コス
トが高くなる。樹脂製のケースで覆っているため、素
子からの放熱性が悪く、そのため素子の信頼性が低下す
る。ケースが樹脂等で形成されるため、半導体素子へ
の熱応力が大きく、そのため素子が劣化して信頼性が低
下する。実装形状が厚くなるため薄型化、軽量化が困
難である。等の問題があった。本発明は、上記のごとき
従来技術の種々の問題を解決することを目的とするもの
である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明においては、特許請求の範囲に記載するよう
に構成している。すなわち、本発明においては、一部に
貫通孔を設けた金属基板を二つ折りに折り曲げ、折り曲
げられた一方の片にある貫通孔が他方の片を底面として
凹部を形成する形状とし、上記凹部内に半導体素子を設
置し、かつ上記凹部内に半導体素子の上から封止樹脂を
注入して半導体素子を封止した構造を有するものであ
る。
め、本発明においては、特許請求の範囲に記載するよう
に構成している。すなわち、本発明においては、一部に
貫通孔を設けた金属基板を二つ折りに折り曲げ、折り曲
げられた一方の片にある貫通孔が他方の片を底面として
凹部を形成する形状とし、上記凹部内に半導体素子を設
置し、かつ上記凹部内に半導体素子の上から封止樹脂を
注入して半導体素子を封止した構造を有するものであ
る。
【０００５】
【作用】本発明においては、貫通孔の側壁が従来の樹脂
止め用のリング６の作用を果たすので、別個に製造した
リングを用いる必要がなく、かつ、折り曲げた金属基板
とコーティング用の封止樹脂とがケースの役目を果たす
ので、別個のケースを設ける必要がない。そのため製造
コストを大幅に低減することが出来る。また、従来のよ
うに樹脂製のケースで覆っておらず、しかも熱伝導性の
良好な金属基板がケースとなっているので、放熱性が向
上すると共に半導体素子への熱応力も減少し、そのため
信頼性を向上させることが出来る。また、構造が簡素に
なるので、実装形状が薄くすることが出来、かつ軽量化
を図ることが出来る。
止め用のリング６の作用を果たすので、別個に製造した
リングを用いる必要がなく、かつ、折り曲げた金属基板
とコーティング用の封止樹脂とがケースの役目を果たす
ので、別個のケースを設ける必要がない。そのため製造
コストを大幅に低減することが出来る。また、従来のよ
うに樹脂製のケースで覆っておらず、しかも熱伝導性の
良好な金属基板がケースとなっているので、放熱性が向
上すると共に半導体素子への熱応力も減少し、そのため
信頼性を向上させることが出来る。また、構造が簡素に
なるので、実装形状が薄くすることが出来、かつ軽量化
を図ることが出来る。
【０００６】
【発明の実施例】図１は、この発明の一実施例図であ
り、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図を示す。まず構成
を説明すると、金属基板１０は二つ折りに折り曲げられ
ている。そして折り曲げられた一方の片１０−１には予
め貫通孔１２が設けられており、貫通孔１２のない方の
片１０−２が貫通孔１２の底面となって凹部１５を形成
するようになっている。また、半導体素子２は上記底面
を形成する片１０−２上の貫通孔１２内、すなわち凹部
１５内に搭載され、ワイヤ４によって配線層３と電気的
に接続される。また、凹部１５内には半導体素子２の上
から封止樹脂５が注入され、半導体素子２に均一に塗布
されている。また、金属基板１０の一方の端部は、外部
端子（エッジコネクタ７）として形成されている。上記
のように、図１の実施例における金属基板１０は、配線
層３、絶縁層９、金属ベース１１から成る複合積層基板
である。
り、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図を示す。まず構成
を説明すると、金属基板１０は二つ折りに折り曲げられ
ている。そして折り曲げられた一方の片１０−１には予
め貫通孔１２が設けられており、貫通孔１２のない方の
片１０−２が貫通孔１２の底面となって凹部１５を形成
するようになっている。また、半導体素子２は上記底面
を形成する片１０−２上の貫通孔１２内、すなわち凹部
１５内に搭載され、ワイヤ４によって配線層３と電気的
に接続される。また、凹部１５内には半導体素子２の上
から封止樹脂５が注入され、半導体素子２に均一に塗布
されている。また、金属基板１０の一方の端部は、外部
端子（エッジコネクタ７）として形成されている。上記
のように、図１の実施例における金属基板１０は、配線
層３、絶縁層９、金属ベース１１から成る複合積層基板
である。
【０００７】次に作用を説明する。本実施例において
は、貫通孔１２の側壁が従来の樹脂止め用のリング６の
作用を果たすので、半導体素子２の封止には、樹脂止め
リング等を用いる必要がなく、封止樹脂（チップコート
レジン）を均一に半導体素子へ塗布可能である。また、
ケースとなる材料が金属ベース材であるため、樹脂等に
比べて熱膨張係数が小さく、そのため半導体素子に加わ
る熱応力も小さい。また、樹脂製のケースで覆っておら
ず、しかも半導体素子で発生する熱も熱伝導率の高いケ
ース（金属ベース１１）を介して効率的に放熱すること
が出来るので、放熱性がよい。このようにケースと基板
および樹脂止めリングを同一材（金属基板の一部）で構
成することにより、リング材とケース材を廃止すること
が出来、それにかかる工数を削減できるため、大幅なコ
スト低減を図ることが出来る。また放熱性および熱応力
を改善することが出来、性能アップ並びに信頼性の向上
を図ることが出来る。さらに構造が簡素で薄く構成でき
ると共に軽量化も図ることが出来る。
は、貫通孔１２の側壁が従来の樹脂止め用のリング６の
作用を果たすので、半導体素子２の封止には、樹脂止め
リング等を用いる必要がなく、封止樹脂（チップコート
レジン）を均一に半導体素子へ塗布可能である。また、
ケースとなる材料が金属ベース材であるため、樹脂等に
比べて熱膨張係数が小さく、そのため半導体素子に加わ
る熱応力も小さい。また、樹脂製のケースで覆っておら
ず、しかも半導体素子で発生する熱も熱伝導率の高いケ
ース（金属ベース１１）を介して効率的に放熱すること
が出来るので、放熱性がよい。このようにケースと基板
および樹脂止めリングを同一材（金属基板の一部）で構
成することにより、リング材とケース材を廃止すること
が出来、それにかかる工数を削減できるため、大幅なコ
スト低減を図ることが出来る。また放熱性および熱応力
を改善することが出来、性能アップ並びに信頼性の向上
を図ることが出来る。さらに構造が簡素で薄く構成でき
ると共に軽量化も図ることが出来る。
【０００８】なお、図１においては、半導体素子２のみ
が封止樹脂で保護されている状態を例示しているが、そ
の他の電子部品等も同様に凹部１５内に配置し、封止樹
脂で封止するように構成してもよい。ただし、その場合
には貫通孔１２を大きくする必要がある。
が封止樹脂で保護されている状態を例示しているが、そ
の他の電子部品等も同様に凹部１５内に配置し、封止樹
脂で封止するように構成してもよい。ただし、その場合
には貫通孔１２を大きくする必要がある。
【０００９】次に、図２および図３は、本発明の他の実
施例図であり、図２の（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面
図、図３は一部の拡大断面図を示す。この実施例は、半
導体素子２と配線層３との電気的接続を前記図１のワイ
ヤ４からリードリボン１３に変更したものである。な
お、この実施例においては、前記図１とは逆に、折り曲
げられた金属基板１０のエッジコネクタ７のある方（長
い方）に貫通孔１２を設けた例を示している。
施例図であり、図２の（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面
図、図３は一部の拡大断面図を示す。この実施例は、半
導体素子２と配線層３との電気的接続を前記図１のワイ
ヤ４からリードリボン１３に変更したものである。な
お、この実施例においては、前記図１とは逆に、折り曲
げられた金属基板１０のエッジコネクタ７のある方（長
い方）に貫通孔１２を設けた例を示している。
【００１０】図３に示すように、金属基板１０の配線層
３は、貫通孔１２の中で延長されており、端部がリード
リボン１３になっている。そしてそのリードリボン１３
を半導体素子２の電極部に、はんだ１４等で接続してい
る。このような構造を用いることにより、今まで必要で
あったワイヤボンディング工程をなくすことが出来るの
で、製造工数をさらに低減することが出来る。
３は、貫通孔１２の中で延長されており、端部がリード
リボン１３になっている。そしてそのリードリボン１３
を半導体素子２の電極部に、はんだ１４等で接続してい
る。このような構造を用いることにより、今まで必要で
あったワイヤボンディング工程をなくすことが出来るの
で、製造工数をさらに低減することが出来る。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、一部に貫通孔を設けた金属基板を二つ折りに折り曲
げ、折り曲げられた一方の片にある貫通孔が他方の片を
底面として凹部を形成する形状とし、上記凹部内に半導
体素子等の電子部品を設置し、かつ上記凹部内に半導体
素子の上から封止樹脂を注入するように構成したことに
より、従来の樹脂止めリングやケースに伴う材料や工数
が削減されるので、コストを大幅に低減することが出来
る。また、ケースに金属ベースを用いるため、放熱性、
熱応力が改善され、性能と信頼性を向上させることが出
来る。また、構造が簡素になるので、実装形状を薄くす
ることが出来ると共に軽量化を実現することが出来る、
等の多くの効果が得られる。また、図２、図３の構成に
おいては、ワイヤボンディング工程をなくすことが出
来、はんだ付けのみによって処理することが可能とな
る。
は、一部に貫通孔を設けた金属基板を二つ折りに折り曲
げ、折り曲げられた一方の片にある貫通孔が他方の片を
底面として凹部を形成する形状とし、上記凹部内に半導
体素子等の電子部品を設置し、かつ上記凹部内に半導体
素子の上から封止樹脂を注入するように構成したことに
より、従来の樹脂止めリングやケースに伴う材料や工数
が削減されるので、コストを大幅に低減することが出来
る。また、ケースに金属ベースを用いるため、放熱性、
熱応力が改善され、性能と信頼性を向上させることが出
来る。また、構造が簡素になるので、実装形状を薄くす
ることが出来ると共に軽量化を実現することが出来る、
等の多くの効果が得られる。また、図２、図３の構成に
おいては、ワイヤボンディング工程をなくすことが出
来、はんだ付けのみによって処理することが可能とな
る。
【図１】本発明の一実施例の斜視図および断面図。
【図２】本発明の他の実施例の斜視図および断面図。
【図３】図２の部分拡大断面図。
【図４】従来例の斜視図および断面図。
１…金属基板 ２…半導体素子 ３…配線層 ４…ワイヤ ５…封止樹脂 ６…樹脂止めリング ７…エッジコネクタ部 ８…ケース ９…絶縁層 １０…金属基板 １０−１…金属基板の折り曲げられた一方の片（貫通孔
のある方） １０−２…金属基板の折り曲げられた他方の片（貫通孔
の底部を形成する方） １１…金属ベース １２…貫通孔 １３…リードリボン １４…はんだ １５…凹部
のある方） １０−２…金属基板の折り曲げられた他方の片（貫通孔
の底部を形成する方） １１…金属ベース １２…貫通孔 １３…リードリボン １４…はんだ １５…凹部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/28 H01L 21/48 H01L 21/56 H01L 23/14 H01L 23/36
Claims (1)
- 【請求項１】半導体素子を金属基板へ搭載し、上記半導
体素子と上記金属基板の配線部とを結線して電気的な接
続を行なう金属基板の実装構造において、所定の位置に
貫通孔を設けた金属基板を二つ折りに折り曲げ、折り曲
げられた一方の片にある貫通孔が他方の片を底面として
凹部を形成する形状とし、上記凹部内に半導体素子を配
置し、結線を行なった後、上記凹部内に上記半導体素子
の上から封止樹脂を注入して上記半導体素子を封止した
構造を有することを特徴とする金属基板の実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3013088A JP2757570B2 (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | 金属基板の実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3013088A JP2757570B2 (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | 金属基板の実装構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04247645A JPH04247645A (ja) | 1992-09-03 |
| JP2757570B2 true JP2757570B2 (ja) | 1998-05-25 |
Family
ID=11823412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3013088A Expired - Lifetime JP2757570B2 (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | 金属基板の実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2757570B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06188324A (ja) * | 1992-12-16 | 1994-07-08 | Kyocera Corp | 半導体装置 |
| US7095053B2 (en) * | 2003-05-05 | 2006-08-22 | Lamina Ceramics, Inc. | Light emitting diodes packaged for high temperature operation |
| JP2007042669A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | 光源装置 |
| KR101204564B1 (ko) * | 2011-09-30 | 2012-11-23 | 삼성전기주식회사 | 전력 모듈 패키지 및 그 제조 방법 |
-
1991
- 1991-02-04 JP JP3013088A patent/JP2757570B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04247645A (ja) | 1992-09-03 |
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