JP2756868B2 - 弗素化ビフェニル誘導体 - Google Patents
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Description
(1個または2個の隣接していないCH2-基は、また、−
O−、−O−CO−、−CO−O−および(または)−CH=
CH−により置換されていてもよい)を示し、mは0また
は1であり、そして、Xは-OCF3、-OCHF2であり、ある
いはmが1を示す場合は、さらにF、CF3またはNCSであ
る]の弗素化ビフェニル誘導体、そしてまた、少なくと
も1種の化合物が式Iの弗素化ビフェニル誘導体である
ことを特徴とする少なくとも2種の化合物の混合物であ
る液晶相に関するものである。
特に低粘度および高いネマティック相形成性と組み合わ
された光学および誘電異方性に対する有利な値を有して
いる新規な安定な液晶またはメソーゲン化合物を発見す
る目的に基づくものである。
が、米国特許第4797228号に記載されている。しかしな
がら、これらのビフェニルは、特に低温度でスメクティ
ック相を誘起する好ましくない傾向を有している。
非常に適していることが見出された。特に、これらの化
合物は、光学および誘電異方性の有利な値を有しそして
3,4−ジ置換類似体ほどスメクティック相形成性を有し
ていない。また、これらの化合物の助けによって、良好
な低温度動作および比較的低い粘度を包含する広いネマ
ティックメソフェース範囲を有する安定な液晶相を得る
ことが可能である。
相を構成する基材料として使用することができる。しか
しながら、式Iの化合物は、また、例えば誘電異方性お
よび(または)光学異方性および(または)粘度および
(または)このような誘電体のネマティックメソフェー
ス範囲に影響を及ぼすために、他の級の化合物の液晶基
材料に加えることも可能である。
て電気光学目的に対して有利に使用される温度範囲にお
いて液晶性である。これらの化合物は、化学薬品、熱お
よび光に対して非常に安定でありそして有意に改善され
た電気抵抗性値を有しそして特に熱的および(または)
UV−負荷下において改善された抵抗性動作を示す液晶相
の実現化を可能にする。
体、少なくとも1種の成分が式Iの化合物である少なく
とも2種の液晶成分を有する液晶相およびこのような相
を含有する液晶表示装置に関するものである。
別に明白に示されない限り、上述した意義を有す。
Ia、IbおよびIc のシクロヘキシルエチルビフェニル誘導体を包含する。
ルキル、アルカノイルオキシまたはアルケニルでありそ
して直鎖状または分枝鎖状の構造を示すことができる。
ありそして2、3、4、5、6または7個のC原子を有
している。したがって、これらの基は、好ましくはエチ
ル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチ
ル、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘ
キソキシまたはヘプトキシ、さらに、メチル、オクチ
ル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシ
ル、テトラデシル、ペンタデシル、メトキシ、オクトキ
シ、ノノキシ、デコキシ、ウンデコキシ、ドデコキシ、
トリデコキシまたはテトラデコキシである。
プロピル(=メトキシメチル)、2−(=エトキシメチ
ル)または3−オキサブチル(=2−メトキシエチ
ル)、2−、3−または4−オキサペンチル、2−、3
−、4−または5−オキサヘキシル、2−、3−、4
−、5−または6−オキサヘプチル、2−、3−、4
−、5−、6−または7−オキサオクチル、2−、3
−、4−、5−、6−、7−または8−オキサノニルま
たは2−、3−、4−、5−、6−、7−、8−、また
は9−オキサデシルである。
または10個のC原子を有している。したがって、それ
は、特にビニル、プロプ−1−またはプロプ−2−エニ
ルブト−1−、−2−または−3−エニル、ペント−1
−、−2−、−3−または−4−エニル、ヘキス−1
−、−2−、−3−、−4−または−5−エニル、ヘプ
ト−1−、−2−、−3−、−4−、−5−または−6
−エニル、オクト−1−、−2−、−3−、−4−、−
5−、−6−または−7−エニル、ノン−1−、−2
−、−3−、−4−、−5−、−6−、−7−または−
8−エニルまたはデク−1−、−2−、−3−、−4
−、−5−、−6−、−7−、−8−または−9−エニ
ルである。
晶基材料中における改善された溶解度のためにときおり
重要であるが、これらの化合物が光学活性である場合は
カイラルドーピング物質として重要である。
分れを含有していない。好ましい分枝鎖状の基は、イソ
プロピル、2−ブチル(=1−メチルプロピル)、イソ
ブチル(=2−メチルプロピル)、2−メチルブチル、
イソペンチル(=3−メチルブチル)、2−メチルペン
チル、2−エチルヘキシル、2−プロピルペンチル、2
−オクチル、イソプロポキシ、2−メチルプロポキシ、
2−メチルブトキシ、3−メチルブトキシ、2−メチル
ペントキシ、3−メチルペントキシ、2−エチルヘキソ
キシ、2−メチルヘキソキシ、1−メチルヘキソキシ、
1−メチルヘプトキシ(=2−オクチルオキシ)、2−
オキサ−3−メチルブチル、3−オキサ−4−メチルペ
ンチル、4−メチルヘキシル、2−ノニル、2−デシ
ル、2−ドデシル、6−メチルオクトキシ、6−メチル
オクタノイルオキシ、4−メチルヘプチルオキシカルボ
ニル、2−メチルブチリルオキシ、3−メチルバレリル
オキシ、4−メチルヘキサノイルオキシ、2−メチル−
3−オキサペンチルおよび2−メチル−3−オキサヘキ
シルである。
は、式Iは、光学対掌体およびラセミ体ならびにこれら
の混合物を包含する。
含有されている基の少なくとも1個が上述した好ましい
意義の一つを有する化合物が、好ましい。
n der Organischen Chemie(Methods of Organic Chemi
stry)、Georg Thieme Verlag、Stuttgartのような標準
文献)に記載されているようなそれ自体既知の方法によ
ってそして特に反応に対して知られそして適当である反
応条件下において製造される。それ自体既知でありそし
て文献に詳細に記載されていない変形法も、また、この
点に関して使用することができる。
いで、直接さらに反応させて式Iの化合物を得るよう
に、出発物質を反応系内で形成させることができる。
ム1に示される通りである。
ーム4に示される通りである。
方法は、次のスキーム5および6に示される通りであ
る。
所望の基とは異なる基Xを使用して上述した方法を実施
しそして最終工程において所望の基Xを導入すること、
例えば-NH2を−NCSに変換すること、−CNを−COOHにそ
して最後に-CF3に変換すること(また、BrまたはJをCF
3またはCNに対するプレカーサーとして使用するこ
と)、または−OMeを−OHにそして最後に-OCF3または-O
CHF2に変換することが可能である。すべてのこれらの工
程および相当する反応条件は、当業者に知られている。
して製造することができる。例えば、2−フルオロ−4
−ブロモ−4′−X−ビフェニル(X=OCF3、OCHF2、
F、CF3またはNCS)は、例えば、遷移金属接触クロス−
カップリング反応[E.Poetsch.Kontakte(Darmstadt)1
988(2)P.15]により製造することができる。
による液晶相は、好ましくは2〜40種の成分、特に4〜
30種の成分を含有する。式Iの1種または2種以上の化
合物および7〜25種の他の成分からなる液晶相が、特に
好ましい。
ネマティック相形成(単変成または等方性)物質、特に
アゾキシベンゼン、ベンジリデンアニリン、ビフェニ
ル、ターフェニル、フェニルまたはシクロヘキシルベン
ゾエート、フェニルまたはシクロヘキシルシクロヘキサ
ンカルボキシレート、フェニルまたはシクロヘキシルシ
クロヘキシルベンゾエート、フェニルまたはシクロヘキ
シルシクロヘキシルシクロヘキサンカルボキシレート、
シクロヘキシルフェニルベンゾエート、シクロヘキシル
フェニルシクロヘキサンカルボキシレート、シクロヘキ
シルフェニルシクロヘキシルシクロヘキサンカルボキシ
レート、フェニルシクロヘキサン、シクロヘキシルビフ
ェニル、フェニルシクロヘキシルシクロヘキサン、シク
ロヘキシルシクロヘキサン、シクロヘキシルシクロヘキ
セン、シクロヘキシルシクロヘキシルシクロヘキセン、
1,4−ビス−シクロヘキシルベンゼン、4,4′−ビス−シ
クロヘキシルビフェニル、フェニル−またはシクロヘキ
シルピリミジン、フェニル−またはシクロヘキシルピリ
ジン、フェニル−またはシクロヘキシルジオキサン、フ
ェニル−またはシクロヘキシル−1,3−ジチアン、1,2−
ジフェニルエタン、1,2−ジシクロヘキシルエタン、1
−フェニル−2−シクロヘキシルエタン、1−シクロヘ
キシル−2−(4−フェニル−シクロヘキシル)−エタ
ン、1−シクロヘキシル−2−ビフェニルエタン、1−
フェニル−2−シクロヘキシル−フェニルエタン、場合
によってはハロゲン化されたスチルベン、ベンジルフェ
ニルエーテル、トランおよび置換された桂皮酸の級から
選択される。これらの化合物の1,4−フェニレン基は、
弗素化されていてもよい。
な化合物は、次の式1、2、3、4および5により特徴
づけることができる。
相互に同一であっても異なっていてもよい。LおよびU
は、相互に独立して、−Phe−、−Cyc−、−Phe-Phe
−、−Phe-Cyc−、−Cyc-Cyc−、−Pyr−、−Dio−、−
G-Phe−、−G-Cyc-およびこれらの鏡像体からなる群か
ら選択された2価の基を示す。これらの基において、Ph
eは非置換または弗素化された1,4−フェニレンを示し、
Cycはトランス−1,4−シクロヘキシレンまたは1,4−シ
クロヘキセニレンを示し、Pyrはピリミジン−2,5−ジイ
ルまたはピリジン−2,5−ジイルを示し、Dioは1,3−ジ
オキサン−2,5−ジイルそしてGは2−(トランス−1,4
−シクロヘキシル)−エチル、ピリミジン−2,5−ジイ
ル、ピリジン−2,5−ジイルまたは1,3−ジオキサン−2,
5−ジイルを示す。
rである。Uは、好ましくはCyc、PheまたはPhe-Cycを示
す。本発明による液晶相は、好ましくはLおよびUがCy
c、PheおよびPyrを意味する式1、2、3、4および5
の化合物から選択された1種または2種以上の成分を含
有する。さらに、該液晶相は、同時に、基LおよびUの
一方がCyc、PheおよびPyrを示しそして他方の基が−Phe
-Phe−、−Phe-Cyc−、−Cyc-Cyc−、−G-Cyc−からな
る群から選択されたものである式1、2、3、4および
5の化合物から選択された1種または2種以上の成分を
含有する。該液晶相は、これに加えて、場合によって
は、LおよびUが−Phe-Cyc−、−Cyc-Cyc−、−G-Phe
−および−G-Cycからなる群から選択されたものである
式1、2、3、4および5の化合物から選択された1種
または2種以上の成分を含有する。
ループ(サブグループ1)において、R′およびR″
は、相互に独立して、8個までの炭素原子を有するアル
キル、アルケニル、アルコキシ、アルケノキシである。
R′およびR″は、大部分のこれらの化合物において相
互に異なっており、基の一方は通常アルキルまたはアル
ケニルである。
ループ(サブグループ2)においては、R″は−CN、-C
H3、−F、−Clまたは−NCSを示しそして他方R′はサ
ブグループ1において示した意義、好ましくはアルキル
またはアルケニルを示す。式1、2、3、4および5の
化合物における他の種類の期待される置換分も、また、
慣用される。多くのこのような物質は、商業的に入手す
ることができる。これらの物質は、すべて、文献から知
られている方法によりまたは類似した方法により得るこ
とができる。
から選択された化合物に加えて、さらにサブグループ2
の成分を含有する。これらの成分の%は次の通りであ
る。
グループ1および2の化合物の%は、100%を与えるま
で加えることができる。
〜40%、特に5〜30%を含有する。さらに、本発明の化
合物の40%より大なる量、特に45〜90%の量も、好まし
い。該液晶相は、好ましくは本発明による3、4または
5の化合物を含有する。
る。一般に、成分を、有利には上昇した温度で相互に溶
解する。本発明の液晶相は、該液晶相をすべての型の液
晶表示装置に使用することができるようにするために、
適当な添加剤により変性することができる。このような
添加剤は、当業者に既知でありそして文献(H.Kelker/
R.Hatz、Handbook of Liquid Crystals、Verlag Chemi
e、Weinheim、1980)に詳細に記載されている。例え
ば、着色したゲスト−ホスト系を製造するために多色性
染料を、または、ネマティック相の誘電異方性、粘度お
よび(または)配向を変性する物質を添加することが可
能である。
定のために示すものではない。m.p.=融点。c.p.=透明
点。上述したおよび後述する説明において、部および%
は、すべて重量部および重量%でありそして温度は℃で
示される。“慣用の処理”とは、水を加え、混合物を塩
化メチレンで抽出し、有機相を分離し、乾燥し次に蒸発
しそして生成物を結晶化および(または)クロマトグラ
フィーにより精製することを意味するものである。
(指標は、スメクティック相の型を示す)、N:ネマティ
ック相、Ch:コレステリック相、I:イソトロピック相で
ある。2個のこれらの記号により囲まれた数字は、相変
化の温度を示す。
ランス−4−n−プロピル−シクロヘキシル−エチル−
アニリン[2−(トランス−4−n−プロピルシクロヘ
キシル)−1−(2−フルオロ−4−ビフェニル)エタ
ンと硝酸との反応次いで水素添加によって得られた]0.
1モルおよびトリエチルアミン15mlの溶液に、チオホス
ゲン0.1モルを滴加する。混合物を朝まで撹拌し次に3N
塩酸に注加する。溶剤を蒸溜した後、残留物を、結晶化
により精製する。p−(2−フルオロ−4−(トランス
−4−n−プロピルシクロヘキシル−エチル)−フェニ
ル)−イソチオシアネートベンゼンを得る。
チルシクロヘキシル−エチル)−フェニル)−イソチオ
シアネートベンゼン (3)p−(2−フルオロ−4−(トランス−4−ヘプ
チルシクロヘキシル−エチル)−フェニル)−イソチオ
シアネートベンゼン (4)p−(2−フルオロ−4−(トランス−4−ブチ
ルシクロヘキシル−エチル)−フェニル)−イソチオシ
アネートベンゼン (5)p−(2−フルオロ−4−(トランス−4−エチ
ルシクロヘキシル−エチル)−フェニル)−イソチオシ
アネートベンゼン 例 6 1−クロロ−2−フルオロ−4−(トランス−4−n
−プロピルシクロヘキシルエチル)ベンゼン[4−n−
プロピルシクロヘキシルメチルホスホニウムアイオダイ
トと4−クロロ−3−フルオロベンズアルデヒドとの反
応次いで水素添加により得られた]0.1モル、4−フル
オロフェニルボロン酸[4−ブロモフルオロベンゼンと
マグネシウムおよびトリメチルボレートとの反応により
得られた]0.1モル、テトラキス(トリフェニルホスフ
ィン)パラジウム(1モル%)、2m炭酸ナトリウム溶液
(150ml)、トルエン(250ml)およびIMS(60ml)の混
合物を、窒素雰囲気下で16時間撹拌、還流する。冷却
後、有機層を分離し、水で洗浄し次に溶剤を蒸発除去す
る。粗製の4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ルエチル)−2,4′−ジフルオロビフェニルを、シリカ
上のクロマトグラフィーおよび結晶化により精製する。
C 47 N 89 I。
−フルオロ−1−クロロベンゼン(4−プロピルシクロ
ヘキサノンおよび3−4−クロロフェニルマグネシウム
ブロマイドの反応により得られた)0.1モル、トリフル
オロメトキシフェニルボロン酸0.1モル、テトラキス
(トリフェニルホスフィン)パラジウム(1モル%)、
2m炭酸ナトリウム(150ml)、トルエン(250ml)および
IMS(60ml)の混合物を、窒素雰囲気中で16時間還流下
で撹拌する。通常の処理およびクロマトグラフィー処理
および結晶化後、純粋な4−(トランス−4−プロピル
シクロヘキシル)−2−フルオロ−4′−トリフルオロ
メトキシビフェニルが得られる。
ml)中のトランス1,4−プロピルシクロヘキシルメチル
ホスホニウムアイオダイド(70g)に徐々に加えそして
1時間撹拌する。THF(20ml)中の3−フルオロベンズ
アルデヒド(16.5g)を滴加しそして15分撹拌する。水
(100ml)を加えそして揮発性物質を溜去する。ジクロ
ロメタン(200ml)を加えそして有機層を分離し、稀過
酸化水素、それから硫酸第一鉄アンモニウムおよび水で
洗浄する。カラムクロマトグラフィー処理によってシス
/トランスアルケンを得、これをTHF(100ml)中でPd/C
で水素添加して必要とするエタンを得る(スキーム1を
参照されたい)。
g)、THF(30ml)中のカリウムブトキシド(8g)および
DMPU(9.5g)を、−110℃に冷却する。ブチルリチウム
(1.6m)(50ml)を、40分にわたり、滴加しそして−10
0℃で1時間撹拌する。THF(20ml)中の硼酸トリメチル
(8.2g)を加えそして反応混合物を20℃に加温する。通
常の処理によって必要なボロン酸を得る。
オロメトキシベンゼン(1.6g)、トルエン(20ml)、エ
タノール(5ml)、パラジウムテトラ(トリフェニルホ
スフィン)(0.1g)および炭酸ナトリウム溶液(10ml)
の混合物を、撹拌しそして5時間還流下で加熱する。生
成物を、抽出により単離しそしてカラムクロマトグラフ
ィー処理して4−(トランス−4−n−プロピルシクロ
ヘキシルエチル)−2−フルオロ−4′−トリフルオロ
メトキシビフェニルを得る。C 36 N 89 I。
で製造することができる。
のグリニヤール試薬を、THF(515ml)中におけるマグネ
シウム(8.3g)との反応により製造し、20℃に冷却した
後、塩化亜鉛(ジエチルエーテル中の1.0m溶液315ml)
を冷却しながら加え、過剰のマグネシウムを去する。
この混合物を、パラジウムテトラ(トリフェニルホスフ
ィン)(1.0g)を含有するTHF(150ml)中の4−ブロモ
−3−フルオロ−1−ヨードベンゼン(86.2g)の混合
物に加えそして窒素下で2日間撹拌する。通常の処理お
よびクロマトグラフィー処理によって、4−ブロモ−2
−フルオロ−4′−トリフルオロメトキシビフェニルを
得る。
g)およびTHF(70ml)を使用してグリニヤール試薬に変
換する。THF(20ml)中のトランス4−ペンチルシクロ
ヘキサノン(8.7g)を徐々に加えそしてそれから混合物
を1時間還流下で加熱する。通常の処理後、粘稠な油2
2.5gを単離し、これをトルエン(100ml)中のトルエン
スルホン酸(0.2g)を使用して脱水してアルケンを得る
(スキーム6)。二重結合の水素添加後に、トランス−
異性体を抽出およびカラムクロマトグラフィーにより単
離して、4−(トランス−4−n−ペンチルシクロヘキ
シル)−2−フルオロ−4′−トリフルオロメトキシビ
フェニルを得る。C 56 N 107 I。
−ヘキシルおよびn−ヘプチルを包含するすべてのアル
キル同族体のような他の末端基の化合物は、同じ方法で
製造することができる。
手できる)90%および4−(トランス−4−n−プロピ
ルシクロヘキシルエチル)−2−フルオロ−4′−トリ
フルオロメトキシビフェニル10%からなる液晶相は、7
2.2℃の透明点、11.6cStの粘度、0.113の複屈折Δnお
よび+0.8の誘電異方性Δεを示す。
Claims (8)
- 【請求項1】式I [式中、R1は12個までの炭素原子を有するアルキル基
(1個または2個の隣接していないCH2-基は、また、−
O−、−O−CO−、−CO−O−および(または)−CH=
CH−により置換されていてもよい)を示し、mは0また
は1であり、そして、Xは-OCF3、-OCHF2であり、ある
いはmが1を示す場合には、さらにF、CF3またはNCSで
ある]の弗素化ビフェニル誘導体。 - 【請求項2】Xが-OCF3または-OCHF2を示す請求項1記
載のビフェニル誘導体。 - 【請求項3】式Ia により特徴づけられる請求項1記載のビフェニル誘導
体。 - 【請求項4】式Ib により特徴づけられる請求項1記載のビフェニル誘導
体。 - 【請求項5】式Ic により特徴づけられる請求項1記載のビフェニル誘導
体。 - 【請求項6】少なくとも1種の化合物が請求項1記載の
弗素化ビフェニル誘導体であることを特徴とする少なく
とも2種の化合物の混合物である液晶相。 - 【請求項7】請求項6記載の液晶相を含有することを特
徴とする液晶表示装置。 - 【請求項8】請求項6記載の液晶相を含有することを特
徴とする電気光学表示装置。
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